专利名称：基片处理装置及为此使用的覆盖构件的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种基片处理装置，更具体而言，涉及一种能够执行诸如蚀刻的基 片处理的基片处理装置以及为此使用的覆盖构件。
背景技术：
基片处理装置包括形成处理空间的处理室和安装在处理室中并构造成在其上固 定基片的基片支撑板。该基片处理装置用于通过向处理空间施加电能并且同时将气体注 入其中来蚀刻基片的表面或者在基片上执行沉积处理。
通过基片处理装置处理的基片可包括半导体晶片、LCD面板的玻璃基片、太阳 能电池的基片等。
作为基片处理装置的一个实例，存在这样一种基片处理装置，即通过将太阳能 电池的基片固定在基片支撑板上，接着将具有多个开口的覆盖构件布置在基片上方，用 来在基片表面上形成微突起。
为了处理更大的基片和更大数量的基片，不仅需要更大的处理室，而且需要更 大的基片支撑板和覆盖构件。
但是，传统的基片处理装置具有如下问题
首先，当基片处理装置变得更大时，处理空间内部的真空压力增大。并且，由 于真空压力增大，处理室的墙体可能会有增大的变形。
其次，当每个部件都变得更大时，每个部件的自重增加。这可导致每个部件具 有增大的向下的变形量，增大的变形等。结果，基片处理装置的成品率可能降低，或者 基片处理装置的制造成本可能增加。发明内容
因此，本发明的目的是提供一种能够提升基片处理功能的基片处理装置及其覆 盖构件，其中在其上直接或者通过托盘固定有多个基片的基片支撑板利用覆盖构件覆盖 的状态下，当具有开口的该覆盖构件处理基片时，该基片处理装置通过防止覆盖构件向 下变形，从而能够提升其基片处理功能。
本发明的另一个目的在于提供一种能够防止基片支撑板或托盘损坏的基片处理 装置及其覆盖构件，其中在其上直接或者通过托盘固定有多个基片的基片支撑板利用覆 盖构件覆盖的状态下，当具有开口的覆盖构件处理基片时，该基片处理装置能够通过首 先接触安装在覆盖构件的底面上的向下变形阻止支柱，从而能够防止基片支撑板的损 坏。
为了实现这些优点和其它优点以及根据本发明的目的，就像在此具体例示和概 括说明的那样，提供了一种基片处理装置，包括处理室，其形成处理空间；基片支撑 板，其具有下部电极，并构造成在其上直接或者通过托盘固定一个或者更多个基片；覆 盖构件，其具有沿向上和向下方向贯通地形成的多个开口，并构造成覆盖该基片；以及一个或者更多个向下变形阻止构件，其安装在该覆盖构件和该基片支撑板之间，用于维 持该覆盖构件的底面与该基片支撑板之间的距离。
所述覆盖构件可包括具有多个开口的覆盖部分和至少一个支撑部分，所述支撑 部分形成于所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与固定在所述托盘或者所述基片 支撑板上的基片以预定距离间隔开。而且，所述向下变形阻止构件包括一个或者更多个 墙体，所述墙体将所述覆盖部分与所述基片之间的空间分隔成多个部分。
所述墙体可以从覆盖部分的底面伸出，以便将所述覆盖部分与所述基片之间的 所述空间分隔成多个部分。
所述覆盖构件可包括具有多个开口的覆盖部分和至少一个支撑部分，所述支撑 部分形成于所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与固定在所述托盘或者所述基片 支撑板上的基片以预定距离间隔开。而且，所述向下变形阻止构件可以实现为安装在覆 盖构件与基片支撑板之间的一个或者更多个向下变形阻止支柱。
多个所述向下变形阻止支柱可以安装在基于所述覆盖部分的阵点处。
所述向下变形阻止支柱可以安装在所述覆盖部分的中心部分。
所述向下变形阻止支柱的长度可以大于所述覆盖部分的底面在因自重而变形前 到所述托盘或基片支撑板的上表面之间的距离。
所述向下变形阻止支柱的长度可以等于所述覆盖部分的底面在因自重而变形前 到所述托盘或基片支撑板的上表面之间的距离。
所述向下变形阻止支柱的长度可以小于所述覆盖部分的底面在因自重而变形前 到所述托盘或基片支撑板的上表面之间的距离。
所述向下变形阻止支柱可以具有对于因自重或者热变形而向下变形的所述覆盖 部分的终止处而言足够长的长度，但其变形不穿过支撑部分的底面。
所述向下变形阻止支柱可以具有从所述覆盖部分的底面起算而且小于从所述覆 盖部分的底面到所述支撑部分的底面之间的距离的长度。
所述向下变形阻止支柱可以具有使得在所述覆盖构件向下变形时，所述支撑部 分能够首先接触所述覆盖构件的底面或者托盘的的上表面或者基片支撑板的上表面的长度。
所述向下变形阻止支柱可以构造成使得沿垂直方向的截面表面的一个端部可具 有锥形或者曲线形的形状。
用于衰减因向下变形阻止支柱引起的冲击的冲击衰减构件可安装在托盘或基片 支撑板的上表面上。
所述冲击衰减构件可布置或者安置在托盘或基片支撑板的上表面上且对应于向 下变形阻止支柱的位置处，或者附着于此。或者，所述冲击衰减构件可配合连接到形成 于托盘的通孔或者凹-凸部。
由与基片相同的材料形成的伪元件(dummy members)还可以沿基于所述向下变 形阻止支柱的水平和垂直方向中的一个方向安装在所述托盘或者所述基片支撑板处。
所述基片和伪元件可由单晶硅或者多晶硅制成，并且所述模制可以安装在以凹 入形式形成于托盘或基片支撑板的上表面上的槽部处。
所述覆盖部分与基片之间的距离可在5mm-30mm的范围内。
所述覆盖部分与基片之间的距离在中心部分处可以大于其在周边部分处。
所述覆盖部分可以在中心部分比在周边部分具有更大的孔径比。
所述覆盖部分的开口可以通过狭缝实现，每个所述切口所具有的宽度等于或者 小于所述覆盖部分的底面与所述基片之间的距离的1/2。
所述开口可以在所述覆盖部分的上表面或者下表面的任一个表面，或者在两个 表面处具有倒角边缘。
由与所述基片相同的材料制成的伪元件可以固定在所述基片的周边部分。
所述覆盖构件可以布置在所述处理室的内部或者其外部。
为了实现这些优点和其它优点，以及依据本发明的目的，就像于此具体例示和 概括说明的那样，还提供了一种用于该基片处理装置的覆盖构件。
根据本发明的基片处理装置及其覆盖构件可具有如下优点。
该基片处理装置用于在该覆盖构件覆盖该基片支撑板的状态下，对基片进行真 空处理，其中所述覆盖构件具有开口，所述基片支撑板上固定有基片，在该基片处理装 置中，可以额外安装至少一个用于维持覆盖构件与托盘或者基片支撑板的向下变形阻止 支柱。因此，可以阻止覆盖构件因自重而产生向下变形，从而提升对基片的真空处理功 能。
覆盖构件可能因其自重，并因其厚度较薄或者因其为覆盖具有更大尺寸或更多 数量的基片而导致其尺寸更大，而在中心部分向下变形。覆盖构件还可能因在真空处 理过程中产生的热量而向下变形。如果覆盖构件向下过度变形，可能影响碎屑的形成速 度，或者开口的形状可印在基片上因而在基片上产生斑点。这可能导致突起不能均勻地 形成于基片的表面。然而，根据本发明的覆盖构件可解决这些传统问题。
该基片处理装置用于在该覆盖构件覆盖该基片支撑板的状态下，对基片进行真 空处理，其中所述覆盖构件具有开口，所述基片支撑板上固定有基片，在该基片处理装 置中，向下变形阻止支柱可形成为具有如下长度，即该长度小于从覆盖构件的底面在向 下变形之前到托盘或者基片支撑板的上表面的距离。因此，安装在所述覆盖构件的底面 上的向下变形阻止支柱可防止用于覆盖基片的所述覆盖构件首先接触所述托盘或者基片 支撑板。这可防止托盘或者基片支撑板损坏。
结合附图，对本发明的所作的下述详细说明，将使本发明的前述和其它目的、 特征、方面和优点变得更加明显。
附图提供了对本发明的进一步理解，而且附图结合于本说明书，并作为说明书 的一部分，附图例示了本发明的具体实施方式
，而且附图与该描述一起用来介绍本发明 的原理。
在附图中
图1是根据本发明的基片处理装置的剖面图2是图1的基片处理装置的覆盖构件的立体图3是图1的覆盖构件和托盘的剖面图4是图3中“A”部分的放大的剖面图，示出了向下变形阻止支柱的连接状6态；
图5A和图5B是剖面图，均示出了向下变形阻止支柱的端部；
图6是图4的平面图7是沿图6中的“VII-VII”线的剖面图8是仰视图，示出了图1的基片处理装置的覆盖构件的另一个实例。
具体实施方式
现在将参照附图，详细描述本发明。
在下文中，将更详细地介绍根据本发明的基片处理装置及其覆盖构件。
如图1所示，根据本发明的基片处理装置包括处理室100、基片支撑板130、覆 盖构件200和一个或多个向下变形阻止构件，其中处理室100形成了用于真空处理的处理 空间S，基片支撑板130具有下部电极，并构造成在其上面直接或者通过托盘20固定一 个或更多个基片10，覆盖构件200具有以贯通的方式沿向上和向下方向形成的多个开口 210，并构造成覆盖基片10，向下变形阻止构件安装在覆盖构件200和基片支撑板130之 间，用于保持覆盖构件200的底面与基片制成板130之间的距离。
根据本发明的基片处理装置可以适用于所有类型的基片处理装置，其用于在覆 盖构件于密封的处理空间S中覆盖一个或更多个基片的状态下处理该基片。但是，本发 明将以用于在真空状态下执行基片处理的真空处理装置作为实例来进行介绍。
可使用需要真空处理的任何基片作为待真空处理的基片10。特别地，用于太 阳能电池的、由单晶硅或者多晶硅制成的基片可用于通过蚀刻工艺在其表面上形成微突 起。
托盘20构造成传送一个或更多个基片10，特别是多个基片10。而且托盘20可 根据基片10的类型和基片处理工艺的类型由不同的材料制成或者形成为不同的形状。托 盘20可由对等离子具有高耐受力的材料形成，例如耐热玻璃、A1203、石英和不同种类的 树脂。而且，托盘20构造成在基片10已固定在其上的状态下传送基片10。在基片10 固定在基片支撑板130上时，托盘20不是必需的。
处理室100构造成形成用于真空处理基片10的密封处理空间S，并可根据真空 处理工艺而具有不同的构造。如图1所示，处理室100可包括室本体110和顶盖120，二 者通过以可拆卸的方式彼此连接而形成处理空间。根据本发明的基片处理装置执行真空 处理的一个实例是蚀刻处理，特别是反应离子刻蚀(RIE)处理。
室本体110可根据设计而具有不同的构造。而且，室本体110设有由闸阀打开 和关闭的至少一个门111，从而基片10可直接引入或者排出室本体110，或者使其上固定 有基片10的托盘20能够引入或者排出室本体110。
处理室100中安装有喷头140、基片支撑板130和排气系统(未示出)等，其中 喷头140用于将供气设备141供应的气体喷入到处理空间S中，基片支撑板130用于直接 或者通过托盘20固定基片10，排气系统用于控制处理空间S内部的气压和排出气体。
如图1所示，基片支撑板130构造成在其上直接固定基片10，或者在其上固定其 上已固定了基片10的托盘20。而且，基片支撑板130安装有可施加电能的下部电极(未 示出)，从而可在处理空间S中发生诸如形成等离子体的真空处理的反应。
在这里，电能可以用不同的方法施加到下部电极。例如，处理室100和喷头140 可以是接地的，一个或两个射频(RF)电源可施加于下部电极。或者，下部电极可以是 接地的，RF电源可施加于处理室100和喷头140。亦或，第一 RF电源可施加于下部电 极，第二 RF电源可施加于处理室100和喷头140。
覆盖构件200可以根据使用意图而具有不同的构造。如图1和图2所示，覆盖 构件200可包括覆盖部分220和至少一个支撑部分230，其中覆盖部分220具有多个开口 210，支撑部分230形成于覆盖部分220的边缘，从而覆盖部分220与固定在托盘20或者 基片支撑板130上的基片10以预定距离D间隔开。
覆盖构件200在自身与其上固定有基片10的托盘20之间或者在自身与基片支撑 板130之间形成覆盖空间ES。因此，利用通过开210引入到覆盖空间ES中的等离子体 蚀刻基片后产生的碎屑被保留在覆盖空间ES中。碎屑附着到基片10的表面上以在其上 形成微突起。这说明使用覆盖构件的目的的一个实例是在基片上形成微突起。
在这里，考虑到将碎屑容纳在其里面的空间和利用碎屑形成突起的形成速度， 覆盖构件200与托盘20或者基片支撑板130间的距离优选地位于5mm-30mm范围内。
覆盖部分220的开口 210可根据覆盖构件200的使用目的而具有不同的形状和尺 寸。如图2所示，开口 210可形成为裂缝形式。在这种情况下，开口 210的宽度W优 选地形成为等于或者小于覆盖部分220的底面与基片10之间的距离D的1/2。
如图1所示，开口 210可在覆盖部分220的上表面或者其下表面或者在其上、下 表面具有倒角边缘。
覆盖部分220可根据真空处理工艺而由不同的材料制成。优选地，覆盖部分220 由对等离子体具有高耐受力的材料制成。覆盖部分220可由铝或者铝合金形成。
覆盖构件220可构造成使得，相对于开口 210的孔径比可根据中心部分和周边部 分而不同。在这里，覆盖构件220可在中心部分比在周边部分具有更高的孔径比。
当覆盖构件200覆盖基片10时，根据诸如基于托盘20或者基片支撑板130的上 表面的中心部分和周边部分的位置，微突起可以不均勻地形成于基片10的表面上。
因此，覆盖构件200可构造成使得能够不变地保持从托盘20或者基片支撑板130 的上表面到覆盖部分220的底面的距离D。或者，如图2和图3所示，覆盖构件200可 构造成使得能够根据中心部分和周边部分而有差别地保持该距离。
支撑部分230用来实现处理空间S和覆盖空间ES，同时保持覆盖部分220与其上 固定有基片10的托盘20之间或者覆盖部分220与基片支撑板130间的距离为恒值。支 撑部分230可与覆盖部分220整体地形成，或者与覆盖部分220分别地形成。在这里， 支撑部分230可由与覆盖部分220不同的材料制成。
—对旋塞(未示出)可安装在支撑部分230上，以使覆盖构件200能够通过附加 的传送设备(未示出)垂直地移动，从而覆盖其上固定有基片10的托盘20或者基片支撑 板 130。
覆盖构件200可构造成覆盖其上固定有基片10的托盘20或者位于处理室100内 部的基片支撑板130。或者，在托盘20由覆盖构件200覆盖的状态下，覆盖构件200可 构造成其与托盘20 —起传送到处理室100的外面。
由于覆盖部分220的厚度很小，覆盖构件200的覆盖部分220可能向下变形。并且，当覆盖部分220具有更大的尺寸以便覆盖具有更大尺寸或者更大数量的基片10时， 覆盖部分220可能由于其自重而在中心部分向下变形。或者覆盖部分220还可能由于真 空处理过程中产生的热量而向下变形。如果覆盖部分220太过度地向下变形，形成碎屑 的速度可能会受到影响，或者开口 210的形状可能会印在基片10上因而导致基片10上产 生斑点。这可能导致突起不均勻地形成于基片10的表面上。
为了解决这些问题，一个或者多个的向下变形阻止构件可安装在覆盖构件200 与基片支撑板130之间，其中向下变形阻止构件用于维持覆盖构件200的底面与基片支撑 板130之间的预定间隔。
向下变形阻止构件可具有任何构造以维持覆盖构件200的底面与基片支撑板130 之间的预定间隔。如图1至图4所示，向下变形阻止构件可以用一个或者多个向下变形 阻止支柱300实现。
向下变形阻止支柱300可具有任何构造以维持覆盖构件200的底面与基片支撑板 130之间的预定间隔。若考虑到暴露于等离子体，向下变形阻止支柱300优选由对等离子 体具有高耐受力的材料，例如铝、铝合金、硅或者聚四氟乙烯(特氟隆)制成。
向下变形阻止支柱300可实现为与覆盖构件200和基片支撑板130分开安装的独 立构件实现。如图4A和图4B所示，向下变形阻止支柱300可以用螺钉连接的方法、配 合方式等连接于覆盖构件200和基片支撑板130的至少一个底面。
一个向下变形阻止支柱300可安装在覆盖构件200的中心部分。或者，在没有 严重影响对基片10的固定的情况下，多个向下变形阻止支柱300可以安装在基于覆盖部 分220的多个阵点上，以使覆盖构件200的向下变形减小到最小。在这里，向下变形阻 止支柱300布置在各自的阵点，并且考虑到根据每个位置的覆盖部分220的向下变形，而 使向下变形阻止支柱300形成为适当的长度。
如图5A和图5B所示，向下变形阻止支柱300可以具有成锥形或者曲线形的端 部以使其与托盘20或基片支撑板130的上表面的接触面积减小到最小。
向下变形阻止支柱300用于维持覆盖构件200的底面与基片支撑板130之间的间 隔，并形成为柱形。然而，向下变形阻止支柱300可沿水平方向具有不同的截面形状， 例如，圆形、椭圆形和多边形。
覆盖构件200通过在托盘20或基片支撑板130的上表面处垂直移动而重复地覆 盖基片和解除覆盖状态。如图4所示，覆盖构件200的覆盖部分220在向下变形前用虚 线表示。并且覆盖构件200的覆盖部分220在由于其自重或者处理过程中产生的热量而 向下变形后用实线表示。在这种情况下，覆盖部分220在其中心部分具有最大的位移。
在安装有向下变形阻止支柱300的情况下，不是形成于覆盖构件200的边缘的支 撑部分230，而是覆盖部分220的底面或者托盘20的上表面或者基片支撑板130的上表面 可能首先接触向下变形阻止支柱300。这可能导致产生冲击。并且由于该冲击，覆盖部 分220的底面，或者托盘20的上表面或者基片支撑板130的上表面可能产生损坏。
因此，向下变形阻止支柱300的长度优选地小于从覆盖部分220的底面在向下变 形前到托盘20或者基片支撑板130的上表面的距离。然而，向下变形阻止支柱300的长 度并不限于此。作为替代，向下变形阻止支柱300的长度可以等于从覆盖部分220的底 面在向下变形前到托盘20或者基片支撑板130的上表面的距离。9
作为另一种替代，向下变形阻止支柱300可具有对于因自重或者热变形而产生 向下变形的覆盖部分220的终止处而言足够长、但不穿过形成于覆盖构件200的边缘的支 撑部分230的底面的长度。
作为又一种替代，向下变形阻止支柱300可具有从覆盖构件200的底面起算的长 度，该长度小于从覆盖部分220的底面到形成于覆盖构件200边缘的支撑部分230的底面 的距离D。
作为再一种替代，向下变形阻止支柱300可具有的长度，使得当覆盖部分220向 下变形时，形成于覆盖构件200边缘的支撑部分230能够首先接触覆盖部分220的底面或 者托盘20的上表面或者基片支撑板130的上表面。
冲击衰减构件30用于衰减在覆盖部分220的底面或者托盘20的上表面或者基片 支撑板130的上表面接触向下变形阻止支柱300时产生的冲击，冲击衰减构件30可安装 于覆盖部分220的底面，或者托盘20的上表面或者基片支撑板130的上表面。
冲击衰减构件30可安置在覆盖部分220的底面，或者附着在那里，或者配合连 接到形成于覆盖部分220的通孔或者凹-凸部。替代地，冲击衰减构件30可布置或者安 置在托盘20的上表面上或者基片支撑板130的上表面上且对应于向下变形阻止支柱300 的位置处，或者可附着在那里。还可替代地，冲击衰减构件30可配合连接到形成于托盘 20处的通孔31或者凹-凸部。
用于对冲击进行衰减的冲击衰减构件30可由能够对冲击进行衰减的诸如塑料的 材料制成。而且冲击衰减材料可由不同于托盘20的材料制成。
在安装有向下变形阻止支柱300的情况下，基片10之间的距离可能增大到对在 基片10上形成的突起的均勻性产生影响。因此，如图6和图7所示，由与基片10同种 材料，例如硅，制成的伪元件11可进一步沿基于向下变形阻止支柱300的水平方向和垂 直方向之一安装在托盘20或者基片支撑板130处。伪元件11可附加地装配到成叠的基 片10的周边。
伪元件11可直接安装在托盘20或者基片支撑板130的上表面上。作为替代， 考虑到通过反复的真空处理的蚀刻工艺，伪元件11可安装在以凹入的方式形成在托盘20 或基片支撑板130的上表面的槽部32处，以便通过堆叠更大数量的伪元件11而具有比基 片10更大的厚度。
基片10和伪元件11可由诸如单晶硅或者多晶硅的同种材料形成。
与图1中所示的向下变形阻止支柱300不同，如图8所示，向下变形阻止构件可 通过用于将覆盖部分220和基片10之间的覆盖空间ES分隔成多个部分的一个或者多个墙 体280实现。
墙体280可具有任何构造，以将覆盖部分220和基片10之间的覆盖空间ES分隔 成多个部分。如图8所示，墙体280可从覆盖部分220的底面伸出。
优选地，墙体280形成在与支撑部分230的底面相同的平面上。然而，墙体观0 也可形成为其伸出长度小于支撑部分230的长度。
一旦在覆盖部分220的底面上形成墙体观0，可在结构上防止覆盖部分220因其 自重而引起的向下变形。而且，覆盖空间可分隔成适于真空处理一个或者更多个基片10 的多个相同空间。
前述实施方式和优点仅仅是示范性的，并不能将其理解为限制本公开。本教导 能够容易地用于其它类型的装置。本说明旨在进行举例说明，并不是限制权利要求的保 护范围。许多替代、修改和变型对本领域的技术人员是明显的。于此描述的示范性的实 施方式的特征、结构、方法和其它特性可以用不同的方式组合以获得附加的和/或替代 的示范性实施方式。
在不偏离其特性的情况下，本特征可以用几种方式实现，还应当理解的是，除 非规定的其他情况，上述实施方式不受前述说明的任何细节所限制，而应当被概括地理 解为在所附权利要求所限定的保护范围内，并且，因此所有的变化和变型均落在权利要 求的保护界限和范围内，或者与这些界限和范围等同，并因此意欲包括在所附的权利要 求中。
权利要求
1.一种基片处理装置，包括处理室，其形成用于基片处理的处理空间；基片支撑板，其具有下部电极，并构造成在其上直接或者通过托盘装配一个或者更 多个基片；覆盖构件，其具有沿向上和向下方向贯通地形成的多个开口，并构造成覆盖所述基 片；以及一个或者更多个向下变形阻止构件，其安装在所述覆盖构件和所述基片支撑板之 间，用于维持所述覆盖构件的底面与所述基片支撑板之间的距离。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其中，所述覆盖构件包括覆盖部分，其具有多个开口；以及至少一个支撑部分，其形成于所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与装配在 所述托盘或者所述基片支撑板上的所述基片以预定距离间隔开，其中，所述向下变形阻止构件包括一个或者更多个墙体，所述墙体将所述覆盖部分 与所述基片之间的空间分隔成多个部分。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其中，所述墙体从所述覆盖部分的底面伸出， 以将所述覆盖部分与所述基片之间的空间分隔成多个部分。
4.如权利要求1所述的基片处理装置，其中，所述覆盖构件包括覆盖部分，其具有多个开口 ；以及至少一个支撑部分，其形成在所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与装配在 所述托盘或者所述基片支撑板上的所述基片以预定距离间隔开，其中，所述向下变形阻止构件实现为安装在所述覆盖构件与所述基片支撑板之间的 一个或者更多个所述向下变形阻止支柱。
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，多个所述向下变形阻止支柱安装在基于 所述覆盖部分的阵点处。
6.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱安装在所述覆盖 部分的中心部分。
7.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有大于所述覆 盖部分的底面在因自重而向下变形前到所述托盘的上表面或基片支撑板的上表面之间的 距离的长度。
8.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有等于所述覆 盖部分的底面在因自重而向下变形前到所述托盘的上表面或基片支撑板的上表面之间的 距离的长度。
9.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有小于所述覆 盖部分的底表面在因自重而向下变形前到托盘的上表面或所述基片支撑板上表面之间的 距离的长度。
10.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有对于因自 重或者热变形而向下变形的所述覆盖部分的终止处而言足够长、但不穿过所述支撑部分 的底面的长度。
11.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有从所述覆盖部分的底面起算小于从所述覆盖部分的底面到所述支撑部分的底面之间的距离的长度。
12.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有一长度使 得在所述覆盖构件向下变形时，所述支撑部分首先接触所述覆盖构件的底面，或者托盘 的上表面或者基片支撑板的上表面。
13.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱形成为使得沿 垂直方向的截面表面的端部具有锥形或者曲线的形状。
14.如权利要求4至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，用于衰减因所述向下 变形阻止支柱而引起的冲击的冲击衰减构件安装在所述托盘或者所述基片支撑板的上表 面上。
15.如权利要求14所述的基片处理装置，其中，所述冲击衰减构件布置或者安置在所 述托盘或所述基片支撑板的上表面上对应于所述向下变形阻止支柱的位置处，或者附着 于此，或者配合连接到形成于所述托盘的通孔或者凹-凸部。
16.如权利要求4至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，由与所述基片相同的 材料制成的伪元件进一步沿基于所述向下变形阻止支柱的水平和垂直方向中的一个方向 安装在所述托盘或者所述基片支撑板处。
17.如权利要求16所述的基片处理装置，其中，所述基片和伪元件由单晶硅或者多晶 硅制成，且所述伪元件安装在凹陷地形成于所述托盘或基片支撑板的上表面上的槽部。
18.如权利要求2至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，所述覆盖部分与基片 之间的距离是在5mm-30mm的范围内。
19.如权利要求2至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，所述覆盖部分与基片 之间的距离在中心部分处比在周边部分处大。
20.如权利要求2至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，所述覆盖部分在中心 部分比在周边部分具有更大的孔径比。
21.如权利要求2至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，所述覆盖部分的开口 实现为狭缝，每个所述狭缝所具有等于或者小于所述覆盖部分的底面与所述基片之间的 距离的1/2的宽度。
22.如权利要求2至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，所述开口在所述覆盖 部分的上表面或者下表面的任一个表面，或者在两个表面处具有倒角边缘。
23.如权利要求2至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，由与所述基片相同的 材料制成的伪元件装配在所述基片的周边部分。
24.如权利要求1至13所述的基片处理装置，其中，所述覆盖构件布置在所述处理室 的内部或者外部。
25.一种用于如权利要求1至13中的任一项所述的基片处理装置的覆盖构件。
全文摘要
公开了一种基片处理装置，更具体而言是一种能够执行诸如基片蚀刻的基片处理的基片处理装置及其覆盖构件。该基片处理装置包括处理室，所述处理室形成用于基片处理的处理空间；基片支撑板，所述基片支撑板具有下部电极，并构造成在其上直接或者通过托盘固定一个或者多个基片；覆盖构件，所述覆盖构件具有沿向上和向下方向以贯通形式形成的多个开口，并构造成覆盖基片；以及一个或者更多个向下变形阻止构件，所述向下变形阻止构件安装在覆盖构件和基片支撑板之间，用于维持覆盖构件的底面与基片支撑板之间的距离。
文档编号H01L21/00GK102024674SQ20091020746
公开日2011年4月20日 申请日期2009年11月5日 优先权日2009年9月16日
发明者金炳埈 申请人:金炳埈