专利名称：铝焊盘的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种铝焊盘的利记博彩app。
背景技术：
随着电子设备的广泛应用，半导体的制造工艺得到了飞速的发展，在半导体的 制造流程中，涉及铝焊盘的利记博彩app，铝焊盘为晶圆与外界连接的互连界面，可通过在 铝焊盘表面的键接连线使得晶圆与外界形成金属连接。在现有技术中，铝焊盘的制作方 法包括采用物理气相沉积(PVD)工艺在整个晶圆表面形成铝薄膜层，采用光刻工艺和 蚀刻工艺形成铝焊盘，然后对铝焊盘进行湿法清洗，最后进行退火处理，并将带有铝焊 盘的晶圆存放于工厂中以供后续使用。其中，当对铝焊盘进行湿法清洗时，通常采用含 氢氟酸(HF)的清洗试剂冲洗铝焊盘表面，用以去除由于蚀刻而在铝焊盘表面的残留有机 物，HF的浓度一般为百万分之八十五左右。然而，在实际应用中，采用PVD工艺形成铝薄膜层后，由于金属铝在空气中极 易被氧化，这就会在铝焊盘的表面形成20埃至35埃的厚度不一、分布不均勻、致密度一 般的氧化铝(Al2O3)薄膜，当采用含HF的清洗试剂对铝焊盘进行湿法清洗时，HF和HF 中所含的水会与Al2O3薄膜发生化学反应而生成氟化铝(AlF3)和氢氧化铝(Al(OH)3),而 且，工厂的空气湿度一般大于50%，空气中的水蒸气与Al2O3薄膜发生化学反应也会生成 Al(OH)3, AlFjnAl(OH)3都会造成铝焊盘的表面形成水晶状缺陷，这些缺陷会影响铝焊 盘的物理表观以及后续的键接连线。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种铝焊盘的利记博彩app，以避免铝焊盘的表面形成水晶 状缺陷。为达到上述目的，本发明的技术方案具体是这样实现的一种铝焊盘的利记博彩app，采用物理气相沉积PVD工艺在晶圆表面形成铝薄膜 层，并采用光刻工艺和蚀刻工艺形成铝焊盘后，其特征在于，该方法包括采用含有硫酸H2SO4的清洗试剂冲洗铝焊盘表面；采用氧气O2对铝焊盘表面进行等离子体处理，在铝焊盘表面形成氧化铝Al2O3 薄膜；进行退火处理。该方法进一步包括将带有铝焊盘的晶圆存储于空气相对湿度小于48%的环境 中。所述H2SO4的体积比为3%至10%。所述Al2O3薄膜的厚度为40埃至70埃。所述等离子体处理的温度为230°C至300°C，所述等离子体处理的时间为30秒至 120 秒。
由上述的技术方案可见，采用PVD工艺形成铝薄膜层，并采用光刻工艺和蚀刻 工艺形成铝焊盘后，采用含有H2SO4的清洗试剂冲洗铝焊盘表面，然后采用O2对铝焊盘 表面进行等离子体处理，在铝焊盘表面形成Al2O3薄膜，因此，这样就可完全避免铝焊盘 表面形成水晶状缺陷。
图1为本发明所提供的铝焊盘的利记博彩app 的流程图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施 例，对本发明进一步详细说明。图1为本发明所提供的铝焊盘的利记博彩app的流程图，如图1所示，该方法包括以 下步骤步骤101，采用PVD工艺在晶圆表面形成铝薄膜层，并采用光刻工艺和蚀刻工 艺形成铝焊盘。本步骤的内容为现有技术，在此不予赘述。步骤102，采用含有硫酸(H2SO4)、且不含HF的清洗试剂冲洗铝焊盘表面。在本步骤中，采用含H2SO4的清洗试剂代替了现有技术中含HF的清洗试剂，从 而可避免AlF3W生成，其中，H2SO4的体积比优选地为3%至10%，由于将H2SO4的体 积比控制在所述优选的范围内，H2SO4仅与铝焊盘表面所残留有机物发生化学反应，而不 与铝焊盘发生化学反应，更不会对铝焊盘造成腐蚀。步骤103，采用氧气(O2)对铝焊盘表面进行等离子体处理，在铝焊盘表面形成
Al2O3薄膜。其中，等离子体处理的方法为现有技术的内容。步骤102结束后，H2SO4可将铝焊盘表面所残留有机物去除掉，从而使铝焊盘的 表面暴露出来，在本步骤中，使O2以等离子的形式与铝焊盘表面发生物理和化学反应， 最终在铝焊盘表面形成40埃至70埃的Al2O3薄膜，这就相当于在铝焊盘表面形成了 Al2O3 钝化层，Al2O3钝化层可作为铝焊盘的隔离保护层。为了在铝焊盘的表面形成分布均勻、致密的Al2O3薄膜，等离子体处理的温度优 选地为230°C至300°C，等离子体处理的时间优选地为30秒至120秒。需要说明的是，由于采用了步骤102，可避免AlF3W生成，但是同样会导致铝焊 盘出现水晶状缺陷的Al(OH)3还没有被完全避免，因此，在本步骤中，采用O2对铝焊盘 的表面进行等离子体处理，一方面，可在铝垫层表面形成40埃至70埃的致密的Al2O3薄 膜，40埃至70埃的致密的Al2O3薄膜不会影响铝焊盘的键接和电性能，而且Al2O3钝化 层可作为铝焊盘的隔离保护层；另一方面，等离子体处理是在高温环境下进行的，这就 使得Al2O3薄膜无法与水发生化学反应，从而避免了 Al (OH) 3的生成。步骤104，进行退火处理。本步骤的内容与现有技术相同，在此不予赘述。步骤105，将带有铝焊盘的晶圆存储于空气相对湿度小于48%的环境中。
由于采用了步骤102和步骤103，则可避免在湿法清洗的过程中形成AlF3和 Al(OH)3,从而可避免铝焊盘表面形成水晶状缺陷，但是，在后续的流程中，如果将晶圆 置于湿度比较大的环境中，铝焊盘表面的Al2O3薄膜还有可能与空气中的水蒸气发生化学 反应从而形成Al(OH)3,因此，当对带有铝焊盘的晶圆进行存储时，也应尽量降低存储 环境中的空气湿度。所述空气相对湿度是指在22°C且一个标准大气压时，1千克空气中含有的水 的质量与1千克空气在饱和状态下含有的水的质量之比。需要说明的是，步骤105为非必要技术特征，当步骤104结束后，可直接对铝焊 盘进行键接连线，因而不需要对带有铝焊盘的晶圆进行存储，当步骤104结束后，也可 对带有铝焊盘的晶圆进行存储，以供后续的键接连线。至此，本流程结束，可进入后续的工艺流程。可见，上述流程在对铝焊盘进行湿法清洗时，首先采用含有H2SO4的清洗试剂 洗铝焊盘表面，然后采用O2对铝焊盘表面进行等离子体处理，在铝焊盘表面形成Al2O3 薄膜，并在退火处理后，将带有铝焊盘的晶圆存储于空气湿度小于等于48%的环境中， 因此，这样就可完全避免铝焊盘表面形成水晶状缺陷。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡 在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换以及改进等，均应包含在本发 明的保护范围之内。
权利要求
1.一种铝焊盘的利记博彩app，采用物理气相沉积PVD工艺在晶圆表面形成铝薄膜层， 并采用光刻工艺和蚀刻工艺形成铝焊盘后，其特征在于，该方法包括采用含有硫酸H2SO4的清洗试剂冲洗铝焊盘表面；采用氧气O2对铝焊盘表面进行等离子体处理，在铝焊盘表面形成氧化铝Al2O3薄膜；进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括将带有铝焊盘的 晶圆存储于空气相对湿度小于48%的环境中。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述H2SO4的体积比为3%至10%。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Al2O3薄膜的厚度为40埃至70埃。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理的温度为230°C至 300°C,所述等离子体处理的时间为30秒至120秒。
全文摘要
本发明提供了一种铝焊盘的利记博彩app，采用物理气相沉积PVD工艺在晶圆表面形成铝薄膜层，并采用光刻工艺和蚀刻工艺形成铝焊盘后，该方法包括采用含有硫酸H2SO4的清洗试剂冲洗铝焊盘表面；采用氧气O2对铝焊盘表面进行等离子体处理，在铝焊盘表面形成氧化铝Al2O3薄膜；进行退火处理。采用该方法能够避免铝焊盘的表面形成水晶状缺陷。
文档编号H01L21/321GK102024718SQ20091019540
公开日2011年4月20日 申请日期2009年9月9日 优先权日2009年9月9日
发明者徐长春, 王晓艳, 王艳琴, 陈其道 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司