专利名称：层叠电容器及层叠电容器的等效串联电阻值的调节方法
技术领域：
本发明涉及电路中使用的层叠电容器，尤其涉及适合用于作为对在高
频动作的IC使用的去耦电路中用的电容器的层叠电容器。
背景技术：
以往，为了防止电源噪声从电源向IC等侵入，在IC等和电源之间需
要连接去耦电路。
去耦电路是在从低频至高频的广阔的频带通过使噪声流入地线而消 除电流的变动的电路。这样的功能是通过使用具有在广阔的频带与地线之 间的阻抗低的特性的电容器而得到的。具有这样功能的去耦电路是通过以 下的配置而构成的，即，在作为对象的广阔的频带，以使各电容器的自谐 振频率附近的阻抗成为最低的频带从低频侧至高频侧连续的方式并联多 个自谐振频率不同的电容器。并且，以往例如层叠电容器适合使用于作为 对应去耦电路的高频侧采用的电容器。
以往作为使用于去耦电路的层叠电容器，例如提出了具有层叠多个长
方形状的电介质层而成的长方体状的层叠体；以在该层叠体的内部隔着电 介质层且电容形成部相互对置的方式交替配置的多个第一内部电极及第 二内部电极；分别沿着层叠方向形成于层叠体的一侧的端面及另一侧的端 面，且分别电连接第一内部电极彼此或第二内部电极彼此的第一外部电极 及第二外部电极，并且以层叠体的侧面的任一面作为安装面的层叠电容器 (例如参照专利文献1)。
专利文献l:日本特开2004—296940号公报；
专利文献2:日本特开2004—241522号公报。
以往，为了降低层叠电容器的等效串联电感(ESL: Equivalent Series Inductance)而縮短电流的路经，所以等效串联电阻(ESR: Equivalent Series Resistance)也成低的值，在这样的层叠电容器的自谐振频率附近的阻抗变得极端低。在去耦电路使用多个这样的层叠电容器时，由自谐振频率相近 的电容器彼此形成的在反谐振频率的阻抗变得极端高，有在反谐振频率附 近不能将噪声流入地线的问题。
因此，必须使在去耦电路中使用的电容器的ESR不变得过低，但为了
使ESR变高而使电流路径变长，则有ESL也变高的问题。例如，在上述 以往的层叠电容器中，使第一外部电极和第二外部电极的间隔变长而使通 过第一内部电极及第二内部电极的电流的路经变长，则可以提高ESR但 ESL也变高。
另外，提出了在层叠电容器中的内部电极的导出部(内部电极层的露 出部)和外部电极之间电连接电阻而调节电阻值(ESR)的技术(例如参 照专利文献2)。但是，例如在专利文献2记载的技术中，通过选择各种电 阻可以调节ESR，但根据去耦电路连接的IC的特性等具有难以将制作后 的层叠电容器的ESR高精度调节的问题。因此，相对于IC的特性的层叠 电容器的ESR变得过高时，有不能向IC供应稳定的电压的情况。
发明内容
本发明鉴于上述以往的层叠电容器的问题而做出，目的在于提供一种 为低ESL且能够高精度调节ESR的层叠电容器。
本发明的层叠电容器，其特征在于，包括层叠了多个电介质层的长 方体状的层叠体；在该层叠体的层叠方向的侧面相互电独立地覆盖的第一 外部电极及第二外部电极；配置在所述层叠体的内部，且隔着所述电介质 层相互对置的第一内部电极及第二内部电极，其中，所述第一内部电极具 有在覆盖了所述第一外部电极的侧面导出且连接于所述第一外部电极的 第一导出部，所述第二内部电极具有在与覆盖了所述第一外部电极及第二 外部电极的侧面不同的另一侧面导出的第二导出部；带状的第一连磁电 极，其在所述另一侧面以沿所述层叠体的层叠方向延伸的方式覆盖，且与 所述第二内部电极的每个所述第二导出部电连接；带状的第二连接电极， 其在所述另一侧面以沿所述层叠体的层叠方向延伸的方式覆盖，且一端与 所述第一连接电极电连接，另一端与所述第二外部电极电连接，并且在两 端之间沿着所述层叠体的层叠方向具有厚度薄的部分。另外，本发明的层叠电容器，其特征在于，在上述结构中，所述第二 内部电极具有在所述另一侧面导出的第三导出部，所述第二连接电极为覆 盖所述第三导出部的镀膜。
另外，本发明的层叠电容器的等效串联电阻值的调节方法，其特征在 于，包括以下工序覆盖第一内部电极或第二内部电极，且以所述第一内 部电极及所述第二内部电极隔着电介质层相互对置的方式层叠所述电介 质层而制作长方体状的层叠体的工序，其中，所述第一内部电极具有在多 个所述电介质层的一个侧面导出的第一导出部，所述第二内部电极具有在 与所述一个侧面不同的另一侧面导出的第二导出部；在所述层叠体的所述
一个侧面覆盖相互电独立的第一外部电极及第二外部电极的工序；在覆盖 了所述第一外部电极及所述第二外部电极的所述层叠体的所述另一侧面 以沿着所述层叠体的层叠方向延伸的方式，覆盖带状的第一连接电极及带 状的第二连接电极的工序，其中，所述第一连接电极与每个所述第二导出 部电连接，所述第二连接电极的一端与所述第一连接电极电连接，另一端 与所述第二外部电极电连接；通过沿着所述层叠体的层叠方向削薄所述第 二连接电极的一部分而提高等效串联电阻，由此来调节等效串联电阻值的 工序。
发明效果
根据本发明的层叠电容器，由于在第二内部电极的第二导出部和第二 外部电极之间夹设有沿层叠体的层叠方向具有厚度薄的部分的第二连接 电极，在第二连接电极的与电流方向正交的方向上，在其电流的路经存在 截面面积小的部分，所以能够有效地提高层叠电容器的ESR。另外，由于 利用呈带状且具有厚度较薄的部分的第二连接电极能够有效地提高ESR， 所以没有必要导致ESL的增加的程度地加长第一连接电极或第二连接电 极的长度。因此，可以将层叠电容器的ESL抑制为较低。
另外，通过例如激光加工切削第二连接电极的带状的厚度薄的部分， 能够调高ESR使其成为所需的值。
艮口，根据本发明的层叠电容器，能够提供一种为低ESL且能够高精度 调节ESR的层叠电容器。
而且，根据本发明的层叠电容器，由于能够在抑制ESL的增加的同时提高ESR，所以可以将自谐振频率设定在高频侧，抑制在自谐振频率的阻 抗的极端的下降。
此时，由于能够高精度地调高ESR使其成为所需的值，所以能够根据 去耦电路连接的IC的特性等高精度调节ESR，使供给IC的电源稳定。
艮口，如本发明那样使用多个在提高ESR的同时抑制ESL的增加的层 叠电容器时，由自谐振频率相近的层叠电容器彼此形成的反谐振频率的阻 抗不变得极端高，所以并联多个层叠电容器使用于去耦电路时，可以抑制 与自谐振频率相近的其他的层叠电容器之间的反谐振频率的阻抗低，在反 谐振频率附近也能够使噪声流向地线。
另外，根据本发明的层叠电容器，第二连接电极为覆盖在从第二内部 电极导出至其他侧面的第三导出部上的镀膜时，第二连接电极与第三导出 部相接的部分(即例如在筒镀时供给用于直接镀的电流的部分)覆盖地厚， 随着远离第三导出部覆盖变薄。因此，在电连接第一连接电极的一端和电 连接第二外部电极的另一端之间沿着层叠体的层叠方向具有厚度薄的部 分的构造中容易进行向层叠方向延伸的带状的第二连接电极的覆盖，所以 对提高层叠电容器的生产率有利。
另外，根据本发明的层叠电容器的等效串联电阻值的调节方法，第二 连接电极以沿层叠体的层叠方向延伸的方式覆盖，在其两端之间沿着层叠 体的层叠方向具有厚度薄的部分且以带状覆盖，所以通过削薄第二连接电 极的厚度薄的部分，使第二连夢电极的电流的路径的截面面积变小，从而 能够高精度地将微小的ESR调节到所需值，可以调节(调高)ESR。另夕卜， 对层叠电容器为了降低ESL而縮短第二连接电极的长度，对应此ESR也 变低。因此，这里所说的"调节ESR"是指调高ESR。
图1是表示本发明的层叠电容器的实施方式的一例的外观立体图。 图2是表示图1所示的层叠电容器的分解立体图。 图3是表示图1所示的层叠体的A-A线剖视图。 图4是表示图1所示的层叠体的B-B线剖视图。 图5是表示图1所示的层叠体的C-C线剖视图。图6是表示基于层叠电容器的频率变化的阻抗变化的曲线图。
图中l-层叠体，la-第一侧面，lb-第二侧面，lc-第三侧面，ld-第四 侧面，2-电介质层，3-第一连接电极，4-第二连接电极，5-第一外部电极， 6-第二外部电极，7-第一内部电极，8-第二内部电极，7b-第一导出部，8b-第二导出部，8c-第三导出部，10-层叠电容器，11-引出电极，12-虚设电极。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的层叠电容器进行详细说明。
图1是表示本发明的层叠电容器的实施方式的一例的外观立体图。图 2是表示图1所示的层叠电容器的分解立体图。图3是表示图1所示的层 叠电容器的A-A线剖视图。图4是表示图1所示的层叠电容器的B-B线 剖视图。图5是表示图1所示的层叠电容器的C-C线剖视图。
在这些图中所示的本例的层叠电容器10具有层叠多个电介质层2 而成的层叠体1;在该层叠体1隔着电介质层2互相对置且占据电介质层 2的面积的大部分的面积上配置的多个第一内部电极7及多个第二内部电 极8;配置在层叠体1内部的引出电极11及虚设电极12;覆盖层叠体1 的第一侧面la的第一外部电极5及覆盖与第一侧面la对置的第二侧面lb 的第二外部电极6;覆盖第三侧面lc的第一连接电极3及第二连接电极4。
层叠体1是将形成为每层1 3pm的厚度的长方形的多个电介质层2 例如层叠20 2000层而成的长方体状的电介质块。另外，在图2中，为 了简化说明本例，省略了电介质层2的层叠数进行表示。
作为电介质层2的材料，例如使用钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶等介电常 数比较高的陶瓷为主成分的电介质材料。
第一外部电极5及第二外部电极6是在沿着层叠体1的层叠方向侧面 中相互对置的第一侧面la及第二侧面lb上分别沿着层叠方向覆盖的用于 与外部电路机械地固定且电连接的端子电极。作为这些第一外部电极5及 第二外部电极6的材料，例如使用镍、铜、银、钯等金属为主成分的导体 材料，分别以2 20jim的厚度覆盖在层叠体1上。
如图2所示，第一内部电极7及第二内部电极8是以隔着电介质层2 相互对置的方式配置在层叠体1的内部，分别形成0.5 8pm的厚度，且在两者之间储蓄电荷而得到静电电容的内部电极层。另外，如图3所示，
从第一内部电极7将第一导出部7b引出到层叠体1的第一侧面la，被导 出到层叠体1的第一侧面la的第一内部电极7的第一导出部7b彼此分别 与第一外部电极5电连接。另外，如图4所示，从第二内部电极8将第二 导出部8b引出到与第一侧面la及第二侧面lb不同的第三侧面lc。另外， 如图5所示，将第二内部电极8的第三导出部8c及引出电极11的导出部 引出到第三侧面lc。作为第一内部电极7及第二内部电极8的材料，例如 使用镍、铜、镍-铜、银-钯等金属为主成分的导体材料。
在层叠体1的第三侧面lc上，每个第二导出部8b与以在层叠方向延 伸的方式覆盖的带状的第一连接电极3电连接。
进而，第二连接电极4以在层叠体1的层叠方向延伸的方式覆盖在层 叠体1的第三侧面lc上，该第二连接电极4的一端和第三导出部8c电连 接，第二连接电极4的另一端和引出电极11电连接。
在本例的层叠电容器10中，第一连接电极3的一端和第二连接电极4 的一端的电连接是在位于第二内部电极8中对应于第二连接电极4的一端 的位置，设置导出到层叠体1的第三侧面lc的第三导出部8c，将该第三 导出部8c和第二连接电极4连接而进行。g卩，第一连接电极3的一端和 第二连接电极4的一端通过第二内部电极8进行电连接。
并且，第二连接电极4的另一端配置在层叠体1的内部从层叠方.向观 察时配置有第一内部电极7及第二内部电极8的区域外侧的电介质层2之 间， 一部分通过导出到第三侧面lc的引出电极11与第二外部电极6电连 接。
层叠电容器10中，隔着电介质层2相互对置的第一内部电极7和第 二内部电极8之间产生的静电电容通过与第一内部电极7及第二内部电极 8分别电连接的第一外部电极5及第二外部电极6供给于外部电路。第一 内部电极7和第一外部电极5通过第一导出部7c电连接，第二内部电极8 和第二外部电极6通过第二导出部8b、第一连接电极3、第二连接电极4 及引出电极ll电连接。引出电极11是为了在电介质层2的层间(层叠体 l的内部)将第二连接电极4与第二外部电极6电连接的电极。第二连接 电极4和第二外部电极6的电连接也可以为在层叠体1的第三侧面lc形成连接两者间的导体(未图示)，通过该导体进行。
在本例的层叠电容器10中，第一连接电极3使用和第一外部电极5
及第二外部电极6相同材料并形成与那些相同的厚度，引出电极11使用 和第一内部电极7及第二内部电极8相同材料并形成与那些相同的厚度。 另外，第二连接电极4使用与第一连接电极3、第一外部电极5及第 二外部电极6相同的材料，在电连接第一连接电极3的一端和电连接第二 外部电极6的另一端之间沿着层叠体1的层叠方向具有厚度薄的部分且形 成为带状。
这样的第二连接电极4例如形成层叠方向的长度为,7 11iim、和层叠 方向正交的宽度方向的长度为50 70|im，第二连接电极4的两端之间沿 着层叠体1的层叠方向形成的厚度薄的部分在第二连接电极4的一端和另 一端之间的大致中间部分，以平均0.5 0.8|am的厚度在层叠方向形成2 5pm的长度，在厚度薄的部分以外形成l 3nm的厚度。
由于配置了多个隔着电介质层2储蓄电荷的第一内部电极7及第二内 部电极8，所以上述的本例的层叠电容器10成为可以得到较大的静电电容 的电容器。
并且，在本例的层叠电容器10中，在第一内部电极7和第一外部电 极5之间电流直接通过，但是在第二内部电极8和第二外部电极6之间成 为电流经由第一连接电极3及第二连接电极4流过的结构。如此，在本例 的层叠电容器10中，在第二连接电极4的与第一连接电极3电连接的一 端和与第二外部电极6电连接另一端之间沿着层叠体1的层叠方向具有厚 度薄的部分，所以能够提高层叠电容器IO的ESR。并且，利用具有这样 带状的厚度薄的部分的第二连接电极4可以提高ESR，所以没有必要导致 ESL的增加的程度地加长第一连接电极3或第二连接电极4的长度，可以 在提高ESR的同时抑制ESL的增加。
另外，在本例的层叠电容器10中，若将第四侧面ld作为向外部电路 基板等的安装面，则电流路径短，从而通过第一内部电极7及第二内部电 极8的电流的电感变小而ESL变低，所以自谐振频率在高频侧发生，成为 在高频侧具有阻抗低的频带的电容器。
另外，在本例的层叠电容器10中，由于为了提高ESR的成为电流路径的第一连接电极3及第二连接电极4覆盖在层叠体1的侧面，所以可以 将在层叠体1的内部隔着电介质层2相互对置配置的第一内部电极7和第
二内部电极8的对置部分的面积形成为较宽，因此可以在保持较大的电容 值的同时提高ESR。
艮卩，本例的层叠电容器10可以在抑制ESL的增加的同时提高ESR而 调节ESR，所以可以使自谐振频率在高频侧发生，可以抑制在自谐振频率 的阻抗的极端的降低。上述的本例的层叠电容器10在自谐振频率相近的 电容器彼此的反谐振频率中的阻抗不会提高，所以使用于并联多个电容器 的去稱电路时，可以将在与自谐振频率相近的其他电容器之间的反谐振频 率的阻抗抑制为较低，在反谐振频率附近也可以使噪声流入地线。
另外，第一连接电极3及第二连接电极4覆盖在层叠体1的表面上， 所以没有必要为了在内部降低ESL而形成如内部电极图案的情况那样使 在内部电极通过的电流的方向预先成为相互相反方向的特别的内部电极， 可以扩大第一内部电极7及第二内部电极8的面积，因此可以形成大的静 电电容。
另外，根据本例的层叠电容器IO，第一连接电极3的一端和第二连接 电极4的一端通过配置在电介质层2之间且具有第二导出部8b及第三导 出部8c的第二内部电极8连接，所以电连接第一连接电极3和第二连接 电极4的部分配置在层叠体1的内部，不与外面的空气接触且不与氧或水 等物质进行化学反应，所以不受导体的腐蚀等影响，因此可以有效地防止 第一连接电极3和第二连接电极4之间的断线。
进而，第二连接电极4的另一端和第二外部电极6通过在电介质层2 之间配置的引出电极11连接，所以第二连接电极4和第二外部电极6电 连接的部分配置在层叠体1的内部，不与外面的空气接触且不与氧或水等 物质进行化学反应，所以不受导体的腐蚀等影响，因此可以有效地防止第 二连接电极4和第二外部电极6之间的断线。
本例的层叠电容器IO例如以以下所示方法制造。
首先，在钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶等为主成分的电介质材料的粉末中 添加/混合适当的有机溶剂、玻璃料及有机粘接剂等作为陶瓷料浆，并且通 过刮刀法等将该陶瓷料浆成形为2pm厚制作陶瓷生片。接着，将陶瓷生片按规定形状分割成多片，并在各陶瓷生片的一主面 上，例如将在镍、铜、镍-铜、银-钯等金属材料的粉末中添加/混合适当的 有机溶剂、玻璃料及有机粘接剂等而得到的导体膏剂通过丝网印刷法印刷 /涂敷与本例的层叠电容器10的第一内部电极7、第二内部电极8、中继电 极ll及引出电极ll对应的图案，或通过将由镀膜法O 〃^形成法)形 成的金属膜进行转印而覆盖形成。
通过将得到的陶瓷生片以规定的片数层叠加压，形成包括多个陶瓷生 片的层叠片，将该层叠片切断分离成与各电容10对应的单一片(個片) 的生层叠体(生積層体)。
将该切断分离的单一片的生层叠体例如在110(TC 140(TC的温度烧 成，通过对得到的层叠块滚磨等而将侧面和主面的角部进行倒角，可以得 到层叠多个电介质层2而成的在内部形成了各内部电极的层叠体1。
如图2所示，虚设电极12在层叠体1的内部配置多个，在第一侧面 la、第二侧面lb及第三侧面lc导出多个。在第三侧面lc，配置在电介质 层2之间的没有形成第一内部电极7及第二内部电极8的部分的第二导出 部8b之间。
例如，通过将层叠体l浸入非电解镀铜液中，以第一内部电极7的第 一导出部7b、第二内部电极8的第二导出部8b、第二内部电极8的第三 导出部8c及引出电极U的导出部为基点析出镀铜膜而可以形成第一外部 电极5、第二外部电极6、第一连接电极3及第二连接电极4。
另外，在本例的层叠电容器10中，引出电极11酉己置在电介质层2之 间的形成有第一内部电极7及第二内部电极8的区域的层叠方向的外侧， 通过以第二内部电极8的第三导出部8c及引出电极11为基点析出镀铜膜 形成第二连接电极4。
另外，第二连接电极4以在层叠体1的层叠方向延伸的方式覆盖，且 在连接第三导出部8c的一端和电连接第二外部电极6的另一端之间沿着 层叠体1的层叠方向具有厚度薄的部分并以带状覆盖，所以例如通过激光 微调第二连接电极4的厚度薄的部分，可以使其宽度变窄，所以可以通过 减少第二连接电极4的电流路径的截面面积而将ESR精度良好(高)地调 节到所需的值。因此，在制作层叠电容器IO之后也可以调节ESR。另外，本发明并不限定于上述实施方式的例子，在不脱离本发明的要 旨的范围内可以进行各种变更、改良。
例如，在上述的实施方式的例子中，第一外部电极5、第二外部电极
6、第一连接电极3及第二连接电极4都是由镀膜法形成的，但例如在制 作的层叠体1的第一侧面la、第二侧面lb及第三侧面lc上，将在镍、铜、 银、钯等金属为主成分的金属材料的粉末中添加/混合适当的有机溶剂、玻 璃料及有机粘接剂等而得到的导体膏剂通过丝网印刷法印刷/涂敷成规定 图案，以第一外部电极5和多个第二导出部8b连接、第二外部电极6和 引出电极ll连接，第一连接电极3和多个第二导出部8b连接，第二连接 电极4和第三导出部8c及引出电极11的导出部连接的方式，印刷/涂敷导 体膏剂，之后经过烧成形成第一外部电极5、第二外部电极6、第一连接 电极3及第二连接电极4也可。
另外，在上述实施方式的例子中，第一连接电极3和第二连接电极4 通过配置在电介质层2之间的第二内部电极8连接，但不是镀膜法而是使 用利用导体膏剂形成的方法，不经由第二内部电极8而在第三侧面lc上 连接第一连接电极3的一端和对置的第二连接电极4的一端也可。
另外，在上述实施方式的例子中，第二连接电极4和第二外部电极6 通过配置在电介质层2之间的引出电极11连接，但不是镀膜法而是使用 利用导体膏剂形成的方法，不配置引出电极11而在第二侧面lb上和第三 侧面lc上连接第二连接电极4的另一端和第二外部电极6也可。
另外，在上述实施方式的例子中，第一外部电极5及第二外部电极6 环绕与分别被覆盖的侧面邻接的两个侧面进行覆盖，但第一外部电极5及 第二外部电极6也可以环绕与分别被覆盖的侧面邻接的面的整体覆盖，不 环绕到与分别被覆盖的侧面邻接的侧面也可。
另外，在上述实施方式的例子中，第一外部电极5及第二外部电极6 分别在层叠体1的对置的侧面覆盖，但第一外部电极5及第二外部电极6 在层叠体1的同一侧面分别电独立地覆盖也可。
另外，在上述实施方式的例子中，第一连接电极3和第二连接电极4 在层叠体1的同一侧面覆盖，但通过第一连接电极3和第二连接电极4在 层叠体1的不同的侧面覆盖，第一连接电极3的一端和第二导出部8b连接，在与第二导出部8b导出的侧面不同的侧面导出的第三导出部8C和第
二连接电极4的一端连接，从而第一连接电极3和第二连接电极4经由第
二内部电极电连接也可。实施例
作为本例的层叠电容器io制作了以下所示结构的试料1。
层叠体1作为电介质层2的材料，采用以钛酸钡为主成分的强电介质 陶瓷，使其成为长度为1.6mm、宽度和高度分别为0.8mm的长方体状的 层叠体。第一内部电极7及第二内部电极8采用镍(Ni)作为材料，在层 叠体1的内部分别各配置了 300片。第一连接电极3、第二连接电极4、 第一外部电极5及第二外部电极6采用铜(Cu)作为材料，在其表面形成 镍膜，进而在其表面形成锡(Sn)膜。
另外，第一外部电极5和第二外部电极6通过分别在层叠体1的对置 的侧面覆盖而形成。
另外，第二连接电极4的一端和第一连接电极3的一端通过第二内部 电极8电连接，第二连接电极4的另一端和第二外部电极6通过引出电极 11电连接。
另外，第二连接电极4的层叠方向的长度为llpm，与层叠方向正交 的宽度方向的长度为70pm。在第二连接电极4的两端之间沿着层叠体1 的层叠方向形成的厚度薄的部分在第二连接电极的两端之间的大致中间 部分以平均0.5pm的厚度在层叠方向形成5pm的长度，厚度薄的部分以 外形成lpm的厚度。
另外，作为比较例制作了以往的层叠电容器的试料2。试料2除了不 形成第一连接电极3、第二连接电极4及引出电极11，在第二侧面导出第 二内部电极8的第二导出部8b，使第二内部电极8与第二外部电极6直接 连接的点以外，与试料l为同一形状及同一材料。
对上述试料1、 2，测定在lMHz 1000MHz的频带的阻抗。图6是 表示层叠电容器的阻抗的频率依赖性的曲线图。横轴表示频率(单位 MHz)，纵轴表示阻抗IZI (单位Q)。图中的实线的特性曲线X表示试料 1 (本例的层叠电容器10)的阻抗特性，虚线的特性曲线Y表示试料2 (以 往的层叠电容器IO)的阻抗特性。如图6所示的结果，可知试料1和试料2相比在阻抗成为最小的自谐 振频率附近的阻抗大。
这是因为经由第一连接电极3及第二连接电极4连接第二内部电极8 和第二外部电极6,增加了第一连接电极3及第二连接电极4的部分的电 流的路径，并且在第二内部电极8的第三导出部8b和引出电极11之间夹 设有在沿着层叠体l的层叠方向具有厚度薄的部分的第二连接电极4，因 此在与电流方向正交的方向在其电流的路径存在截面面积小的部分，由此 ESR变高而导致的。
另外，其结果也可知，利用为带状且具有厚度薄的部分的第二连接电 极4可以有效地提高ESR，所以没有必要导致ESL的增加的程度地加长 第一连接电极3或第二连接电极4的长度，可以将ESL抑制为较低。
由此，在比自谐振频率高的频率的阻抗和试料2的阻抗几乎没有改变。 另外，在本实施例的试料l中，由于通过在层叠体l的侧面覆盖第一连接 电极3及第二连接电极4而提高ESR，所以没有必要在层叠体l的内部预 先设置特殊的内部电极而使通过各内部电极的每个的电流的方向成为相 反的方向，因此没有减少第一内部电极7或第二内部电极8的数量，所以 不降低静电电容的值。由此，试料l在比自谐振频率低的频率的阻抗不比 试料2的阻抗高。
如此根据本发明的层叠电容器，由于第一内部电极的第一导出部在第 一侧面与第一外部电极连接，第.二内部电极的第二导出部分别与第一连接
电极电连接，第一连接电极的一端和第二连接电极的一端电连接，第二连 接电极的另一端和第二外部电极电连接，因此在第二内部电极和第二外部 电极之间形成较长的电流路径，所以确认了能够在抑制ESL的增加的同时
提高层叠电容器的ESR。另外，由于第二连接电极在沿着层叠体的层叠方 向有厚度薄的部分，在第二连接电极与电流的路径正交的方向在其电流的 路径存在截面面积小的部分，所以ESR变高，没有必要导致ESL的增加 的程度地加长第一连接电极或第二连接电极的长度，确认了在调节提高 ESR时也能够将ESL抑制为较低。
权利要求
1、一种层叠电容器，其特征在于，包括层叠了多个电介质层的长方体状的层叠体；在该层叠体的层叠方向的侧面相互电独立地覆盖的第一外部电极及第二外部电极；配置在所述层叠体的内部，且隔着所述电介质层相互对置的第一内部电极及第二内部电极，其中，所述第一内部电极具有在覆盖了所述第一外部电极的侧面导出且连接于所述第一外部电极的第一导出部，所述第二内部电极具有在与覆盖了所述第一外部电极及第二外部电极的侧面不同的另一侧面导出的第二导出部；带状的第一连接电极，其在所述另一侧面以沿所述层叠体的层叠方向延伸的方式覆盖，且与所述第二内部电极的每个所述第二导出部电连接；带状的第二连接电极，其在所述另一侧面以沿所述层叠体的层叠方向延伸的方式覆盖，且一端与所述第一连接电极电连接，另一端与所述第二外部电极电连接，并且在两端之间沿着所述层叠体的层叠方向具有厚度薄的部分。
2、 根据权利要求l所述的层叠电容器，其特征在于，所述第二内部电极具有在所述另一侧面导出的第三导出部，所述第二 连接电极为覆盖所述第三导出部的镀膜。
3、 一种层叠电容器的等效串联电阻值的调节方法，其特征在于，包 括以下工序覆盖第一内部电极或第二内部电极，且以所述第一 内部电极及所述第 二内部电极隔着电介质层相互对置的方式层叠所述电介质层而制作长方 体状的层叠体的工序，其中，所述第一内部电极具有在多个所述电介质层 的一个侧面导出的第一导出部，所述第二内部电极具有在与所述一个侧面 不同的另一侧面导出的第二导出部；将第二外部电极及连接于第一导出部的第一外部电极相互电独立地 覆盖于所述层叠体的侧面的工序；在没有覆盖所述第一外部电极及所述第二外部电极的所述层叠体的另一侧面以沿着所述层叠体的层叠方向延伸的方式，覆盖带状的第一连接 电极及带状的第二连接电极的工序，其中，所述第一连接电极与每个所述 第二导出部电连接，所述第二连接电极的一端与所述第一连接电极电连 接，另一端与所述第二外部电极电连接，且在两端之间沿着所述层叠体的层叠方向具有厚度薄的部分；通过削薄所述第二连接电极的沿着层叠方向的厚度薄的部分而提高 等效串联电阻，由此来调节等效串联电阻值的工序。
全文摘要
提供为低ESL且能够高精度调节ESR的层叠电容器(10)，多个第一内部电极(7)和第二内部电极(8)在层叠体(1)的内部以隔着电介质层(2)相互对置的方式交替配置，第一内部电极(7)和第一外部电极(5)连接，第二内部电极(8)和带状的第一连接电极(3)连接，并配置了以在层叠方向延伸的方式覆盖，一端与所述第一连接电极(3)电连接，另一端和第二外部电极(6)电连接，在两端之间沿着层叠方向具有厚度薄的部分的带状的第二连接电极(4)。第二连接电极(6)的带状的厚度薄的部分可以有效地提高ESR，并且由于没有必要导致ESL增加的程度地加长第一连接电极(3)或第二连接电极(6)的长度而提高ESR，所以能够抑制ESL的增加。
文档编号H01G4/30GK101640129SQ200910165508
公开日2010年2月3日 申请日期2009年7月29日 优先权日2008年7月29日
发明者佐藤恒 申请人:京瓷株式会社