专利名称：无铅二极管的台面制作工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种无铅二极管芯片的台面制作工艺，具体涉及一种
熔点大于27(TC，适用于集成电路、高压硅堆、多芯片及单芯片无铅
二极管的台面制作工艺。
背景技术：
目前，单芯片二极管的芯片台面腐蚀传统的工艺为酸洗，该工艺 的缺点在于酸与无铅焊片反应导致产品断裂。
发明内容
本发明的主要任务在于提供一种无铅二极管的制作工艺。 为了解决以上技术问题，本发明的一种无铅二极管的台面制作工 艺，所述无铅二极管芯片的台面腐蚀用酸洗腐蚀；其特征在于所述 无铅二极管芯片的台面腐蚀在酸洗腐蚀之前，先用强碱、弱碱进行两 次腐蚀。
进一步地，所述腐蚀二极管台面的浓碱和弱碱均为氢氧化钾。
进一步地，所述氢氧化钾浓度为8-15%,腐蚀温度为70-95°C， 时间为5-15分钟。
进一步地，所述第二次腐蚀二极管台面的氢氧化钾浓度为2-6%， 腐蚀温度为70-95t:，时间为5-15分钟。
本发明的优点在于以上工艺制作的为无铅二极管，且由于产品 台面采用碱腐蚀工艺，解决酸与无铅焊片反应导致产品断裂的问题，且还使得产品的高温焊接保证为265土5TV10秒，适用于所有产品，
有利于净化环境。
图为本发明的结构示意图。
具体实施例方式
如图所示，所述二极管由电极l、焊片2、芯片3、焊片4、电极 5焊接为一体，焊接后在两电极之间用硅橡胶或聚酰亚胺胶6密封， 再在其组成的整体外表面用环氧树脂进行封装组成。
上述的芯片台面腐蚀工艺由传统的酸腐蚀改为先碱腐蚀后酸腐 蚀。具体步骤如下首先，用强碱进行腐蚀，本发明中所用的强碱为 氢氧化钾溶液，该溶液浓度为8-15%,腐蚀温度为70-95'C，对芯片 台面的腐蚀时间为5-15分钟。
然后，用弱碱进行腐蚀，本发明中所用的弱碱为氢氧化钾溶液， 其氢氧化钾浓度为2-6%，腐蚀温度为70-95。C，时间为5-15分钟。
再用传统酸腐蚀中的第二个步骤和第三个步骤进行酸腐蚀，即用 含磷酸、双氧水、去离子水的酸和含氨水、双氧水、去离子水的酸按 常规方法进行腐蚀，具体步骤为常规步骤，在此故不累述。
权利要求
1、一种无铅二极管的台面制作工艺，所述无铅二极管芯片的台面腐蚀用酸洗腐蚀；其特征在于所述无铅二极管芯片的台面腐蚀在酸洗腐蚀之前，先用强碱、弱碱进行两次腐蚀。
2、 根据权利要求l所述的一种无铅二极管的台面制作工艺，其特 征在于所述腐蚀二极管台面的浓碱和弱碱均为氢氧化钾。
3、 根据权利要求2所述的一种无铅二极管的台面制作工艺，其特 征在于所述氢氧化钾浓度为8-15%，腐蚀温度为70-95t:， 时间为5-15分钟。
4、 根据权利要求2所述的一种无铅二极管的台面制作工艺，其特 征在于所述第二次腐蚀二极管台面的氢氧化钾浓度为2-6%， 腐蚀温度为70-95'C，时间为5-15分钟。
全文摘要
本发明公开了一种无铅二极管的台面制作工艺，所述无铅二极管芯片的台面腐蚀用酸洗腐蚀；其特征在于所述无铅二极管芯片的台面腐蚀在酸洗腐蚀之前，先用强碱、弱碱进行两次腐蚀。以上工艺制作的为无铅二极管，且由于产品台面采用碱腐蚀工艺，使得产品的高温焊接保证为265±5℃/10秒，适用于所有产品，有利于净化环境。
文档编号H01L21/306GK101521161SQ200910134678
公开日2009年9月2日 申请日期2009年4月28日 优先权日2009年4月28日
发明者刚 吴, 吴亚红, 陆国华, 炎 陈 申请人:如皋市日鑫电子有限公司