专利名称：Led封装模块的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及照明用LED封装。
背景技术：
与传统照明装置相比，LED路灯不仅具有色度好、免维护、寿命长的特点，更重要的是比传统路灯更节能。 中国发明专利文献CN101101103、 CN101101102、 CN101101107分别公开了一种LED路灯，其散热性能已经达到实用级。上述三种LED路灯代表了市面上LED照明技术的主流，包括遂道灯、室内照明灯，其核心技术与上述专利文献公开的内容十分近似。上述技术均通过一个具有印刷电路的铝基板，在铝基板上设置多个单只LED灯泡，然后在铝基板的背部紧贴一散热体，散热体的反面设置散热翅，上述技术还采用了二次光学透镜或反光杯进行二次光学处理，以控制光斑。 然而，上述现有技术仍有不足，制约了LED照明技术的推广应用。上述现有技术虽然采用了二次光学处理技术，但其仅仅是对出光方向进行控制，从LED灯泡到整个LED照明装置，并未引入扩散增光部件，那么，二次光学处理的结果是改善了出光方向，但却削弱了出光强度，并且光线不均匀不够柔和。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处，而提供一种具有扩散增光功
能的LED封装模块，并且出光均匀柔和。 本发明的目的可以通过以下技术方案实现 LED封装模块，包括基板和LED芯片，其特征在于该基板具有固晶面和布线面，所述固晶面与所述布线面平行设置，所述固晶面之高度底于所述布线面，所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面；所述LED芯片设置于所述固晶面；该LED封装模块还包括扩散增光层，所述扩散增光层填充于所述固晶面与所述反射过度面界定而成的空间内，所述扩散增光层位于所述热沉层之上并将所述LED芯片包覆于其中，所述扩散增光层之顶面高于所述LED芯片之顶面；所述扩散增光层是透明硅胶与玻璃微珠的混合物。 LED封装模块，其特征在于所述布线面设置于所述基板的顶面，所述返射过度面有二个，二个反射过度面分别设置在所述固晶面的二侧，所述固晶面与所述反射过度面组成一长条状的沟槽。 LED封装模块，其特征在于所述二个反射过度面均为平面，对称地设置于所述固晶面的二侧。 LED封装模块，其特征在于所述二个反射过度面均为弧面，二个弧面之凹面相向设置，对称地设置于所述固晶面的二侧。 LED封装模块，其特征在于所述布线面设置于所述基板的顶面，所述固晶面与所述反射过度面构成一底部小开口大的锥孔，所述固晶面是所述锥孔的底面，所述反 射过度面是所述锥孔的侧壁。 LED封装模块，其特征在于所述固晶面、所述布线面、所述反射过度面表面 均具有一层反射膜，所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度 分别为8nm、 15nm、 8nm ;所述反射膜是通过真空溅射或真空蒸镀方式镀设的，即先镀 一层Ni，再镀一层Ag，最后再镀一层Ni。 本发明的LED封装模块，包括扩散增光层，所述扩散增光层填充于所述固晶 面与所述反射过度面界定而成的空间内，所述扩散增光层位于所述热沉层之上并将所述 LED芯片包覆于其中，所述扩散增光层之顶面高于所述LED芯片之顶面；所述扩散增 光层是透明硅胶与玻璃微珠的混合物。在现有技术中，玻璃微珠被用作增光膜或扩散光 学膜或柔光材料，玻璃微珠本身并非本发明的重点，在此不作详细论述。本发明中，扩 散增光层不仅具有扩散增光作用，还可以增加光通量。与现有技术相比，本发明的LED 封装模块无需二次光学处理，不会产生额外的光通量损失，也不会阻碍LED照明装置散 热。本发明的LED封装模块不仅具有扩散增光功能，而且出光均匀柔和。
图1是本发明第一个实施例之扩散增光层的示意图。 图2是本发明第一个实施例的示意图。 图3是本发明第一个实施例中固晶方法流程图。 图4是本发明第一个实施例中线路部分制备方法流程图,
具体实施例方式
下面将结合附图对本发明作进一步详述。参考图1、图2，本发明第一个实施 例是一种LED封装模块，包括基板101和LED芯片110 ;该基板101为AlSi合金材 料，其中，Al的含量为30%-95%， Si的含量为5%-70% ;所述基板101具有固晶面 1011和布线面1012，所述固晶面1011与所述布线面1012平行设置，所述固晶面1011 之高度底于所述布线面1012，所述固晶面1011与所述布线面1012之间设有反射过度面 1013;所述固晶面1011、所述布线面1012、所述反射过度面1013表面均设置一层反射 膜102，所述反射膜102的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为 2nm-10nm、 5nm-30nm、 2nm-10nm ;所述布线面1012具有线路部分，所述线路部分构成 所述基板101上的电路，所述线路部分设置于所述布线面1012的表层，再次参考图l、 图2，即所述反射膜102的外侧；所述线路部分具有层状结构，由内向外，所述线路部 分包括导热绝缘胶层103、导电镀层104;所述LED芯片110设置于所述固晶面1011， 所述固晶面1011与所述LED芯片110之间还具有一热沉层109，所述热沉层109的材料 为AuSn合金，其中Au含量为4X-9%， Sn的含量为91 %-96%，所述热沉层的厚度为 0.005mm-0.02mm ;在本实施例中，所述AuSn合金中Au含量为5% ， Sn的含量为95X， 所述热沉层的厚度为0.008mm。下面简要说明一下固晶方法，参考图3，固晶工序包括 以下步骤(l)设置热沉层，(2)放置LED芯片，(3)焊接，(4)冷却，其中，第(l)步所 述的设置热沉层采用真空溅射的方式；第(2)步所述的放置LED芯片是将LED芯片置于热沉层上；第(3)步所述的焊接，是指将第(2)步制成的半成品过焊接炉，焊接炉的温度 为250°C -300°C ;第(4)步所述的冷却是指常温风冷却。该LED封装模块还包括扩散增 光层111，所述扩散增光层111填充于所述固晶面1011与所述反射过度面1013界定而成 的空间内，所述扩散增光层lll位于所述热沉层109之上并将所述LED芯片110包覆于 其中，所述扩散增光层111之顶面高于所述LED芯片110之顶面；所述扩散增光层lll 是透明硅胶与玻璃微珠的混合物；所述布线面1012还具有绝缘部分，所述线路部分构成 所述基板101上的电路，所述线路部分与所述绝缘部分构成所述布线面1012的表层；该 LED封装模块还包括换能层108，所述换能层108设置于所述布线面1012并覆盖于所述 线路部分和绝缘部分之外；所述换能层108是导热绝缘胶与纳米Ti02和纳米Sn02的混合 物，本实施例中，纳米Ti02和纳米SnC^是等比例配比的，当然作为本实施例的一种变换 方案，也可以采用现有技术中公开的其它比例。本实施例中，所述基板101之SiAl合金 中A1的含量为85X， Si的含量为15X。再次参考图1，本实施例中，所述布线面1012 设置于所述基板101的顶面，所述返射过度面1013有二个，二个反射过度面1013分别 设置在所述固晶面1011的二侧，所述固晶面1011与所述二个反射过度面1013组成一长 条状的沟槽；所述沟槽开口大底部小；二个反射过度面1013均为平面，对称地设置于所 述固晶面1011的二侧，二个反射过度面1013的夹角为75° -105° ，本实施例中，二个 反射面1013的夹角为90° 。 本实施例中，所述Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、 15nm、 8nm;所述反射膜是通过真空溅射或真空蒸镀方式镀设的，即先镀一层Ni，再镀 一层Ag，最后再镀一层Ni。本实施例中，所述导热绝缘胶层103的材料为环氧树脂与 a-A^03的混合物，当然，作为一种替代方案，也可以采用聚酰亚胺与0-^203的混合 物，所述导热绝缘胶层103的厚度为0.02mm-0.06mm，本实施例中是0.03mm。所述导电 镀层104是0.002mm-0.018mm厚度的纳米电沉积Cu，本实施例中纳米电沉积Cu的层厚度 为0.005mm ;所述导电镀层104还包括一设置在所述纳米电沉积Cu底部的真空镀底层， 所述真空镀底层为5nm-10nm的电沉积Ni，本实施例中，真空镀底的厚度是6nm，因真空 镀底层的厚度很薄，图2中未示出。下面简要说明线路部分的利记博彩app，参考图4，所述 线路部分制作工序包括以下步骤(l)丝印导热绝缘胶层，(2)烘干，(3)贴保护膜，(4)真 空镀底，(5)纳米电沉积Cu，其中，第(l)步所述的导热绝缘胶层的厚度为0.03mm，所述 导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与0-^203的混合物；第(2)步所述的烘干为热风烘干， 该烘干步骤采用的温度为180°C -200°C ;第(3)步所述的保护膜，是PET膜加硅胶粘结； 第(4)步所述的真空镀底，是以真空溅射方式沉积6nm的Ni ;第(5)步所述的纳米电沉积 Cu，是以真空溅射或真空蒸镀金方式沉积0.005mm厚度的Cu;所述保护膜可以保留在半 成品上，在设置所述换能层时再除去即可。当然，作为本实施例的一种替代方案，可以 用AgSn合金代替AuSn合金，且该AgSn的组份可以是Ag的含量为1 % -25 % ， Sn的 含量为75%-99%，优选组份是Ag的含量为20X， Sn的含量为80X， AgSn合金虽然 能实现固晶和导热要求，但其贵金属使用的比例及焊接效果均不如AuSn理想，不过Ag 比Au要经济得多，易于产业化推广。实施例中，所述LED芯片IIO表面还设置一荧光 层。本实施例中，该模块还包括表面封胶层107，所述表面封胶层107的材料为透明硅胶 与荧光粉的混合物，所述表面封胶层107设置于所述扩散增光层111的外侧，因为设置了 扩散增光层lll，客观上也起到另外一个作用，那就是减小了表面封胶层107的厚度，从
5而节约了荧光粉的使用:
权利要求
一种LED封装模块，包括基板和LED芯片，其特征在于该基板具有固晶面和布线面，所述固晶面与所述布线面平行设置，所述固晶面之高度底于所述布线面，所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面；所述LED芯片设置于所述固晶面；该LED封装模块还包括扩散增光层，所述扩散增光层填充于所述固晶面与所述反射过度面界定而成的空间内，所述扩散增光层位于所述热沉层之上并将所述LED芯片包覆于其中，所述扩散增光层之顶面高于所述LED芯片之顶面；所述扩散增光层是透明硅胶与玻璃微珠的混合物。
2. 根据权利要求1所述的LED封装模块，其特征在于所述布线面设置于所述基板 的顶面，所述返射过度面有二个，二个反射过度面分别设置在所述固晶面的二侧，所述 固晶面与所述反射过度面组成一长条状的沟槽。
3. 根据权利要求2所述的LED封装模块，其特征在于所述二个反射过度面均为平 面，对称地设置于所述固晶面的二侧。
4. 根据权利要求2所述的LED封装模块，其特征在于所述二个反射过度面均为弧 面，二个弧面之凹面相向设置，对称地设置于所述固晶面的二侧。
5. 根据权利要求2所述的LED封装模块，其特征在于所述布线面设置于所述基板 的顶面，所述固晶面与所述反射过度面构成一底部小开口大的锥孔，所述固晶面是所述 锥孔的底面，所述反射过度面是所述锥孔的侧壁。
6. 根据权利要求1所述的LED封装模块，其特征在于所述固晶面、所述布线 面、所述反射过度面表面均具有一层反射膜，所述反射膜的膜系结构为Ni-Ag-Ni;所述 Ni-Ag-Ni结构各层的厚度分别为8nm、 15nm、 8nm ;所述反射膜是通过真空溅射或真空 蒸镀方式镀设的，即先镀一层Ni，再镀一层Ag，最后再镀一层Ni。
全文摘要
本发明涉及照明用LED封装，LED封装模块包括基板和LED芯片，该基板具有固晶面和布线面，所述固晶面与所述布线面平行设置，所述固晶面之高度底于所述布线面，所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面；所述LED芯片设置于所述固晶面；该LED封装模块还包括扩散增光层，所述扩散增光层填充于所述固晶面与所述反射过度面界定而成的空间内，所述扩散增光层位于所述热沉层之上并将所述LED芯片包覆于其中，所述扩散增光层之顶面高于所述LED芯片之顶面；所述扩散增光层是透明硅胶与玻璃微珠的混合物。本发明提供一种具有扩散增光功能的LED封装模块，并且出光均匀柔和。
文档编号H01L25/075GK101691911SQ20091010873
公开日2010年4月7日 申请日期2009年7月10日 优先权日2009年7月10日
发明者李金明 申请人:东莞市万丰纳米材料有限公司