专利名称：发射辐射的装置的利记博彩app
发射辐射的装置本发明涉及一种发射辐射的装置，其具有至少两个被构造用于发射电磁辐射的有 源半导体层。DE 10 2006 039 369A1公开了一种半导体本体，其带有产生辐射的第一有源层
和产生辐射的第二有源层，其中第一有源层和第二有源层在垂直方向上相叠设置并且电串 联。本发明的任务是，提出一种发射辐射的装置，借助该装置能够以简单的方式实现 所发射的电磁辐射的高的辐射密度。该任务通过独立权利要求的特征来解决。本发明的有利的扩展方案在从属权利要 求中表明。本发明的特征在于一种发射辐射的装置，其具有第一有源半导体层，该第一有源 半导体层构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极直接接触，并且具有至少一个另外的 有源半导体层，其构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极直接接触，其中第一有源半 导体层和另外的有源半导体层彼此堆叠地设置。发射辐射的装置于是尤其是具有单个构造 的有源半导体层，其也称为半导体芯片，或者具有彼此耦合的有源半导体层，它们一同形成 层堆叠。有源半导体层与连接电极的直接接触能够实现构造由无衬底的半导体芯片构成的 发射辐射的装置。这具有的优点是，可以在高经济性的情况下实现高的辐射密度和非常有效的光输
出耦合。在一个有利的实施形式中，有源半导体层包括至少一个pn结或者通过这种pn结 构成。有源半导体层的至少产生辐射的层则尤其是通过在P掺杂的层和η掺杂的层之间的 载流子复合区来形成。特别地，在恰好一个P掺杂的层和恰好一个η掺杂的层之间形成恰 好一个载流子复合区。这种有源半导体层可以如文献DE 10 2007 004 304Α1中所描述的 那样形成，该出版物的关于那里所描述的半导体芯片的公开内容和那里所描述的有源半导 体层的公开内容以及那里所描述的制造方法的公开内容通过引用结合于此。所述至少一个有源半导体层也可以理解为半导体层序列。除了有源半导体层，半 导体层序列也可以具有其他的功能层如电极层、隧道层、接触层、晶格匹配层、波导层、罩 层、载流子传输层和/或载流子阻挡层。有源半导体层在这种情况中也可以包括量子槽或 者通过这种量子槽来形成。例如，半导体层序列如在文献WO 2005/081319Α1中所描述的那 样形成，其关于那里所描述的半导体芯片和半导体层序列的公开内容以及那里所描述的制 造方法的公开内容通过引用结合于此。下面仅仅使用“有源半导体层”的术语，即使该术语 可以理解为具有多于一个层的半导体层序列。在另一有利的实施形式中，至少一个有源半导体层由恰好一个ρ掺杂的层和恰好 一个η掺杂的层构成，在它们的界面上形成pn结，该pn结是产生辐射的层。可选地可能的 是，有源半导体层附加地尤其是包括恰好一个或者恰好两个金属层或者反射层。通过这些 金属层或者反射层例如可能的是，将多个有源半导体层彼此连接并且彼此堆叠。当要堆叠 的有源半导体层彼此分开地制造时，这尤其适用。
在另一有利的实施形式中，发射辐射的装置和/或所述至少一个有源半导体层对 于所产生的辐射的至少一部分是透明的或者半透明的。换言之，在有源半导体层中和/或 在发射辐射的装置中产生并且被散射或被吸收的辐射的部分小于50%，尤其是小于20%， 优选小于10%。在另一有利的实施形式中，第一有源半导体层和另外的有源半导体层构造在共同 的半导体本体中。这意味着，第一有源半导体层和另外的有源半导体层一同单片地被构造， 例如通过外延生长来构造。换言之，有源半导体层并未被彼此分开地制造并且随后例如粘 合、键合或者焊接。这能够实现简单地制造发射辐射的装置。在另一有利的实施形式中，第一有源半导体层和/或另外的有源半导体层与散热 层热耦合。这是一种将热能从第一有源半导体层或者另外的有源半导体层良好地排放到环 境中的简单的可能性。在另一有利的实施形式中，第一有源半导体层和/或另外的有源半导体层以机械 方式牢固地与散热层耦合。在另一有利的实施形式中，第一有源半导体层和另外的有源半导体层发射相同波 长的辐射。于是可实现在一个光谱范围中的特别高的亮度。在另一有利的实施形式中，第一有源半导体层和另外的有源半导体层发射不同波 长的辐射。由此，可以以有效的方式产生混色光或者白色光。在另一有利的实施形式中，第一有源半导体层具有辐射输出耦合面以及设置在第 一有源半导体层的背离辐射输出耦合面的一侧上的反射层。这具有的优点是，总辐射可以 定向为使得其有针对性地在发射辐射的装置的一侧上发射。在另一有利的实施形式中，反射层与散热层热耦合。这具有的优点是，能够实现在 第一有源半导体层和散热层之间的简单并且特别可靠的并且有效的热耦合。在另一有利的实施形式中，在有源半导体层之间设置一个或者多个另外的反射 层。另外的反射层优选具有介于有源半导体层的折射率和环境的折射率之间的折射率。通过另外的反射层，将有源半导体层及其环境之间的折射率中的跳变相应划分为 为两个较小的跳变。通过这种方式，辐射的较大部分可以从有源半导体层出射并且入射到 另外的反射层中。辐射的该部分可以通过该另外的有源半导体层或者直接通过输出耦合区 域发射到环境中。由于在该另外的反射层和环境之间的折射率中的较小的差，辐射的较大 部分可以被输出耦合(ausgekoppelt)。在另一有利的实施形式中，反射层导电地构造。反射层于是例如为薄的金属层或 者透明导电材料的层。在金属层的情况下，其厚度在垂直于有源半导体层的主侧的方向上 优选最大为30nm，尤其是最大为lOnm。由此，反射层可以以简单的方式也构造为连接电极。 也可以通过反射层实现在有源半导体层的整个面上的电流分布和均勻的电流注入。特别 地，反射层至少在有源半导体层的整个横向伸展上延伸，其中必要时存在的、不同于反射层 的连接电极在这种情况中认为属于反射层。在另一有利的实施形式中，至少一个或者全部的连接电极在横向方向上突出于有 源半导体层。优选的是，这些连接电极在此在平行于有源半导体层的堆叠方向的方向上并 未彼此重叠或者并未完全彼此重叠。由此，使得有源半导体层的电接触变得容易。在另一有利的实施形式中，另外的有源半导体层具有第一辐射输出耦合面和设置在背离该另外的有源半导体层的第一辐射输出耦合面的一侧上的另外的辐射输出耦合面。 由此，能够实现两侧发射辐射的有源半导体层以及由此两侧发射辐射的装置。在另一有利的实施形式中，另外的有源半导体层的辐射输出耦合面朝向第一有源 半导体层的辐射输出耦合面。这具有的优点是，可在高的亮度情况下单侧以及双侧发射地 产生混色光或者白色光。在另一有利的实施形式中，有源半导体层具有3 μ m到20 μ m之间的厚度。这具有 的优点是，可非常薄地构造有源半导体层并且由此非常薄地构造整个发射辐射的装置。在另一有利的实施形式中，彼此堆叠的有源半导体层共同具有在6 μ m到30 μ m之 间的总厚度。这具有的优点是，可非常薄地构造整个发射辐射的装置。在另一有利的实施形式中，发射辐射的装置构造为发光二极管。于是可能的是，将 带有多个彼此相叠设置的有源半导体层的无衬底的发射辐射的装置用于发光二极管。在另一有利的实施形式中，发射辐射的装置平面状地构造。在此，平面状地构造意 味着，发射辐射的装置连贯地在一个平面区域上延伸，该平面区域具有至少一个数平方毫 米、优选数平方厘米、并且特别优选至少一平方分米或者数平方分米或者更大的面。例如， 该发射辐射的平面区域包括至少1mm2，尤其是至少10mm2，优选至少Icm2，特别是至少5cm2。 由此可得到非常平坦的、平面状地构造的、无衬底的、带有多个有源半导体层的发射辐射的
直ο在另一有利的实施形式中，发射辐射的装置具有第一有源半导体层和至少两个另 外的有源半导体层，其中所述有源半导体层至少之一构造用于发射在红色光谱范围中的电 磁辐射，有源半导体层至少之一构造用于发射在绿色光谱范围中的电磁辐射，并且有源半 导体层至少之一构造用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射。由此，可以借助发射辐射的 装置来产生任意颜色的光以及白色光。在另一有利的实施形式中，所有有源半导体层的横向尺度在制造公差的范围中相 同。换言之，有源半导体层彼此对准地被堆叠。优选的是，彼此相邻的有源半导体层彼此直 接接触，特别是在它们的整个朝向彼此的主面上彼此直接接触。也就是说，有源半导体层在 这种情况中在整个主面上彼此触碰。在另一有利的实施形式中，这些有源半导体层可以分别彼此独立地被电激励。例 如，这些有源半导体层以电并联的形式连接。在另一有利的实施形式中，有源半导体层彼此电绝缘。例如，反射层以介电材料构 造。电绝缘意味着，在半导体本体内尤其是在相邻的有源半导体层之间不存在直接的电接 触。在另一有利的实施形式中，发射辐射的装置没有转换装置。换言之，该装置不包括 磷光体或者发光材料，其将由有源半导体层发射的辐射转换为另一频率的辐射。优选的是，发射辐射的装置用于照明目的。这具有的优点是，由此可以实现紧凑 的、节约位置的、彩色的、必要时两侧的、扁平结构形式的发光装置，其具有高的辐射密度和 高的能量效率。优选的是，发射辐射的装置用于单色的或者多色的电致发光显示。这具有的优点 是，由此可以以具有高的辐射密度和高的能量效率的扁平结构实现紧凑的、节约位置的、彩 色的显示。
优选的是，将发射辐射的装置用于投影应用。这具有的优点是，由此可以实现紧凑 的、节约位置的、彩色的投影仪。本发明的有利的扩展方案在下面借助示意图来进一步阐述。其中
图1示出了发射辐射的装置的第一实施形式的截面图，并且图2示出了发射辐射的装置的另一实施形式的截面图。相同结构或者功能的元件在所有附图中设置有相同的附图标记。所示的元件及其彼此间的大小关系原则上不能视为合乎比例，相反各元件、例如 层、部件、器件和区域为了更清楚和/为了更好的理解而可以被尺寸夸厚或者夸大地示出。在图1和2中分别示出了发射辐射的装置40的实施例。在图1中示出了用于发射辐射的装置40的第一实施形式。发射辐射的装置40具 有半导体本体10。半导体本体10具有构造用于发射电磁辐射的第一有源半导体层12和构 造用于发射电磁辐射的另外的有源半导体层14。在图中示出的发射辐射的装置40的实施 形式分别具有两个构造用于发射电磁辐射的另外的有源半导体层14。发射辐射的装置40 的另外的有源半导体层14的数目也可以是任意其他值。对于有源半导体层12、14，如下半导体材料是适合的例如InAlGaAs、InGaAlP和 /或InGaAIN，其中包括相应的二元和三元化合物，例如GaAs、AlGaAs、GaP、InP、GaAlP、GaN 或者InGaN。在此，相应的材料不必一定对应于数学上精确的组成。更确切地说，其可以具 有一种或者多种掺杂材料以及附加的组成部分，它们基本上不改变材料的物理特性。然而 出于简单的原因，仅仅提及了晶格的主要组成部分(Al、Ga、In、P)，即使它们可以部分地通 过少量的其他材料来替代。发射辐射的装置40的有源半导体层12、14优选具有所述材料的布置和结构化，它 们对于本领域技术人员是已知的并且因此在此不再进一步阐述。发射辐射的装置40的有 源半导体层12、14优选是单片生长的层。在有源半导体层12、14中可以通过电子和空穴复 合来生成具有单个波长或者具有波长范围的电磁辐射。在此，在观察者处可以出现单色的、 多色的和/或混色的发光印象。由发射辐射的装置40的有源半导体层12、14产生的电磁辐射尤其可以具有带有 在紫外至红外光谱范围中的波长的光谱。特别地，有利的是，该光谱至少包括对于观察者可 见的波长。电磁辐射的光谱也可以有利地也包括多个波长，使得在观察者处可以形成混色 的发光印象。此外可能的是发射辐射的装置40本身可以产生具有多个波长的电磁辐射。所示的发射辐射的装置40优选被构造为发光二极管或者发光二极管阵列。优选 的是，发射辐射的装置40扁平状地构造。第一有源半导体层12和另外的有源半导体层14作为层堆叠相叠地设置。有源半 导体层12、14、尤其是第一有源半导体层12在此构造为无衬底的层。无衬底在此意味着 例如构造为发光二极管的发射辐射的装置40的、在其他情况下存在的载体层或者衬底层 被省去。通过彼此堆叠地设置第一有源半导体层12和另外的有源半导体层14，所有产生的 辐射量可以是有利地非常高的。因为发射辐射的装置40的尺度相对于单个的有源半导体 层仅仅无关紧要地改变并且尤其是发射辐射的装置40的横截面与有源半导体层12、14的 数目无关，所以于是在很大程度上辐射密度也可以是有利地高的。
第一有源半导体层12和另外的有源半导体层14优选单片集成在共同的半导体本 体10中，如在图1中所示的发射辐射的装置40的第一实施形式中所示的那样。这种带有 有源半导体层12、14的单片的半导体本体10尤其是可以简单地制造。优选的是，半导体本体10在工作中在垂直方向上发射辐射，其中由第一有源半导 体层12和另外的有源半导体层14发射的辐射成分通常被混合。有源半导体层12、14优选具有在3 μ m到20 μ m之间的厚度D。特别优选的是，有 源半导体层12、14的厚度D在12μπι到15 μ m之间。这种薄的有源半导体层12、14 一方面 还可以良好地制造，另一方面发射辐射的装置40可以非常薄地构造。特别优选的是，彼此 堆叠的有源半导体层12、14共同具有在6 μ m到30 μ m之间的总厚度D_T。每个有源半导体层12、14都具有连接电极18、20，它们能够实现有源半导体层12、 14的直接的电接触。这里可以避免构造为发光二极管的发射辐射的装置40通过在其他情 况下存在的载体层或者衬底层的电接触。特别地，连接电极18、20可以平面地或者在部分 区域中结构化地被实施。连接电极18、20优选构造为导电氧化物。特别优选的是，连接电极18、20构造为 透明导电氧化物(TCO)。透明导电氧化物是透明的导电材料，通常是金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧 化镉、氧化钛、氧化铟或者特别优选的是氧化铟锡(ITO)。除了二元金属-氧化合物例如 Zn0、Sn02 或者 In2O3 夕卜，三元金属-氧化合物例如 Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、MgIn204、Galn03、 Zn2In2O5或者In4Sn3O12或者不同的透明导电氧化物的混合物也属于透明导电氧化物的组。 此外，透明导电氧化物不必一定对应于化学计量学上的组分并且也可以是P掺杂或者η掺 杂的。作为用于连接电极的材料，尤其是金属如铝、钡、铟、银、金、镁、钙或者锂及其化合 物、组合物或者合金也可以是有利的。关于附图分别设置在有源半导体层12、14下方的连接电极18优选实施为阳极，由 此它们可以用作诱发空穴的元件。关于附图分别设置在有源半导体层12、14上方的连接电极20优选实施为阴极并 且由此用作诱发电子的元件。在图1中示出的发射辐射的装置40的第一实施形式中，在第一有源半导体层12 的背离另外的有源半导体层14的一侧上设置有反射层22。反射层22例如可以实施为金属 反射层或者实施为介电反射层。借助介电材料，实现了由于在折射系数中的跳跃而出现的 入射辐射的反射。介电的反射层也可以实施为布拉格反射器。特别优选的是，反射层22导电地构造，因为于是简单地可将反射层22用作第一有 源半导体层12的连接电极。反射层22机械地(mechanisch)和热地与散热层24耦合。该反射层一方面用于实 现在有源半导体层12、14和散热层24之间的牢固的机械耦合。另一方面，该反射层用于吸 收在有源半导体层12、14之一中形成的热并且将其散发到环境中。于是可以避免有源半导 体层12、14的过热。特别优选的是，散热层24具有比有源半导体层12、14大的横向伸展， 以便于是可以良好地满足机械和热要求。散热层24优选由具有AlN的材料形成。在两个半导体层12、14之间设置有另外的反射层23。
另外的反射层23优选具有在半导体层12、14的折射系数与其环境的折射系数之 间的折射系数。另外的反射层23对于所产生的辐射是透明的。合适的材料例如是二氧化娃。另外的反射层23 —方面使得从半导体层12、14出来的辐射较大部分地可以离开 该半导体层12、14并且可以进入另外的反射层23中。从该另外的反射层23出发，其可以 或是进入另外的半导体层12、14中并且稍后通过辐射输出耦合面离开发射辐射的装置40， 如在下面所描述的那样。输出耦合效率借助另外的反射层23来提高。第一有源半导体层12具有辐射输出耦合面26。另外的有源半导体层14分别具有 第一辐射输出耦合面28以及设置在背离该另外的有源半导体层14的第一辐射输出耦合面 28的一侧上的另外的辐射输出耦合面30。图1的发射辐射的装置40的实施形式的功能在下面简要说明第一电磁辐射部分32在有源半导体层12、14中产生并且朝着散热层24的方向发 射，在反射层22上反射并且随后通过第一有源半导体层12的辐射输出耦合面26和另外的 有源半导体层14的辐射输出耦合面28从发射辐射的装置40出射。有源半导体层12、14 构造为使得其对于来自相邻的有源半导体层12、14的电磁辐射部分32分别是透明的。此外，在有源半导体层12、14中产生的第二电磁辐射部分34直接通过第一有源半 导体层12的辐射输出耦合面26和另外的有源半导体层14的辐射输出耦合面28从发射辐 射的装置40出射。由此，由有源半导体层12、14构造的、图1的实施形式的无衬底的发射辐射的装置 40单侧发射地被构造。在图2中所示的实施形式中，有源半导体层12、14同样没有载体层地、即无衬底地 构造并且构造为单个的、分离的半导体芯片。在该情况中，于是可能的是通过各构造为无 衬底的半导体芯片的有源半导体层12、14(其作为层堆叠相叠地设置)的任意组合分别构 建以合适方式匹配的发射辐射的装置40。在图2中示出的发射辐射的装置40的实施形式中，有源半导体层12、14中的每个 都可以分别通过两个辐射输出耦合面26、28、30基本上在两个方向上发射辐射。第一电磁辐射部分32在有源半导体层12、14中产生并且然后通过第一有源半导 体层12的辐射输出耦合面26和另外的有源半导体层14的第一辐射输出耦合面28从发射 辐射的装置40出射。此外，第二电磁辐射部分34在有源半导体层12、14中产生并且随后通过另外的有 源半导体层14的另外的辐射输出耦合面30和第一有源半导体层12的另外的辐射输出耦 合面30从发射辐射的装置40出射。这意味着，在图2中所示的无衬底的、由有源半导体层12、14构成的发射辐射的装 置40两侧发射地被构造。由于两侧光输出耦合的可能性，可以省去有源半导体层12、14的 内部的镜面化，并且可以省去反射层。如果第一有源半导体层12和另外的有源半导体层14发射相同波长的辐射，则由 此可以实现发射辐射的装置40的特别高的辐射密度。而如果第一有源半导体层12和另外的有源半导体层14构造为使得它们分别发射 不同波长的辐射，则借助该发射辐射的装置40可以非常简单地产生彩色的混色光或者白色光。如果有源半导体层12、14至少之一构造用于发射在红色光谱范围中的电磁辐射， 有源半导体层12、14中的另一个构造用于发射在绿色光谱范围中的电磁辐射，并且另外的 有源半导体层12、14的至少之一构造用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射，则可以特别 简单地产生彩色的混色光或者白色光。外部的另外的有源半导体层14的第一辐射输出耦合面28可以为了更好地将辐射 进行输出耦合而具有粗糙化部或者其它的结构，通过粗糙化部或者其它的结构防止了在辐 射输出耦合面上的全反射。随后，通过外部的另外的有源半导体层14的第一辐射输出耦合 面28输出耦合的辐射功率可以被提高。替代粗化部，也可以设置譬如微棱柱形式的表面结 构化部或者其他装置用于降低在辐射输出耦合面上的全反射损耗。此外，发射辐射的装置40可以具有光学元件，其在电磁辐射的发射方向上设置在 外部的另外的有源半导体层14之后。特别地，譬如可以在外部的另外的有源半导体层14的 外侧上设置圆形偏振器，借助该圆形偏振器可以有利地避免从外部射入到发射辐射的装置 40中的并且例如可以在连接电极18、20上被反射的光又可以从发射辐射的装置40出射。由于已经描述的高辐射密度的优点和高的效率，所描述的发射辐射的装置40可 以实现高的经济性。所示的发射辐射的装置40可以适于应用在显示装置和/或照明装置中，它们的特 征在于紧凑的、节约位置的并且扁平的结构形式。作为发光二极管构造的、无衬底的、带有多个相叠设置的有源半导体层12、14的 发射辐射的装置40尤其是优选用于照明目的，特别是用于大面积的照明，例如房间的照 明。另外的应用领域是用于车辆或者移动电话的显示器、触摸屏显示器等等。这些显 示器优选构造为单色或者多色的电致发光显示器。此外，构造为发光二极管的发射辐射的装置40可以用于投影仪。借助这里所描述 的发射辐射的装置40可以非常小并且紧凑地构造这种投影仪。本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此。相反，本发明包括任意新的特征 和特征的任意组合，尤其是在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身 并未明确地在权利要求或者实施例中进行说明。本专利申请要求德国专利申请10 2007 060 257. 1和10 2008 013030. 3的优先
权，它们的公开内容通过引用结合于此。
权利要求
一种发射辐射的装置(40)，其具有 第一有源半导体层(12)，该第一有源半导体层(12)被构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极(18，20)直接接触，以及 另外的有源半导体层(14)，该另外的有源半导体层(14)被构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极(18，20)直接接触，其中所述第一有源半导体层(12)和所述另外的有源半导体层(14)彼此堆叠地设置。
2.根据权利要求1所述的发射辐射的装置(40)，其中所述第一有源半导体层(12)和 所述另外的有源半导体层(14)被构造在共同的半导体本体(10)中。
3.根据权利要求1或2所述的发射辐射的装置(40)，其中所述第一有源半导体层(12) 和/或所述另外的有源半导体层(14)与散热层(24)机械地牢固耦合和/或热耦合。
4.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中所述第一有源半 导体层(12)和所述另外的有源半导体层(14)发射相同波长的辐射。
5.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中所述第一有源半 导体层(12)和所述另外的有源半导体层(14)发射不同波长的辐射。
6.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中所述第一有源半 导体层(12)具有辐射输出耦合面(26)和设置在所述第一有源半导体层(12)的背离该辐 射输出耦合面(26)的一侧上的反射层(22)。
7.根据上述权利要求所述的发射辐射的装置(40)，其中该反射层(22)与该散热层 (24)热耦合。
8.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中在这些有源半导 体层(12，14)之间设置有一个或多个另外的反射层(23)，其中这些反射层(22，23)导电地 被构造。
9.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中所述另外的有源 半导体层(14)具有第一辐射输出耦合面(28)和设置在背离所述另外的有源半导体层(14) 的第一辐射输出耦合面(28)的一侧上的另外的辐射输出耦合面(30)。
10.根据上一权利要求所述的发射辐射的装置(40)，其中所述另外的有源半导体层 (14)的辐射输出耦合面(28，30)之一朝向所述第一有源半导体层(12)的辐射输出耦合面 (26)。
11.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中该有源半导体层 (12，14)具有在3μπι到20μπι之间的厚度(D)。
12.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中彼此堆叠的有源 半导体层(12，14)共同具有在6μπι到30μπι之间的总厚度(D_T)。
13.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，其中该发射辐射的装 置(40)平面状地被构造。
14.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)，具有所述第一有源半 导体层(12)和至少两个另外的有源半导体层(14)，其中所述有源半导体层(12，14)至少之 一被构造用于发射在红色光谱范围中的电磁辐射，所述有源半导体层(12，14)至少之一被 构造用于发射在绿色光谱范围中的电磁辐射，并且所述有源半导体层(12，14)至少之一被 构造用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射。
15.将根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的装置(40)用于照明目的和/或 用于单色或多色的电致发光显示和/或用于投影应用。
全文摘要
一种发射辐射的装置(40)，其具有第一有源半导体层(12)，其构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极(18，20)直接接触，以及另外的有源半导体层(14)，其构造用于发射电磁辐射并且用于与连接电极(18，20)直接接触，其中第一有源半导体层(12)和另外的有源半导体层(14)彼此堆叠地设置。
文档编号H01L33/08GK101897042SQ200880120292
公开日2010年11月24日 申请日期2008年12月3日 优先权日2007年12月14日
发明者S·赫尔曼 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司