专利名称：具有半导体元件的传感器矩阵的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及具有半导体元件的传感器矩阵，包括片状载体层、第一电极排列结构和至少一个第二电极排列结构，以及元件排列结构，元件排列结构被放置在第一电极元件 上并且配备有多个半导体元件，并且半导体元件配备有有机半导体材料，第一电极排列结 构被布置在载体层的表面上。本发明还涉及制造传感器矩阵的过程，包括步骤把第一电极 排列结构印刷到载体层的表面上；把元件排列结构印刷到第一电极排列结构上；并且把接 触部分的至少一部分印刷到元件排列结构上。
背景技术：
矩阵或栅格式排列的元件或传感器必须提供有能量并且必须把识别的测量值或 参数从传感器和/或元件传送到外部，例如传送到读出装置。借助已知装置，源极和漏极通 常被布置在传感器与元件之间的载体层上，由于典型的高集成度，通常只为它们提供了极 小的空间。如果传感器例如被布置成几何栅格形式，则通常使用栅格式排列的供电电极和 读出电极；电极通常被称为列电极和行电极。为了能够访问矩阵排列的各个元件，需要额外 的可选择性控制的开关装置，从而例如把一个元件电连接到至少一个列电极和行电极。尤 其对于具有极高元件密度的传感器矩阵来说，已知装置具有以下不足，供电电极和读出电 极必须以密集地封装方式布置在载体层上。由于电极之间的最小距离的原因，来自电极的 信号很容易彼此干扰，特别地，所谓的串扰是可能的。在此情况下，将由一个电极测量或采 集的信号受到来自另一电极(特别是相邻电极)的信号的影响或失真。借助采集光学信号 的传感器排列，这种情况会引起采集图像不可用，这是因为串扰会导致采集到的外形的模 糊。特别地，已知实施例总存在不足。在需要采集参数的高分辨率的情况下，由于受影响信 号的特点的原因，受影响信号电平会发生局部受限的巨大差别。
发明内容
本发明的目的在于改进矩阵式或栅格式元件排列结构从而减小串扰问题并且同 时可以实现简化的构造和制造。本发明的目的是如下实现的，把第二电极排列结构布置在顶层的表面上并且把顶 层布置在载体层上，其中第一电极排列结构和第二电极排列结构彼此面对面并且第二电极 排列结构与元件排列结构至少部分地导线性接触。该实施例具有特别的优势，元件排列结构通过第一电极排列结构和第二电极排列 结构的电接触意味着更多的空间可用并且由此明显减小电极排列结构之间串扰的危害。该实施例还具有以下优势，根据需要每一个上面布置其他层或组件的载体层和顶 层可以彼此单独制造并且根据本发明的传感器矩阵通过元件排列结构与第二电极排列结 构至少部分地导电型接触而形成。为了简化说明，部件载体层和顶层不仅指单独部件，还指施加到单独部件上的所 有其他层或组件。这样，载体层例如还包括施加的第一电极排列结构和元件排列结构。对于本领域技术人员来说，这样，在其他有利实施例的描述中施加了哪个部件是清楚的。特别有利的是一个实施例，其中传感器矩阵是弹性可变形或可再成形的。一方面， 该实施例使得传感器矩阵应用到不平坦表面或者动态可变形表面上。另外，该实施例能使 用例如可以形成载体层和/或顶层的制造过程和方法。本领域技术人员应当理解，弹性可 变形或可再成形的外形保持在专用材料边界，使得变形不会造成不可逆转的材料损坏。
该实施例并不排除载体层和/或顶层配备刚性材料。根据另一实施例，顶层例如 可以配备印刷电路板，其中在该实施例中，在顶层上布置了载体层。第一电极排列结构和/或第二电极排列结构配备至少一个导电电极的实施例具 有以下优势，能通过电极排列结构的适当实施例实现分辨力的目标选择。例如，可以通过不 同数量或不同结构化的第一电极排列结构和/或第二电极排列结构的电极同时以多个分 辨率进行测量。而且，元件排列结构的元件可以具有两个电接触点的特征，并且由于该有利实施 例，电接触是可行的。根据另一实施例，第一电极排列结构和/或第二电极排列结构的电极配备有带状 电极。带状电极的优势在于，由于在载体层表面和垂直于轴向延伸方向上的特定宽度，容易 获得期望的分辨率。特别地，可以调整电极宽度专门适合于将要应用的半导体元件。可以 在例如将要布置半导体元件的任何部分上专门加宽窄带电极。该实施例的优势在于带状电 极仅仅占据传送电信号所需的最小表面积。另一有利实施例是这样的实施例，其中以电磁辐射检测器和/或作为电磁辐射源 的形式提供半导体元件。这种选择能够在根据本发明的传感器矩阵中使用大量不同的电子 半导体元件。在其他有利实施例中，针对所有元件排列结构可以使用本发明中所述的排列，其 中电子元件必须电接触，造成最小可能的相互影响，该排列例如需要用于漏电极。根据一优选实施例，以光电二极管或CCD组件的形式提供电磁辐射检测器。在另 一特别有利实施例中，辐射检测器例如是具有有机光电检测器的有机半导体元件。另一同 样有利实施例是这样的实施例，其中电磁辐射源配备有OLED。导电接触区域至少在部分中被应用到半导体元件的实施例具有以下优势，针对每 个半导体元件来说，提供了至少一个唯一识别的部分，设计用于产生导电接触。例如通过金属提供这种导电区域，但是另一实施例也是可行的，其中通过导电透 明或半透明材料，例如铟锡氧化物(ITO)来提供接触区域。特别地，可以使用所有的TCO(透 明导电氧化物)以及所有的导电聚合物来提供接触区域。该接触区域还可以作为例如为半 导体元件提供增强的机械保护的手段。另一有利实施例是在元件排列结构上至少部分地设置保护层的实施例。该实施例 能够密封半导体元件和元件排列结构免于受到环境影响。该保护层还可以作为选择性地改 变根据本发明的传感器矩阵相对于例如其弹性的机械特性的手段。例如，载体层和/顶层 可以配备有薄膜状材料并且传感器矩阵的弹性可以被选择作为保护层的机械特性的函数。 在另外的有利实施例中，保护层还可以具有特别的表面特性，例如有利地简化对附加层的 应用。还可以选择该保护层使得它很大程度上穿透载体层或顶层的各种表面结构，使得载 体层上顶部的排列不会引起电极排列结构的任何不期望的变形。
如果保护层不导电，那么在有利的方式下不需要第一电极排列结构和/或第二电 极排列结构额外的电绝缘。电绝缘保护层具有在元件排列结构中提供单独半导体元件的可 靠电绝缘的另外的优势。特别有利的实施例之一是载体层和/或顶层是透明或半透明的，优选的是处于可 见光波长范围内的实施例。由于根据另一有利实施例，半导体元件可以提供有例如优选地 在可见光范围内工作的电磁辐射检测器或辐射源，所以所要保护的实施例能够不受妨碍地 把电磁辐射入射到半导体元件或从半导体元件发射电磁辐射。该实施例另一优势在于，它 能够使得根据本发明的传感器矩阵容易结合到其他装置中。根据另一有利实施例，第一电极排列结构和/或第二电极排列结构是透明或半 透明的。该实施例的优势还在于，它能够不受阻碍地透入光或反射光。在此，光指的是位 于光学波长范围内的任何范围的电磁辐射，尤其包括可见光范围。透明或半透明的电极排 列结构可以通过TCO(透明导电氧化物)，诸如像铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、锡氧化 物(SnxO)来提供，但是具有来自包括导电聚合物，诸如PEDOT (聚(3，4_乙烯二氧噻吩) poly (3,4ethylenedioxythiophene)) ,PANI (聚苯胺)的组中的材料的实施例也是可行的。 诸如具有小于30nm厚度的金层的薄金属层也是良好的导电体并且也是半透明的。至少部分实现为电绝缘的第一电极排列结构和/或第二电极排列结构的电极具 有特别的优势，它们可以被布置在彼此之上，而不存在短路的风险。可以采用施加到电极的 绝缘层的形式来提供电绝缘，这样每个电极都是电绝缘。电极排列结构还可以包括交替排 列的电极与绝缘层。这样，获得了具有彼此绝缘的电极的分层的排列。在第一电极排列结构上彼此电绝缘布置元件排列结构中的半导体元件的实施例 能够插入几个半导体元件，每一个都具有自身的功能，不存在短路的风险。该实施例具有其 他优势，它还减小了单独的半导体元件之间、尤其是采集到的测量值的任何相互影响。根据另一有利实施例，第一电极排列结构和第二电极排列结构的带状电极被布置 成它们的纵向延伸交替地偏移。优选地，带状电极彼此偏移90 °，这具有特殊的优势或者产 生栅格式排列的列电极和行电极。该实施例的其他优势在于交替的排列减小了电极排列结 构之间的相互影响。在第二电极排列结构的电极上至少部分地布置导电接触点的实施例具有优势，它 具有清楚限定的部分，其中在第二电极排列结构与元件排列结构之间存在电接触。如果第二电极排列结构的接触点与元件排列结构上的半导体元件或者半导体元 件上的接触面电接触，那么就得到特别有利的实施例。利用该实施例，在限定的部分发生半 导体元件的电接触。特别地，这保证了不会与另外的半导体元件发生无意识的电接触。特别地，该实施例能分别制造载体层和顶层，包括所有额外施加的层。利用限定的 电接触点，载体层上的顶层的排列提供了可靠的电接触。由于载体层和顶层彼此至少部分连接的事实，从而得到决定性的优势。利用该实 施例，两个彼此单独制造的子元件连接到一起形成特殊用途的传感器矩阵，并且由于对这 些实施例的上述改进，在第二电极排列结构与元件排列结构之间建立限定的电接触。为了估计从半导体元件采集的测量值，如果提供读出装置，其电连接到第一电极排列结构和/或第二电极排列结构，那么这是有利的。因此，有利地是，选择独立的半导体 元件以及所选的元件与外部估计装置的电连接的任务由读出装置承担。由于根据本发明的传感器矩阵至多包括许多单独的半导体元件，所以该实施例特别有利，这是因为正如所要 保护的，只有相当少量的互连必须从传感器矩阵引导到外部估计装置。第一电极排列结构被印刷到载体层的表面和/或元件排列结构和/或接触部分上的预先施加的层上的实施例具有特别的优势，可以特别成本有效和高效地制造所要保护的 传感器矩阵。使用印刷过程，例如来自包括墨水喷射、平面印刷、凹版印刷或屏幕印刷过程 的组中的过程来施加层的其他优势在于，该过程不需要复杂的工作环境。另外，印刷过程允 许特别简单、快速和灵活地对将要制造的电极排列结构的结构进行剪裁或替代。该实施例 还能够例如在连续馈送过程连续制造传感器矩阵。其他优势是这样的实施例，其中第二电极排列结构被印刷在顶层的表面上并且接 触点被印刷在第二电极排列结构上。已经描述通过印刷制造的多个层的有利特性。本发明的目的是通过以下过程解决的，其中第二电极排列结构被印刷在顶层的表 面上并且接触点被印刷在第二电极排列结构上的至少部分上，并且顶层被布置在载体层 上，使得第二电极排列结构的接触点与元件排列结构中的半导体元件的接触部分电接触， 并且顶层连接到载体层。该实施例的特别优势在于，载体层和顶层可以彼此单独制造，并且可以在所要求 保护的过程步骤中随后彼此连接，并且第二电极排列结构的接触点形成与元件排列结构的 导电接触。已经描述了使用印刷过程制造电路或元件的优势。实质上，将要制造的印刷的结 构可以容易地适合不同的要求。如果为了粘合盖层和载体层，在盖层与载体层之间的空间形成真空，那么盖层和 载体层可以无需外力介入的情况下彼此连接。利用顶层和载体层表面的有利选择的特性， 它们将在返回到正常气压之后保持彼此连接。特别地，该实施例的优势在于两层都可以容 易地适合现有的结构。根据另一有利实施例，还可以采用刚性印刷电路板的形式提供载体层或顶层。通 过在中间空间创建真空，盖层或载体层可以特别完好地装配到现有的表面结构上，从而在 第二电极排列结构与元件排列结构之间产生良好电接触。如所请求保护的那样，通过至少部分施加粘性粘合剂把载体层连接到顶层。通过 把粘合剂仅施加到某些部分能产生载体层与顶层的充分连接，而不会明显降低传感器矩阵 的灵活性。把载体层与顶层至少部分连接的热处理具有以下优势，它实现材料的紧密连接并 且由此可以提供极高的机械柔性。借助加热连接工具，例如压印机，这些处理也是可行的， 从而对物理活动变量的吸收使得材料的内部受热，从而把载体层接合到顶层。例如，这可以 通过使用超声或高频粘接处理来执行。把载体层和顶层连接的一个特别有利的方法是在连续工作不断进给处理期间彼 此连接到两层。该有利实施例实现连续的并且由此特别成本有效而快速制造根据本发明的 传感器矩阵。特别地，对传感器矩阵的不停的制造，例如，针对特定应用来说可以在其他处 理步骤中封装在滚轮上。
下面将参考在附图中例举的实施例示例具体描述本发明。附图示出了图1为根据本发明的传感器矩阵的截面图；图2为示出载体层和顶层的传感器矩阵的分解俯视图；图3为传感器矩阵的截面图，其中载体层和顶层彼此连接；图4为用于连续制造根据本发明的传感器矩阵的装置的示例。
具体实施例方式首先，应当指出，不同实施例中描述的相同部件用相同的参考数字和相同的元件 名称表示，并且全部说明书的公开可以根据采用相同参考数字或相同元件名称的相同部件 的含义来改变顺序。而且，为了说明的目的而选择的位置(诸如上方、下方、侧方等)涉及 专门描述的附图并且可以在描述另一位置时根据新位置的含义可以进行调换。根据例举和 描述的不同实施例的单独特征或特征的组合可以解释为独立的有创造性的技术方案或者 本发明本身提出的技术方案。图1以分解截面图示出了根据本发明的传感器矩阵1。第一电极排列结构4被施 加到载体层3的表面2上。以几个带状电极5彼此电绝缘的形式提供第一电极排列结构4。放置在第一电极 排列结构4的电极5上的是元件排列结构6。元件排列结构6包括彼此电绝缘的几个元件 7。这些元件7中的每一个都至少包括一个半导体元件和导电接触部分。第二电极排列结 构10被施加到顶层9的表面8上。第二电极排列结构10包括几个彼此电绝缘的带状电极 11。放置每个单独的带状电极11使得施加到电极的接触点12在载体层3和顶层9连接时 与元件7的导电接触部分精确接触。载体层3优选地是例如具有有机材料(如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或聚合物聚 邻苯二甲酸酯(PEN))的柔性薄膜状材料。这种类型的载体层的优势在于它是弹性可变形 和再成形的，并且假定本领域技术人员意识到最大允许张力。在载体层3的表面上，通过印 刷工艺(例如墨水喷射、平板印刷、凹版印刷或屏幕印刷工艺)施加多个带状电极。施加到 电极排列结构4的元件排列结构6优选地实现为多个光敏传感器，例如多个CCD传感器。特 别地，然而，许多不同的半导体元件能适于制造元件排列结构。特别地，根据本发明的传感 器矩阵可以用于所有已知的元件排列结构，其中以栅格式图案布置多个半导体元件并且要 求对采集的测量值具有最小相互影响，尤其是存在相互影响的风险的情况。如果元件排列结构6提供有在光学方面对光学影响活跃或敏感的半导体元件，那 么在第一电极排列结构4是透明或半透明时是有利的。电极5可以通过TCO(透明导电氧 化物)(诸如铟锡氧化物(ITO))构成，还具有至多30nm厚的金属层(如、金)，由此得到导 电的半透明电极。第二电极排列结构10的电极11彼此电绝缘。例如通过向每个电极施加电绝缘层 可以实现电绝缘。还可以优选地采用印刷工艺把电极施加到顶层9的表面8，使得电绝缘层 被印刷到每个电极上，并且导电层与电绝缘层共同形成分层结构。然而每个电极的至少一部 分没有覆盖电绝缘层，这是因为在这部分上，施加了导电接触点12，优选地又采用印刷工艺。
由于传感器矩阵的适当布局和印刷工艺的目标控制，第二电极排列结构10和特别是施加到第二电极排列结构10的接触点12被精确定位，使得在载体层3和顶层9的随 后连接中，接触部分与元件7连接。这种方式的特别优势在于载体层和顶层可以彼此单独 制造，特别地，它们可以由两个不同的制造商来制造。为了实现柔性和弹性可变形和再成形传感器矩阵，顶层也是由弹性材料，如PET 或PEN制成。在另一有利实施例中，顶层9还可以由刚性平坦材料，如印刷电路板制成。借 助这样的实施例，载体层3连接到施加到其上的第一电极排列结构4，元件排列结构6连接 到载体层9，并且柔性和弹性可变形和再成形载体层可以容易地适于表面8和施加到其上 的那些层的表面结构。载体层和顶层可以借助施加到表面2、8的某些表面的粘性粘合剂连接起来。通过 在载体层和顶层之间形成封闭的空间并且随后在该空间内形成低压，还可以牢固地连接这两层。图2示出了载体层3和顶层9的平面图，其中为了简化表示，以分解方式示出了根 据本发明的传感器矩阵1。第一电极排列结构4被施加到载体层3的表面2。以带状电极5彼此电绝缘的方 式提供第一电极排列结构4，元件排列结构6被施加到该带状电极。元件排列结构6的半导 体元件13彼此电绝缘地布置在电极5上并且在它们表面上具有导电接触部分14。电极经 由导电互连结构15连接到读出装置16。第二电极排列结构10被施加到顶层9的表面8， 并且以彼此电绝缘的多个带状电极11的形式提供电极排列结构10。施加到每个带状电极 11的部分是导电接触点12。例如电极可以通过彼此电绝缘的互连结构12连接到接触区域 18，并且为了简化示图，仅示意性地示出了互连结构17。当载体层连接到顶层时，接触区域 18于读出装置16的接触区域19导电接触，并且由此在第二电极排列结构10于读出装置 16之间形成连接。在另一实施例中，读出装置还可以被设置的顶层9上，这样，载体层和顶 层的读出装置例如通过可拆卸接触装置可以连接到外部估计单元。图3示出了根据本发明的传感器矩阵1的截面以及图2所示的部分，另外该部分 包括彼此连接的载体层和顶层。第一电极排列结构4以多个带状电极5的形式被施加到载 体层3的表面2上。元件排列结构6被施加到第一电极排列结构4，以几个半导体元件13 的形式提供了该元件排列结构6。导电接触部分14被施加到每个半导体元件13的至少某 些部分。第二电极排列结构10以多个带状电极11的形式被施加到顶层9的表面8上，并 且各个带状电极11彼此电绝缘。施加到电极11的是导电接触点12，其建立了与元件7的 接触部分14的导电接触。为了简化示图，在附图中没有示出电连接结构17。本领域技术人员会理解如何把 互连结构施加并设置到顶层9上，从而在第二电极排列结构10的电极11与接触区域之间 创建导电连接。例如可以通过把载体层和顶层在接触区域20中彼此模压来连接这两层，并且在 空间21中产生了低压。利用表面2和8的接触区域20中的适当选择的表面特性，随后使 得两层牢固地彼此相连。如果有必要，可以在接触区域20中的表面涂敷粘合剂，例如粘性 粘合剂，从而加强两层的连接。还可以在不影响空间21中的印刷条件的情况下在多个接触 区域20中的至少部分地连接载体层和盖层。例如，通过热或电磁辐射启动的处理可以用来连接这两层，并且电声连接处理也是可行的。例如对于功能测试来说，如果仅想要载体层和顶层的临时连接，那么其他实施例 也是可行的。如图所示，顶层9适于载体层3的表面结构。例如，以印刷电路板的形式提供顶层 9时，载体层3还可以适于顶层9的表面结构。利用根据本发明的传感器矩阵的有利特性， 由此可以彼此独立地制造顶层和载体层，载体层和顶层两者可以彼此最优地加以调整。图4示出了用于把载体层3和顶层9连接的装置的示例。在第一工序，第一电极 排列结构4以及元件排列结构6被施加到载体层3。通过进给器装置22提供载体层。在前 一工序，第二电极排列结构10以及接触点12还可以施加到顶层9并且也是通过进给器装 置23提供。
连接装置24使得载体层3与顶层9相接触，并且粘合剂25例如在接触区域20中 在载体层3与顶层9之间建立连接。在附图中，示出了用于连接两个薄膜层。在另一有利实施例中，例如还可以以印刷 电路板的形式提供两层中的一层，这一层连接到顶层或载体层。然而，根据本发明的传感器矩阵并不限于例举的实施例，特别地，本发明包括所有 实施例，其中，优选为栅格式排列的多个半导体元件必须相接触。在实际描述中给出的有关数值范围的所有数字应当解释为表示它们包括任何和 所有局部范围，例如，范围1-10应当理解为表示它包括从下限1到上限10的所有局部范 围，即，所有局部范围从大于或等于下限1到小于或等于下限10，例如，1-1. 7，或3. 2-8. 1， 或 5. 5-10。作为示例例举的实施例代表根据本发明的传感器矩阵的可能的设计变型，并且应 当指出，在这一时期，本发明并非特别限制于特别例举的设计变型，相反，单独的设计变型 可以用于不同的彼此结合中，并且这些可能的变型落入在所披露的技术指教给出的技术领 域中的技术人员所触及的范围。因此，可以通过将所述和例举的设计变型的单独细节相结 合得到的所有想到的设计变型都是可行的并且落入本发明的范围。出于形式的原因，为了更好地理解传感器矩阵的构造，传感器矩阵及其元件可以 部分地不按比例示出和/或放大和/或缩小。在说明书中可以发现本发明提出的独立技术方案的主要目的。图1到图4所示的单独实施例可以被解释为由本发明自身提出的独立技术方案。 可以在对这些附图的具体描述中发现本发明提出的目的和技术方案。附图标记列表1传感器矩阵2 表面3载体层4第一电极排列结构5 电极6元件排列结构7 表面8 元件
9 顶层10第二电极排列结构11 电极12接触点13半导体元件14接触部分，接触区域15互连结构
16读出装置17互连结构18接触区域19接触区域20接触区域21 空间22用于载体层的进给器装置23用于载体层的进给器装置24连接装置25粘合剂
权利要求
一种具有半导体元件的传感器矩阵(1)，包括片状载体层(3)、第一电极排列结构(4)和至少一个第二电极排列结构(10)、以及元件排列结构(6)，其中元件排列结构(6)被设置在第一电极排列结构(4)上并且以多个半导体元件(13)的形式被提供，半导体元件(13)由有机半导体材料制成，并且第一电极排列结构(4)被设置在载体层(3)的表面(2)上，其特征在于第二电极排列结构(10)被布置在顶层(9)的表面(8)上，顶层(9)被设置在载体层(3)之上，第一电极排列结构(4)和第二电极排列结构(10)彼此面对面，并且第二电极排列结构(10)与元件排列结构(6)至少在某些部分上导电接触。
2.根据权利要求1所述的传感器矩阵，其特征在于，所述传感器矩阵是弹性可变形和 可再成形的。
3.根据权利要求1或2所述的传感器矩阵，其特征在于，以至少一个导电电极的形式提 供第一电极排列结构(4)和/或第二电极排列结构(10)。
4.根据权利要求3所述的传感器矩阵，其特征在于，以带状电极(5、11)的形式提供第 一电极排列结构(4)和/或第二电极排列结构(10)的电极。
5.根据权利要求1到4中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，以电磁辐射检测器的形 式提供半导体元件(13)和/或半导体元件(13)被提供作为电磁辐射源。
6.根据权利要求1到5中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，导电接触区域(14)被 施加到半导体部件(13)的至少部分中。
7.根据权利要求1到6中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，保护层被设置在元件排 列结构(6)之上的至少某些部分上。
8.根据权利要求1到7中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，所述保护层不导电。
9.根据权利要求1到8中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，所述载体层(3)和/或 顶层(9)是透明或半透明的。
10.根据权利要求1到9中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，以透明或半透明电极 (5,11)的形式提供第一电极排列结构⑷和/或第二电极排列结构(10)。
11.根据权利要求3到10中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，第一电极排列结构 (4)和/或第二电极排列结构(10)的电极至少在部分上电绝缘。
12.根据权利要求1到11中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，元件排列结构(6)的 半导体元件(13)被彼此电绝缘地设置在第一电极排列结构(4)上。
13.根据权利要求4到12中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，布置第一电极排列结 构(4)和第二电极排列结构(10)的带状电极(5、11)，使得带状电极的纵向延伸彼此旋转地 偏移。
14.根据权利要求3到13中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，导电接触点(12)至 少在部分中被布置在第二电极排列结构(10)的电极(11)上。
15.根据权利要求14所述的传感器矩阵，其特征在于，接触点(12)以导电方式接触元 件排列结构(6)的半导体元件(13)或者布置在半导体元件(13)上的接触表面(14)。
16.根据权利要求1到15中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，载体层(3)和/或顶 层(9)至少在部分(20)中彼此相连。
17.根据权利要求1到16中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，提供读出装置(16)， 所述读出装置通过互连结构(17)电连接到第一电极排列结构(4)和/或第二电极排列结构(10)。
18.根据权利要求1到17中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，第一电极排列结构 (4)在载体层(3)的表面(2)上和/或元件排列结构(6)上和/或接触部分(14)上被印刷 到已经施加的层上。
19.根据权利要求1到18中之一所述的传感器矩阵，其特征在于，第二电极排列结构 (10)被印刷在顶层(9)的表面(8)上，并且接触点(12)被印刷到第二电极排列结构(10)上。
20. 一种用于制造传感器矩阵(1)的方法，包括步骤a)把第一电极排列结构⑷印刷到载体层⑶的表面⑵上；b)把包括多个半导体元件(13)的元件排列结构(6)印刷到第一电极排列结构⑷上；c)把接触部分(14)至少部分地印刷到元件排列结构(6)的半导体元件(13)上，其中d)把第二电极排列结构(10)印刷到顶层(9)的表面(8)上；e)把接触点(12)至少部分地印刷到第二电极排列结构(10)上；f)把顶层(9)设置在载体层(3)之上，使得第二电极排列结构(10)的接触点(12)与 元件排列结构(6)中的半导体元件(13)的接触部分(14)电接触；g)把顶层(9)连接到载体层(3)。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，连接顶层(9)和载体层(3)，在顶层和 载体层之间的空间(21)中形成真空。
22.根据权利要求20或21所述的方法，其特征在于，使用粘性粘合剂把载体层(3)和 顶层(9)至少部分地彼此相连。
23.根据权利要求20到22中之一所述的方法，其特征在于，通过热处理方式把载体层 (3)和顶层(9)至少部分地彼此相连。
24.根据权利要求20到23中之一所述的方法，其特征在于，通过连续进给方法把载体 层⑶和顶层(9)彼此相连。
全文摘要
本发明涉及具有半导体元件的传感器矩阵(1)和制造这种器件的过程，其中传感器矩阵包括片状载体层(3)、第一电极排列结构(4)和至少一个第二电极排列结构(10)以及元件排列结构(6)。第一电极排列结构(4)被放置在载体层(3)的表面(2)上，并且元件排列结构(6)以多个有机半导体元件(7)的形式被放置在第一电极排列结构(4)上。第二电极排列结构(10)被布置在顶层(9)的表面(8)上，并且顶层(9)被布置在载体层(3)之上，使得第一电极排列结构(4)和第二电极排列结构(10)彼此面对面，并且第二电极排列结构(10)与元件排列结构(6)至少部分地导电性接触。
文档编号H01L27/30GK101803027SQ200880106860
公开日2010年8月11日 申请日期2008年9月15日 优先权日2007年9月13日
发明者F·帕丁内尔 申请人:纳米识别技术股份公司