专利名称：多层焊接结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及多层焊接结构，尤其涉及一种具有该多层焊接结构的
高分子PTC热敏电阻。
背景技术：
现实中常常需要提供一种多层焊接结构，该多层焊接结构包括 一个
或多个中间层，每一个中间层的两个侧面分别设置有正极和负极；每一个中间层
的两个侦腼分别与两个导电覆盖层焊接，所述导电覆盖层的至少一个侧面与正极 或负极电连接，在所述中间层为多个的情况下，所述中间层之间并联连接。但是， 导电覆盖层与中间层之间的焊锡或焊膏难以控制，即焊锡或助焊剂容易在 导电覆盖层与中间层之间自由流动而在中间层边缘处外溢、堆积。
高分子PTC热敏电阻可以作为多层焊接结构的一个具体示例。高分子 热敏电阻在一定的温度范围内，其自身的电阻率会随温度升高而增大。具 体地，在较低温度时，高分子热敏电阻呈现较低的电阻率，而当温度升高 到其高分子聚合物熔点附近，也就是达到所谓的"关断"温度时，其电阻 率急剧升高。高分子PTC热敏电阻可以用于电路的过流保护设置。
一般而言，高分子PTC热敏电阻包括高分子PTC芯片，所述高分子PTC 芯片的两个侧面上分别贴覆有第一电极与第二电极；和分别覆盖并焊接到第一电 极与第二电极的两个导电覆盖层。但是，同样存在的问题是，导电覆盖层与 高分子PTC芯片之间的焊锡或焊膏难以控制，即焊锡或助焊剂容易在导电 覆盖层与高分子PTC芯片之间自由流动而在高分子PTC芯片边缘处外溢、 堆积。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题
现有技术中的多层焊接结构的焊接层之间的焊锡或焊膏难以控制从而焊锡或助焊剂容易在焊接层之间自由流动而容易在焊件边缘处外溢、堆
积而污染多层焊接结构的侧面。对于高分子PTC热敏电阻，这种外溢、堆 积容易造成例如作为薄型材料的导电覆盖层之间的绝缘等级下降、甚至焊 锡桥接等故障；在高分子PTC芯片厚度偏薄的情况下，这种故障尤其多发。 解^术问题的技术方案
旨在克服现有技术中存在的缺陷和不足的至少一个方面，尤其是减少因为悍 料和助焊剂外溢、堆积所造成的故障，提出本实用新型提以控制和引导焊料和助 焊剂在焊接过程中的流动。
本实用新型提出了一种多层焊接结构，其包括一个或多个中间层，每一个中 间层的两賴腼分别设置有正极和负极；每一个中间层的两，価分别与两个导 电覆盖层焊接，戶，导电覆盖层的至少一个侧面与正极或负极电连接，在所述中 间层为多个的情况下，所述中间层之间并联连接，其中至少一个导电覆盖层的邻 近中间层的边缘的周边部上设置有用于容纳和/或弓I导焊接过程中溢出的焊料的 容纳引导部。
{，地，所述容纳引导部为浅沟槽。
1M地，所述容纳弓l导部为形成在至少一个导电覆盖层上的斜面，所述斜面 在多层焊接结构的厚度方向远离中间层倾斜。
地，戶;M多层焊接结构还包tSii^涂层，所述边缘、凃层在导电覆盖层覆
盖并焊接到中间层的两个侧面上之后涂覆在所述多层焊接结构的四周纖部分。
地，戶，导电覆盖层中至少两个导电覆盖层向外延伸形成便于与正极和
负极电连接的引出端。
地，所述中间层为高WPTC芯片。 技术效果
本实用新型M更改多层焊接结构中至少一个导电覆盖层的结构，例如在导 电覆盖层周边部上设置浅沟槽或凹部、或者在导电覆盖层周边部边缘设置在多层 焊接结构的厚度方向远离中间层倾斜的斜面，可以容纳焊接过程中溢出的焊料和 助焊剂，fflih焊料和助焊齐腿一步夕卜溢，从而防止出现导电覆盖层之间的绝缘等 级下降、甚至焊料職的现象，从而提高此类焊接结构的成品率。对于高^ PTC 热敏电阻而言，可以确保高分子PTC材料电性能不因电极装配问题而受到影响。
通过参照附图详细描述本实用新型的实施例，本实用新型将变得更加清楚， 其中
图1是根据本实用新型的一种实施方式的多层焊接结构的立体图； 图2是图1中的多层焊接结构的分解视图3是图2中的导电覆盖层的正视图，其中在该导电覆盖层的周边部 设置有沟槽；
图4是根据本实用新型的另一实施例的导电覆盖层的示意图； 图5是根据本实用新型的另一实施例的多层焊接结构的局部视图； 图6是设置有边缘涂层的多层焊接结构的示意图； 图7是根据本实用新型又一实施例的具有两层中间层的多层焊接结构 的分解示意图；和
图8是图7中的多层焊接结构的部件组装在一起的立体图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具 体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标记指示相同或相似的部件。 下述参照附图对本实用新型实施方式的说明旨在对本实用新型的总体实 用新型构思进行解释，而不应当理解为对本实用新型的一种限制。
下面参照图1-3详细描述根据本实用新型实施例的多层焊接结构100 的结构。
参照图1-3，多层焊接结构100包括 一个或多个中间层l，每一个中间 层1的两个侧面分别设置有正极和负极；每一个中间层1的两个侧面分别与两个 导电覆盖层2焊接，戶，导电覆盖层2的至少一个侧面与正极或负极电连接，在 所述中间层1为多个的情况下，戶万述中间层1之间并联连接，其中至少一个导电 覆盖层2的邻近中间层1的边缘的周边部上设置有用于容纳和/或弓l导焊接过程 中溢出的焊料(没有示出)的容纳引导部3。
要注意的是，这里的导电覆盖层2、中间层l、导电覆盖层2的形状也不限 于附图中所公开的形状。这里的周边部为当两个导电覆盖层2悍接在中间层1上 时导电覆盖层2邻近中间层1的,的部分,并不包括将在后面描述的引出端4。如图3中所示，容纳引导部3为浅沟槽。当然，该浅沟槽设置在至少一个导 电覆盖层2的面对中间层1的表面上。在图3中，浅沟槽为环状。
如图4、 5中所示，容纟躬l导部3为形成在至少一个导电覆盖层2的周边部 边缘处的斜面，斜面在多层焊接结构100的厚度方向远离中间层1倾斜。斜面的 倾斜角度为30-60度，优选为45度。
参照图6，根据本实用新型的多层焊接结构还包JSi缘涂层5， ； 涂层5 在导电覆盖层2覆盖并焊接到中间层1的两个侧面上之后涂覆在多层焊接结构 100的四周边缘部分。边缘涂层5可以进一步防止由于断电极，維、导电污染物 以及受热导致的焊料外溢导致的例如两个导电覆盖层2之间的短路故障。
至少两个导电覆盖层2向外延伸形成便于与正极和负极电连接的引出端4。 4爐地，如附图中所示，两个引出端4位置错开。
作为本实用新型的多层焊接结构100的一个典型应用，该多层焊接结构100 可以为高分子PTC热敏电阻，即，中间层l为高^f PTC芯片。在此情况下，边 缘涂层5除了可以进一步防止由于断电极搭接、导电污染物以及受热导致的焊料 外溢导致的两个导电覆盖层之间的短路故障之外，还可以保护高^^PTC芯片。
图7中示出了根据本实用新型又一实施例的具有两层中间层1的多层焊 接结构200的分解示意图。图8是图7中的多层焊接结构200的部件组装 在一起的立体图。如图7中所示，多层焊接结构200包括顺序叠置的导电 覆盖层2a、中间层la、导电覆盖层2b、中间层lb、导电覆盖层2c，以及 分别从三个导电覆盖层向外延伸形成便于与正极和负极电连接的三个引出端 4a、 4b、 4c。需要指出的是，中间层la、中间层lb共用一个导电覆盖层2b。 当导电覆盖层2a、中间层la、导电覆盖层2b、中间层lb、导电覆盖层2c 顺序叠置地焊接在一起时，中间层la、 lb彼此并联连接。
在图7中，引出端4b可以与中间层la、 lb的负极电连接，而引出端4a、 4c可以分别与中间层la、 lb的正极电连接；如此，弓l出端4b可以电连接到外部 电源的负极(没有示出)，而引出端4a、 4c可以电连接到该外部电源的正极。不 过，引出端4b可以与中间层la、 lb的正极电连接，而引出端4a、 4c可以分别 与中间层la、 lb的负极电连接；如此，弓l出端4b可以电连接至U外部电源的正极， 而弓I出端4a、 4c可以电连接到该外部电源的负极。
中间层la、 lb具有与图l-6中所示的中间层1相同的结构，并且导电覆盖层2a、 2b、 2c具有与图1-6中所示的导电覆盖层2相同的结构。
虽然图7中示出了具有两层中间层的多层焊接结构，但是，中间层的层数还
可以更多。图7中的多层焊接结构200中的中间层la、 lb可以是高分子PTC芯
片，从而多层焊接结构200为高M PTC热敏电阻。
已经参照示范性实施例描述了本实用新型。不过，显而易见，本领域技术人
员在上述描述的教导下可明显得出多种可选择的变型和改变。因而，本实用新型
包含落入所附权利要求的精神和保护范围之内的所有可选择的变型和改变。
权利要求1、一种多层焊接结构，包括一个或多个中间层，每一个中间层的两个侧面分别设置有正极和负极；每一个中间层的两个侧面分别与两个导电覆盖层焊接，所述导电覆盖层的至少一个侧面与正极或负极电连接，在所述中间层为多个的情况下，所述中间层之间并联连接，其特征在于至少一个导电覆盖层的邻近中间层的边缘的周边部上设置有用于容纳和/或引导焊接过程中溢出的焊料的容纳引导部。
2、 根据权利要求1戶，的多层焊接结构，其特征在于-所述容纳引导部为浅沟槽。
3、 根据权利要求1戶腿的多层焊接结构，其特征在于所述容纳弓i导部为形成在至少一个导电覆盖层上的斜面，戶;^I4面在多层焊接结构的厚度方向远离中间层倾斜。
4、 根据权利要求3戶皿的多层焊接结构，其特征在于所i^斜面的倾斜角度为30-60度。
5、 根据权利要求1戶腿的多层焊接结构，其特征在于所述多层焊接结构还包括边缘涂层，所^缘涂层在导电覆盖层覆盖并焊接 到中间层的两个侧面上之后涂覆在所述多层焊接结构的四周边缘部分。
6 、根据权利要求1所述的多层焊接结构，其特征在于戶脱导电覆盖层中 至少两个导电覆盖层向外延伸形成便于与正极和负极电连接的引出端。
7 、根据权禾腰求1至6中任一项权利要求所述的多层焊接结构，其特征在 于所述中间层为高分子PTC芯片。
专利摘要本实用新型涉及一种多层焊接结构，包括一个或多个中间层，每一个中间层的两个侧面分别设置有正极和负极；每一个中间层的两个侧面分别与两个导电覆盖层焊接，所述导电覆盖层的至少一个侧面与正极或负极电连接，在所述中间层为多个的情况下，所述中间层之间并联连接。本实用新型使得焊件间的焊膏不易污染焊件的侧面，在中间层厚度薄时尤其能防止焊膏外溢导致的失效的发生。
文档编号H01C7/02GK201294124SQ20082015634
公开日2009年8月19日 申请日期2008年11月21日 优先权日2008年11月21日
发明者潘杰兵, 湧 董 申请人:瑞侃电子(上海)有限公司