专利名称：一种有机小分子空穴注入层及其电致发光器件的利记博彩app
技术领域：
本发明属于有机电致发光技术领域，涉及一种有机小分子空穴 注入层及其电致发光器件，尤其是一种采用溶液成膜工艺制备的有机 小分子空穴注入层以及具有该有机小分子空穴注入层的电致发光器 件。
背景技术：
有机电致发光器件首先由Kodak公司的C.W.Tang等人在1987 年报道的双层器件结构(Appl.Phys.Lett.，51,913,(1987))。由于有机 电致发光器件具有主动发光，低电压的直流驱动，全固化，宽视角， 低功率，响应速度快，低成本等优点，因而具有广阔的应用前景。经 过近二十余年的发展，在材料研发和器件结构的改进方面获得了急剧 的发展，有机电致发光器件已经应用于MP3和手机等小显示屏幕产 品。为了进一步拓宽有机电致发光器件的用途，当前积极进行了用于 改进发光效率、发光颜色、耐用性功能材料的开发和全彩显示的开发。 为了进一步提高有机发光器件的性能，有必要建立适于材料特性的器 件结构以及器件的制造方法。
尽管有机电致发光器件有许多优点，但是与无机电致发光器件 相比，有机电致发光器件驱动电压较高，稳定性较差。有机层的载流 子迁移率较低，并且有机层的厚度对器件的驱动电压影响很大。因此， 降低驱动电压，提高载流子注入效率和载流子迁移率对改善有机电致
发光器件的功率转化效率和寿命是很重要的。为了解决这些问题，有
机电致发光器件采用了 P-型掺杂空穴注入层和N-型掺杂电子注入 层，即所谓的P-I-N结构[Appl.Phys.Lett. 80: 139(2002); Appl. Phys. Lett., 83: 3858 (2003); Appl. Phys. Lett.， 85: 3911 (2004); Appl. Phys. Lett. 89: 061111 (2006); Appl. Phys. Lett. 91: 233507 (2007)]。人们采
用荧光染料掺杂空穴注入层方法来提高器件的稳定性，其中Rubrene 是较早应用的一种荧光染料[Appl. Phys. Lett. 75: 766 (1999) ; Thin solidFilms， 363: 6 (2000) ]。 2006年英国的Kim等人采用了混合 的有机小分子空穴注入传输层[Appl. Phys. Lett. 88: 043504 (2006)],
器件的寿命也得到了一定程度的提高。
但这些具有优异性能P-I-N结构器件的P-型掺杂有机小分子空 穴注入层、染料掺杂有机小分子空穴注入层和混合有机小分子空穴注 入传输层都是用高真空共蒸的方法实现的，工艺上比较复杂。 一般的 掺杂空穴传输层至少需要两个蒸发源同时工作，每一个蒸发源需要精 确地控制其蒸发温度，才能实现某一要求比例的掺杂，在实际的生产 操作中，如果两种材料或多种材料的蒸发温度稍有上下浮动就会影响 它们的蒸发速率，造成掺杂比例失调，从而影响所制备器件的性能。 掺杂比例很难精确控制是高真空蒸镀制备掺杂空穴传输层一个重要 的缺点和不足，而且对设备和环境的要求较高，耗能耗时，成品率较 低，相应的器件成本也较高。另外，高真空蒸镀制备掺杂空穴传输层， 很难实现大面积均匀沉积，这对于有机电致发光器件向大屏幕显示器 件是不相符的。所以需要寻求更简单的更优异的掺杂制备工艺，降低
器件生产成本。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种采用溶 液成膜工艺制备的有机小分子空穴注入层及具有此注入层的电致发 光器件，使注入层的混合或掺杂比例可以精确控制，而且可以实现大 面积制备，工艺简单，成膜简单快捷，对设备和环境的要求较低，成 品率较高，成本低廉，适用于产业化生产。
本发明的目的是通过以下技术方案来解决的-
这种有机小分子空穴注入层，其特征在于所述有机小分子空 穴注入层是采用有机小分子溶液通过溶液成膜工艺所制备的有机薄 膜；所述有机小分子溶液的溶质是有机小分子空穴注入材料，或有机
小分子空穴注入材料与有机染料的混合物，或有机小分子空穴注入材
料与p-型掺杂剂的混合物；所述有机小分子溶液的溶剂为苯、氯苯、 甲苯、二甲苯、四氢呋喃、氯仿、1，2-二氯乙烷和三氯乙烯中的一种， 有机小分子溶液的总浓度范围为5~50mg/ml;所述有机小分子空穴注 入材料为N，N、-二(萘-l-基)-N，N'-二苯基-联苯胺、N,N'-二苯基-N，N'-双(3-甲基苯基)-l，l-二苯基-4,4、-二胺、4,4、，4"-三|>[- (3-甲基)-N-苯胺 基]三苯胺、4,4、，4"-三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、ci六噻吩(a-6T)、 4，4' ，4" -|>[-2-萘基-1^苯胺基]-三苯胺、4,4'，4"-三-(N-l-萘基-N-苯胺 基)-三苯胺(IT-NATA)、 4,4',4"-三(咔唑-9-基)-三苯胺、酞菁氧化 钛和N，N，N,N-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(MeO-TPD)中的一种或多 种的混合物。
上述有机染料为10-(2-苯并噻唑基)-1，1，7,7-四甲基-2，3，6,7-四氢 -111,51^1111(1)苯并吡喃并(6,7，8^)噻嗪-11-酮、红荧烯、香豆素6、喹 吖啶酮、4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4&吡喃,12-二甲基喹吖啶酮和4-二氰基亚甲基-2-叔丁基-6-(l，l,7，7-四甲基久洛 立啶-9-烯基)-4H-吡喃中的一种；所述p-型掺杂剂为2,3，5，6-四氟 -7,7，8，8-四氰基喹啉并二甲烷、四氰基对苯醌二甲垸、无机氧化剂和 金属氧化物中的一种。
上述有机小分子空穴注入材料与有机染料的混合物中有机染料 的摩尔比为0.01 10%;所述机小分子空穴注入材料与p-型掺杂剂的 混合物中p-型掺杂剂的摩尔比为0.01~20%。
上述的溶液成膜工艺，包括丝网印刷、喷溅、旋涂和浸渍工艺， 所述溶液成膜工艺优先选用旋涂工艺，其中匀胶机的转速范围为 1000-6000转/分钟，有机薄膜的厚度为10~200nm。
以上述有机小分子空穴注入层为基础的电致发光器件，其特征 在于包括依次叠加的基片、透明阳极、有机小分子空穴注入层、空 穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极，其中，有机小分子空穴 注入层是通过溶液成膜工艺在透明阳极上的有机薄膜，且厚度为 10nm-200腦。
以上的基片是玻璃或者柔性基片，其中柔性基片是聚酯或聚酞 亚胺类化合物。
以上的透明阳极采用无机材料或有机导电聚合物，该无机材料 为氧化铟锡、氧化锌或氧化锡中的一种金属氧化物或为金、铜、银或
锌中的一种金属，有机导电聚合物为聚噻吩、聚乙烯基本苯磺酸钠或 聚苯胺。
上述的阴极是金属、合金或金属氟化物与金属复合电极，所述 金属选自锂、镁、铝、钙、锶和铟中，所述合金是锂、镁、铝、钙、 锶或铟中的一种与铜、金或银中的一种的合金。
上述空穴传输层的材料为二胺类化合物或三苯胺类化合物；所 述电子传输层的材料为金属有机配合物、芳香稠环类化合物或邻菲咯 啉类化合物中的一种。
上述有机发光层的材料为金属有机配合物、芳香稠环类化合物、 邻菲咯啉类化合物或咔唑类衍生物中的一种材料，或者有机发光层为 荧光、磷光染料掺杂发光层。
采用上述方案后，本发明主要是有机小分子空穴注入材料或掺 杂有机小分子空穴注入材料体系，通过匀胶湿法制备而成有机小分子 空穴注入层，并利用这种有机小分子空穴注入制备相关有机电致发光 器件。本发明的有机小分子空穴注入层与现有技术相比，为后续有机 功能层独立成型的薄膜，其掺杂比例可以精确控制，薄膜厚度可实现 10-200nm连续灵活调整，可以实现大面积制备，简化了器件的制备 工艺，成膜简单快捷，对设备和环境的要求较低。相比于传统真空蒸 镀的方式制备小分子空穴传输层的器件，本发明使有机电致发光工作 寿命增强六倍以上，能够充分满足器件商业化使用的需要。
图1是本发明的有机电致发光器件结构示意图2是本发明实施例1的有机电致发光器件亮度-电压曲线图； 图3是本发明实施例1的有机电致发光器件与蒸镀的标准有机
电致发光器件在相同条件下使用寿命对比的曲线图4是本发明实施例2的有机电致发光器件亮度-电压曲线图； 图5是本发明实施例2的有机电致发光器件与蒸镀的标准有机
电致发光器件在相同条件下使用寿命对比的曲线图6是本发明实施例3的有机电致发光器件亮度-电压曲线图； 图7是本发明实施例3的有机电致发光器件与蒸镀的标准有机
电致发光器件在相同条件下使用寿命对比的曲线图8是本发明实施例1-3中所用的ITO表面，真空蒸镀的
m-MDTATA和实施例1-2中旋凃的有机小分子空穴注入层的表面形
貌AFM图。
其中l为透明导电基片；2为阳极层；3为有机小分子空穴注 入；4为空穴传输层；5为发光层；6为电子传输层；7为阴极层；8 为直流电源。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述
参见图l，本发明的电致发光器件的优选结构如下
玻璃(塑料)基片1/ITO (阳极层2) /有机小分子空穴注入层
3/空穴传输层4/有机发光层5/电子传输层6/阴极层7，阳极层2和阴 极层7连接直流电源8。根据上述结构式，结合器件的制备步骤详细 实施方式阐述如下
(1) 利用热的洗涤剂超声和去离子水超声的方法对透明导电基片
1 (ITO玻璃)进行清洗，清洗后将其放置在红外灯下烘干，其中透 明导电基片1上面的ITO膜作为器件的阳极层2， ITO膜的方块电阻 为5Q 100Q，膜厚为80 280nm。基片除选用玻璃外还可以是柔性 基片，其中柔性基片可以是聚酯或聚酞亚胺类化合物。阳极层2可以 采用无机材料或有机导电聚合物，该无机材料除选用氧化铟锡(ITO) 外还可以用氧化锌或氧化锡中的一种金属氧化物或为金、铜、银或锌 中的一种金属，有机导电聚合物为聚噻吩、聚乙烯基本苯磺酸钠或聚 苯胺。
(2) 有机小分子空穴注入层3:按设计要求使用溶液成膜工艺制 成有机小分子空穴注入层。
准备溶质首先混合有机小分子空穴注入材料或有机小分子空 穴注入材料与P-型掺杂剂的共掺杂体系。其中，有机小分子空穴注入 材料为N,N、-二(萘-l-基)-N，N、-二苯基-联苯胺(简称NPB)、 N，N、-二苯 基-N，N、-双(3-甲基苯基)-l，l-二苯基-4，4、-二胺(简称TPD)及其衍生物、 4，4、,4"-三|>[- (3-甲基)-N-苯胺基]三苯胺(简称MTDATA)、 4,4、，4、、-三 偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(简称m-MTDATA)、 a六噻吩(简称a-6T)、 4，4',4"-[N-2-萘基-N-苯胺基]-三苯胺(简称2T-NATA)、 4，4',4"-三-(N-l-萘基-N-苯胺基)-三苯胺(简称1T-NATA)及其衍生物、4，4'，4"-三(咔 唑-9-基)-三苯胺(简称TcTa)、酞菁氧化钛(简称TiOPC)和N，N,N,，Nt -四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(简称MeO-TPD)中的一种或多种，优先 选用NPB和m-MTDATA; P-型掺杂剂包括有机物如2，3,5，6-四氟
-7,7，8，8-四氰基喹啉并二甲烷(简称F4-TCNQ)和四氰基对苯醌二甲烷 (简称TCNQ)的其他衍生物，无机氧化剂如碘(12)、氧化铁(FeCl3)、氟 化铁(FeF3)、氯化锑(SbCl5)，以及金属氧化物如氧化鸨(W03)、氧化 钼(MoOx)、氧化钒0/205)、氧化铼(Re03)和其它一些金属卤化物等中 的一种，优先选用F4-TCNQ。
准备溶剂溶剂可选苯、氯苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、氯 仿、1,2-二氯乙烷或三氯乙烯等，其中优选氯苯。
配制有机小分子空穴注入材料溶液将选好的溶质和溶剂混合, 其中溶液的总浓度范围为5~50mg/ml，优选15 mg/ml;混合有机小分 子空穴注入材料如果是由两种材料混合组成，则其混合质量比的范围 控制在l: 9 9: 1间，其中NPB与m-MTDATA质量比优选1: 3; 溶质中如果是有机小分子空穴注入材料与P-型掺杂剂的混合物，则 P-型掺杂剂的摩尔比为0.01~20%，优选摩尔比为2%的F4-TCNQ掺 杂m國MTDATA。
采用旋涂工艺制备有机小分子空穴注入层将上述清洗烘干的 ITO玻璃置于匀胶机上，将配置好的有机小分子空穴注入材料溶液用 静态配料的方法旋涂成膜。匀胶机的转速选择在500~8000rpm间，匀 胶时间为10 60s，其中可以优选1000rpm和60s;有机小分子空穴注 入层的干燥处理温度40~100°C ，干燥时间0.5-10小时，其中优选70°C 的条件下干燥3小时；有机小分子空穴注入层的厚度为10 200nm， 可以优选50nm。
(3)各有机功能层的制备把旋凃过的并做干燥处理后的基片1
放入到真空腔内，依次进行蒸镀一层空穴传输材料形成空穴传输层4， 空穴传输材料为二胺类化合物和三苯胺类化合物，优先选用NPB或 TPD，材料薄膜的蒸镀速率为0.01 0.5nm/s,膜厚为10 80nm;在 空穴传输材料上蒸镀一层有机发光材料形成有机发光层5,有机发光 材料为金属有机配合物、芳香稠环类化合物、邻菲咯啉类化合物或咔 唑类衍生物中的一种材料，以及各种荧光染料和磷光掺杂发光层，材 料薄膜的蒸镀速率为0.01 0.5nm/s，膜厚为20 80nm;在有机发光 材料上蒸镀一层电子传输材料形成电子传输层6，电子传输材料为金 属有机配合物、芳香稠环类化合物、邻菲咯啉类化合物中的一种材料， 材料薄膜的蒸镀速率为0.01 0.5nm/s，膜厚为20 80nm;
(4)阴极7的制备保持上述真空腔内压力不变，在上述电子传 输层6之上依次蒸镀金属、合金层或金属氟化物与金属复合层作为器 件的阴极层，膜厚为20 200nm。其中合金层采用双源蒸镀的方法进 行掺杂。金属具体可选自锂、镁、铝、钙、锶和铟中，所述合金选自 锂、镁、铝、钙、锶或铟分别与铜、金或银的合金，金属氟化物与金 属复合电极优选LiF/Al。 实施例l:
现在参考图1，依据本发明的第一个实施例的电致发光器件为如 下结构
玻璃(塑料)基片/ITO (100nm) / m-MTDATA(50nm) /NPB(10nm) /Alq3 (60nm)/LiF(0.5證)/Al(80nm)
(l)预刻有ITO的玻璃基板的清洗:利用热的洗涤剂超声和去离子水超声的方法对透明导电基片ITO玻璃进行清洗，清洗后将其放置 在红外灯下烘干，其中导电基片上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO 膜的方块电阻为5Q 100Q，膜厚为80 280nm，如图8 (a)是ITO AFM表面形貌(2) 有机小分子空穴注入层将上述清洗烘干的ITO玻璃置于 KW-4A匀胶机上，将配置好的15mg/ml的m-MTDATA氯苯溶液用 静态配料的方法旋涂成膜，匀胶机的转速为1000rpm，匀胶时间控制 在60s;样品在干燥箱中7(TC的条件下干燥处理3小时，厚度为50nm。 如图8 (c)是旋凃的m-MTDATA薄膜表面形貌AFM图；如图8 (b) 是采用蒸镀的m-MTDATA薄膜表面形貌AFM(3) 各有机功能层的制备把旋凃过的并做干燥处理后的基片放 入到真空腔内，依次进行蒸镀一层空穴传输材料NPB，材料薄膜的 蒸镀速率为0.01 0.5nm/s，膜厚为10nm;在空穴传输材料上蒸镀一 层有机发光材料Alq3，材料薄膜的蒸镀速率为0.01 0.5nm/s，膜厚 为60nm，同时发光材料Alq3兼做电子传输层；
(4) 阴极的制备保持上述真空腔内压力不变，在上述电子传输 层之上依次蒸镀0.5nm的LiF和80nm的Al复合阴极层。
(5)将做好的器件拿出真空腔室，在大气环境下测试器件的电 流-电压-亮度特性和电致发光光谱，同时也在大气环境下测试器件的
寿命o
图2为所制备器件的亮度-电压曲线图，最大亮度在13.5V时 29287cd/m2;参见图3，与标准的有机电致发光器件在相同条件下使
用寿命相比(玻璃基片/ITO(100nm)/m-MTDATA(50nm) /NPB(10nm)/Alq3(60nm)/LiF (0.5nm)/Al(80nm)，图中A所示的为蒸 镀有机小分子空穴注入层的有机电致发光器件的寿命曲线(起始强度 为lOOc心w2，器件的寿命为发光强度衰减到起始强度一半的时间)， B曲线代表溶液成膜工艺制备的有机小分子空穴注入层有机电致发 光器件的寿命曲线。
从图中可以看出，蒸镀标准的有机小分子注入层电致发光器件 的寿命为315小时，旋凃有机小分子空穴注入层电致发光器件的寿命 为2000小时左右。
实施例2:
现在参考图1,依据本发明的第二个实施例的电致发光器件为如 下结构
玻璃(塑料)基片/ITO U00nm) /NPB:m-MTDATA (50nm) /NPB(10nmyAlq3(60腦yLiF(0.5nmyAp0nm)
(1) 预刻有ITO的玻璃基板的清洗参考实施例1的相应过程；
(2) 混合有机小分子空穴注入层NPB与m-MTDATA质量比为 1: 3,混合溶液浓度控制在15mg/ml，溶剂优选氯苯，旋涂和干燥条 件参考实施例1的相应过程；图8 (d)是旋凃的有机小分子空穴注 入层表面形貌AFM图。
(3) 各有机功能层的制备参考实施例1的相应过程；
(4) 阴极的制备参考实施例1的相应过程；
(5) 参考实施例1的相应过程；
图4为所制备器件的亮度-电压曲线图，最大亮度在13.5V时 25081cd/m2;参见图5，与蒸镀的标准的有机小分子空穴注入电致发 光器件在相同条件下使用寿命相比(玻璃基片 /ITO(100nm)/m國MTDATA (50nm) /NPB(10nm)/Alq3(60nm)/ LiF (0.5nm)/Al(80nm)，图中A所示的为蒸镀有机小分子空穴注入层的有 机电致发光器件的寿命曲线(起始强度为100o//m2，器件的寿命为 发光强度衰减到起始强度一半的时间)，C曲线代表湿法制备的有机 小分子空穴注入层有机电致发光器件的寿命曲线。
从图中可以看出，蒸镀标准的有机小分子注入层电致发光器件 的寿命为315小时，旋凃有机小分子空穴注入层电致发光器件在400 小时衰减到初始亮度的66%。
实施例3:
现在参考图1，依据本发明的第三个实施例的电致发光器件为如 下结构
玻璃(塑料)基片/ITO (lOOnm) /F4-TCNQ:m-MTDATA(50nm) /NPB(10nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(80nm)
(1) 预刻有ITO的玻璃基板的清洗参考实施例1的相应过程；
(2) P-型掺杂有机小分子空穴注入层F4-TCNQ在m-MTDATA
中的掺杂浓度优选摩尔比为2%,掺杂溶液浓度控制在15mg/ml，溶 剂优选氯苯，旋涂和干燥条件参考实施例1的相应过程；
(3) 各有机功能层的制备参考实施例1的相应过程；
(4) 阴极的制备参考实施例1的相应过程；
(5)参考实施例1的相应过程；
图6为所制备器件的亮度-电压曲线图，最大亮度在13.5V时 30354cd/m2;参见图5，与蒸镀的标准的有机小分子空穴注入电致发 光器件在相同条件下使用寿命相比(玻璃基片 /ITO(100nm)/m画MTDATA (50nm) /NPB(10nm)/Alq3(60nm)/ LiF (0.5nmyAl(80nm)，图中A所示的为蒸镀有机小分子空穴注入层的有 机电致发光器件的寿命曲线(起始强度为100aZ/加2，器件的寿命为 发光强度衰减到起始强度一半的时间)，D曲线代表湿法制备的有机 小分子空穴注入层有机电致发光器件的寿命曲线。
从图中可以看出，蒸镀标准的有机小分子注入层电致发光器件 的半衰寿命为315小时，旋凃有机小分子空穴注入层电致发光器件在 1200小时衰减到初始亮度的90%，其半衰寿命估计提高至少10倍 以上。
权利要求
1.一种有机小分子空穴注入层，其特征在于所述有机小分子空穴注入层是采用有机小分子溶液通过溶液成膜工艺所制备的有机薄膜；所述有机小分子溶液的溶质是有机小分子空穴注入材料，或有机小分子空穴注入材料与有机染料的混合物，或有机小分子空穴注入材料与p-型掺杂剂的混合物；所述有机小分子溶液的溶剂为苯、氯苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、氯仿、1，2-二氯乙烷和三氯乙烯中的一种，有机小分子溶液的总浓度范围为5～50mg/ml；所述有机小分子空穴注入材料为N，N`-二(萘-1-基)-N，N`-二苯基-联苯胺、N，N`-二苯基-N，N`-双(3-甲基苯基)-1，1-二苯基-4，4`-二胺、4，4`，4``-三[N-(3-甲基)-N-苯胺基]三苯胺、4，4`，4``-三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、α六噻吩(α-6T)、4，4′，4″-[N-2-萘基-N-苯胺基]-三苯胺、4，4′，4″-三-(N-1-萘基-N-苯胺基)-三苯胺(1T-NATA)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺、酞菁氧化钛和N，N，N，N-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺中的一种或多种的混合物。
2. 根据权利要求1所述的有机小分子空穴注入层，其特征在于所述有机染料为10-(2-苯并噻唑基)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢 -111,5&1111(1)苯并吡喃并(6，7，84)噻嗪-11-酮、红荧烯、香豆素6、喹吖啶酮、 4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃,12-二甲基喹吖啶酮 和4-二氰基亚甲基-2-叔丁基-6-(1， 1 ，7，7-四甲基久洛立啶-9-烯基)-4H-吡喃中的 一种；所述p-型掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7，8，8-四氰基喹啉并二甲烷、四氰基对 苯醌二甲烷、无机氧化剂和金属氧化物中的一种。
3. 根据权利要求1和2所述的有机小分子空穴注入层，其特征在于所述有机小分子空穴注入材料与有机染料的混合物中有机染料的摩尔比为 0.01 10% ;所述机小分子空穴注入材料与p-型掺杂剂的混合物中p-型掺杂剂的摩尔比为0.01~20%。
4. 根据权利要求1所述的有机小分子空穴注入层，其特征在于所述的溶液成 膜工艺是丝网印刷、喷溅、旋涂或浸渍工艺，所述旋涂工艺中匀胶机的转速 范围为500-8000转/分钟，有机薄膜的厚度为10 200nm。
5. —种具有有机小分子空穴注入层的电致发光器件，其特征在于包括依次叠加的基片(1)、阳极层(2)、有机小分子空穴注入层(3)、空穴传输层(4)、 有机发光层(5)、电子传输层(6)和阴极层(7)，其中，有机小分子空穴注 入层(3)是通过溶液成膜工艺在透明的阳极层(2)上的有机薄膜，且厚度 为10nm-200nm。
6. 根据权利要求5所述的具有有机小分子空穴注入层的电致发光器件，其特征 在于所述基片(1)是玻璃或者柔性基片，其中柔性基片是聚酯或聚酞亚胺类化合物。
7. 根据权利要求5所述的具有有机小分子空穴注入层的电致发光器件，其特征 在于所述阳极层(2)采用无机材料或有机导电聚合物，该无机材料为氧化铟锡、氧化锌或氧化锡中的一种金属氧化物或为金、铜、银或锌中的一种金 属，有机导电聚合物为聚噻吩、聚乙烯基本苯磺酸钠或聚苯胺。
8. 根据权利要求5所述的具有有机小分子空穴注入层的电致发光器件，其特征在于所述阴极层(7)是金属、合金或金属氟化物与金属的复合电极，所述金属选自锂、镁、铝、钙、锶和铟中，所述合金是锂、镁、铝、钙、锶或铟 中的一种与铜、金或银中的一种的合金。
9. 根据权利要求5所述的具有有机小分子空穴注入层的电致发光器件，其特征在于所述空穴传输层(4)的材料为二胺类化合物或三苯胺类化合物；所述 电子传输层(6)的材料为金属有机配合物、芳香稠环类化合物或邻菲咯啉类 化合物中的一种。
10.根据权利要求5所述的具有有机小分子空穴注入层的电致发光器件，其特征 在于所述有机发光层(5)的材料为金属有机配合物、芳香稠环类化合物、 邻菲咯啉类化合物或咔唑类衍生物中的一种材料，或者所述有机发光层(5) 为荧光或磷光染料掺杂发光层。
全文摘要
本发明公开一种溶液方法制备的有机小分子空穴注入层。采用有机小分子空穴注入材料及其与其他有机功能材料的混合溶液，通过湿法成膜工艺制备厚度为10～200nm的有机薄膜。本发明还公开具这种溶液方法制备的有机小分子空穴注入层的电致发光器件，包括依次基片、透明阳极、有机小分子空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。相比于传统真空蒸镀的方式制备小分子空穴传输层的电致发光器件，本发明使有机电致发光器件的工作寿命增强10倍以上，能够充分满足器件商业化使用的需要。
文档编号H01L51/56GK101339977SQ20081015067
公开日2009年1月7日 申请日期2008年8月19日 优先权日2008年8月19日
发明者洵 侯, 吴朝新, 张新稳 申请人:西安交通大学