专利名称：：使用a1合金膜的低接触电阻型电极及其制造方法和表示装置的利记博彩app
技术领域：
：本发明涉及使用了Al合金膜的低接触电阻型电极及其制造方法，该低接触电阻型电极被用于以液晶显示器为代表的薄型电子显示装置所使用的薄膜晶体管，本发明还涉及具有这样的低接触电阻型电极的显示装置。
背景技术：
：从小型的移动电话到超过30英寸的大型的电视，各种领域中所使用的液晶显示装置依据像素的驱动方法，被分为单纯矩阵型液晶显示装置和有源矩阵(activematrix)液晶显示装置。其中作为开关元件而具有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor:以下呼为"TFT")的有源矩阵型液晶显示装置由于能够实现高精度的画质而通用。图1是表示有源矩阵型的液晶显示装置所适用的代表性的液晶面板的构造的概略剖面放大说明图。图1所示的液晶面板，具有TFT阵列(array)基板l，和与该TFT基板对向配置的对向基板2，以及配置在这些TFT基板1与对向基板2之间、作为光调制层而发挥功能的液晶层3。TFT阵列基板1由配置在绝缘性的玻璃基板la上的薄膜晶体管(TFT)4和配置在与配线部6为对向的位置的遮光膜9构成。另外，在构成TFT基板1和对身基板2的绝缘性基板的外面侧，配置有偏光板IO、10，并且在对向基板2上设有导向膜11，其用于使液晶层3所含的液晶分子导向至规定的方向。在这种结构的液晶面板中，借助在对向基板2和透明导电膜5之间所形成的电场，液晶层3中的液晶分子的导向方向受到控制，通过TFT阵列基板1和对向基板2之间的液晶层3的光得到调制，由此，透过对向基板2的光的透光量受到控制而显示出图像。另外，TFT阵列是利用被拉出到TFT阵列外的TAB带12，被驱动电路13和控制电路14驱动。还有，图1中，15表示间隔物(spacer),16表示密封材，17表示保护膜，18表示扩散膜，19表示棱镜片(prismsheet),20表示导光板，21表示反射板，22表示背光源(backlight),23表示保持架，24表示印刷电路板。图2是例示上述这样的显示装置用阵列基板所适用的薄膜晶体管(TFT)的构成的概略剖面说明图。如图2所示，在玻璃基板la上，由铝合金薄膜形成扫描线25，该扫描线25的一部分作这控制薄膜晶体管的开、关的栅(gate)电极26发挥功能。另外经由栅绝缘膜27与扫描线25交差，如此由铝薄膜形成信号线，该信号线的一部分作为TFT的源(source)电极28发挥功能。还有，这一类型一般被称为底栅型(BottomGate)。在栅绝缘膜27上的像素区域配置有透明导电膜5，其是由例如使In203中含有SnO的ITO膜而形成的。由铝合金膜形成的薄膜晶体管的漏电极(drain)29与透明导电膜5直接接触而被电连接。若在如上构成的TFT基板la上经由扫描线25向栅电极26供给电压，则薄膜晶体管成为中断状态，使预先被供给到信号线的驱动电压从源电极28经由漏电极29向透明导电膜25供给。而且，若向透明导电膜5供给规定级别的驱动电压，则在对向的共通电极之间对液晶元件施加驱动电压，使液晶工作。还有，在图l所示的结构中，虽然显示的是源-漏电极与透明导电膜直接接触的状态，但是在栅电极中，也有釆用以端子部与透明导电膜5接触而电连接的结构的。另外，作为被该透明导电膜电连接的配线部的信号线，使用纯Al或如Al-Nd这样的Al合金，不过，不使它们与透明导电膜直接接触，而是使其间夹隔由Mo、Cr、Ti、W等的高熔点金属构成的层叠膜(被称为"势垒金属层(barriermetal)"来进行接触。然而最近，如图2所示，也有尝试省略这些高熔点金属，使信号线与透明导电膜直接接触的。作为这一技术，例如专利文献1中认为，如果使用氧化物透明导电膜，其由氧化铟中含有氧化锌10质量％左右的IZO膜构成，则可以与信号线直接接触。另外在专利文献2中公开有一种通过等离子体处理和离子注入而对漏电极实施表面处理的方法，另外在专利文献3中公开有一种方法，是作为第l层栅极与源-漏电极，形成层叠有含有N、O、Si等杂质的第2层的层叠膜，如果采用这上结方法，则可知，即使省略前述的高熔点金属元素时，与透明导电膜的接触电阻仍能够维持在低水平。本发明者们还就配线膜的形成进行了研究，在上述这种薄型电子显示装置中，不使用纯粹的Al,而是使用以A1-Ni系合金为代表的这种多元系合金材形成配线膜，其具有必要的导电性和纯Al无法企及耐热性。作为该研究的一环，使上述这样的Al合金材与可视光透明氧化物导电膜直接接触，实现具有担负着与配线的电连接功能的电极，因为该技术的意义已被确认，所以先行申请(专利文献4)。根据该技术提出一种方法，不需要用于纯Al和可视光透明氧化导电膜的电连接所需的高熔点金属层，并且不必增加工序数而实现简略化，能够使Al系合金膜对于透明像素电极直接且确实地进行连接。专利文献1特开平11-337976号公报专利文献2特开平11-283934号公报专利文献3特开平11-284195号公报专利文献4特开2004-214606号公报可是，随着近年的液晶面板的大型化，由于栅电极和源-漏电极的配线阻抗导至电压脉冲的传播延迟，由此带来的图像显示不均成为课题。因此，承担显示装置中的信号传输的任务的栅电极和源-漏电极的配线阻抗就要求与纯A1相当的值。在栅电极和源-漏电极中，为了实现与纯A1相当的配线阻抗，需要尽可以减少Al合金中所含有的合金元素。然而，如果根据本发明者们研究的内容则判明，例如在A1-Ni系合金的情况下，若减少Ni含量，则与可视光透明氧化物导电膜的接触电阻高。在栅电极和源-漏电极中，若与可视光透明氧化物导电膜的接触电阻高，则显示装置的显示不良(点灯不良)等问题发生。
发明内容本发明在这种状况之下而做，其目的在于，提供一种即使减少A1合金中的合金元素，也能够降低与透明氧化物导电膜的接触电阻的接触电阻型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。能够达成上述目的的所谓本发明的低接触电阻型电极，具有如下向点要旨在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触电阻型电极中，所述Al合金以0.11.0原子Q/。的比例含有比Al贵的金属元素，且AI合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。还有，所谓最大的高粗糙度Rz，是基于JISB0601(2001修正后的JIS规格)。在本发明的低接触电阻型电极中，作为前述比Al贵的金属元素，可列举Ni、Co、Ag、Au和Zn之中的一种以上，通过含有这些元素的金属间化合物在A1合金膜表面析出，所述凹凸被形成。在所述Al合金膜中，此外还能够以0.10.5原子％的比例含有稀土类元素的一种以上。本发明的低接触电阻型电极，作为栅电极和源-漏电极能够有效的适用。另外，通过具有这种低接触电阻型电极，能够实现没有显示不良发生的高性能的显示装置。当制造上述这种低接触电阻型电极时，在与氧化物透明导电膜直接接触之前，用碱溶液蚀刻Al合金膜表面，由此使其形成所述凹凸即可。另外，在应用这一方法时，由蚀刻造成的深度Rz优选为5nm以上。另外，在与氧化物透明导电膜直接接触之前，通过用SF6和Ar的混合气体对Al合金膜表面进行干式蚀刻，也能够制造上述这样的低接触电阻型电极。在本发明中，通过用碱溶液蚀刻A1合金膜表面，或者用SF6和Ar的混合气体对其进行干式蚀刻，从而使Al合金膜表面形成凹凸，因此能够在其表面形成合金元素的析出物，作为其结果是，即使合金元素比较少，也能够降低接触电阻，能够实现显示不良的发生得到极力降低的显示装置。图1是表示有源矩阵型的液晶显示装置所适用的代表性的液晶面板的构造的概略剖面放大说明图。图2是例示显示装置用阵列基板所适用的薄膜晶体管(TFT)的构成的概略剖面说明图。图3是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说明图。图4是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说明图。图5是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说明图。图6是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说明图。图7是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说明图。图8是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说明图。图9是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说明图。图10是按序号表示上述图2所示的显示装置用阵列基板的制造工序的一例的说吸图。图11是表示试验No.lO(本发明例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面的图纸代用照片。图12是表示试验No.l(比较例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面的图纸代用照片。图13是表示Al合金膜的凸部的粗糙度Rz与接触电阻的关系的曲线图。图14是表示试验No.44(本发明例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面的图纸代用照片。图15是表示试验No.35(比较例)中的A1合金膜和IT0膜的界面的TEM剖面的图纸代用照片。符号的说明1TFT阵列基板2对向基板3液晶层4薄膜晶体管(TFT)5透明导电膜6配线部7共通电极8彩色滤光片(colorfilter)9遮光膜10偏光板11导向膜12TAB带13驱动电路14控制电路15间隔物(spacer)16密封材17保护膜18扩散膜19棱镜片(prismsheet)20导光板具体实施方式首先，对于图2所示的TFT阵列基板1的制法进行简单地说明。还有，在此作为开关元件而形成的薄膜晶体管，是将以氢化非晶硅为半导体层而使用的非晶硅TFT作为一例进行列举。首先，在玻璃基板la上，以溅射等的方法形成例如膜厚200nm左右的A1合金膜，通过对该Al合金膜进行图案制作，从而形成栅电极26和扫描线25(图3)。这时，使后述栅绝缘膜27的覆盖良好，如此预先将铝合金薄膜的周边蚀刻为大约3040度的圆锥状即可。其次，如图4所示，例如以等离子体CVD法等的方法，用例如膜厚约300nrn左右的氧化硅(SiOx)形成栅绝缘膜27，再成膜例如膜厚50nm左右的氢化非晶硅膜(a-Si:H)和膜厚300nm左右的氮化硅膜(SiNx)。接着，通过以栅电极26为掩模的背面曝光，对如图5所示的氮化硅(SiNx)膜进行图案制作，形成通道(channel)保护膜。再在其上成膜掺杂有磷的例如膜厚50nm左右的n+型氢化非晶硅膜(nVSi:H)后，如图6所示，对氢化非晶硅膜(a-Si:H)和n+型氢化非晶硅膜(nVSi:H)进行图案制作。然后，在其上成膜例如膜厚300nm左右的Al合金膜，如图7所示进行图案制作，由此形成与信号线一体的源电极28、和被透明导电膜5接触的漏电极29。此外，以源电极28和漏电极29为掩模，除去通道保护膜(SiNx)上的n+型氢化非晶硅膜(n+a-Si:H)。然后如图8所示，采用例如等离子体CVD装置等，成膜氮化硅膜30例如膜厚300nm左右，由此形成保护膜。这时的成膜例如以26(TC左右进行。然后在该氮化硅膜30上形成光致抗蚀剂(photoresist)层31后，对该氮化硅膜30进行图案制作，例如通过干式蚀刻等在氮化硅膜30上形成接触孔32(contacthole)。另外，虽然未图示，但是同时在面临与面板端部的栅电极上的TAB连接的部分形成接触孔。此外如图9所示，经过例如利用氧等离子体的灰化(ashing)工序后，例如使用胺系等的剥离液，进行光致抗蚀剂层31的剥离处理，最后在例如保管时间8小时左右以内，如图10所示成膜例如膜厚40nm左右的ITO膜，通过图案制作成形透明导电膜5。同时，若在与面板端部的栅电极的TAB连接的部分，为了与TAB接合(bonding)而对ITO膜进行图案制作，则TFT阵列基板完成。在这述这样的工序中发现，在构成漏电极29等的A1合金膜上，通过溅射形成构成上述透明导电膜5的ITO膜时，若在该Al合金膜与透明导电膜5的界面形成氧化皮膜(AlOx)，则接触电阻高，因此在例如ITO膜的成膜初期阶段，不要使铝合金的表面极力氧化，在不添加氧的气氛中成膜，进行膜厚520nm(优选为10nm左右)的成膜，如果将A10x所含的氧量降低至44原子％以下，则可实现低而稳定的接触电阻。本发明者们，作为用于极力降低透明导电膜5与Al合金膜的接触电阻的方法，从与上述不同的观点进行研究。其结果发现，在构成栅电极和源-漏电极的Al合金膜与透明导电膜直接接触之前，如果用碱溶液对Al合金膜的表面进行湿式蚀刻，或用SF6和Ar的混合气体对Al合金膜表面进行干式蚀刻，则A1溶解，比A1贵的合金元素包含在合金间化合物中并在A1合金膜表面析出，在A1合金表面呈凹凸状残存。然后，该凹凸形成以最大的高粗糙度Rz计为5nm时，上述接触电阻降，从而完成本发明。在Al合金膜表面形成有上述这种凹凸的电极，其后即使与透明导电膜接触，也会处于构成上述这样的高接触电阻的氧化物(AlOx)难以形成的状态。根据情况，含有比Al贵的金属元素的析出物与透明导电膜直接接触。由于这一状况得到实现，则透明导电膜与Al合金膜的低接触电阻能够实现。当在Al合金膜上形成上述这种凹凸时，在Al合金膜和透明导电膜直接接触之前，用碱溶液对Al合金膜的表面进行湿式蚀刻或干式蚀刻即可，但是，为了实现所形成的凹凸的最大的高粗糙度Rz为5nm以上，这时的蚀刻量(蚀刻深度)优选为5nm以上。另外，关于进行这一蚀刻处理的时机，只要在Al合金膜与透明导电膜物理性地直接接触之前即可，例如在形成氮化硅(SiNx)等的层间绝缘膜前(所述图8)，也可发挥同样的效果。作为用于进行上述这种湿式蚀刻的碱溶液，可列举例如pH913左右的抗蚀剂(resist)剥离液"TOK106"(商品名东京应化工业株式会社制)的水溶液和氢氧化钠水溶液等，其虽然会溶解A1，但不会溶解比A1贵的金属元素。另外，作为用于进行干式蚀刻的气体，能够使用SF6和Ar的混合气体(例如SF6:60%，Ar:40%)。在形成氮化硅膜后，对该氮化硅膜进行干式蚀刻时的混合气体虽然一般采用SF6、Ar和02的混合气体，但是在利用这种混合气体的干式蚀刻却不能达成本发明的目的。通过使用上述这样的碱溶液或混合气体进行蚀刻处理，含有上述这样的金属元素的析出物成为在Al合金膜表面被稠化的状态。所谓比A1贵的金属元素，意思是比A1离子化倾向小的元素，作为这种金属元素，可列举Ni、Co、Ag、Au和Zn等，能够使用它们的一种以上。但是，这些金属元素，其含量在Al合金膜中需要有0.11.0原子％左右。该金属元素的含量低于0.1原子％时，由于金属元素降低，导致上述这样的凹凸难以形成，接触电阻反而降低。另外，若该金属元素的含量超过1.0原子％，则A1合金膜自身的电阻变高。另外在本发明的Al合金膜中，作为上述以外的金属元素(合金元素)，再含有稀土类元素的一种以上也有效。即，通过在Al合金膜中含有这些元素优选为0.10.5原子％，由此将耐热性提高至30(TC以上，另外还发挥出提高机械的强度和耐腐蚀性等的作用。作为这种金属，镧系稀土元素的任何一种都能够采用，但特别优选的是La、Gd、Nd之中的至少一种。具有如此形成的TFT阵列基板的显示装置，如果作为例如液晶显示装置使用，则能够将透明导电膜和连接配线部之间的接触电阻抑制在最小限度，因此能够尽可能地抑制其带给显示画面的显示品质的不良影响。以下，列举实施例更具体地说明本发明，但本发明当然不受下述实施例的限制，在能够符合前、后述的宗旨的范围内当然也可以适当地加以变更实施，这些均包含在本发明的技术范围内。实施例(实施例1)以无碱玻璃板(板厚0.7mm)为基板，通过溅射在其表面成膜作为栅电极和源-漏电极的Al-(X)Ni-(Y)La系合金(X:0.21.0原子％，Y:0.10.5原子％)的各种薄膜，以其作为试料。这时的膜厚均约为300nm。将得到的试料分成4组(AD组)，A组的试料保持原样(后述表l的试验No.13)，D组的试料用碱溶液(抗蚀剂剥离液"TOK106"(商品名东京应化工业株式会社制)的水溶液pH913)，通过湿式处理对Al薄膜表面实施蚀刻(后述表1的试验No.1522)。对于上述各试料(A组和D组一起)，通过光蚀刻(photol池ography)和蚀刻进行图案制作后(Al合金膜蚀刻成大约30。40°的圆锥状)，通过等离子体CVD法形成膜厚300nm的氮化硅(SiNx)膜。这时进行成膜的温度为25(TC，成膜时间约6分钟。然后，对该氮化硅膜进行光蚀刻和干式蚀刻，在氮化硅膜上形成接触孔(接触区域10nmX10pm)。干式蚀刻通过R正(反应性离子蚀刻)实施，使用气体为SF6:33.3%、02:26.7%、Ar:40y。的混合气体。对氮化硅进行蚀刻后，实施以氮化硅薄膜换算为100%的过腐蚀(overetching)。另外，利用氧等离子体进行灰化，利用剥离液进行光致抗蚀剂的剥离处理。之后，经8小时的保管时间在A1合金膜的表面，以溅射法成膜膜厚200nm的ITO膜。另一方面，上述B组的试料制作如下用碱溶液(抗蚀剂剥离液"TOK106"(商品名东京应化工业株式会社制)的水溶液pH913)，对Al薄膜表面通过湿式处理实施蚀刻(后述表1的试验No.411)，C组的试料保持原样(后述表1的试验No.1214)，经8小时的保管时间在Al合金膜的表面，以溅射法成膜膜厚200nm的ITO膜。对于上述各试料(B组和C组一起)，通过光蚀刻和蚀刻进行图案制作，从而形成接触电阻测定图案(接触区域10pmX10nm)。对于上述各试料，以四端子开尔文(kdvin)法测定ITO膜(氧化物透明导电膜)和AI合金膜的接触电阻。这时，对于试料的一部分(试验No.l、10)，以透射型电子显微镜(TEM)就Al合金膜和ITO膜的界面的构造进行观察。接触电阻值测定结果与湿式蚀刻量和Al合金组成(Ni/La的原子％)一起显示在下述表1中。另外，测定和透明导电膜的截面的Al合金薄膜的凸部的粗糙度Rz[基于JISB0601(2001)的最大的高度粗糙度Rz]的测定结果在下述表1中显示。另夕卜，试验No.10(本发明例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面显示在图11(图纸代用照片)中，试验No.l(比较例)的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面显示在图12(图纸代用照片)中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由此结果可知，通过在适当的时机对Al合金膜的表面进行湿式蚀刻，从而在Al合金膜的表面形成适当尺寸的凹凸，由此，在作为氧化物导电膜的ITO和作为栅电极或源-漏电极的Al-(X)Ni-(Y)La合金之间，能够得到合适的接触电阻。另外，从这些结果可知，通过加大A1—(X)Ni—(Y)La合金膜的表面粗糙度Rz，能够减少接触电阻。特别是通过使表面粗糙度Rz为5nm以上，能够降低接触电阻值。(实施例2)以无碱玻璃板(板厚0.7mm)为基板，通过溅射在其表面成膜作为栅电极和源-漏电极的AI-0.22原子。/。Ni合金膜，以其作为试料。这时的膜厚均约为300nm。对于得到的试料，用碱溶液(抗蚀剂剥离液"TOK106"(商品名东京应化工业株式会社制)的水溶液pH913)，通过湿式处理对A1薄膜表面实施蚀刻。进行该蚀刻时，通过改变湿式蚀刻时间，以调整蚀刻量。对于这一试料，与上述实施例同样，测定接触阻抗。另外，测定与透明导电膜的界面的Al合金膜的凸部的粗糙度Rz[基于JISB0601(2001)的最大的高粗糙度Rz]。其结果显示在下述表2中[表中(一)的部分为没有测定]。基于此数据，Al合金膜的凸部的粗糙度Rz与接触电阻的关系显示在图13中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>由这些结果可知，通过加大湿式蚀刻量，从而加大Al合金膜的表面粗糙度Rz，能够减少接触电阻。特别是使湿式蚀刻量为5nm以上，从而使表面粗糙度Rz为5nm以上，则能够减小接触电阻值。(实施例3)以无碱玻璃板(板厚0.7mm)为基板，通过溅射在其表面成膜作为栅电极和源-漏电极的A1-0.3原子。/。Ni-0.35La合金膜，以其作为试料。这时的膜厚均约为300nm。对于上述试料，与实施例1同样，在氮化硅膜上形成接触孔(接触区域10^imX10^im)后，使用SF6:33.3%、02:26.7%、Ar:40%的混合气体或SF^60%、Ar:40%的混合气体，实施干式蚀刻。这时，以下述l3的级别实施干式蚀刻。其后，经8小时的保管时间在A1合金膜的表面，以溅射法成膜膜厚200nm的ITO膜。干式蚀刻级别1:花费除去形成在Al合金膜上的氮化硅膜所需要的时间的2倍的时间，进行干式蚀刻。干式蚀刻级别2:花费除去形成在Al合金膜上的氮化硅膜所需要的时间的3倍的时间，进行干式蚀刻。干式蚀刻级别h花费除去形成在AI合金膜上的氮化硅膜所需要的时间的4倍的时间，进行干式蚀刻。对于这样的试料，与上述实施例1同样，测定接触电阻。其结果显示在下述表3中，可知通过利用规定成分的混合气体进行干式蚀刻，能够减少接触电阻。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>(实施例4)以无碱玻璃板(板厚0.7mm)为基板，通过溅射在其表面成膜作为栅电极和源-漏电极的Al-(X)Ag-(Y)La系合金(X:0.21.0原子％，Y:0.10.5原子％)的各种薄膜，以其作为试料。这时的膜厚均约为300nm。将得到的试料分成4组(EH组)，A组的试料保持原样(后述表4的试验No.3537)，H组的试料用碱溶液(抗蚀剂剥离液"TOK106"(商品名东京应化工业株式会社制)的水溶液pH913)，通过湿式处理对Al薄膜表面实施蚀刻(后述表4的试验No.4956)。对于上述各试料(E组和H组一起)，通过光蚀刻和蚀刻进行图案制作后(Al合金膜蚀刻成大约30°40°的圆锥状)，通过等离子体CVD法形成膜厚300nm的氮化硅(SiNx)膜。这时进行成膜的温度为250°C,成膜时间约6分钟。然后，对该氮化硅膜进行光蚀刻和干式蚀刻，在氮化硅膜上形成接触孔(接触区域10pmXl(^m)。干式蚀刻通过R正(反应性离子蚀刻)实施，使用气体为SF6:33.3%、02:26.7%、Ar:40%的混合气体。对氮化硅进行蚀刻后，实施以氮化硅薄膜换算为100%的过腐蚀。另外，利用氧等离子体进行灰化，利用剥离液进行光致抗蚀剂的剥离处理。之后，经8小时的保管时间在Al合金膜的表面，以溅射法成膜膜厚:200nm的ITO膜。另一方面，上述F组的试料制作如下用碱溶液(抗蚀剂剥离液"TOK106"(商品名东京应化工业株式会社制)的水溶液pH913)，对Al薄膜表面通过湿式处理实施蚀刻(后述表1的试验No.3845),G组的试料保持原样(后述表1的试验No.4648)，经8小时的保管时间在Al合金膜的表面，以溅射法成膜膜厚200nm的ITO膜。对于上述各试料(F组和G组一起)，通过光蚀刻和蚀刻进行图案制作，从而形成接触电阻测定图案(接触区域10^imXl(Him)。对于上述各试料，以四端子kelvin法测定ITO膜(氧化物透明导电膜)和A1合金膜的接触电阻。这时，对于试料的一部分(试验No.35、44)，以透射型电子显微镜(TEM)就Al合金膜和ITO膜的界面的构造进行观察。接触电阻值测定结果与湿式蚀刻量和Al合金组成(Ag/La的原子％)一起显示在下述表4中。测定和透明导电膜的截面的Al合金薄膜的凸部的粗糙度Rz[基于JISB0601(2001)的最大的高度粗糙度Rz]的测定结果在下述表4中显示。另外，试验No.44(本发明例)中的A1合金膜和IT0膜的界面的TEM剖面显示在图14(图纸代用照片)中，试验No.35(比较例)的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面显示在图15(图纸代用照片)中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>由其结果可知，通过在适当的时机对Al合金膜的表面进行湿式蚀刻，从而在Al合金膜的表面形成适当尺寸的凹凸，由此在作为氧化物导电膜的ITO和作为栅电极或源-漏电极的Al-(X)Ag-(Y)La合金之间，能够降低接触电阻。另外，从这些结果可知，通过加大A1—(X)Ag—(Y)La合金膜的表面粗糙度Rz，能够减少接触电阻。特别是通过使表面粗糙度Rz为5nm以上，能够降低接触电阻值。还有，在上述实施例14中，作为Al合金膜，虽然采用Al-(X)Ni-(Y)La系或Al-(X)Ag-(Y)La系都确认到其效果，但是作为比Al贵的金属元素(X元素)，使用Co、Au、Zn时，或作为第3合金元素(Y元素)，使用La以外的稀土类元素(例如Gd和Nd等)时，也确认能够得到与上述同样的效果。权利要求1.一种使用Al合金膜的低接触电阻型电极，其由与氧化物透明导电膜直接接触的Al合金膜构成，其特征在于，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al贵的金属元素，且Al合金膜的与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。2.如权利要求l所述的低接触电阻型电极，其特征在于，所述比A1贵的金属元素是Ni、Co、Ag、Au和Zn中的一种以上，通过含有这些元素的金属间化合物在A1合金膜表面析出，形成所述凹凸。3.如权利要求2所述的低接触电阻型电极，其特征在于，所述A1合金膜还以0.10.5原子％的比例含有一种以上的稀土类元素。4.如权利要求1所述的低接触电阻型电极，其特征在于，低接触电阻型电极为栅电极。5.如权利要求1所述的低接触电阻型电极，其特征在于，低接触电阻型电极为源-漏电极。6.—种显示装置，其特征在于，具有权利要求1所述的低接触电阻型电极。7.—种显示装置，其特征在于，具有权利要求2所述的低接触电阻型电极。8.—种显示装置，其特征在于，具有权利要求3所述的低接触电阻型电极。9.一种显示装置，其特征在于，具有权利要求4所述的低接触电阻型电极。10.—种显示装置，其特征在于，具有权利要求5所述的低接触电阻型电极。11.一种低接触电阻型电极的制造方法，其特征在于，在制造权利要求1所述的低接触电阻型电极时，在使Al合金膜与氧化物透明导电膜直接接触之前，用碱溶液对Al合金膜表面进行湿式蚀刻，由此形成所述凹凸。12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，由蚀刻导致的深度为5nm以上。13.—种低接触电阻型电极的制造方法，其特征在于，在制造权利要求1所述的低接触电阻型电极时，在使Al合金膜与氧化物透明导电膜直接接触之前，用SFe和Ar的混合气体对Al合金膜表面进行干式蚀刻，由此形成所述凹凸。全文摘要提供一种即使减少Al合金中的合金元素，仍能够降低与透明氧化物导电膜的接触阻抗的低接触阻抗型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。本发明的低接触阻抗型电极，在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触阻抗型电极中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al离子化倾向小的金属元素，且Al合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。文档编号H01L29/786GK101335294SQ20081012867公开日2008年12月31日申请日期2008年6月23日优先权日2007年6月26日发明者后藤裕史,奥野博行,武富雄一,越智元隆申请人:株式会社神户制钢所