专利名称：防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体芯片设计技术，特别涉及一种在双扩散金属氧化物半导
体(DMOS)工艺中防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法。
背景技术：
DMOS工艺是当今半导体界流行的功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (Power MOSFET )芯片制造技术，它分为平面DMOS工艺和沟槽DMOS工艺。 在平面DMOS工艺或是沟槽DMOS工艺中，都会在DMOS芯片的栅极形成栅 极焊点(Gate Pad )。
现有技术中，形成栅极焊点的步骤包括首先在衬底上依次沉积栅极氧化
层以及栅极介质层；接着对栅极介质层进行光刻，以将栅极焊点位置处的栅极
介质层完全刻蚀掉；之后再沉积接触孔(Contact)介质层，并对接触孔介质层 进行光刻，光刻显影后刻蚀接触孔介质层，但这时将栅极焊点位置处的接触孔 介质层完全保留；然后沉积金属层并刻蚀金属层，但保留栅极焊点位置处的金 属层。这样即形成了栅极焊点，其结构如图l所示，从下往上依次包括衬底 1、栅极氧化层2、接触孔介质层3、及金属层4。由于栅极焊点处的接触孔介 质层3表面没有任何图形，非常光滑，这会导致DMOS芯片在压焊时由于金属 层4与接触孔介质层3的黏附力不足而产生金属层4脱落的风险，从而影响 DMOS的可靠性。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种防止芯片压焊时金属层脱落的 栅极焊点结构及其形成方法，以增加金属层和接触孔介质层的黏附力。 为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的
4一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，该栅极焊点结构从下往 上依次包括衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；其中，
沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质 层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的 栅极介质层接触。
其中，所述栅极介质层通过接触孔全部或部分地露出。
一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，该方法包括 以下步骤
Al)在衬底上生长有栅极氧化层，并在栅极氧化层之上沉积栅极介质层； A2)在所述栅极介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，显影后
在栅极焊点处留下呈间隔分布的光刻胶，并露出被显影去除的光刻胶处的栅极
介质层；
A3)刻蚀掉所述露出的栅极介质层后去除光刻胶，在栅极焊点处露出未刻 蚀的呈间隔分布的栅极介质层；
A4)在呈间隔分布的栅极介质层以及未被栅极介质层覆盖的栅极氧化层上 沉积接触孔介质层；
A5)在所述接触孔介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，露出
光刻胶下方的接触孔介质层；
A6)刻蚀所述露出的接触孔介质层形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介 质层，然后去除光刻胶；
A7)在所述接触孔介质层以及所述露出的栅极介质层上沉积金属层。 其中，步骤A3)中，所述未刻蚀的栅极介质层呈网状分布。 其中，刻蚀所述栅极介质层上的全部或部分的接触孔介质层。 一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，该栅极焊点结构从下往 上依次包括衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；所述 衬底上形成有一个或一个以上的沟槽，沟槽内沉积有栅极介质层，且栅极介质 层和沟槽由所述栅极氧化层隔开；所述接触孔介质层在有栅极介质层的区域成有接触孔；所述金属层沉积在所述接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅 极介质层接触。
其中，栅极介质层通过接触孔全部或部分地露出。
一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，该方法包括 以下步骤
Bl)将栅极焊点处的衬底刻蚀出 一个或 一个以上的沟槽； B2)在所述衬底表面、沟槽的侧壁和表面上生长栅极氧化层； B3)在所述沟槽内沉积栅极介质层，并对栅极介质层回刻蚀； B4)在栅极氧化层以及回刻蚀后的栅极介质层上沉积接触孔介质层； B5)在所述接触孔介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，露出 光刻胶下方的接触孔介质层；
B6)刻蚀所述露出的接触孔介质层形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介 质层，然后去除光刻胶；
B7)在所述接触孔介质层以及所述露出的栅极介质层上沉积金属层。 其中，刻蚀所述栅极介质层上的全部或部分的接触孔介质层。 由以上技术可以看出，无论是形成平面DMOS芯片的栅极焊点，还是形成 沟槽DMOS芯片的栅极焊点，都在焊点结构中增加了栅极介质层，使金属层不 仅与接触孔介质层接触，还同时与栅极介质层接触，使金属层与接触孔介质层 的接触不是平坦的，而是凹凸不平的，如此，可提高金属层与接触孔介质层之 间的黏附力，进而能防止DMOS芯片压焊时栅极焊点上金属层的脱落，最终增 强DMOS的可靠性。
图1为现有技术中DMOS的栅极焊点的结构示意图2为本发明在平面DMOS工艺中形成栅极焊点的工艺流程示意图3为本发明在沟槽DMOS工艺中形成的栅极焊点的结构示意图。
具体实施例方式
以下结合附图对本发明作进 一 步详细地说明。
如图2所示，本发明在平面DMOS工艺中形成栅极焊点的步骤包括
al )在衬底1上先高温生长栅极氧化层2，后在栅极氧化层2之上沉积栅 极介质层5，如图2A所示，该栅极介质层可为多晶硅、非晶硅等；
a2)在栅极介质层5上涂布光刻胶，利用掩膜版对光刻胶进行光刻并显影， 掩膜版上预先设计有网状的图形，因而显影后光刻胶在栅极焊点处会留下呈网 状的图形，并露出被显影去除的光刻胶处的栅极介质层5;
a3)刻蚀掉该露出的栅极介质层5，然后去除剩余光刻胶，从而在栅极焊 点处露出未刻蚀的栅极介质层5，由于掩膜版上的图形是网状的，因而未刻蚀 的纵向和横向的栅极介质层5在栅极氧化层2上呈网状的间隔分布；
其中，步骤a2)中在掩膜版上预先设计的网状图形，或者其他呈间隔状分 布的图形，就是为了将设计的图形转印至栅极介质层5上，以使刻蚀后留下的 栅极介质层5之间留有间隔，如图2B所示；
a4)在呈网状分布的栅极介质层5、以及未被栅极介质层5覆盖的栅极氧 化层2上沉积接触孔介质层3;
由于步骤a3)中栅极介质层5之间存在空隙，因此接触孔介质层3与栅极 氧化层2的接触不是平面的，这样可增加层与层之间的黏附力，如图2C所示；
a5)在接触孔介质层3上涂布光刻胶，利用掩膜版对光刻胶进行光刻并显 影，使位于栅极介质层5上方的光刻胶被显影去除，从而露出光刻胶下方的接 触孔介质层3;
a6)刻蚀露出的接触孔介质层3以形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介 质层5,然后去除光刻胶，如图2D所示；
一般情况下，可以利用掩膜版上设计的图形刻蚀掉栅极介质层5上的全部 或部分的接触孔介质层3,使栅极介质层5通过接触孔可全部或部分地露出， 如此就能使后续沉积的金属层4与接触孔介质层3的接触面不是平面即可，但在实际工艺流程中，较佳地只露出部分栅极介质层5;
a7)在接触孔介质层3以及露出的栅极介质层5上沉积金属层4，如图2E 所示。
至此，形成本发明平面DMOS工艺中的栅极焊点结构。 由上述方法制得的平面DMO S芯片中的栅极焊点结构从下往上依次包括 衬底l、栅极氧化层2、栅极介质层5、接触孔介质层3、接触孔介质层3以及 金属层4。其中，沉积在栅极氧化层2之上的栅极介质层5呈间隔分布；接触 孔介质层3在有栅极介质层5的区域形成有接触孔；金属层4沉积在接触孔介 质层3上，并与从接触孔露出的栅极介质层5接触。
如图4E所示，本发明平面DMOS芯片的栅极焊点结构中，金属层4不仅 沉积在接触孔介质层3上，还沉积在栅极介质层5上，从而使金属层4与接触 孔介质层3的接触是凹凸不平的，如此，可提高金属层4与接触孔介质层3之 间的黏附力，防止平面DMOS芯片压焊时栅极焊点上金属层的脱落。 本发明在沟槽DMOS工艺中形成栅极焊点的步骤包括 bl)将栅极焊点处的衬底刻蚀出沟槽，刻蚀的沟槽可为一个或一个以上； b2)在衬底表面、沟槽的侧壁和表面上高温生长栅极氧化层； b3)在沟槽内沉积栅极介质层，并对栅极介质层回刻蚀； b4)在栅极氧化层以及回刻蚀后的栅极介质层上沉积接触孔介质层； b5)在接触孔介质层上涂布光刻胶，利用掩膜版对光刻胶进行光刻并显影， 使位于栅极介质层上方的光刻胶被显影去除，露出光刻胶下方的接触孔介质层； b6)刻蚀露出的接触孔介质层以形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介质 层，然后去除光刻胶；
一般情况下，可以刻蚀掉栅极介质层上的全部或部分的接触孔介质层，只 要使后续沉积的金属层与接触孔介质层的接触面不是平面即可，但在实际工艺 流程中，较佳地只刻蚀掉栅极介质层上部分接触孔介质层； b7)在接触孔介质层以及露出的栅极介质层上沉积金属层。 图3为本发明在沟槽DMOS工艺中形成的栅极焊点的结构示意图，如图3所示，本发明在沟槽DMOS工艺中形成的栅极焊点的结构，从下往上依次包括 衬底l、栅极氧化层2、栅极介质层5、接触孔介质层3及金属层4;其中，该 衬底l上形成有沟槽，沟槽内沉积有栅极介质层5，且栅极介质层5和沟槽由 生长在沟槽侧壁及表面的栅极氧化层2隔开；接触孔介质层3在有栅极介质层 2的区域形成有接触孔；金属层4沉积在接触孔介质层3上，并与从接触孔露 出的栅极介质层5接触。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
权利要求
1、一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其特征在于，所述栅极焊点结构从下往上依次包括衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；其中，沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触。
2、 根据权利要求l所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其 特征在于，所述栅极介质层通过接触孔全部或部分地露出。
3、 一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在 于，包括以下步骤Al)在衬底上生长有栅极氧化层，并在栅极氧化层之上沉积栅极介质层； A2)在所述栅极介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，显影后在栅极焊点处留下呈间隔分布的光刻胶，并露出被显影去除的光刻胶处的栅极介质层；A3)刻蚀掉所述露出的栅极介质层后去除光刻胶，在栅极焊点处露出未刻 蚀的呈间隔分布的栅极介质层；A4)在呈间隔分布的栅极介质层以及未被栅极介质层覆盖的栅极氧化层上 沉积接触孔介质层；A5)在所述接触孔介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，露出光刻胶下方的接触孔介质层；A6)刻蚀所述露出的接触孔介质层形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介 质层，然后去除光刻胶；A7)在所述接触孔介质层以及所述露出的栅极介质层上沉积金属层。
4、 根据权利要求3所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形 成方法，其特征在于，所述步骤A3)中，所述未刻蚀的栅极介质层呈网状分布。
5 、根据权利要求3或4所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极介质层上的全部或部分的接触孔介质 层。
6、 一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，其特征在于，该栅极 焊点结构从下往上依次包括衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层及金属层；所述衬底上形成有一个或一个以上的沟槽，沟槽内沉积有栅极介质层，且栅极介质层和沟槽由所述栅极氧化层隔开；所述接触孔介质层在有栅极 介质层的区域形成有接触孔；所述金属层沉积在所述接触孔介质层上，并与从 接触孔露出的栅极介质层接触。
7、 根据权利要求6所述的防止芯片压焊时金属层脱落的焊点的结构，其特 征在于，栅极介质层通过接触孔全部或部分地露出。
8、 一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法，其特征在 于，包括以下步骤B1)将栅极焊点处的衬底刻蚀出 一个或 一个以上的沟槽；B2)在所述衬底表面、沟槽的侧壁和表面上生长栅极氧化层；B3)在所述沟槽内沉积栅极介质层，并对栅极介质层回刻蚀；B4)在栅极氧化层以及回刻蚀后的栅极介质层上沉积接触孔介质层；B5)在所述接触孔介质层上涂布光刻胶，对光刻胶进行光刻并显影，露出光刻胶下方的接触孔介质层；B6)刻蚀所述露出的接触孔介质层形成接触孔，露出接触孔下方的栅极介质层，然后去除光刻胶；B7)在所述接触孔介质层以及所述露出的栅极介质层上沉积金属层。
9、 根据权利要求8所述的防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形 成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极介质层上的全部或部分的接触孔介质层。
全文摘要
本发明公开了一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，从下往上依次包括衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层、及金属层，其中沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触。本发明还公开了这种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法以及另一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法。
文档编号H01L23/48GK101604670SQ20081011495
公开日2009年12月16日 申请日期2008年6月13日 优先权日2008年6月13日
发明者刘鹏飞, 方绍明, 曾爱平, 王新强, 勇 陈, 陈洪宁 申请人:北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司