专利名称：半导体发光器件的抗静电结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光器件，特别是涉及一种能够抗静电的半导体发 光器件及其制造方法。
背景技术：
以铟镓铝氮为半导体材料的发光器件可以用于全色大屏幕显示、交通信号 灯、背光源、固体照明等，它是一种很重要的发光器件。铟镓铝氮发光器件有 同侧电极结构和上下电极结构两种形式，上下电极结构的发光器件可以改善出 光效率、提高芯片利用率和降低器件的串连电阻，因而上下电极结构的发光器 件的运用变得越来越普遍。
无论是同侧电极结构的发光器件还是上下电极结构的发光器件，其抗静电 性能都是它们的一项关键参数。在芯片的生产过程和运输过程中，器件都不可 避免的要接触静电，它很容易使器件失效。在半导体器件生产线上的静电一般 都有几千伏甚至几万伏、几十万伏，当铟镓铝氮发光器件接触到带有静电的物 体时，数千、数万伏的高电位物体会发生脉冲放电或火花放电，瞬间会有很高 的电流流过发光器件，使得发光器件受到损坏。
因而，提高铟镓铝氮材料的质量和改善器件的结构来提高器件的抗静电性 能显得很有必要。铟镓铝氮材料质量的提高由于受到制备条件的限制往往会有 一个极限，所以在相同材料质量的前提下通过改善器件结构来提高器件的抗静 电性能显得尤为重要
发明内容
本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种半导体发光器件的抗静电结 构，该结构用来提高半导体发光器件的抗静电性能。
本发明所要解决的第二技术问题是提供一种用于制造半导体发光器件的抗 静电结构的方法，利用该方法制造的半导体发光器件的抗静电性能得到显著提 高。
为了解决上述第一个技术问题，本发明采用如下技术方案 一种半导体发 光器件的抗静电结构，包括发光薄膜、发光薄膜上面的出光面上形成的第一欧 姆接触层和发光薄膜下面形成的第二欧姆接触层，发光薄膜、第一欧姆接触层 和第二欧姆接触层形成电串联连接，所述抗静电结构还包括与所述发光薄膜电 串联的电感线圈。电感线圈的材料可以为金属、或者透明的掺铝的氧化锌、或 者透明的氧化铟锡等材料。电感线圈的线宽范围可以为10纳米 40微米，厚度 范围可以为10纳米 40微米。
优选地所述第一欧姆接触层为N型欧姆接触层，所述第二欧姆接触层为 P型欧姆接触层。这种结构常用于基板为导电基板的上下电极结构。对于同侧电 极，基板通常为蓝宝石(即蓝宝石衬底)，第一欧姆接触层为沉积在发光薄膜上 的P型欧姆接触层，第二欧姆接触层为形成在发光薄膜下面的N型欧姆接触层。
优选地所述发光薄膜包括出光面，出光面为经过粗化处理的表面。经过 粗化处理的表面，可以是在发光薄膜上直接形成，也可以是在发光薄膜的钝化 层上形成，也可以是在另外沉积的增透膜上形成。对出光面进行粗化处理，是 为了提高出光效率。
优选地所述电感线圈包括上下层叠关系的至少两层电串联在一起的线圈。 电感线圈中的线圈的层数不仅仅限定为一层，还可以是两层、三层或更多，线 圈的层数可以根据防静电的设计需要进行调整。优选地所述P型欧姆接触层的材料为单质铂、铂合金、单质钯、钯合金、 单质铑、铑合金、镍合金或氧化铟锡中任一种。如果是具有透光作用的氧化镍 金或氧化铟锡作为P型欧姆接触层，则其下面可以沉积银、铝或者其它具有高 反射率的合金作为光反射层。铂合金可以是铂银铜或铂银锌等合金。在P型欧 姆接触层的下面可以沉积一个扩散阻挡层，扩散阻挡层可以是金属钩、铬、钒 等中的一种或它们的合金，也可以是氮化钛等化合物作为扩散阻挡层。
优选地所述N型欧姆接触层的材料至少为金锗镍合金、金硅合金、金硅 镍合金、氮化钛、含氮化钛物质或钛铝合金中的一种物质。也可以是上述所提 及物质的层叠结构或混合物。
优选地所述发光薄膜包括出光面，出光面为具有氮原子极性的面。
优选地所述电感线圈形成在绝缘层上，电感线圈通过所述绝缘层与其它 相邻的导电体层保持主体之间的隔离，在绝缘体上设有供电感线圈与其它相邻 导电体层电串联连接的窗口孔。绝缘层可以很好的将电感线圈主体与其它导电 体层的主体隔离开来，电感线圈通过绝缘层上的窗口孔与它临近的导电体层保 持端部连接，这样可以很好的保持电感线圈与它临近导电体层的电串联关系。 当电感线圈夹持在两个导电体层之间的时候，此时，在电感线圈上面和下面均 需要绝缘层。
优选地所述相邻导电体层为所述第一欧姆接触层，所述绝缘层形成在所 述第一欧姆接触层上面，绝缘层上形成有所述电感线圈，电感线圈的一端连接 所述第一欧姆接触层。由于在此种情况下的电感线圈上方再没有导电体层了 ， 此时，在电感线圈上故无需再设置绝缘层。
优选地所述第一欧姆接触层以电感线圈状形成在所述发光薄膜上面。将 第一欧姆接触层刻蚀成电感线圈形状铺设在发光薄膜上， 一方面可以减小第一欧姆接触层覆盖在发光薄膜上的面积，因为更大的面积将降低发光薄膜的发光
效率；另一方面，由于欧姆接触层的电子迁移率大于发光薄膜，静电电荷优先 于发光薄膜在欧姆接触层中分布流动，呈线圈形状的第一欧姆接触层表现出电 感线圈的特质，在静电电荷在其中流动的过程中，它可以产生逆向电流，进一 步缓解静电给发光薄膜带来的威胁。
优选地所述第二欧姆接触层的下方形成有所述电感线圈，第二欧姆接触 层与电感线圈电串联连接。
优选地所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板， 导电基板上面形成有靠近所述发光薄膜的正面欧姆接触层，在正面欧姆接触层 上有压焊金属层；在压焊金属层与第二欧姆接触层之间设有所述电感线圈，电 感线圈与所述压焊金属层电串联连接。导电基板可以是硅、锗等非金属导电基
板，也可以是铜、银等金属导电基板。
优选地所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板， 导电基板的下面形成有远离所述发光薄膜的背面欧姆接触层，背面欧姆接触层 下方设有金属层，在背面欧姆接触层与金属层之间有所述电感线圈，电感线圈 同时与背面欧姆接触层、金属层电串联连接。
优选地所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板， 第二欧姆接触层与导电基板之间形成有所述电感线圈，P型欧姆接触层、电感线 圈和导电基板电串联连接在一起。
优选地所述发光薄膜、第一欧姆接触层或者第二欧姆接触层的边缘形成 有钝化层。经过了钝化处理的器件其钝化层可以处在发光薄膜和导电基板之间， 也可以处在发光器件的侧边，也可以在发光薄膜的上面，也可以在上、下、侧 边同时存在。所述钝化层的材料至少为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝或聚酰亚胺材料中的一种物质。该发光器件可以在N型欧姆接触层和P型欧姆接触层 同时具有钝化层，也可以仅在N型欧姆接触层和芯片侧边具有钝化层。钝化层 可以有效降低漏电流，并增强器件可靠性和提高LED的出光效率。优选地所述正面欧姆接触层以电感线圈状形成在所述导电基板上面。优选地所述P型欧姆接触层上设有用于防止电流拥挤效应、处于所述N 型欧姆接触层位置下方的互补区域孔。优选地在所述P型欧姆接触层的外边缘与发光薄膜的外边缘之间形成有 一个没有P型欧姆接触层、用于减小所述发光薄膜漏电流的空缺区域。优选地所述发光薄膜形成在作为P型欧姆接触层的导电基板上。为了解决本发明的第二个技术问题，本发明提出一种用于制造半导体发光 器件的抗静电结构的方法，所述方法包括形成绝缘层在发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成绝缘层，并在 绝缘层上形成窗口孔；形成电感线圈在绝缘层上面形成电感线圈，并使电感线圈与发光薄膜或 所述导电体层在窗口孔处相连接。优选地所述导电体层为N型欧姆接触层。优选地所述导电体层为P型欧姆接触层、导电基板的背面欧姆接触层或 导电基板中的一种。优选地，所述方法还包括形成第二绝缘层在所述电感线圈上面形成第二绝缘层，在第二绝缘层上 形成用于将电感线圈与其他导电体层相连接的窗口孔。 本发明的有益效果如下相比现有技术，本发明在发光器件的电极上形成用来提高半导体发光器件 的抗静电性能的电感线圈，当很高的静电电压接触发光器件时，电感线圈产生 的自感电动势会阻碍静电放电电流的迅速增大，从而使得发光器件获得保护。
图1是实施例一的分解结构示意图。图2是实施例一的剖面结构示意图。图3是实施例二结构示意图。图4是实施例三的结构示意图。图5是实施例四的结构示意图。图6是实施例五的结构示意图。图7是实施例六的结构示意图。图8是实施例七的结构示意图。图9是实施例八的结构示意图。图IO是实施例九的结构示意图。图ll是实施例十的结构示意图。图12是实施例十一的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种半导体发光器件的抗静电结构。该抗静电结构包括发光薄 膜、发光薄膜上面的出光面上形成的第一欧姆接触层和发光薄膜下面形成的第 二欧姆接触层，发光薄膜、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层形成电串联连接。 抗静电结构还包括与发光薄膜电串联的电感线圈。电感线圈的材料可以是金属， 也可以是掺铝的氧化锌和氧化铟锡等透明的导电材料，其线宽要求大于100纳 米，其厚度要求大于10纳米。本发明发光薄膜为铟镓铝氮(InxGayAll-x-yN， 0《x《1， 0《y《1)半导体薄膜，其包括氮化铝过渡层、氮化镓过渡层、 N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层。其中，氮化铝过渡层、氮化镓过渡 层和N型GaN层均可以掺硅；P型GaN层可以掺镁；量子阱发光层区域的阱层 和垒层均可以掺杂或不掺杂， 一般的靠近N型GaN层的3个阱层和垒层掺少量 的硅杂质，第5个垒层掺镁，阱层的厚度一般为3纳米，垒层的厚度一般为9 纳米。P型GaN层的厚度为100纳米至200纳米左右，作为缓冲的过渡层和N 型GaN层的厚度为3微米左右。本发明还提供一种可以用于制造上述半导体发光器件的抗静电结构的方 法。该方法主要为在发光薄膜上形成欧姆接触层、电感线圈层和衬底，然后切 片，其中形成电感线圈层为形成绝缘层在发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成绝缘层，并在 绝缘层上形成窗口孔；形成电感线圈在绝缘层上面形成电感线圈，并使电感线圈与发光薄膜或 所述导电体层在窗口孔处相连接。本发明的实施方式更适合于上下电极结构的半导体发光器件。本发明的上 下电极结构的发光芯片，其导电基板可以是通过邦定获得，也可以是在外延片 上沉积金属导电基板获得的。本发明的发光器件的薄膜是从生长衬底转移到新 导电基板上获得的，其生长衬底可以是硅和碳化硅等，去除生长衬底的方法可 以是化学腐蚀、激光剥离或者是离子刻蚀等。本发明的电感线圈可以靠近P型 欧姆接触层，也可以靠近N型欧姆接触层，也可以靠近导电基板背面，也可以 在上述地方同时出现，电感线圈可以是多层的也可以是单层的。本发明最大的 特点就是利用电感线圈来阻止静电放电在瞬间完成，让静电放电逐步衰减从而 使得发光器件受到保护。本发明电感线圈可以制备在器件的N型电极上，也可以制备在器件的P型 电极上，也可以同时制备在N型电极和P型电极上，也可以制备在导电基板的 正面或导电基板的背面或导电基板的正面和背面同时制备。为了进一步说明本发明技术，本发明例举下列实施例进行详细说明，其中 半导体发光薄膜材料为铟镓铝氮。实施例一实施例一的结构如图1和图2所示，其中，图1是实施例一的分解结构示 意图，图2是实施例一的剖面结构示意图。本发明涉及的发光器件主要由一些关键层层叠而成。参看图2，本实施例的 器件含有三层电感线圈，其导电基板是用晶片邦定(waferbonding)的方法获得 的。图1中，铟镓铝氮发光薄膜100上形成有第一电感线圈101。第一电感线圈 101的中间部位连接有N型电极焊盘102，N型电极焊盘102包括下层的N型欧 姆接触层和上层的焊盘。电感线圈可以是金属的，也可以是氧化铟锡、掺铝的 氧化锌等常见的透明电极材料。由于第一电感线圈是直接沉积在芯片表面的， 其线圈材料的电子迁移率要求大于氮化镓的电子迁移率。本实施例的电感线圈 也可以是N型欧姆接触材料。在铟镓铝氮发光薄膜下面为P型欧姆接触层103。在P型欧姆接触层103 的下面由上至下依次为第一绝缘层104、第二电感线圈105、第二绝缘层106、 压焊金属层107、正面欧姆接触层108、导电基板109、背面欧姆接触层110、 第三绝缘层111、第三电感线圈112、第四绝缘层113和最底层的金属层114。其中，在第二电感线圈105的中间端部有用于和P型欧姆接触层103电串 联的第二电感线圈中部连接结1050，在第二电感线圈105的边缘端部有用于电串联压焊金属层107的第二电感线圈外缘连接结105。在第一绝缘层104的中间 位置有与第二电感线圈中部连接结1050相适配的第一窗口孔1040。在第二绝缘 层106的边缘位置有与第二电感线圈外缘连接结1051相适配的第二窗孔口 1060。在第三电感线圈112的中间端部有用于和背面欧姆接触层110电串联的 第三电感线圈中部连接结1120，在第三电感线圈112的边缘端部有用于电串联 金属层114的第三电感线圈外缘连接结1121。在第三绝缘层111的中间位置有 与第三电感线圈中部连接结11120相适配的第三窗口孔1110。在第四绝缘层113 的边缘位置有与第三电感线圈外缘连接结1121相适配的第四窗孔口 1130。金属压焊层可以是锡、铅、银、铜、金、铟、锑等元素中的一种，或几种 所组成的合金。本实施例芯片的制造方法如下1) 、在外延片上形成P型欧姆接触层103;2) 、在P型欧姆接触层103上形成第一绝缘层104，并在其上形成第一窗口 孔1040;绝缘层材料可以是常见的半导体器件的钝化材料；3) 、沉积并制备帯两个连接结的第二电感线圈105，第二电感线圈105的第 二电感线圈中部连接结1050与P型欧姆接触层103在第一窗口孔1040处相连 接，并有外缘区域的第二电感线圈外缘链接结1051和第二绝缘层106的第二窗 口孔1060位置相对应；4) 、形成第二绝缘层106，并形成第二窗口孔1060;5) 、沉积压焊金属层107，此时压焊金属层在第二窗口孔1060位置实现与 第二电感线圈105的电串联连接关系；6) 、在导电基板109上制备背面欧姆接触层110;7) 、在导电基板109上制备正面欧姆接触层109;10) 将上述外延片和制备了欧姆接触层的导电基板109用晶片邦定(wafer bonding)的方法压焊在一起；11) 、然后去除外延片的生长衬底实现铟镓铝氮发光薄膜IOO从外延衬底到 新导电基板的转移；12) 、在发光薄膜100上制备N电极焊盘102，即N型欧姆接触层和焊盘， 及第一电感线圈101;13) 、在导电基板背面欧姆接触层110沉积第三绝缘层111，并形成第三窗 口孔1110;14) 、再在第三绝缘层111上形成带有两个连接结的第三电感线圈112,第 三电感线圈中部连接结1120在第三绝缘层的第三窗口孔1110位置实现使第三电 感线圈112与导电基板的背面欧姆接触层110的电连接；15) 、制备第四绝缘层113，并形成与第三电感线圈外缘连接结1121相对用 的第四窗口孔1130;16) 、沉积芯片背面的金属层114，其在第四绝缘层的窗口孔1130位置实现 与第三电感线圈112的电连接；17) 、再将整块芯片阵列分割成分立元件。在制备顺序上，也可以第三电感线圈112先于第一电感线圈101和N电极 焊盘102的制备，只要是能实现图1中关键要素的器件制备顺序都是允许的。本例中，N电极焊盘102、发光薄膜100、 P型欧姆接触层103、第二电感 线圈105、压焊金属层107、正面欧姆接触层108、导电基板109、背面欧姆接 触层110、第三电感线圈112和金属层114形成连接在一起的电串联关系。这种 电连接结构可以阻止静电放电在瞬间完成，让高压静电放电逐步衰减从而使得 发光器件受到保护。第一电感线圈101并没有串联在上述串联电路中，但是其仍然具有一定的抗静电作用，是由于其线圈材料的电子迁移率要求大于氮化镓 的电子迁移率，这样要求可以使第一电感线圈分散静电电荷，并储存静电电荷 的能量，进而缓解静电对芯片的破坏。 实施例二实施例二的结构如图3所示。相比实施例一，本例没有在发光薄膜上沉积 第一电感线圈101，其制作工艺参照实施例一即可很容易实现。 实施例三实施例三的结构如图4所示。相比实施例二，本例在发光薄膜的侧边和台 面边缘进行了钝化处理，即在发光薄膜的侧边和台面边缘形成有钝化层115。其 制作工艺参照实施例一即可很容易实现。实施例四实施例四的结构如图5所示。相比实施例三，本例在发光薄膜进行了有利 于提高出光效率的表面粗化处理，其N型欧姆接触层和焊盘沉积在了发光薄膜 的粗化表面1000上。另外本例相对实施例三中的钝化层有不同。本例钝化层分 为位于发光薄膜的侧边、台面边缘和P型欧姆接触层边缘的上层钝化层1150和 位于P型欧姆接触层下面边缘的下层钝化层1151。其制作工艺参照实施例一即 可很容易实现。实施例五实施例五的结构如图6所示。相比实施例三，本例在发光薄膜进行了有利 于提高出光效率的表面粗化处理，其N型欧姆接触层和焊盘沉积在了发光薄膜 的粗化表面1000上。在P型欧姆接触层上设有用于防止电流拥挤效应、处于N 型欧姆接触层电极位置下方的互补区域孔1041。其制作工艺参照实施例一即可 很容易实现。实施例六实施例六的结构如图7所示。相比实施例五，本例在P型欧姆接触层的外 边缘与发光薄膜的外边缘之间形成有一个没有P型欧姆接触层、用于减小发光 薄膜漏电流的空缺区域1040。其制作工艺参照实施例一即可很容易实现。实施例七实施例七的结构如图8所示，相比实施例六，本例不包含金属压焊层、正 面欧姆接触层和背面欧姆接触层。本实施例芯片为直接在金属的导电基板上沉积而成，其过程简述如下1) 、在导电基板109上形成第二绝缘层106，并形成让第二电感线圈连接导 电基板的窗口孔；2) 、在第二绝缘层106上沉积帯连接结的第二电感线圈105，第二电感线圈 105与导电基板在窗口孔处通过一个连接结连接；3) 、在电感线圈上形成第一绝缘层104，并形成让第二电感线圈连接P型欧 姆接触层的窗口孔；4) 、在第一绝缘层上形成P型欧姆接触层，使第二电感线圈与P型欧姆接 触层在窗口孔处连接；5) 、在P型欧姆接触层上形成发光薄膜100，并对发光薄膜进行粗化处理和 钝化处理；6) 、再在发光薄膜100上形成N型欧姆层和焊盘(N电极焊盘102);7) 、在导电基板109沉积第三绝缘层111，并形成窗口孔；8) 、再在第三绝缘层111上形成第三电感线圈112，并且第三电感线圈112 在窗口孔位置实现第三电感线圈112与导电基板111的电连接；9) 、制备第四绝缘层113，并形成窗口孔；10) 、沉积芯片背面的金属层114，其在窗口孔位置实现与第三电感线圈112 的电连接；11) 、再将整块芯片阵列分割成分立元件。在制备顺序上，只要是能实现图1中关键要素的器件制备顺序都是允许的。 本例中，N电极焊盘102、发光薄膜100、 P型欧姆接触层103、第二电感 线圈105、导电基板109、第三电感线圈112和金属层114形成连接在一起的电 串联关系。本例沉积在外延片上的金属导电基板，可以是铜、银、铝、铁、钼、 钩、钒、镍、钴、锌、钛等中的一种或几种组成的合金，它可以是单层结构也 可以是多层结构，其沉积方法是电镀、离子镀膜、磁控溅射、热蒸发、热喷涂 和化学镀等方法中的一种或几种方法的组合。 实施例八实施例八的结构如图9所示，相比实施例七，本例位于P型欧姆接触层103 和导电基板109之间形成有两个上下层叠的、电串联在一起的第二电感线圈105 和第四电感线圈116。其制作工艺参照实施例七即可很容易实现。实施例九实施例九的结构如图IO所示，相比实施例七，本例在导电基板109的下面 没有形成金属层114、第三电感线圈112及其绝缘层。此种结构，导电基板当作 金属层的作用。其制作工艺相比实施例七更为简单，可参照实施例七即可很容 易实现。实施例十实施例十的结构如图11所示，相比实施例九，本例的发光薄膜100的表面 为未经过粗化处理的表面。在发光薄膜IOO上有第一电感线圈101，在第一电感 线圈101上由下至上依次形成有第五绝缘层117、第五电感线圈118、第六绝缘层119和焊盘1021。第一电感线圈101可以是N型欧姆接触层。其制作工艺可 参照实施例七即可很容易实现。 实施例十一实施例十一的结构如图12所示，相比实施例一，本例在发光薄膜100上由 下至上依次形成N型欧姆接触层1020、透明的第七绝缘层120、第五电感线圈 118及焊盘1021。其中为了避免绝缘层对发光薄膜产生的光线的遮挡，第七绝 缘层120为和与第五电感线圈118形状一致的盘状体，在第七绝缘层120下面 的N型欧姆接触层1020也可以为同电感线圈一样的盘状体以提高透光效率。其 制作工艺可参照实施例一即可很容易实现。另外需要提及的一种结构是在导电基板衬底上面直接形成发光薄膜，然 后在发光薄膜上形成N型欧姆接触层、绝缘层、电感线圈和焊盘。这种结构相 对简单，它是将导电基板同时作为P型欧姆接触层使用。这种简易结构也适用 本发明。本发明同样适用在第一欧姆接触层为P型欧姆接触层、第二欧姆接触层为N 型欧姆接触层的情况。此结构具有较差的发光效率，己经不为人们常用。当然，本发明对于同侧电极蓝宝石衬底的芯片也同样适用，其结构参看上 述说明很容易实现。
权利要求
1. 一种半导体发光器件的抗静电结构，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，发光薄膜、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层形成电串联连接，其特征在于所述抗静电结构还包括与所述发光薄膜电串联的电感线圈。
2、 根据权利要求l所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所 述第一欧姆接触层为N型欧姆接触层，所述第二欧姆接触层为P型欧姆接触层。
3、 根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所 述发光薄膜包括出光面，出光面为经过粗化处理的表面。
4、 根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所 述电感线圈包括上下层叠关系的至少两层电串联在一起的线圈。
5、 根据权利要求l所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所 述电感线圈的材料为金属、或者透明的掺铝的氧化锌、或者透明的氧化铟锡。
6、 根据权利要求l所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所 述电感线圈的线宽范围为10纳米 40微米，厚度范围为10纳米 40微米。
7、 根据权利要求2所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所述p型欧姆接触层的材料为单质铂、铂合金、单质钯、钯合金、单质铑、铑合 金、镍合金或氧化铟锡中任一种。
8、 根据权利要求2所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所 述N型欧姆接触层的材料至少为金锗镍合金、金硅合金、金硅镍合金、氮化钛、含氮化钛物质或钛铝合金中的 一种物质。
9、 根据权利要求l所述的半导体器件的抗静电结构，其特征在于所述发光薄膜包括出光面，出光面为具有氮原子极性的面。
10、 根据权利要求1 9中任一项所述半导体发光器件的抗静电结构，其特 征在于所述电感线圈形成在用于保持电感线圈与相邻导电体层的主体之间隔 离的绝缘层上，在绝缘体上设有供电感线圈与相邻导电体层电串联连接的窗口 孔。
11、 根据权利要求10所述半导体器件的抗静电结构，其特征在于所述相 邻导电体层为所述第一欧姆接触层，所述绝缘层形成在所述第一欧姆接触层上 面，绝缘层上形成有所述电感线圈，电感线圈的一端连接所述第一欧姆接触层。
12、 根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于 所述第一欧姆接触层以电感线圈状形成在所述发光薄膜上面。
13、 根据权利要求10所述半导体器件的抗静电结构，其特征在于所述第 二欧姆接触层的下方形成有所述电感线圈，第二欧姆接触层与电感线圈电串联 连接。
14、 根据权利要求13所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于-所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板，导电基板上面 形成有靠近所述发光薄膜的正面欧姆接触层，在正面欧姆接触层上有压焊金属 层；在压焊金属层与第二欧姆接触层之间设有所述电感线圈，电感线圈与所述 压焊金属层电串联连接。
15、 根据权利要求10所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于-所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板，导电基板的下 面形成有远离所述发光薄膜的背面欧姆接触层，背面欧姆接触层下方设有金属 层，在背面欧姆接触层与金属层之间有所述电感线圈，电感线圈同时与背面欧 姆接触层、金属层电串联连接。
16、 根据权利要求13所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所述抗静电结构包括位于所述第二欧姆接触层下方的导电基板，第二欧姆接触 层与导电基板之间形成有所述电感线圈，P型欧姆接触层、电感线圈和导电基板 电串联连接在一起。
17、 根据权利要求1至9或11至16中任一项所述的半导体发光器件的抗 静电结构，其特征在于所述发光薄膜、第一欧姆接触层或者第二欧姆接触层的边缘形成有钝化层。
18、 根据权利要求17所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所述钝化层的材料至少为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝或聚酰亚胺材料中的 一种物质。
19、 根据权利要求14所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所述正面欧姆接触层以电感线圈状形成在所述导电基板上面。
20、 根据权利要求2所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于 所述P型欧姆接触层上设有用于防止电流拥挤效应、处于所述N型欧姆接触层位置下方的互补区域孔。
21、 根据权利要求2所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于在所述p型欧姆接触层的外边缘与发光薄膜的外边缘之间形成有一个没有p型 欧姆接触层、用于减小所述发光薄膜漏电流的空缺区域。
22、 根据权利要求1所述的半导体发光器件的抗静电结构，其特征在于所述发光薄膜形成在作为p型欧姆接触层的导电基板上。
23、 一种用于制造半导体发光器件的抗静电结构的方法，其特征在于，所 述方法包括形成绝缘层在发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成绝缘层，并在绝缘层上形成窗口孔；形成电感线圈在绝缘层上面形成电感线圈，并使电感线圈与发光薄膜或 所述导电体层在窗口孔处相连接。
24. 根据权利要求23所述的用于制造半导体发光器件的抗静电结构的方法, 其特征在于所述导电体层为N型欧姆接触层。
25. 根据权利要求23所述的用于制造半导体发光器件的抗静电结构的方法， 其特征在于所述导电体层为P型欧姆接触层、导电基板的背面欧姆接触层或 导电基板中的一种。
26. 根据权利要求25所述用于制造半导体发光器件的抗静电结构的方法，其特征在于所述方法还包括形成第二绝缘层在所述电感线圈上面形成第二绝缘层，在第二绝缘层上 形成用于将电感线圈与其他导电体层相连接的窗口孔。
全文摘要
本发明公开了一种半导体发光器件的抗静电结构和及其制造方法，用来提高半导体发光器件的抗静电性能。其结构采用如下技术方案包括发光薄膜、发光薄膜上面的出光面上形成的第一欧姆接触层、发光薄膜下面形成的第二欧姆接触层和电感线圈，发光薄膜、电感线圈、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层形成电串联连接。本发明提出的方法包括形成绝缘层在发光薄膜有电串联关系的导电层上面形成绝缘层，并在绝缘层上形成窗口孔；形成电感线圈在绝缘层上面形成电感线圈，并使电感线圈与发光薄膜或所述导电层在窗口孔处相连接。相比现有技术，本发明电感线圈产生的自感电动势会阻碍静电放电电流的迅速增大，从而使得发光器件获得保护。
文档编号H01L21/70GK101271917SQ20081010685
公开日2008年9月24日 申请日期2008年5月9日 优先权日2008年5月9日
发明者江风益, 熊传兵, 立 王, 王古平, 章少华 申请人:晶能光电(江西)有限公司