专利名称：制造等离子体反应器部件的方法
技术领域：
本发明的实施方式通常涉及制造部件的方法，具体地，涉及制造具有增强 的化学抗性的部件的方法。
背景技术：
微电子或集成电路器件的制造典型地包括复杂的处理程序，其需要在半导 体、绝缘和导电的衬底上进行数百个单独的步骤。这些处理步骤的实例包括氧 化、扩散、离子注入、薄膜沉积、清洁、蚀刻和平版印刷术。等离子体工艺通 常用于薄膜沉积和蚀刻，其在等离子体腔室中进行。在化学气相沉积中，反应 种类通过施加电压至合适的工艺气体产生，并且随后的化学反应导致在衬底上 形成薄膜。在等离子体蚀刻中，之前沉积的薄膜通常通过在之前的平版印刷术 步骤中形成的构图掩模层而暴露于在等离子体中的反应种类。反应种类和沉积 膜之间的反应导致沉积膜的去除或蚀刻。当腔室部件被暴露于等离子体环境持续一段时间，由于与等离子体种类的 应而可发生劣化。因此， 一直需要替代材料或制造方法以生产具有降低腐蚀速 率并提高使用期的部件。发明内容本发明分别提供了硅样品生长的改进工艺、硅部件退火的改进工艺，以及 包括改进的生长工艺或改进的退火工艺中至少一种的制造硅部件的方法。从本 发明的实施方式制造的硅部件展示出增强的抗腐蚀性，并且尤其适合用于等离 子体或其它反应环境。本发明的一个实施方式提供了一种制造硅部件的方法，包括(a)使用 循环的硅生长工艺提供硅样品，(b)机械加工该硅样品以形成部件，和(c) 退火该部件。该实施方式的硅生长工艺可以进一步包括(al)在第一惰性气体环境下开始硅生长，持续第一时间段，(a2)在还原气体环境下继续硅生长， 持续第二时间段，(a3)在第二惰性气体环境下继续硅生长，持续第三时间段， 和(a4)进行(a2)和(a3)足够多次循环直到对于硅样品获得所需的特性。 另一实施方式提供了一种制造硅部件的方法，其包括(a)生长硅样品； (b)机械加工硅样品以形成部件，和(c)通过将该部件暴露于至少一种惰性 气体持续第一时间段和还原气体持续第二时间段而退火部件。另一实施方式提供了一种退火硅部件的方法，其包括(a)在腔体 (enclosure)中提供硅部件，(b)向腔体引入氮气，(c)提高腔体内温度至 退火温度并退火部件，持续第一时间段，(d)用惰性气体代替腔体中的氮气 并退火部件，持续第二时间段，(e)用还原气体代替腔体中的惰性气体并退 火部件，持续第三时间段；和(f)通过降低温度而在还原气体中冷却该部件。 另一实施方式提供了一种用于等离子体腔室中的硅部件，其中当暴露于含 氟等离子体时该部件具有小于大约2.4pm/h的侵蚀速度。本发明的又一实施方式提供了一种等离子体工艺室，其包括腔室主体、放 置到腔室主体中并适合于在其上容纳衬底的支撑基座、绕着支撑基座放置并且 构造成围绕衬底的硅套环(collar)、以及用于在腔室内形成等离子体的电源。 该硅套环被使用下述方法制造，包括(a)提供已经机械加工的硅套环，和 (b)通过将该部件顺序地暴露于氮气持续第一时间段，惰性气体持续第二时 间段和还原气体持续第三时间段而退火已机械加工的套环。
因此，为了能够更详细地理解本发明的上述特征，将参照实施方式对以上 的概述径向更具体地描述，其中部分实施方式在附图中示出。然而要注意的是， 附图只说明了本发明的典型实施方式并因此不被认为限制其范围，因为本发明 可允许其它等效的实施方式。图1示出了制造硅部件的方法的一个实施方式；图2示出了生长硅的工艺的一个实施方式；图3示出了退火硅部件的工艺的一个实施方式图4是可以受益于本发明的、示例性等离子体蚀刻腔室的一个实施方式的 示意图；图5A是适合用于图4的腔室中的示例性硅套环的一个实施方式的横截面示意图；图5B是硅套环的一个实施方式的平面图，以及图6是适合用于图4的腔室中的示例性硅套环的另一个实施方式的横截面 示意图；为了使理解更容易，尽可能使用相同的附图标记指示附图中共同的相同的 元件。可理解的是， 一个实施方式的元件和特征可有益地结合到另一实施方式 中而不需要进一步阐述。
具体实施方式
本发明的实施方式提供了制造由硅制成的、具有改进的特征诸如减小的应 力和增强的化学抗性的部件的方法。如本文所使用，硅包括单晶硅和多晶硅。 改进的硅部件可通过使用下述方法制造，该方法包括本发明的改进的硅生长方 法或本发明改进的后机械加工退火方法中的至少一种。这些改进的方法也可以 单独使用或相互结合，以实现硅晶体或制造部件的改进的特性。图1示出了制造这些改进的硅部件的示例性方法100的一个实施方式。该 方法100从框102开始，其中硅例如在窑炉中生长。硅生长工艺可以是常规工 艺或根据本发明的实施方式的改进生长工艺。来自该生长工艺的硅样品然后被 机械加工以形成部件，如在框104中所示。在框106中，使用或者传统工艺， 或者根据本发明实施方式的改进的退火工艺退火硅部件，工艺的选择取决于在 框102中进行的选择。例如，如果使用传统的生长工艺，则将使用改进的退火 工艺。然而，如果使用改进的生长工艺，则可以使用常规的或者改进的退火工 艺。一种常规的硅生长工艺是切克劳斯基(Czochralski)法，其具体内容可以 被找到在例如"Czochralski growth of Si-single crystals",由Abrosimov等人在 Journal of Crystal Growth, Volume 174, Number 1， April 1997, pp. 182-186 (5)中发表。可理解的是可以使用其它合适的工艺以生长硅。图2中示出了改进的生长工艺200的一个实施方式。该工艺100从框202 开始，其中硅生长以诸如在静态的、惰性气体环境下硅晶种在封闭窑炉或腔室 中的传统工艺的条件下开始。例如，氩气(Ar)可以在大约30 mbar至大约50mbar之间的第一压力Pl下、窑炉温度在大约1500至大约1900摄氏度(。C) 之间的温度下使用。在这些条件下，硅生长继续持续第一时间段，例如大约2 大约12小时。在框204处，第二气体被引入到窑炉。第二气体是还原气体，其可以选自 氢气(H2)、氮气(N2)和氢气混合物(N2/H2)、氢氟烃(CJIyFz)、氟代烷烃(Qjy， 其中x， y和z是至少等于1的整数， 一氧化碳(CO)、 二氧化碳(C02)、氨(雨3)、 H2/C02混合物、CO/C(V混合物、和H2，/CO/C02混合物。N2/H2混合物也包括 通常已知作为合成气体的组合物，其H2浓度高达按体积计大约10%。在一个 实施方式中，第二气体是合成气体，其具有H2浓度按体积计大约6M。框202 的惰性气体在框204中通过添加第二气体被从窑炉中清除。在框204处，通常是惰性气体的第三气体也可和还原气体一起被引入到窑 炉。在一个实施方式中，第二和第三气体在被引入到窑炉之前预混合。第三气 体可以包括氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、氖气(Ne)、氪气(Kr)和氙气(Xe)。在204中所述的工艺中的压力P2保持在大约30 mbar 大约60mbar的范 围内，硅生长持续第二时间段在大约2 大约12小时的范围。在一个实施方 式中，压力是大约40mbar 大约50mbar。在该生长期间，还原气体与惰性气 体的比率在按体积计大约2% 大约20%的范围。惰性和还原气体的环境帮助 从硅样品中除去氧气，并导致样品改进的特性。窑炉中的气体在框204处被第二惰性气体清除并替代，该第二惰性气体可 与参考框202所述的相同或可以不同。惰性气体例如Ar、 He、 Ne、 Kr和Xe 适合于用作第二惰性气体。在一个实施方式中，第二惰性气体与参考框202 所述的相同，并使用传统压力条件，即大约30mbar 大约50mbar。硅生长在 此条件下持续第三时间段在大约2 大约12小时的范围。硅样品然后通过如参考框202和204所述的工艺循环多次直到获得框206 处想要的材料特性和微结构。诸如减少的氧簇、减少的位错密度(例如，小于 大约10"/cm2)或提高的粒度均一性(例如，小于大约3%的尺寸分布)的改 进特性有益于形成具有增强的耐腐蚀性的部件。在一个实施方式中，可以使用 大约3 5个循环，尽管根据具体样品的需要，也可以使用其它循环数。使用生长工艺200生产的硅样品可以然后被机械加工以形成硅部件。机械 加工以后，该部件可以被处理或退火，该退火工艺300的一个实施方式在图3中说明。在框302处，通过将硅部件放置到窑炉或腔体中开始退火工艺300。在框 304处，第一气体，例如氮气(N2)，被引入到腔体中直到第一压力在大约100 mbar 大约1000mbar的范围。在框306处，腔体温度从第一温度(例如环境温度)升高至第二温度(也被称作退火温度)。退火温度可以在大约ioo到大约50o摄氏度rc)的范围。加热速率被选择为足够慢以便使部件中的热应力最小化，而足够快到提供合理的产量。例如，加热速率在大约20到大约5(TC/min的范围适于许多应用。部 件在退火温度下保持第一时间段，其可以在大约1 大约5小时的范围内。在框308处，惰性气体被引入而N2基本上被从腔体中清除。样品在与参 考框304所述相同的压力下被暴露于惰性气体并退火，持续第二时间段，其可 以在大约2 大约72小时的范围内。在一个实施方式中，惰性气体是Ar。诸 如He、 Ne、 Kr和Xe的其它惰性气体也可以被使用。在框310处，还原气体被引入，而来自框308的惰性气体基本上被从腔体 中清除。硅部件在与参考框308所述相同的温度和压力下被暴露于还原气体持 续第三时间段，其可以在大约2 大约72小时的范围内。在一个实施方式中，还原气体是N2和H2的混合物，例如合成气体，其具有H2浓度小于按体积计大约10%，优选按体积计大约6%。也可以使用其它还原气体，例如，H2、 N2/H2 混合物、CxHyFz、 CXFZ (其中x， y和z是至少等于1的整数)、CO、 C02、 NH3、 H2/C02混合物、C0/C02混合物、和H2/CO/C02混合物。在框312处，温度在大约2 大约50小时的一段时间下降以允许退火的 部件逐渐冷却至第三温度，例如环境温度。在这一冷却期间，保持还原气体环 境在与参考框310所述的相同压力的等压条件下。类似于参考框306所述的加 热工艺，该部件以受控的速率被冷却以使过快冷却可能引起的热应力最小化。 例如可以使用大约2(TC/min 大约50°C/min的冷却速率。在参考框306和312所述的工艺中的升温加热和降温冷却速率被控制为足 够慢以便使非均一的热膨胀或冷縮可能导致的应力最小，同时控制为足够快以 提供用于该工艺的实际产量。具体的增加和降低时间还取决于具体的部件。例 如，部件的尺寸、形状、表面积与体积比、以及热特性诸如热膨胀系数或热容 量是在确定合适的加热或冷却速率中考虑的因素。在退火工艺的其它实施方式中，用于参考框304所述的工艺的第一气体可 以是惰性气体，例如Ar等(但是不是N2)。在该情况下，图3所示的参考框 308所述的工艺可被省略。也就是说，在框304和306的惰性气体(不是N》 中退火部件后，该工艺继续进行310，其中惰性气体被还原气体代替以进一步 退火。退火后，按照需要，该部件可经历进一步加工以制备其供使用或安装。对若干使用本发明的实施方式制造的硅部件进行的侵蚀比较试验。试验中 的部件由在根据本发明各种实施方式的不同条件下生长的硅样品制成，并且根 据本发明的一个实施方式进行退火。通过在暴露于反应环境(例如，氟基等离 子体)之前和之后于部件上进行厚度测量可获得侵蚀(或腐蚀)速率。结果显示相比于根据传统生长和退火工艺制造的硅部件，使用本发明实施 方式制造的硅部件展示提高的抗侵蚀性或降低的侵蚀速率，从大约4%到24%。 对很多样品获得侵蚀速率(对于暴露于含氟等离子体)小于大约2.4)im/h，并 且低至大约2.2pm/h，这相比于传统样品的大约2.8|im/h。本发明的实施方式可以被用于制造各种用途的硅部件。这些改进的部件也 适合用于腐蚀环境，例如在等离子体工艺中遇到的那些。各种等离子体沉积和 蚀刻腔室可受益于在此所公开的技术，并尤其是，介电蚀刻腔室，例如 ENABLER 蚀刻腔室，其可以是半导体晶片处理系统诸如0￡1^11^@系统、 尺001^^&@蚀刻腔室、6^1収@蚀刻腔室等的一部分，其全部可以获得自 California的Santa Clara的Applied Materials有限公司。ENABLER⑧腔室的细 节在美国专禾!j 6,853,141， "Capacitively Coupled Plasma Reactor with Magnetic Plasma Control"中被公开。可理解的是其它等离子体反应器，包括来自其它制 造商的那些，可以适合受益于本发明。图4描述了可以受益于本发明实施方式的示例性等离子体处理室402的一个实施方式的横截面示意图。提供在此显示的反应器的实施方式是为了说明的 目的并且不能被用于限制本发明的范围。在这一实施方式中，腔室402被用作衬底414的等离子体处理，例如蚀刻。 工艺均一性可以通过使用气体扩散器432调整，其被设计以使得校正电导性或 造成不对称处理的其它腔室属性，即相对于衬底中线不对称的处理结果。在一个实施方式中，腔室402包括具有电导性腔室壁430和底部408的真空腔室主体410。腔室壁430连接到接地电路434。盖470被放置到腔室壁430 上以封住在腔室主体410中限定的内部体积478。至少一个电磁节段(solenoid segment) 412位于腔室壁430的外部。电磁节段412可以由能够产生至少5V 的直流电源454选择性地供能以对在处理室402内形成的等离子体工艺提供控 制开关。陶瓷衬垫431设置在内部体积478内以利于清洁腔室402。蚀刻工艺的副 产物和残留可以容易地从衬垫431以选择性的间隔除去。衬底支撑基座416设置在气体扩散器432下工艺室402的底部408。工艺 区480在内部体积478内的衬底支撑基座416和扩散器432之间被限定。衬底 支撑基座416可以包括静电夹盘426以在加工时保留衬底414在气体扩散器 432下的基座416的表面440上。静电夹盘426被直流电源420控制。在一个实施方式中，套环500被绕着基座416以及衬底414的外周放置。 在一个实施方式中，套环500是根据本发明实施方式制造的硅部件，并且展示 出比使用传统工艺制造的其它部件增强的耐腐蚀性，以及照此在衬底处理时保 护基座416避免损害。套环500的其它细节将结合图5A-B在下面讨论。支撑基座416可以通过匹配网络424耦接到RF偏压电源422。偏压电源 422通常能够产生RF信号，其具有可调频率50 kHz 13.56 MHz以及功率0 5000 W。可选择地，偏压电源422可以是直流或脉冲直流电源。支撑基座416也可以包括内部和外部温度调节区474、476。每个区域474、 476可以包括至少一种温度调节器件，例如电阻加热器或循环冷却剂的导管， 使得可控制放置到基座上的衬底的径向温度梯度。腔室402的内部体积是由腔室壁430和/或腔室底部408形成的、通过排 气口 435连接到真空泵436的高真空管。放置在排气口 435中的节流阀427 和真空泵436 —起使用以控制处理室402内的压力。排气口 435的位置和腔室 主体410的内部体积478内的其它流动限制显著影响处理室402内的电导和气 流分布。气体扩散器432提供导管，至少一种工艺气体通过该导管被引入到处理区 480。在一个实施方式中，气体扩散器432可以对称方式向区域480提供工艺 气体，该方式可以被用于调节由其它腔室组分(即，排气口位置、衬底支撑基 座的几何形状或其它腔室组分)造成的上述电导性和气流分布，使得气流和反应物的流以均一的或选择性的分布被传送到衬底。另外，气体扩散器432可以 被用于相对衬底414(其同心地放置到基座416上)中线定位等离子体。因此， 气体扩散器432的构型可以被选择以提高工艺均匀性或者可选地产生处理结 果的预定偏离。例如，气体扩散器432的构型可以被选择以引导气流以校正腔 室电导的方式进入衬底支撑基座416上方的工艺区480。这可以通过构造气体 扩散器432来完成以在处理时传送气体到具有不对称性的处理室，该不对称性 弥补在等离子体位置上的腔室电导和/或离子和/或反应种类到衬底表面传输的 不对称效应。在图4说明的一个实施方式中，气体扩散器432包括至少两种气体分配器 460， 462、固定板428和气体分配板464。气体分配器460， 462通过处理室 402的盖470连接到一种或多种气体仪表盘，并且也连接到至少一种固定或气 体分配板428， 464。通过气体分配器460， 462的气流可以被独立地控制。尽 管气体分配器460， 462显示了连接到单一气体仪表盘438，应该理解气体分 配器460， 462可以连接到一种或多种共用的和/或分别的气体源。从气体仪表 盘438提供的气体被传送到板428， 464之间限定的区域472，然后通过穿过 气体分配板464形成的多个孔468退出并进入处理区480。固定板428连接到支撑基座416对面的盖470。由RF导电材料制成或覆 盖该材料的固定板428通过阻抗变换器(例如1/4波长匹配短截线(matching stub))耦接到RF电源418。电源418通常能够产生具有大约462 MHz可调 频率以及大约0 2000 W功率的RF信号。固定板428和/或气体分配板464 由RF电源供能以保持在工艺区480由工艺气体形成的等离子体。图5A-B是硅套环500的一个实施方式的示意性说明，其可以被用于图4 的腔室402中。图5A显示绕基座416和衬底414放置的套环500的放大图。 在一个实施方式中，套环500是多晶硅环。套环500可以通过本领域技术人员 已知的多种方法而被附着到基座416。通过设置硅套环500紧密靠近并围绕衬 底414，例如硅晶片，可以改善工艺均匀性诸如中心到边缘的均匀性。该提高 被认为是由硅套环500改变的衬底414附近的等离子体或电环境产生。图5B显示图5A描述的套环500的平面图。套环500具有外周502和内 周504。在一个实施方式中，套环500具有大约12英寸的内直径和大约13英 寸的外直径。如图5A的横截图所示，套环500也具有与内周504相邻的凹部506，其因此被设计尺寸以容纳衬底。图6是适合用于图4腔室中的示例性硅套环500的另一实施方式的局部截 面图。根据以上所述的本发明的实施方式，套环600通常硅制成并且包括外周 602、内周604和凹部606。凹部606通常被构造以支撑覆盖环612。在处理时， 衬底414放在基底支撑表面618上，覆盖环612被额外地支撑在基座614的壁 架(ledge) 616上，其中壁架616向外延伸在衬底414放置在其实的衬底支撑 表面618上。覆盖环612可以根据本发明实施方式由硅，或者由其它适合的材 料诸如石英制造。支撑表面618被构造，使得衬底414的外缘凸出于覆盖环 612的内部。根据本发明实施方式制造的硅部件诸如套环500、 600被发现具有提高的 特性诸如形态学和微观结构，导致由等离子气体增强的耐腐蚀性、减小的机械 应力和减少的粒子生成。尽管上面的实施例和讨论关注于制造用于等离子体腔室的硅部件，但是对 于不同的用途，本发明的一个或多个实施方式也可以被用于由各种材料制造的 其它部件。例如，本发明的退火工艺也可以被用于由诸如陶瓷、金属、电介质、 合金等材料制造的部件。根据特定的用途，涂敷的部件，包括硅涂敷的部件， 也可以受益于本发明的退火工艺。虽然前述针对于本发明的实施方式，但是在不脱离本发明的基本范围下， 可以设计本发明的其它以及进一步的实施方式，并且其范围被下述权利要求确 定。
权利要求
1、一种制造硅部件的方法，包括(a)使用循环硅生长工艺提供硅样品，包括(a1)在第一惰性气体环境中开始硅生长，持续第一时间段；(a2)在第二还原气体环境中继续硅生长，持续第二时间段；(a3)在第二惰性气体环境中继续硅生长，持续第三时间段；以及(a4)重复(a2)和(a3)进行足够数目的循环直到对于该硅样品获得所需的特性；(b)机械加工该硅样品以形成部件；以及(c)退火该部件。
2、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在(a2)步骤中的还原气 体选自由H2、 N2/H2混合物、CxHyFz、 CXFZ，其中x， y和z是至少等于1的整 数、CO、 C02、 NH3、 H2/C02混合物、CO/C02混合物、和H2/CO/C02混合物组成的组。
3、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一惰性气体是氩气， 以及还原气体选自由合成气体、H2和H2/C02混合物组成的组。
4、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二惰性气体 环境相同，并且该惰性气体选自由氩气、氦气、氖气、氪气和氙气组成的组。
5、 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述(al)和(a3)步 骤的压力每个都在大约30到大约50 mbar之间，而在(a2)步骤中的压力在 大约30到大约60 mbar之间。
6、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火步骤(c)包括 (cl)在腔体中，将所述部件暴露于第一压力下的惰性气体；(c2)将所述部件加热至退火温度；(c3)保持所述部件于退火温度第一时间段；(c4)引入还原气体以基本上从所述腔体清除惰性气体，并且在第二压力 下的还原气体中退火部件第二时间段；以及(c5)用在第二压力下的还原气体冷却所述部件。
7、 一种制造硅部件的方法，包括(a) 生长硅样品；(b) 机械加工所述硅样品以形成部件；以及(c) 通过将所述部件暴露于至少惰性气体第一时间段以及还原气体第二时间段，退火所述部件。
8、 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述惰性气体选自氩气、 氦气、氖气、氪气和氙气，并且所述还原气体选自H2、 N2/H2混合物、CxHyFz、 CXFZ，其中x， y和z是至少等于l的整数、CO、 C02、 NH3、 H2/C02混合物、 CO/C02混合物、和H2/CO/C02混合物。
9、 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述退火步骤(c)进一步 包括，在暴露所述部件于惰性气体前，在N2中退火部件并且其中所述还原气 体是N2/H2混合物，其中H2浓度按体积计小于大约10%。
10、 一种退火硅部件的方法，包括(a) 在腔体中提供硅部件；(b) 向所述腔体引入氮气；(c) 提高所述腔体内温度至退火温度并且退火所述部件第一时间段；(d) 用惰性气体代替所述腔体中的氮气并退火所述部件第二时间段；(e) 用还原气体代替所述腔体中的所述惰性气体并退火所述部件第三时 间段；和(f) 通过降低温度而在还原气体中冷却所述部件。
11、 权利要求IO所述的方法，其特征在于，所述还原气体选自H2、 N2/H2 混合物、CxHyFz、 CXFZ，其中x， y禾Q z是至少等于1的整数、CO、 C02、 NH3、 H2/C02混合物、CO/C02混合物、和H2/CO/C02混合物；并且其中所述还原气体是N2/H2混合物，其中H2浓度按体积计小于大约10%。
12、 一种用于等离子体腔室中的硅部件，其特征在于，当暴露于含氟等离 子体时，所述部件具有小于大约2.4pm/h的侵蚀速度。
13、 根据权利要求12所述的部件，其特征在于，所述部件是套环，该套 环具有外周、内周、以及与内周相邻的凹部。
14、 根据权利要求12所述的部件，其特征在于，所述部件使用下述方法 制造，该方法包括(a)生长硅样品；(b)机械加工所述硅样品以形成所述部件；和(C)通过将所述部件顺序地暴露于氮气持续第一时间段、暴露于惰性气 体持续第二时间段和暴露于还原气体持续第三时间段而退火该部件。 15、 一种等离子体处理室，包括 腔室主体；支撑基座，其设置在所述腔室主体中并适合于在其上容纳衬底； 多晶硅套环，当暴露于氟基等离子体时该套环具有小于大约2.4pm/h的侵 蚀速度，所述多晶硅套环绕着所述支撑基座设置并且构造成围绕所述衬底；和 电源，用于在所述腔室内形成等离子体； 其中，该多晶硅套环被使用下述方法制造，包括(a) 提供机械加工的多晶硅套环；和(b) 通过将该部件顺序地暴露于氮气持续第一时间段，暴露于惰性气体 持续第二时间段和暴露于还原气体持续第三时间段而退火所述机械加工的多 晶套环。
全文摘要
本发明在此提供一种制造等离子体反应器部件的方法，该部件由硅制成。该方法包括生长硅样品，机械加工该硅样品以形成部件，和通过顺序地暴露该部件于一种或多种气体而退火该部件。在硅生长和后机械加工退火期间设计工艺条件以提供尤其适合用于腐蚀环境的硅部件。
文档编号H01L21/00GK101276733SQ200810082780
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月19日 优先权日2007年3月19日
发明者埃尔米拉·赖亚博瓦, 杰·袁, 珍妮弗·孙 申请人:应用材料股份有限公司