专利名称：一种芯片制造工艺中的挡片回收的检测方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片制造工艺中的晶圆检测方法，且特别涉及一种挡片回收的检测方法。
背景技术：
.芯片制造工艺中在晶圆棒的中间段切割出来的晶圆品质较高，称为生产晶圆，用于半导体芯片制造。在晶圆棒的头尾两端所切割出的晶圆，出现瑕疯的
几率较高，大多用作非生产用途，称为测试晶圆如控片(ControlWafer)以及挡片(Dummy Wafer)。
半导体晶圆厂内设备进行生产前，均需以测试晶圆来量测炉管温度，金属层，化学品浓度，沉积厚度，半导体装置的制造工序有大约超过100道程序，因此需要大量的测试晶圆，然而测试晶圆十分昂贵所以需要尽可能的多次反复使用。
例如为了解机台未来制成的晶圆产品是否在合格的范围之内，需要使用控片去试作，并量测所得结果如厚度，平坦度，微粒数等等，控片使用一次就要进入回收流程，通常当控片多次使用后将不能再次当作控片使用，此时可将其回收当作挡片再次使用，挡片的用途主要有两种， 一种是用来暖机，即机台在长期闲置后，机台内条件不好，这时先跑一些挡片，等机台正常后才跑产品晶圆；另 一种是用来补足机台内应摆芯片而未摆的空位置，如将晶圓送至炉管进行氧化制程时，若生产晶圓数量不足时需要以挡片补足，否则可能影响制程平坦度等，或者是当一批晶圓进入炉管的时候，因为晶舟两头的气流以及杂物的浓度会比中间大而且温度由于受辐射影响也会比中间大，这就严重影响了 一致性，所以要在两边加挡片来抵消这种效应。挡片也可重复使用，把表面的薄膜洗掉之后也是可以再利用的，但是经过多次使用后的挡片很有可能会报废，如晶圆背面的划伤等，特别是在蚀刻和薄膜区域。原因主要是这两个区的机台卡盘不能吸住背面状况比较糟糕的晶圆。因此需要对使用过的挡片进行检测，以决定
3该使用过的挡片是否可以再次使用。现有技术中检测挡片是否可以再次使用的方法通常为人工量测挡片的厚度并且查看挡片背面的污染度和光滑度，例如有无划伤以及面积较大的缺陷，若背面情况不合格则直接将挡片丢弃报废，但这种方法过于主观使得大量原本可再次回收利用的挡片被认定报废而丟弃造成浪费，同时现有技术中并无将使用过的挡片翻转再次回收利用的情况。
发明内容
本发明的目的在于提出 一种芯片制造工艺中的挡片回收的^r测方法，用以翻转使用过的挡片并检测其正面，通过获得的测试数据来判断上述使用过的挡片是否可以再次回收利用。
根据上述目的，本发明提出一种芯片制造工艺中的挡片回收的检测方法，其包括获取^f吏用后的挡片，将上述挡片翻转，；险测上述挡片的正面，获得相关检测数据，根据上述检测数据判断上述挡片是否可以回收利用。
进一步的，其中上述判断步骤为将上述检测数据与底限数据进行比较，然后根据比较结果判断上述挡片是否可以回收利用。
进一步的，其中上述检测步骤包括检测上述挡片的厚度。进一步的，其中上述检测步骤更包括检测上述挡片正面的翘曲度。进一歩的，其中上述挡片为回收后的控片，上述回收后的控"为微粒值不合格的控片。
进一步的，其中上述挡片回收的检测方法更包括对利用上述挡片制造的产品进行缺陷检查，获得缺陷数据并根据上述缺陷数据判断上述挡片是否可以回收利用。
本发明的挡片回收的检测方法，自动将使用过的挡片翻转并自动检测上述挡片的厚度以及正面的翘曲度，通过检测获得的数据判断上述挡片是否可以再次回收利用，避免了因为使用过的挡片背面情况不合格而直接丢弃报废，而是将使用过的挡片翻转并检测其正面情况以再次回收利用，从而节约了大量挡片，满足了芯片制造程序需要大量挡片的要求，提高了挡片使用率，同时大大降低了生产成本。
图l所示为本发明一较佳实施例的流程4图2所示为本发明又一较佳实施例的流程图。
具体实施例方式
为了更了解本发明的技术内容，特举较佳具体实施例并配合所附图式说明如下。
请参考图1，图1所示为本发明一较佳实施例的流程图。本发明提出一种芯
片制造工艺中的挡片回收的检测方法，其包括步骤10:获取使用后的挡片，步骤20:将上述挡片翻转，步骤30:检测上述挡片的正面，获得相关检测数据，步骤40:根据上述检测数据判断上述挡片是否可以回收利用。
根据本发明一较佳实施例，上述挡片回收的检测方法中的步骤30:检测上述挡片的正面，获得相关检测数据更包括步骤31: 4全测上述挡片，获得厚度数据以及步骤32:检测上述挡片的正面，获得翘曲度数据。上述判断步骤为将上述检测数据与底限数据进行比较，然后根据比较结果判断上述挡片是否可以回收利用。上述挡片可为回收后的控片，上述回收后的控片为微粒值不合格的控片。
再请参考图2，图2所示为本发明又一较佳实施例的流程图。根据本发明又一较佳实施例，本发明提出一种芯片制造工艺中的挡片回收的检测方法，其包括步骤100:获取使用后的挡片，步骤200:将上述挡片翻转，步骤300:检测上述挡片的正面，获得相关检测数据，步骤400:对利用上述挡片制造的产品进行缺陷检查，获得缺陷数据；步骤500:根据上述检测数据和缺陷数据判断上述挡片是否可以回收利用。上述挡片回收的4企测方法中的步骤300:检测上述挡片的正面，获得相关检测数据更包括步骤310:检测上述挡片，获得厚度数据以及步骤320:检测上述挡片的正面，获得翘曲度数据。上述判断步骤为将上述冲企测数据和缺陷数据与底限数据进行比较，然后根据比较结果判断上述挡片是否可以回收利用。上述挡片可为回收后的控片，上述回收后的控片为微粒值不合格的控片。
在芯片制造工艺中使用控片去试作，并量测所得结果如厚度，平坦度，微粒数等等，可以了解机台未来制成的晶圆产品是否在合格的范围之内，控片使用一次就要进入回收流程，在回收流程中对上述使用过的控片进行;险测，获得上述使用过的控片微粒值，通过上述微粒值判断上述使用过的控片是否可以再次回收利用，当上述微粒不合格时可将上述使用过的控片当作挡片使用而不需要丟 弃。挡片也同样可重复使用，但是经过多次使用后的挡片很有可能会报废，如 挡片晶圓背面的划伤等，特别是在蚀刻和薄膜区域。原因主要是这两个区的机 台卡盘不能吸住背面状况比较糟糕的挡片晶圆。但是正常情况下，由于挡片晶 圆正面没有机械手的传送磨插，所以正面状况会很好。把这些挡片晶圓翻转过 来可以满足蚀刻和薄膜区域机台的需求，挡片晶圆翻转过来之后，保持挡片晶 圓背面朝上进机台。这样由于机台里面的卡盘与挡片晶圆状况很好的正面接触， 不会出现问题。挡片背面虽然状况糟糕，但是它不与机台卡盘接触，不会影响 机台正常程序。因此需要对使用过的挡片进行检测，以决定该使用过的挡片是 否可以翻转后再次使用。本发明获取到使用过的挡片后使用探测装置将上述使 用过的挡片翻转，然后对上述挡片进行正面检测，从而获得挡片的厚度数据和 正面的翘曲度数据，再将上述厚度数据和翘曲度数据和上述挡片的底限数据进 行比较，当上述厚度数据和翘曲度数据并未超过底限范围时判定上述挡片可以 再次回收使用，反之则判定上述挡片已经报废应该丢弃。上述挡片回收的检测 方法更包括对利用上述挡片制造的产品进行缺陷检查，并才艮据上述缺陷数据判 断上述挡片是否可以回收利用，即利用晶圆缺陷探测装置对产品晶圆的表面进 行扫描从而获得缺陷数据，当上述缺陷数据在可接受范围之内时认定上述挡片 是合格的，反之则认为上述挡片已经报废应该丟弃，这种缺陷检查只是首次进 行挡片回收检测实验所必需的数据证明,而不是每次翻转挡片晶圆都要做的必要 检查，即判断合格之后再进行挡片回收检测时直接翻转，然后检查数据在可接 受的范围内就可以。
综上所述，本发明的挡片回收的检测方法，自动将使用过的挡片翻转并自 动检测上述挡片的厚度以及正面的翘曲度，通过检测获得的数据判断上述挡片 是否可以再次回收利用，避免了因为使用过的挡片背面情况不合格而直接丢弃 报废，而是将使用过的挡片翻转并检测其正面情况以再次回收利用，从而节约 了大量挡片，满足了芯片制造程序需要大量挡片的要求，提高了挡片使用率， 同时大大降低了生产成本。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明 所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求
1.一种芯片制造工艺中的挡片回收的检测方法，其特征在于上述检测方法包括获取使用后的挡片；将上述挡片翻转；检测上述挡片的正面，获得相关检测数据；根据上述检测数据判断上述挡片是否可以回收利用。
2. 根据权利要求1所述的挡片回收的检测方法，其特征在于上述判断步骤 为将上述检测数据与底限数据进行比较，然后根据比较结果判断上述挡片是否 可以回收利用。
3. 根据权利要求1所迷的挡片回收的检测方法，其特征在于上述检测步骤 包括检测上述挡片的厚度。
4. 根据权利要求3所述的挡片回收的检测方法，其特征在于上述检测步骤 更包括检测上述挡片正面的翘曲度。
5. 根据权利要求1所述的挡片回收的检测方法，其特征在于上述挡片为回 收后的控片，上述回收后的控片为微粒值不合格的控片。
6. 根据权利要求1所述的挡片回收的检测方法，其特征在于上述挡片回收 的检测方法更包括对利用上述挡片制造的产品进行缺陷检查，获得缺陷数据并 根据上述缺陷lt据判断上述挡片是否可以回收利用。
全文摘要
本发明提出一种芯片制造工艺中的挡片回收的检测方法，其包括获取使用后的挡片，将上述挡片翻转，检测上述挡片的正面，获得相关检测数据，根据上述检测数据判断上述挡片是否可以回收利用。其中上述检测数据包括厚度和翘曲度。将使用过的挡片翻转并检测其正面情况以再次回收利用，从而节约了大量挡片，满足了芯片制造程序需要大量挡片的要求，提高了挡片使用率，同时大大降低了生产成本。
文档编号H01L21/00GK101556898SQ20081003590
公开日2009年10月14日 申请日期2008年4月10日 优先权日2008年4月10日
发明者万世伟, 张福全, 军 王 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司