在斜面蚀刻处理期间避免低k损伤的利记博彩app

专利名称：在斜面蚀刻处理期间避免低k损伤的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体器件的形成。更具体地，本发明涉及
在半导体器件形成期间^v斜缘去除蚀刻副产物。再更具体地，本发
明涉及在半导体器件形成期间从杀+缘去除蚀刻副产物中避免低k损 伤。
背景技术：
在基片(例如，半导体基片或如用于平面显示器制造中 的玻璃面板)的处理中，往往釆用等离子。在基片处理期间，将基 片分为多个模片或者矩形区域。该多个模片的每个将成为集成电 i 各。然后在一系列步骤中处理该基片，其中有选择地去除(或蚀刻) 以及沉积材料。将晶体管4册极关键尺寸(CD )控制在几个纳米的数 量级是最优先考虑的，因为对目标栅极长度每个纳米的偏差会直接 影响这些器件的运行速度和/或可操作性。通常，在蚀刻之前，在基片上涂覆硬化乳剂薄膜(如光 刻胶掩模)。然后有选择地去除硬化乳剂的一些区域，使得下面的 层暴露出来。然后，将基片设在等离子处理室的基片支撑结构上。 然后将一组适当的等离子气体引入该室并且产生等离子以蚀刻该 基片的暴露区域。在蚀刻工艺期间，蚀刻副产物(例如由-灰(C )、氧(O )、 氮(N)、氟(F)等组成的聚合物)往往形成在靠近基片边缘(或斜缘)的顶面和底面上。靠近基片的边缘，蚀刻等离子密度一般较 低，这导致聚合物副产物聚集在该基片斜缘顶面和底面上。通常，
在该基片的边缘附近例如在距该基片边缘大约5mm至大约15mm之 间，没有才莫片。然而，随着由于多个不同的蚀刻工艺而4吏得在斜缘 的顶面和底面上沉积连续的副产物聚合物层，通常强健和粘性的有 机《睫将最终在随后的处理步骤期间变弱。那么，形成在基片边缘的 顶面和底面上的聚合物层往往会在后处理(该基片表面的湿法清 洁)期间剥离或剥落在另一基片上，可能影响器件成品率。在半导体晶片上集成低k电介质(其机械强度低于之前一 代的材料)使得超精细特征尺寸和高性能要求成为必要。该低k介
挑战(低k材料定义为介电常数("k")低于2.9的半导体级绝缘 材料。为了进一步降低集成电路上器件的尺寸，必须使用低电阻率 导体和低k绝缘体以减低邻近金属线路之间的电容耦合。低k电介 质、碳或氟掺杂膜结合进后端工序(BEOL)堆栈以提高器件性能 和允许器件规模化。然而，低k材料是多孔的，其引起工艺集成和材料相容性 方面的麻烦。保持膜的完整性与将其适当合并与执行必须的剥除、 清洁和调整之间的平衡动作变得越来越不稳定。图案化过程(蚀刻、 剥除和清洁)也会对多孔低k的完整性产生严重影响。目前使用的
清洁等离子气体是02和CF4或N2和CF4，其导致氮、氧或氟基团漂移
进该基片。这个漂移导致k值增加，这会改变成分并且使该材料退 化。因此，低k损伤导致退化的器件性能、降低的可靠性、低 成品率和其他相关问题。

发明内容
为了实现前述以及根据本发明的目的，提供用于清洁基 片斜缘的方法。在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模。清洁该斜缘包 括提供清洁气体，其包括C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或 其组合的至少一个；从该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘 暴露于该清洁等离子。穿过光刻胶特征将特征蚀刻进蚀刻层，以及 去除该光刻胶掩模。本发明的另一方面关于在蚀刻层上形成图案化光刻月交掩 才莫。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层，以及去除该光刻胶 掩模。清洁该斜缘包括提供清洁气体，其包括C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 QcHyFz或其组合的至少一个；从该清洁气体形成清洁等 离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子。在本发明的另 一方面，提供用于蚀刻基片斜缘的设备。 提供一种等离子处理室，包括形成等离子处理室外壳的室壁；在 该等离子处理室外壳内支撑基片的基片支撑件，其中该基片支撑件 的直径小于该基片直径；用于该等离子处理室外壳中压力的压力调 节器；至少一个用于提供功率至该等离子处理室外壳以维持等离子 的电极；用于将气体提供进该等离子处理室外壳的气体入口；以及 用于从该等离子处理室外壳排出气体的气体出口。气体源与该气体 入口流体连通，其中该气体源包括清洁气体源、清洁等离子气体源 和蚀刻层蚀刻气体源。控制器以可控制的方式连接到该气体源和该 至少一个电才及。该控制器包括至少一个处理器和计算才几可读介质。 该计算机可读介质包括用于在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模的 计算4几可读代码；用于清洁该斜缘的计算才几可读代码，其包括用 于提供清洁气体的计算机可读代码，该清洁气体包括C02, CO, CxHy, H2, NH3, CxHyFz或其组合的至少一个；用于由该清洁气体 形成清洁等离子的计算机可读代码；以及，用于将该斜缘暴露于该清洁等离子的计算机可读代码。该计算机可读介质进一步包括用 于穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层的计算机可读代码和 用于去除该光刻月交掩才莫的计算4几可读代码。本发明的这些和其他特征将在下面的具体描述中结合附 图更详细地i兌明。


在附图中，本发明作为示例而不是作为限制来说明，其 中类似的参考标号指出相似的元件，其中
图l是可用于本发明 一个实施例中的工艺的高层流程图。
图2是可用于本发明另 一实施例中的工艺的高层流程图。
图3A-C是按照本发明 一个实施例处理的堆栈的剖视示意图和 俯视图。
图4是清洁该刮^彖的步骤更详细的流程图。
图5A和5B是可用来实施本发明的斜面蚀刻处理室的示意图。
图6A和6B是可用来实施本发明的等离子处理室的 一个实施例 的示意图。
图7A-B示出计算机系统，其适于实现用于本发明实施例的控制器。
具体实施方式
现在将才艮据如在附图中i兌明的几个实施方式来具体描述 本发明。在下面的描述中，阐述许多具体细节以才是供对本发明的彻 底理解。然而，对于本领域技术人员，显然，本发明可不利用这些 具体细节的一些或者全部而实施。在有的情况下，7>知的工艺步骤 和/或结构没有i兌明，以避免不必要的混淆本发明。为了<更于理解，图l是可用于本发明一个实施例的工艺的 高层流程图。参考图l，提供图案化的光刻胶掩模(步骤IOO)。图 3A是一剖视示意图，示出基片304上待蚀刻的层308，在该待蚀刻层 308上的底层310上具有图案化的光刻"交掩才莫312，该掩膜具有光刻 胶特征314，它们形成堆300。该光刻胶掩模具有光刻胶特征关键尺 寸(CD)，其可以是可能最小的特征的最宽部分的宽度。为了提供 该图案化光刻胶掩模，可首先在待蚀刻层上形成光刻胶层。然后图 案4匕该光刻力交层以形成光刻力交特4正314。可选地，该基片传送到斜面蚀刻室(步骤102)。如下面 详细描述的，等离子室可用于形成半导体的所有步-骤。然而，在可 选实施例中， 一个单独的室可用来清洁该斜缘。因此，该基片必须 传递到该斜面蚀刻室以清洁该斜缘。清洁该釗^彖(步骤104 )。图4是这个步骤更详细的流程图。 如图4所示，清洁该斜》彖可包括下面步骤4是供清洁气体(步骤404)， 形成清洁等离子(步骤406)以及将该斜缘暴露于该清洁等离子(步 骤408)。该清洁气体可以是C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或
其组合。化学式为CxHy的清洁气体可以是CH4、 C2H6和C2H4。化学
式为CxHyFz的清洁气体可以是CH3F、 CHF3、 0^^2或(^211^4。该清 洁等离子可包括C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或其组合。并不想受到任何局限或理论的约束，相信CO或C02最佳， 然后是CxHy、 H2、 CxHyFz和NH3。另外，相信C02和CF4降低氧和氟基团的量。因此，使用CO或C02是最优选的。使用CxHy是接下来最 优选的。使用H2是接下来最优选的。使用CxHyFz是接下来优选的， 以^JsTH3是4妄下来优选的。可选地，该基片可以传送回等离子蚀刻室(步骤106)。 如下面详细描述的，等离子室可以用来扭^亍形成该半导体的全部步 骤。然而，在可选实施例中， 一个单独的室可以用来蚀刻该蚀刻层 中的特征。因此，该基片必须传送到该等离子蚀刻室以蚀刻这些特 征。然后穿过该光刻胶掩模312将特征328蚀刻进该蚀刻层 (步骤108),如图3B所示。然后去除该光刻胶掩模312 (步骤IIO)， 如图3C所示。可选地，该基片可以传递回斜面蚀刻室(步骤112)。该 斜缘可以再次清洁(步骤114)，如上面参照图4所描述的。图2是可用于本发明另 一 实施例的工艺的高层流程图。提 供图案化光刻胶掩模(步骤200)，如上面参照图3A所说明的。然后 穿过该光刻胶掩才莫312将特征328蚀刻进该蚀刻层308 (步骤202)， 如图3B所示。然后去除该光刻月交掩才莫312 (步骤204)，如图3C所示。可选地，该基片可以传递到斜面蚀刻室(步骤206)。如 下面详细描述的，等离子室可以用来扭j亍形成该半导体的全部步
骤。然而，在可选实施例中， 一个单独的室可以用来清洁该釗-纟彖。 因此，该基片必须传递到该斜面蚀刻室以清洁该斜缘。清洁该冻牛缘(步骤208)。如图4所示，清洁该斜缘包括这 些步骤提供清洁气体(步骤404),形成清洁等离子(步骤406) 和将该斜缘暴露于该清洁等离子(步骤408)。该清洁气体可以是C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CJIyFz或其组合。化学式为CxHy的清 洁气体可以是CH4、 C2H6、和QH4。化学式为CxHyFz的清洁气体可 以是CH3F、 CHF3、 CH2F2或QH2F4。该清洁等离子包4舌032、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或其组合。并不想受到任何局限或理论的约束，相信C0或C02最佳， 然后是CxHy、 H2、 CxHyFz和NH3。另夕卜，相信C02和CF4降低氧和氟 基团的量。因此，使用CO或C02是最优选的。使用C^Hy是接下来最 优选的。使用H2是接下来最优选的。使用CxHyFz是接下来优选的， 以及NHb是接下来优选的。该底层310可以是任何已知的有机、无机或金属层。为了 示范性目的而不是为了限制，该底层可以是抗反射层(ARL)、底 部抗反射层(BARC)、介电抗反射层(DARC)、无定形碳或任何 其他已知的底层。
示例在这个工艺的一个示例中，形成图案化光刻月交层(步骤 100， 200)。具有该蚀刻层308、底层310、图案4匕光刻月交掩4莫312和 斜缘316的基片304设在等离子处理室中。图5A和5B说明被室壁502封闭的斜面蚀刻处理室500的 实施例。室500具有顶部设有基片550的基片支撑件540。在一个实 施例中，该基片支撑件540是静电卡盘，其由RF (射频)电源(未 示)供电。该基片支撑件540可以是DC (直流)、RF偏置或接地。 该基片支撑件540的直径小于该基片550的直径以1更清洁该斜缘。对 着该基片支撑件540的是气体分配板560,具有气体入口561。在基 片550蚀刻期间，室500可以RF通电以生成电容耦合蚀刻等离子或电 感耦合蚀刻等离子。
该基片550可具有斜缘517，其包括该基片边缘的顶部和 底部表面，如图5A的区域B以及图5B的放大的区域B所示。在图5B 中，斜缘517用4且的线条和曲线突出显示。围绕该基片支撑件540边缘，是底部边缘电极520,由导 电材料制成，如铝(A1)。在该基片支撑件540和该底部边缘电极520 之间，是底部介电环521,其将该基片支撑件540和该底部边缘电^L 520电气隔开。在一个实施例中，基片550不4妄触该底部边^彖电才及 520。在该底部边缘电极520外面，是另一底部绝缘环525，其延展 该底部边乡彖电才及520面向基片550的表面。围绕气体分配板560，是顶部边缘电极510，由导电材料 制成，如铝(Al)。该顶部边纟彖电才及510通过顶部介电环511与气体 分配^反560电绝纟彖。在该顶部边纟彖电才及510之外，是顶部绝纟彖环515, 其延展该顶部边^彖电才及510面向基片550的表面。在一个实施例中，该底部边缘电极520连接到RF电源 525，以及该顶部边桑彖电才及5104妾地。在基片釗-纟彖清洁工艺期间，该 RF电源525^是供频率在大约2MHz至大约15MHz之间以及功率在大 约100瓦至大约2000瓦之间的RF功率以生成清洁等离子。在斜缘清 洁期间，该基片支撑件540和该气体分配^反560保持为电气浮动。该 清洁等离子配置为由该顶部介电环511、该顶部边纟彖电才及510、该顶 部绝纟彖环515、该底部介电环521、该底部边纟彖电才及520和该底部绝 纟象环限制。在该杀+纟彖清洁工艺期间，该杀牛面蚀刻室压力可以在大约 100mTorr至大约2Torr之间。该气体分配^反560和基片550之间的间隔 Ds小于0.6mm以确^f呆该杀牛乡彖清洁工艺期间在该顶部电才及560和该基 片550之间不形成等离子。该清洁气体可以从与气体入口 561流体连 通的任何气体源(未示)提供并且由排气泵550通过气体出口排出该室。在一个实施例中，该气体入口设在该气体分配板560附近。 或者，该清洁气体还可通过设在该处理室500其他部件内的气体入 口提供。控制器504以可控制地方式连接到该RF源525、该气体源以 及任何其他装置。该室的别的实施例在美国专利申i青第11/440，561 (递交于 2006年5月24日，主题为"Apparatus and Methods To Remove Films On Bevel Edge and Backside of Wafer"，为了所有目的其整体结合在 这里。图6A和6B是可用于实施本发明的等离子处理室 一个实 施例的示意图。该等离子处理室600可清洁和蚀刻该基片，从而该 基片将不必在多个室之间传送，由jt匕减少处理时间、污染以及其4也 相关问题。由于该等离子处理室600与参照图5讨-沦的室相似，所以 将^义讨:沦与主题有关的元件。该处理室600可具有顶部电极602和底部电极604。为了便 于斜面蚀刻，该基片610的直径大于支撑该基片的底部电极604的直 径。该清洁气体可以/人与气体入口 (在图5A中示出)流体连通的任 何气体源提供。该清洁气体可以用来在电极602、 604之间形成清洁 等离子608。为了清洁该基片，这些电才及602、 604可以朝向4皮此移 动由此迫使该清洁等离子608至该室600的侧面，如图6B所示。因此， 这些电极602、 604在斜面蚀刻过程中比蚀刻层蚀刻期间靠得更近。 即，该顶部电才及602和该底部电才及604在蚀刻层蚀刻工艺期间分开而 在该斜缘蚀刻工艺期间靠得更近。这些斜缘通过暴露于该清洁等离 子608而清洁。图7A和7B说明了 一个计算机系统700,其适于实现用于 本发明的实施方式的控制器504。图7A示出该计算才几系统一种可能 的物理形式。当然，该计算^L系统可以具有/人集成电i 各、印刷电3各板和小型手持i殳备到巨型超级计算机的范围内的许多物理形式。计
算机系统700包括监视器702、显示器704、机箱706、,兹盘驱动器708、 键盘710和鼠标712。》兹盘714是用来与计算才几系统700传入和传出数
据的计算4几可读介质。图7B是计算机系统700的框图的一个例子。连接到系统总 线720的是各种各样的子系统。处理器722 (也称为中央处理单元， 或CPU)连接到存储设备，包括存储器724。存储器724包括随机访 问存储器(RAM )和只读存储器(ROM )。如本领域所7>知的，ROM 用作向CPU单向传输数据和指令，而RAM通常用来以双向的方式传 输数据和指令。这两种类型的存储器可包括下面描述的任何合适的 计算机可读介质。固定》兹盘726也是双向连接到CPU722;其提供额 外的数据存储能力并且也包括下面描述的任何计算才几可读介质。固 定磁盘726可用来存储程序、数据等，并且通常是次级存储介质(如 硬盘)，其比主存储器慢。可以理解的是保留在固定磁盘726内的信 息可以在适当的情况下作为虚拟存储器以标准的方式结合在存储 器724中。可移动》兹盘714可以采用下面描述的4壬<可计算才几可读介质 的形式。CPU 722还连接到各种输入/输出设备，如显示器704、 键盘710、鼠标712和扬声器730。通常，输入/输出设备可以是下 面的任何一种视频显示器、轨迹球、鼠标、键盘、麦克风、触摸 显示器、转换器读卡器、磁带或纸带阅读器、书写板、触针、语音 或手写识别器、生物阅读器或其他计算才几。CPU722可选地可使用 网络接口 740连接到另一台计算机或者电信网络。利用这样的网络 接口，计划在执行上述方法步骤地过程中，CPU可从网络接收信息 或者向网络输出信息。此夕卜，本发明的方法实施方式可在CPU722 上单独扭J亍或者可在如Internet的网络上与共享该处理一部分的远 程CPU —起执行。
另外，本发明的实施方式进一步涉及具有计算机可读介 质的计算机存储产品，在计算机可读介质上有用于执行各种计算机 实现的操作的计算机代码。该介质和计算机代码可以是那些为本发 明目的专门设计和构建的，或者它们可以是对于计算初4欠件领域技
术人员来说/>知并且可以得到的类型。计算才几可读介质的例子包
括，但不限于》兹介质，如石更盘、软盘和》兹带；光介质，如CD-ROM 和全息设备；磁-光介质，如光软盘；以及为了存储和执行程序代码 专门配置的硬件设备，如专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑器件 (PLD)以及ROM和RAM器件。计算机代码的例子包括如由编译 器生成的才几器代码，以及包含高级代码的文件，该高级代码能够由 计算机使用解释器来执行。计算机可读介质还可以是在载波中由计 算机数据信号携带的并且表示能够被处理器执行的指令序列的计 算机代码。清洁该斜缘(步骤104)。参照图4所示的步骤，提供清洁 气体(步—骤404)的示例性制法4吏用，例如，由C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或其纟且合的至少一个纟且成的气体，/人该气体可形 成清洁等离子(步骤406)。等离子处理室压力可为500mTorr-2Torr。 更优选地，清洁该斜缘的压力为100mT-2T。将在大约2-27MHz的100 至2000瓦特功率提供到该等离子处理室。在制法的 一个实施例中， 5國1 OOOsccm的清洁气体可在40。C的温度使用超过5秒。然后将特征蚀刻进该蚀刻层(步骤108)。待蚀刻层的示 例可以是传统的蚀刻层，如SiN、 SiC、 fU匕物或^f氐k电介质。传统 的蚀刻制法可以用来蚀刻;f寺蚀刻的层。为了去除该掩模(步骤IIO ),可以使用氧气灰化。在本发明的优选实施例中，清洁该斜缘和将特征蚀刻进 该蚀刻层在同一蚀刻室的原位完成，如图6A和6B。
在另一实施例中，将特征蚀刻进该蚀刻层(步骤202)。 待蚀刻层的示例可以是传统的蚀刻层，如SiN、 SiC、氧化物或低k 电介质。传统的蚀刻制法可以用来蚀刻该4寺蚀刻的层。为了去除该掩才莫(步骤204),可以4吏用氧气灰化。清洁该斜缘(步骤208)。参照图4所示的流程图，提供清 洁气体(步骤404)的示例性制法使用，例如，C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或其组合的至少一个组成的气体，从该气体可形 成清洁等离子(步骤406 )。蚀刻室或等离子处理室的压力在 500mTorr-2Torr。更优选地，清洁该斜纟彖的压力为100mT-2T。将在 大约2-27MHz的100至2000瓦特的功率4是供到该等离子处理室。在制 法的一个实施例中，5-1000sccm清洁气体可以在40。C的温度使用超 过5秒。尽管本发明依照多个实施方式描述，但是存在落入本发 明范围内的改变、置换和各种替代等同物。还应当注意，有许多实 现本发明方法和设备的可选方式。所以，其意图是下面所附的权利 要求解释为包括所有这样的落入本发明主旨和范围内的改变、置换 和各种替代等同物。
权利要求
1. 一种蚀刻基片斜缘的方法，包括在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模；清洁该斜缘，包括提供清洁气体，其包括CO2、CO、CxHy、H2、NH3、CxHyFz或其组合的至少一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子；穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层；以及去除该光刻胶掩模。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中形成、清洁、蚀刻和去除发 生在单个等离子室中。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中形成、蚀刻和去除发生在等 离子处理室中。
4. 根据权利要求3所述的方法，进一步包括将顶部电极与底部电 极隔开。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中该清洁发生在斜面蚀刻室。
6. 根据权利要求5所述的方法，进一步包括将该基片传送到该斜 面蚀刻室。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中该蚀刻进一步包括将该基片 传送到等离子处理室。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中QHy是CH4、 C2H6或C2H4 的至少一个。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中CxHyFzA CH3F、 CHF3、 CHbF2或C2H2F4的至少一个。
10. 根据权利要求1所述的方法，其中该清洁等离子包括CxHy以 及C02或CO的至少一个。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中该清洁等离子包括H2和co2。
12. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括将该基片传送到该斜面蚀刻室；和 重复该清洁步骤。
13. —种由4又利要求1所述的方法形成的半导体器件。
14. 一种蚀刻基片斜缘的方法，包括在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模；穿过该光刻力交特4正将特;f正蚀刻进该蚀刻层；去除该光刻胶掩模；和清洁该杀牛纟彖包括提供清洁气体，其包括C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或其纟且合的至少 一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中形成、蚀刻、去除和清洁 发生在单个等离子室中。
16. 才艮据外又利要求14所述的方法，其中形成、蚀刻和去除发生在 等离子处理室。
17. 根据权利要求16所述的方法，进一步包括将顶部电极与底部 电才及隔开。
18. 根据权利要求14所述的方法其中该清洁发生在斜面蚀刻室。
19. 4艮据权利要求18所述的方法，进一步包括将该基片传送到该 冻牛面々虫刻室。
20. 根据权利要求14所述的方法其中CJiy是CH4、 C2H6或C2H4 的至少一个。
21. 根据权利要求14所述的方法，其中CxHyFz是CH3F、 CHF3、 CH2F2或C2H2F4的至少 一 个。
22. 根据权利要求14所述的方法，其中该清洁气体包括CxHy。
23. 根据权利要求14所述的方法，其中该清洁等离子包括CxHy 和C02或CO至少一个。
24. 才艮据4又利要求14所述的方法，其中该清洁等离子包括H2和co2。
25. —种由4又利要求14所述的方法形成的半导体器件。
26. —种蚀刻基片斜缘的设备，包括等离子处理室，包>^:室壁，形成等离子处理室外壳；基片支撑件，在该等离子处理室外壳内支撑基片， 其中该基片支撑件的直径小于该基片直径；压力调节器，调节该等离子处理室外壳的压力；至少一个电极，向该等离子处理室外壳才是供功率以 维持等离子；气体入口，将气体提供进该等离子处理室外壳；和 气体出口，将气体从该等离子处理室外壳排出； 气体源，与该气体入口流体连通，包括 清洁气体源； 清洁等离子气体源；和 蚀刻层蚀刻气体源；控制器，以可控制的方式连接到该气体源和该至少 一 个 电才及，包4舌至少一个处理器；和计算才几可读介质包括用于在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模的计算 机可读代码；用于清洁该斜缘的计算才几可读代码，包括用于提供清洁气体的计算机可读代码，该 清洁气体包4舌C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz 或其组合的至少一个；用于由该清洁气体形成清洁等离子的计算 机可读代码，；以及用于将该斜缘暴露于该清洁等离子的计算机可读代码；用于穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层的计算才几可读代码；和用于去除该光刻胶掩模的计算机可读代码。
27.—种蚀刻基片斜缘的设备，包括 杀牛面蚀刻室，包4舌室壁，形成该4+面蚀刻室外壳；基片支撑件，在该斜面蚀刻室外壳内支撑基片，其 中该基片支撑件直径小于该基片直径；压力调节器，调节斜面蚀刻室外壳中的压力；至少一个电才及，提供功率至该杀+面蚀刻室外壳以维 持等离子；气体入口，将气体提供进该等离子处理室外壳；和气体出口 ，将气体从该斜面蚀刻室外壳排出；气体源，与该气体入口流体连通，其包含清洁气体，该 气体包4舌C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或其组合的至 少一个；以及控制器，以可控制的方式连接到该气体源和该至少 一 个 电才及，包4舌至少一个处理器；和"i十算才几可读介质包4舌用于提供清洁气体的计算机可读代码，该气体 包括C02、 CO、 CxHy、 H2、 NH3、 CxHyFz或其组合 的至少一个；用于由该清洁气体形成清洁等离子的计算机可读代码；和用于利用该清洁等离子清洁该斜缘的计算机可 读代码。
28. 根据权利要求27所述的设备，进一步包括等离子蚀刻室，包括室壁，形成该等离子蚀刻室外壳；基片支撑件，在该等离子蚀刻室外壳内支撑基片；压力调节器，调节该等离子蚀刻室外壳中的压力；至少一个电才及，^是供功率至该等离子蚀刻室外壳以 维持等离子；气体入口，将气体提供进该等离子蚀刻室外壳；和气体出口，将气体从该等离子蚀刻室外壳排出；气体源，与该气体入口流体连通，包4舌蚀刻层蚀刻气体 源；以及控制器，以可控制的方式连4妄到该气体源和该至少 一个 电才及，包4舌至少一个处理器；和 计算4几可读介质包括用于在蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模的计算 才几可读^石马；用于穿过光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层的 计算才几可读代"码；以及用于去除该光刻胶掩模的计算机可读代码。
全文摘要
提供一种蚀刻基片斜缘的方法。在该蚀刻层上形成图案化光刻胶掩模。清洁该斜缘，包括提供清洁气体，其包括CO₂、CO、C_xH_y、H₂、NH₃、C_xH_yF_z和其组合的至少一个；由该清洁气体形成清洁等离子；以及将该斜缘暴露于该清洁等离子。穿过该光刻胶特征将特征蚀刻进该蚀刻层，以及去除该光刻胶掩模。
文档编号H01L21/02GK101506939SQ200780031547
公开日2009年8月12日 申请日期2007年8月21日 优先权日2006年8月25日
发明者安德鲁·贝利三世, 杰克·陈, 金允尚 申请人:朗姆研究公司