低电容过压保护器件的利记博彩app

专利名称：低电容过压保护器件的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种防雷系统中的低电容过压保护的半导体器件，尤指一种主要在高频领域应用的，其电容要求在30pF以下的低 电容过压保护器件。
背景技术：
在各种现代化通信网络设备中，经常会受到意外的电压瞬变的浪涌电流，如雷电、静电放电、电磁辐射等，它们会使通信设备 的性能下降、出现误动作甚至损坏、干扰系统的正常运行、降低装 备的可靠性。在常规P-N结中，越到表面，掺杂浓度越大，而表面的高浓度 掺杂会对器件的电学参数带来了诸多不利影响，如低击穿、表面漏 电、以及大电容等，导致它不适合在高频领域的应用。发明内容为了克服上述不足之处，本实用新型的主要目的旨在提供一种由三个P-N结组成双端四层双向对称结构的低电容过压保护器件。 本实用新型要解决的技术问题是要解决器件中的掺杂类型问题，要解决器件的横截面问题，要解决器件由三个P-N结组成双端四层双向对称结构等有关技术问题。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是该装置由发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件等组成，该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N 2、 P 2、 Nk P ,四层，形成正偏发射结，为J1结，正偏转折结，为J3结，负偏集电结，为J2结；在发射结的外侧刻有铝层A，在 铝层A的外侧设有铜引脚A，在N区的外侧刻有铝层B，在铝层B 的外侧设有铜引脚B;在N区和P区之间设有短路孔；该半导体保 护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。所述的低电容过压保护器件的双端结构为K端和A端。 所述的低电容过压保护器件的半导体器件的横截面或为正方 形或为方形或为其它形状。所述的低电容过压保护器件的短路孔有8个或8个以上。 本实用新型的有益效果是该器件具有三个P-N结组成的双端 四层双向对称结构，主要应用在高频领域，其电容要求在30pF以 下的低电容过压保护器件，不仅大大简化了保护单元的电路，提高 了可靠性，而且降低了成本，该保护器件在未来对通信网络设备的 安全性与可靠性起着不可估量的作用。


以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。附图1是本实用新型纵向结构示意图；附图2是本实用新型图1的左侧部分简明示意图；附图3是本实用新型横向结构示意图；附图4是本实用新型伏安特性曲线示意图；附图中标号说明-IOI —铜引脚A;102—铝层A;103 —发射结；104 —集电结；105 —转折结；106 —铝层B;107 —铜引脚B;108 —短路孔；109 — N区 UO — P区: 400—阻断区起点；401 —阻断区和转折区交点；402 —转折区终点403 —转折区和负阻区交点；404 —导通区终点；具体实施方式
请参阅附图l、 2、 3、 4所示，本实用新型由发射结、集电结、 引脚及引线框架的半导体器件等组成，该芯片由三个P-N结组成双 端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N 2、 P 2、 Ni、 P ,四层，形成正偏发射结103，为J1结，正偏转折结105，为J3结， 负偏集电结104，为J2结；在发射结103的外侧刻有铝层A 102，在 铝层A 102的外侧设有铜引脚A 101，在N区109的外侧刻有铝层B 106， 在铝层B 106的外侧设有铜引脚B 107;在N区109和P区110之间设有 短路孔108;该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架 相连接。所述的低电容过压保护器件的双端结构为K端和A端。 所述的低电容过压保护器件的半导体器件的横截面或为方形或 为其它形状。所述的低电容过压保护器件的短路孔108有8个或8个以上。请参阅附图l、 2、 3所示，该半导体过电压保护器件是双端四 层结构，器件的基本结构如图l所示，P和N表示器件中的掺杂类 型，以其中一个单向可控硅结构为例(图l虚线左侧部分)，器件有 三个P-N结，图1中"103"记为Jl结、"104"记为J2结、"105" 记为J3结，可以参照图2的简明示意图。图1中的"102" ， "106"端是刻的铝层，用来连接铜引脚， 以便连入使用电路。图l的"101" 、 "107"为铜引脚。根据防雷等级要求的不同，器件横向表面积可分为大、中、小 三个档次，为方便生产，该类器件的横截面一般设计成正方形。图3是器件的横向结构示意图，"108"是器件的短路孔，设计 有8个短路孔，图3的"108"对应于图1的"108";图3中"109" 表示器件的N区，对应于图1的"109";图3中"102"表示铝层， 对应于图1中的"102"和"106";图3中的"110"表示P区，对 应于图l中的"110"。由于改器件双向对称的特性，生产工艺上，必须采用双面工艺。 首先，必须采用双面光刻法，刻出器件调整层，然后按照普通半导体生产工艺，依次制造形成P区一 "110";阴极发射区(同时形成短路孔)一 "103" 、 "108" 、 "109";采用台面工艺，形成玻璃钝化 层；最后刻上铝层一 "102" 、 "106"，就可以投入到封装线了。请参阅附图4所示，该类器件是双向对称器件，图4所示为器 件的伏安特性曲线，从图上可以看出，器件具有双向对称的特性曲 线，设有阻断区起点400、阻断区和转折区交点401、转折区终点 402、转折区和负阻区交点403和导通区终点404;针对第一象限， 特性曲线可以划分为400-401阻断区、401-402转折区、402_403负阻 区、403-404导通区这四个区域。以器件正向导通的情况为例(图 三第一象限的模式)，说明其工作原理。当雷电浪涌产生的正向电压(沿PNPN流向)加在器件两端时。J1和J3结正偏，J2结承受反向 电压，其反向漏电流沿着P2基区横向流动，由短路点流向T2电极。 当浪涌电压上升时，J2结反向漏电流增加，P2基区横向电压降随 之增加。 一旦该压降大于J3结的开启电压，器件部分开通，N区向 P2区注入电子，a2开始逐渐增大。当al+a2二l时，器件全面开通， 进入低阻大电流状态。当浪涌电流下降时，al、 a2随之下降。当 浪涌电流小于器件的维持电流时，al+a2〈1，器件自动恢复到高 阻状态。
权利要求1. 一种低电容过压保护器件，该器件有发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件，其特征在于该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N2、P2、N1、P1四层，形成正偏发射结(103)，为J1结，正偏转折结(105)，为J3结，负偏集电结(104)，为J2结；在发射结(103)的外侧刻有铝层A(102)，在铝层A(102)的外侧设有铜引脚A(101)，在N区(109)的外侧刻有铝层B(106)，在铝层B(106)的外侧设有铜引脚B(107)；在N区(109)和P区(110)之间设有短路孔(108)；该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。
2、 根据权利要求l所述的低电容过压保护器件，其特征在于 所述的双端结构为K端和A端。
3、 根据权利要求l所述的低电容过压保护器件，其特征在于 所述的半导体器件的横截面为方形。
4、 根据权利要求l所述的低电容过压保护器件，其特征在于所述的短路孔(108)有8个或8个以上。
专利摘要一种涉及防雷系统中的低电容过压保护的半导体器件，尤指一种主要在高频领域应用的，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件。该装置由发射结、集电结、引脚及引线框架的半导体器件等组成，该芯片由三个P-N结组成双端四层双向对称结构，每一组自上而下依次分别掺杂为N₂、P₂、N₁、P₁四层，在发射结的外侧刻有铝层A，在铝层A的外侧设有铜引脚A，在N区和P区之间设有短路孔；该半导体保护芯片的引脚通过金属引线与引线框架相连接。本实用新型的优点该器件具有三个P-N结组成的双端四层双向对称结构，主要应用在高频领域，其电容要求在30pF以下的低电容过压保护器件，提高了可靠性，降低了成本。
文档编号H01L29/747GK201097401SQ200720072968
公开日2008年8月6日 申请日期2007年7月27日 优先权日2007年7月27日
发明者坚 傅, 张关宝, 张小平, 李怀东, 杨力宏 申请人:上海长园维安电子线路保护股份有限公司