专利名称：利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路制造的方法及装置，且特别是涉及一种利用换气
装置降低光掩膜雾化(haze)的曝光装置及方法。
背景技术：
光掩膜(photomask)普遍用于半导体制造的光刻(photol池ography)工 艺中。光掩膜一般由非常平坦的石英或玻璃制成，其中一面沉积一层铬。在光 刻步骤时，二元式光掩膜(binary mask; BIM)或相移式光掩膜(phase shift mask; PSM)上的图案用于将其影像移转至晶片(wafer)上。然而光掩膜上的污染 物俨然成为问题，例如波长等于或小于248纳米(nanometer; nm)的光刻工 艺中使用的精确度高的光掩膜特别容易受缺陷影响。
光掩膜污染的类型之一是指雾化污染。雾化污染是在曝光过程中为了清除 光掩膜上来自于晶片厂或工具环境中的化学残留物或不纯物而形成的沉淀物。 举例而言，利用含铵离子(NH4+)及硫酸根离子(S042—)的溶液清洗光掩膜 后，光掩膜又暴露于例如波长为248 nm或193 nm的短波紫外光时，就会使污 染变得明显。
护膜框架(pellicle frame)发展多年来，其中引人关注的一个方面就是增 加排气孔(也称为压力释放阀或PRV)。在增加排气孔前，经由空气运送光 掩膜时，会使护膜(pellicle membrane)在低压下充气。护膜膨胀后，有时会 与收纳护膜框架的盒盖接触。这种接触甚至会使得光掩膜在进入制造晶片的无 尘室前，因产生磨损而无法使用。为了减轻该问题，于是在护膜框架钻出小孔， 使护膜内密封的空气与周遭空气之间的压力差获致平衡。在压力平衡过程中， 由于事实上微粒有可能被吸入小孔内而造成压力数值变化不等于零，因此需要 在小孔上覆盖滤材，或将小孔切割成弯曲的路径以穿过护膜框架，抑或二种方 法都使用(如图2所示)。
以能量源激光器(例如紫外光激光器)照射在具有护膜的光掩膜上，会在由护膜与光掩膜表面所限制的空间内产生高能量的环境。从护膜材料中释出的 化学物质、以及在激光曝光过程中产生的高活性氧自由基及臭氧会充斥在前述 环境中，造成光化学反应的理想的温床，而此温床有可能在光掩膜表面引起雾 化缺陷的形成。
因此，亟需针对目前曝光装置及方法提出较佳的换气装置及方法，以降低 光掩膜雾化缺陷的形成。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种降低光掩膜雾化的曝光装置及
方法，其是在印框护膜(framed pellicle)与光掩膜之间利用换气装置导入气流， 进而降低光掩膜雾化缺陷的形成。
为了实现解决上述技术问题及实现本发明的目的，本发明提出一种降低光 掩膜雾化的曝光方法。在一较佳实施例中，该方法包括将印框护膜固定于光 掩膜上，其中印框护膜至少包含护膜框架及与其连接的护膜，且印框护膜具有 第一孔与第二孔，第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，
而第一空间则由光掩膜印框护膜环设而成；以及利用能量源穿过印框护膜及光 掩膜对光刻层曝光时，同时使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护 膜。使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜的步骤可至少包含利用 第二孔与正压力气体源相连。或者，使第一空间内的气体经由第一孔而外流至 印框护膜的步骤至少包含利用第一孔与真空源相连。抑或，使第一空间内的气 体经由第一孔而外流至印框护膜的步骤至少包含含利用第二孔与正压力气体 源相连，且利用第一孔与真空源相连。另一种方式，使第一空间内的气体经由 第一孔而外流至印框护膜的步骤至少包含利用一管路使正压力气体源对外相 连至印框护膜，并且在邻近第一孔处开设一开口，通过管路内的气流产生的吸 力，驱使第一空间内的气体经由第一孔及开口流入管路中。
为了实现解决上述技术问题及实现本发明的目的，本发明还提出一种利用 换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置。在一较佳实施例中，该曝光装置至少包 含一腔室，该腔室配置成容纳基材及光掩膜，其中基材上设有光刻层，光掩膜 上固设有印框护膜，印框护膜包括护膜框架及与其连接的护膜，且印框护膜包 括第一孔与第二孔，第一孔该第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空
5间，而第一空间则由光掩膜与印框护膜环设而成。前述曝光装置还至少包含影 像仪及换气装置，该影像仪配置成使曝光光线经由护膜框架及光掩膜照射于光 刻层上，而影像仪在利用能量源穿过印框护膜及光掩膜对光刻层曝光时，换气 装置同时配置成导引第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜。前述换 气装置可包括以流体连接第一孔的正压力气体源。前述换气装置可包括以流体 连接第二孔的真空源。前述换气装置可包括以流体连接第一孔的正压力气体 源，以及以流体连接第二孔的真空源。前述的曝光装置还可至少包含配置成容 纳基材的容置槽。前述的曝光装置更可至少包含配置成容纳光掩膜的容置槽。 前述换气装置可包括容置槽，且容置槽配置成将光掩膜与印框护膜的至少一个 对准基材。前述换气装置可包括过滤装置，且过滤装置配置成过滤第一空间与 第二空间之间的气流。
为了实现解决上述技术问题及实现本发明的目的，本发明又提出 一种用于 曝光装置的换气装置。在一较佳实施例中，该曝光装置具有腔室及影像仪，其 中腔室配置成容纳基材及光掩膜，基材上设有光刻层，光掩膜上固设有印框护 膜，印框护膜包括护膜框架及与其连接的护膜，且印框护膜包括第一孔与第二 孔，第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，而第一空间则 由光掩膜与印框护膜环设而成，且影像仪配置成使曝光光线经由护膜框架及光 掩膜照射于光刻层上。前述换气装置至少包含气流导向装置，其是在影像仪使 曝光光线穿过印框护膜及光掩膜照射于光刻层的同时，导引第一空间内的气体 经由第一孔而外流至印框护膜。前述气流导向装置可包括配置以流体连接第一 孔的正压力气体源。前述气流导向装置可包括配置以流体连接第二孔的真空 源。前述气流导向装置可包括配置以流体连接第一孔的正压力气体源，以及配 置以流体连接第二孔的真空源。前述气流导向装置还至少包含配置成容纳基材 与光掩膜的至少一个的容置槽。前述气流导向装置还至少包含配置成使光掩膜 与光掩膜护膜的至少一个对基材定位的容置槽。前述气流导向装置可至少包含 过滤第一空间与第二空间之间的气流的过滤装置。
由上可知，应用本发明的曝光装置及方法，其是在印框护膜与光掩膜之间 利用各种换气装置导入气流，可有效降低光掩膜雾化缺陷的形成。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的 限定。
通过下述详细说明并配合所附附图，可使本发明更易了解。需强调的是， 根据业界标准常规，并未依比例绘制各种特征。事实上，为了清楚讨论，各种 特征的尺寸可任意增减。
图1是现有装置的剖面图； 图2是现有装置的立体图3是根据本发明一较佳实施例的一种曝光装置的剖面示意图； 图4是根据本发明另一较佳实施例的曝光装置的剖面示意图； 图5是根据本发明又一较佳实施例的曝光装置之剖面示意图； 图6是根据本发明再一较佳实施例的曝光装置的剖面示意图； 图7是根据本发明所揭露的半导体组件的制造方法中至少一部分的流程 图；以及
图8是根据本发明所揭露的半导体组件的制造方法中至少一部分的流程图。
主要组件符号说明
100:装置440:真空源
105:光掩膜基材445:空间
110:印框护膜500:装置
115:护膜框架505:光掩膜基材
120:护膜510:印框护膜
125:曝光光线515:护膜框架
130:活性化学物质520:护膜
135:缺陷结构525:第一孔
200:装置530:第二孔
205:光掩膜基材535:影像仪
210:印框护膜540:正压力气体源
215:护膜框架542:真空源
220:护膜545:空间
225:孔600:装置300: 305: 310: 315: 320: 325:
330:
335:
340:
345:
400: 405: 410: 415: 420:
425:
430:
435:
光掩膜基材
印框护膜
护膜框架
护膜
第一孔
第二孔
影像仪
正压力气体源 空间
光掩膜基材
印框护膜
护膜框架
护膜
第一孔
第二孔
影像仪
605:光掩膜基材
610:印框护膜
615:护膜框架
620:护膜
625:孔
640:正压力气体源
642:柏努利管路
642a:管路
642b:开口
642c:排气口
645:空间
700:方法
710/720/730/740/750/760:步骤 800:方法
805/810/815/820/825/830/835/840/845:步骤
具体实施例方式
可以理解的是，以下揭露内容提供诸多不同实施例或范例，以实施不同特 征的不同实施例。为简化本揭露内容，以下描述特定例示的组件及安排。然而， 前述特定例示的组件及安排仅为例示，并无意限制本发明的范围。此外，本揭 露内容可在不同实施例中重复组件符号或组件文字。重复的目的在于简化及清 楚，并无意将组件限于上述提及的不同实施例及/或配置之间的关系。再者， 就第一特征形成于第二特征上的叙述而言，其实施例可能包括第一特征与第二 特征形成直接接触，也可能包括其他特征形成于第一特征与第二特征之间，使 得第一特征与第二特征并无直接接触。
请参阅图l，其是现有装置100的剖面图，现有装置100至少包含光掩膜 基材105及固定于光掩膜基材105上的印框护膜110，其中印框护膜110包括护膜框架115及其相连的护膜120。曝光光线125穿过护膜120及光掩膜基材 105，能产生活性化学物质130。活性化学物质130会累积并在光掩膜基材105 上形成雾状物或其它缺陷结构135，而对于曝光步骤有不良影响。
请参阅图2，其是现有装置200的立体图，现有装置200至少包含光掩膜 基材205及固定于光掩膜基材205上的印框护膜210，其中印框护膜210包括 护膜框架215及其相连的护膜220。现有装置200可实质近似于图1所示的现 有装置IOO。然而，有一部分的护膜220未示于图2中，以证明多个孔225包 含于护膜框架215内。印框护膜210内外的空间是通过这些孔225以流体及/ 或其它方式连接或相通。
请参阅图3，其是根据本发明一较佳的曝光装置300的剖面示意图。曝光 装置300是配置用来使能量源穿过固定于光掩膜基材305上的印框护膜310 而对光掩膜基材305曝光。光掩膜基材305及印框护膜310可实质近似于图2 及/或图2所示。举例而言，印框护膜310可包括护膜框架315及其相连的护 膜320，而护膜框架315包括第一孔325及第二孔330。
曝光装置300包括影像仪335及换气装置，而此换气装置至少包含正压力 气体源340。正压力气体源340配置成产生气流以遍布于印框护膜310与光掩 膜基材305内侧的空间345，借此迫使气体进入第一孔325中。由于印框护膜 310与光掩膜基材305内侧定义出的空间345容积实质上为定值，因此被迫由 第一孔325进入空间345的气体就会遍布于空间345内，然后经由第二孔330 排出气体。在图3中，气流以虚线绘示。操作过程中，当影像仪335以能量源 例如波长193 nm或其它波长的紫外光穿过印框护膜310及光掩膜基材305进 行曝光时，换气装置配置成维持气流。结果，在曝光步骤时，利用影像仪335 所产生的任何活性化学物质或其它光激化学物，在沉积于光掩膜基材305上形 成雾状物或以其它方式对曝光步骤有不利影响之前，就会被迫排出空间345。 在一实施例中，正压力气体源340供应的气体为或至少包含氮(N2)、氩(Ar)、 及/或其它惰性气体组成，而且虽以其它流速供应气体也落于本发明的范围内， 不过，气体供应的流速可介于约每分钟1标准立方公分(standard cubic centimeter per minute; sccm)至约1000 seem之间。
请参阅图4，其是根据本发明另一较佳的曝光装置400的剖面示意图。曝 光装置400是配置用来使能量源穿过固定于光掩膜基材405上的印框护膜410而对光掩膜基材405曝光。光掩膜基材405及印框护膜410可实质近似于图1 及/或图2所示。举例而言，印框护膜410可包括护膜框架415及其相连的护 膜420，而护膜框架415包括第一孔425及第二孔430。
曝光装置400包括影像仪435及换气装置，而此换气装置至少包含真空源 440。真空源440是配置成产生气流以遍布于印框护膜410与光掩膜基材405 内侧的空间445，借此经由第二孔430吸出气体。在图4中，气流以虚线绘示。 操作过程中，当影像仪435以波长193 nm或其它波长的能量源穿过印框护膜 410及光掩膜基材405进行曝光时，换气装置配置成维持气流。结果，在曝光 步骤时，利用影像仪435所产生的任何活性化学物质或其它光激化学物，在沉 积于光掩膜基材405上形成雾状物或以其它方式对曝光步骤有不利影响之前， 就会从空间445吸出。在一实施例中，第一孔425会被塞住或过滤，借着真空 源440或借着操作真空源440减少空间445内产生的压力，以避免额外的污染 物被带入空间445中。
请参阅图5，其是根据本发明又一曝光装置500的剖面示意图。曝光装置 500是配置用来使能量源穿过固定于光掩膜基材505上的印框护膜510而对光 掩膜基材505曝光。光掩膜基材505及印框护膜510可实质近似于图1及/或 图2所示。举例而言，印框护膜510可包括护膜框架515及其相连的护膜520， 而护膜框架515包括第一孔525及第二孔530。
曝光装置500包括影像仪535及换气装置，而此换气装置至少包含正压力 气体源540及真空源542。正压力气体源540及真空源542共同配置成合作产 生气流以遍布于印框护膜510与光掩膜基材505内侧的空间545，借此同时迫 使气流通过第一孔525并由第二孔530吸出气体。在图5中，气流以虚线绘示。 操作过程中，当影像仪535以能量源例如波长193 nm或其它波长的紫外光穿 过印框护膜510及光掩膜基材505进行曝光时，换气装置配置成维持气流。结 果，在曝光步骤时，利用影像仪535所产生的任何活性化学物质或其它光激化 学物，在沉积于光掩膜基材505上形成雾状物或以其它方式对曝光步骤有不利 影响之前，就会从空间545被迫排出及/或吸出。在一实施例中，正压力气体 源540供应的气体为或至少包含氮(N2)、氩(Ar)、及/或其它惰性气体组 成。
请参阅图6，其是根据本发明再一曝光装置的剖面示意图。曝光装置600是配置用来使能量源穿过固定于光掩膜基材605上的印框护膜610而对光掩膜 基材605曝光。光掩膜基材605及印框护膜610可实质近似于图1及/或图2 所示者。举例而言，印框护膜610可包括护膜框架615及其相连的护膜620， 而护膜框架615包括多个孔径625。
曝光装置600包括换气装置，而此换气装置至少包含正压力气体源640 及一个以上的"柏努利(Bernoulli)"管路642。每一柏努利管路642包括以 流体连接正压力气体源640的管路642a， 一个以上的入口或与其个别相连的 其它开口 642b，邻近相对应的护膜框架615的孔625，以及排气口 642c。正 压力气体源640配置成引导气流穿过每一管路642a并由相对应的排气口 642c 排出。由于柏努利原理提出，理想流体的流速随着压力减少而增加，气流通过 开口 642b时，孔625附近就会产生低压区。结果，因为印框护膜610与光掩 膜基材605内侧的空间645的压力高过前述低压区，气体就会从空间645经由 孔625及开口 642b而进入管路642a。在图6中，气流以虚线绘示。操作过程 中，当影像仪(其也为装置600的组件，不过为清楚的目的而未示于图6中) 以能量源例如波长193 nm或其它波长的紫外光穿过印框护膜610及光掩膜基 材605进行曝光时，换气装置配置成维持抽吸或真空效果。结果，在曝光步骤 时，利用影像仪所产生的任何活性化学物质或其它光激化学物，在沉积于光掩 膜基材605上形成雾状物或以其它方式对曝光步骤有不利影响之前，就会从空 间645被迫排出。在一例示实施例中，正压力气体源640供应的气体为或至少 包含氮(N2)、氩(Ar)、及/或其它惰性气体组成。
在本发明所揭露内容范围内前述或其它方面描述图3至图6的一个以上的 实施例中，印框护膜的孔数可多于上述附图孔数。再者，前述任何实施例的气 体流速在不脱于本发明所揭露内容的范围内均可以改变。举例而言，本发明所 揭露内容范围内前述或其它方面提及一个以上正压力气体源所提供的气体流 速，可介于约1 sccm至约1000sccm之间。气体可为或至少包含一种以上惰性 气体，除了其它惰性气体之外，可例如氮(N2)或氩(Ar)。本发明所揭露内 容范围内的光掩膜基材也可以改变。在一实施例中，光掩膜基材可为石英基材， 其上设有铬(Cr)图案。
本发明所揭露内容范围内的换气装置也可以配置成协助光掩膜基材及/或 印框护膜进行对准。举例而言，在图6所示的实施例中，曝光装置600的柏努利管路642、正压力气体源640及/或其它组件可配置成容纳印框护膜610的容 置槽，如此一来，当设置印框护膜610的孔625以流体连接柏努利管路642 的开口 642b时，印框护膜610可正确对准以由影像仪进行曝光步骤。
再者，本发明所揭露内容的投影式曝光装置或"影像仪"至少包含光源为 能量源的装置，例如紫外光源的装置，其光源为例如为氟准分子激光。然而， 其它影像装置也为本发明所揭露内容范围内。
请参阅图7，其是根据本发明所揭露内容的一个实施例的半导体组件的制 造方法700中至少一部分的流程图。该方法700为上述一较佳实施例的实施方 法。该方法700可包括步骤710，其中步骤710是设计线路以设计组件的功用 及效能。该方法700还额外或选择性包括步骤720，其中步骤720可能基于设 计线路的步骤710，而形成一个以上的光掩膜。该方法700还额外或选择性包 括步骤730，其中步骤730是形成基材，可能形成组件的基本部分。
该方法700包括晶圆处理的步骤740，其是利用本发明所揭露内容范围内 前述或其它方面描述的曝光装置，例如图3至图6的曝光装置的任一个，以在 基材上暴露出光掩膜图案。举例而言，光掩膜图案暴露于基材上时，可同时迫 使气体通过印框护膜及/或从印框护膜吸出气体，以减少或排除雾状物或其它 缺陷形成于光掩膜上。此方法700更额外或选择性包括组件组装之步骤750， 除了其它步骤外，步骤750尚包括切割、黏结及/或包覆等。此方法700更额 外或选择性包括检测步骤760。
请参阅图8，其是根据本发明所揭露内容的一个实施例的半导体组件的制 造方法800中至少一部分的流程图。该方法800为上述实施例的实施方法。该 方法800可包括步骤805，其中步骤805是氧化晶片表面。在另一步骤810中， 可利用例如气相沉积法及/或其它工艺，在晶片表面形成绝缘层。在另一步骤 815中，可利用例如气相沉积法及/或其它工艺，在晶片表面形成电极。在另一 步骤820中，可在晶片中注入离子。在另一步骤825中，可在晶片上涂布感光 剂。
在另一步骤830中，可利用本发明所揭露内容范围内前述或其它方面描述 的曝光装置，例如图3至图6的曝光装置的任一个，将线路图案转移至晶片上。 举例而言，转移线路图案至晶片时，可同时迫使气体通过印框护膜及/或从印 框护膜吸出气体，以减少或排除雾状物或其它缺陷形成于光掩膜上。在另一步骤835中，可对曝光的晶片进行显影。在另一步骤840中，除了 经显影的光刻影像外的光刻可经蚀刻。在另一步骤845中，任何残留不必要的 光刻可经蚀刻后而加以移除。可重复步骤805至步骤840的组合，可能依图8 箭头所指的顺序，在晶片上形成多层线路图案，不过其它顺序或其它序列的步 骤也包含于本发明所揭露内容的范围内。
基于以上观点，本发明显然提出一种降低光掩膜雾化的曝光方法。在一较 佳实施例中，该方法包括将印框护膜固定于光掩膜上，其中印框护膜至少包 含护膜框架及与其连接的护膜，且印框护膜具有第一孔与第二孔，第一孔与第 二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，而第一空间则由光掩膜印框护 膜环设而成；以及利用能量源穿过印框护膜及光掩膜对光刻层曝光时，同时使 第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜。使第一空间内的气体经由第 一孔而外流至印框护膜的步骤可至少包含利用第二孔与正压力气体源相连。或 者，使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜的步骤至少包含利用第 一孔与真空源相连。抑或，使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜 的步骤至少包含含利用第二孔与正压力气体源相连，且利用第一孔与真空源相 连。另一种方式，使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜的步骤至 少包含利用一管路使正压力气体源对外相连至印框护膜，并且在邻近第一孔处 开设一开口，通过管路内的气流产生的吸力，驱使第一空间内的气体经由第一 孔及开口流入管路中。
本发明还提供一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，该曝光设备 至少包含一腔室，该腔室配置成容纳基材及光掩膜，其中基材上设有光刻层， 光掩膜上固设有印框护膜，印框护膜包括护膜框架及与其连接的护膜，且印框 护膜包括第一孔与第二孔，第一孔该第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第 二空间，而第一空间则由光掩膜与印框护膜环设而成的。前述曝光设备还至少 包含影像仪及换气装置，该影像仪配置成使曝光光线经由护膜框架及光掩膜照 射于光刻层上，而影像仪在利用能量源穿过印框护膜及光掩膜对光刻层曝光 时，换气装置同时配置成导引第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护 膜。前述换气装置可包括以流体连接第一孔的正压力气体源。前述换气装置可 包括以流体连接第二孔的真空源。前述换气装置可包括以流体连接第一孔的正 压力气体源，以及以流体连接第二孔的真空源。前述的曝光装置还可至少包含配置成容纳基材的容置槽。前述的曝光装置还可至少包含配置成容纳光掩膜之 容置槽。前述换气装置可包括容置槽，且容置槽配置成将光掩膜与印框护膜的 至少一者对准基材。前述换气装置可包括过滤装置，且过滤装置配置成过滤第 一空间与第二空间之间的气流。
本发明还采用一种用于曝光装置的换气装置，该曝光装置具有腔室及影像 仪，其中腔室配置成容纳基材及光掩膜，基材上设有光刻层，光掩膜上固设有 印框护膜，印框护膜包括护膜框架及与其连接的护膜，且印框护膜包括第一孔 与第二孔，第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，而第一 空间则由光掩膜与印框护膜环设而成的，且影像仪配置成使曝光光线经由护膜 框架及光掩膜照射于光刻层上。前述换气装置至少包含气流导向装置，其系在 影像仪使曝光光线穿过印框护膜及光掩膜照射于光刻层之同时，导引第一空间 内的气体经由第一孔而外流至印框护膜。前述气流导向装置可包括配置以流体 连接第一孔的正压力气体源。前述气流导向装置可包括配置以流体连接第二孔 的真空源。前述气流导向装置可包括配置以流体连接第一孔的正压力气体源， 以及配置以流体连接第二孔的真空源。前述气流导向装置还至少包含配置成容 纳基材与光掩膜的至少一个的容置槽。前述气流导向装置还至少包含配置成使 光掩膜与光掩膜护膜的至少一个对基材定位的容置槽。前述气流导向装置可至 少包含过滤第一空间与第二空间之间的气流的过滤装置。
以上是概述数个实施例的特征，借此使本发明所属技术领域的技术人员更 加了解本发明。本发明所属技术领域的技术人员当可体会到，能轻易以本发明 所揭露内容为基础，设计或修饰其它工艺及结构，以实行及/或达成与此处采 用的实施例相同的目的及/或优点。本发明所属技术领域的技术人员应也可理 解到前述均等结构并不脱离本发明的精神和范围内，且理解到他们在不脱离本 发明的精神和范围内，可为各种的更动、替代与润饰，因此本发明的保护范围 当以后附的权利要求书为准。
权利要求
1、一种降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，至少包含将一印框护膜固定在该光掩膜上，其中该印框护膜至少包含一护膜框架及与该护膜框架连接的一护膜，且该印框护膜具有一第一孔与一第二孔，该第一孔与该第二孔均连接一第一空间与该印框护膜外的一第二空间，而该第一空间则由该光掩膜与该印框护膜环设而成的；以及利用能量源穿过该印框护膜及该光掩膜对该光刻层曝光时，同时使该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜。
2、 根据权利要求l所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含利用该 第二孔与一正压力气体源相连。
3、 根据权利要求l所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该 第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含利用该 第一孔与一真空源相连。
4、 根据权利要求1所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含利用该第二孔与一正压力气体源相连；以及 利用该第一孔与一真空源相连。
5、 根据权利要求l所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该 第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含利用一管路使一正压力气体源对外相连至该印框护膜；以及 在邻近该第一孔处开设一开口，借由该管路内的气流产生的一吸力，驱 使该第一空间内的气体经由该第一孔及该开口流入该管路。
6、 根据权利要求l所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该 能量源为紫外光。
7、 一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，至少包含一腔室，该腔室配置成容纳一基材及一光掩膜，其中该基材上设有一光 刻层，该光掩膜上固设有一印框护膜，该印框护膜包括一护膜框架及与该护膜框架连接的一护膜，且该印框护膜包括一第一孔与一第二孔，该第一孔与 该第二孔均连接一第一空间与该印框护膜外的一第二空间，而该第一空间则 由该光掩膜与该印框护膜环设而成；一影像仪，该影像仪配置成使一曝光经由该护膜框架及该光掩膜照射于该光刻层上；以及一换气装置，在该影像仪利用能量源穿过该印框护膜及该光掩膜对该光 刻层曝光时，同时该换气装置配置成导引该第一空间内的气体经由该第一孔 而外流至该印框护膜。
8、 根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其 特征在于，该换气装置包括以流体连接该第一孔的一正压力气体源。
9、 根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其 特征在于，该换气装置包括以流体连接该第二孔的一真空源。
10、 根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置， 其特征在于，该换气装置包括以流体连接该第一孔的一正压力气体源，以及 以流体连接该第二孔的一真空源。
11、 根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置， 其特征在于，还至少包含配置成容纳该基材的一容置槽。
12、 根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置， 其特征在于，还至少包含配置成容纳该光掩膜的一容置槽。
13、 根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置， 其特征在于，该换气装置包括一容置槽，且该容置槽配置成将该光掩膜与该 印框护膜的至少一个对准该基材。
14、 根据权利要求13所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置， 其特征在于，该换气装置包括一过滤装置，且该过滤装置配置成过滤该第一 空间与该第二空间之间的气流。
15、 根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置， 其特征在于，其中该能量源为紫外光。
全文摘要
本发明涉及一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法，其是将印框护膜固定于光掩膜上，该印框护膜至少包含护膜框架及与其连接的护膜，印框护膜具有第一孔与第二孔，第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，而第一空间由光掩膜与印框护膜环设而成的。在利用能量源穿过印框护膜及光掩膜对光刻层曝光的同时，使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜。
文档编号H01L21/027GK101295138SQ200710199060
公开日2008年10月29日 申请日期2007年12月7日 优先权日2007年4月25日
发明者游秋山 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司