制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统的利记博彩app

专利名称：制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统的利记博彩app
技术领域：
本发明总地涉及一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造 系统。更特别地，本发明涉及在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少腐蚀性 物质的产生。
背景技术：
随着LCD的尺寸增大，为了增大开口率和改善LCD的质量，需要减小 薄膜晶体管(TFT)基板的栅极和源极/漏极布线的电阻以及确保以微尺度形 成各布线的方法。
为了进行这样的改进，当制造TFT基板时，多层薄金属膜可用于栅极和 源极/漏极布线。薄金属膜被干法蚀刻且被清洁。
然而，在干法蚀刻和清洁薄金属膜的工艺期间，残存在薄金属膜上的蚀 刻气体产生了由金属氧化物引起的腐蚀性物质。这样的腐蚀性物质导致了有 舉陷的LCD。

发明内容
本发明提供一种制造TFT基板的方法，其中可减少腐蚀性物质的产生。
本发明还提供使用上述方法制造TFT基板的系统。
本发明的附加特征将在下面的描述中被阐明，且将部分地从该描述而变 得明显，或者可以通过实践本发明而领悟。
本发明公开一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括提供蚀刻单 元和绝缘基板，该绝缘基板包括薄金属膜，且干法蚀刻该绝缘基板以形成电 路图案；为等待清洁的绝缘基板提供等待单元；在绝缘基板等待时，通过具 有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基 于检查结果执行关于绝缘基板的主清洁操作。
本发明还公开一种制造薄膜晶体管基板的系统，该系统包括用于干法蚀 刻绝缘基板和沉积在该绝缘基板上的薄金属膜以形成电路图案的蚀刻单元；
用于从蚀刻单元接收该绝缘基板的等待单元；包含多个喷嘴的清洁单元，该
清洁单元用于从等待单元接收该绝缘基板且执行主清洁操作；位于等待单元 和清洁单元之间用于传送该绝缘基板的传送单元；以及当该绝缘基板在等待 单元中等待时控制清洁单元执行初步清洁操作的控制单元，该控制单元检查 该清洁单元是否正常操作且基于检查结果决定该绝缘基板的主清洁操作。
应理解，前面的概括描述和下面的详细描述都是示范性和说明性的，意 在提供对要求保护的本发明的进一步说明。


附图被包括来提供对本发明的进 一 步理解且被引入并构成本说明书的 一部分，附图示出本发明的实施例，且与说明书文字部分一起用于说明本发 明的原理。
图1是示出制造LCD的工艺的流程图。
图2是示出根据本发明 一 示范性实施例制造TFT基板的方法的流程图。 图3是示出用于图2所示的方法的制造系统的框图。 图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13和图 14是示出根据本发明一示范性实施例制造TFT基板的方法的中间结构的截面图。
图15、图16、图17、图18和图19是示出在才艮据本发明另一示范性实 施例的制造TF T基板的方法中的中间结构的截面图。
具体实施例方式
下面参照附图更充分地描述本发明，附图中示出本发明的实施例。然而， 本发明可以以许多不同形式体现，且不应解释为局限于这里提出的实施例。 相反地，提供这些实施例以使得公开是彻底的，且将向本领域技术人员充分 传达本发明的范围。附图中，为了清楚而可放大层和区域的尺寸和相对尺寸。 附图中相似的附图标记表示相似的元件。
应理解，当提及元件或层在另一元件或层"上"或"连接到"另一元件 或层时，其能直接在另一元件或层上或直接连接到另一元件或层，或者可存 在居间元件或层。相反，当提及元件"直接"在另一元件或层"上"或"直 接连接到"另一元件或层时，没有居间元件或层存在。
图1是示出制造LCD的工艺的流程图。
参照图1，制造LCD的工艺包括TFT工艺(SIO)、 C/F工艺(S20)、 液晶单元工艺(S30)和模块工艺(S40)。
在TFT工艺(S10 )期间，可通过在绝缘基板上形成TFT和像素电极来 制造TFT基板。在C/F工艺(S20)期间，可通过在绝缘基板上形成滤色器 (CF)和公共电极来制造滤色器基板。在液晶单元工艺(S30)期间，分別 在TFT工艺(S0)和C/F工艺(S20)期间制造的TFT基板和滤色器基板 彼此结合，在他们之间有间隙，液晶注入在他们之间从而制造液晶面板。在 模块工艺(S40)期间，在液晶单元工艺(S30)期间制造的液晶面板耦合到 另一模块以完成LCD。
上述工艺的每个可包括多个详细步骤。例如，TFT工艺(S10)可包括 用于薄膜形成、沉积、光刻和蚀刻的步骤，其在制造硅半导体的工艺的情况 下被重复，以及在每个步骤之前和之后执行的检查和清洁步骤。
现在将参照图2至19详细描述TFT工艺。
图2是示出根据本发明一示范性实施例制造TFT基板的方法的流程图， 图3是示出使用图2所示的方法的制造系统的框图。
参照图2,制造TFT基板的方法包括在基板上沉积薄金属膜的步骤 (Slll)、蚀刻薄金属膜的步骤(S112)、基板等待被清洁的步骤(S113)、 初步清洁步骤(S114)和主清洁步骤(S116)。该方法还可包括在初步清洁 步骤(S114)和主清洁步骤(S116)之间决定清洁操作是否如期望地进行的 步骤(S115)。蚀刻薄金属膜的步骤(S112)可重复进行。
参照图3，用于制造TFT基板的系统200可包括蚀刻单元110、等待单 元120、传送单元130、清洁单元140和控制单元150。控制单元150可包括 检测部分(sensing portion) 151、驱动部分152、测量/比较部分153和控制 部分154。清洁单元140可具有用于喷淋清洁液体的多个喷嘴(未示出)。
现在将参照图2和图3更详细地描述制造TFT基板的系统200的操作。
依照预定方法例如溅射，在基板例如由透明玻璃或塑料制成的绝缘基板 上沉积薄金属膜(Sill )。
在沉积薄金属膜之后，基板移到蚀刻单元110以蚀刻所沉积的薄金属膜 (SU2)。蚀刻薄金属膜的方法可包括干法蚀刻和湿法蚀刻。在本示例性实 施例中，采用干法蚀刻以在微尺度上控制薄金属膜的蚀刻深度。在蚀刻期间
使用的气体可以是Cl基气体。然而，在本发明中气体的类型不限于此，且
可选自C1、 HCL、 BC1、 SF6、 CF4、以及这些气体的至少两种的组合。
在被独刻之后，基板移到等待单元120,在其中基板等待被清洁(S113 )。 蚀刻单元110和等待单元120可以是真空室。
当基板在等待单元120中等待被清洁时(S113),清洁单元140被驱动 预定时间以执行初步清洁操作(S114)。更特别地，当在蚀刻后基板从蚀刻 单元110移到等待单元120时，控制单元150的检测部分151检测等待单元 120内的基板且提供对应信号给驱动部分152。检测部分151可以是发光/光 接收二极管。
接收到来自检测部分151的信号后，在基板移到清洁单元140之前驱动 部分152驱动清洁单元140预定时间以进行初步清洁操作，即通过多个喷嘴 喷淋清洁液体约1-5秒(S114)。
然后控制单元150决定清洁单元140是否正常操作(S115)。特别地， 控制单元150的测量/比较部分153测量在清洁单元140的初步清洁操作期间 喷淋的清洁液体的量，且将所测量的量与参考值比较。基于来自测量/比较部 分153的结果，控制部分154决定是否传送基板。
当通过测量/比较部分153测量的清洁液体的量小于参考值时，控制部分 154不驱动传送单元130，而是使基板在等待单元120内等待。在纠正清洁 单元140的反常操作(如果有的话)之后，再次执行清洁单元140的初步清 洁操作(S114)。现在可执行基板的主清洁(S116)。
当通过测量/比较部分153测量的清洁液体的量基本等于或大于参考值 时，控制部分154^吏基板传送到清洁单元140。控制部分154基于来自测量/ 比较部分153的结果驱动传送单元130。然后，传送单元130将基板从等待 单元120移至清洁单元140。
这样，已被蚀刻单元IIO蚀刻的基板在经历清洁工艺之前在维持在真空 的等待单元120中等待。这减少了用于清洁工艺的基板暴露到空气的时间， 且因此减少了残余在薄金属膜表面上的气体产生的腐蚀性物质的量。
传送单元130可以是机械臂。
清洁单元140从传送单元130接收基板且执行主清洁操作(S116)。通 过清洁单元140的喷嘴喷淋的清洁液体可以是高温去离子(DI)水，但是本 发明的清洁液体不限于此。清洁单元140可通过使用具有约80-IO(TC温度的
I)I水执行关于被蚀刻的基板的主清洁操作(S116)。
虽然图中未示出，但是额外的传送单元130可位于蚀刻单元IIO和等待 单元120之间以传送基板。
现在将参照图2至图14更详细地描述上述制造TFT基板的方法。图4 至图14是示出根据本发明 一 示范性实施例制造TFT基板的方法的中间结构 的截面图。将参照图4至图14以及图2和3描述当前的示例性实施例。为 了清楚，在下面的描述中假定使用四个掩模来制造TFT基板。图2所示的根 据本发明一示例性实施例制造TFT基板的方法应用于形成需要微尺度布线 图案的T厂r基板的数据布线的工艺。然而，本领域技术人员能够容易地理解， 本发明不限于该假设，且还适用于形成栅极布线的工艺。
参照图4,栅导电层通过预定方法(例如溅射)堆叠在绝缘基板10的前 表面上，且经历光刻以形成斥册极布线，4册极布线包括栅极线(未示出)、栅 极电极24和维持电极线(未示出)。栅极线、栅极电极24和维持电极线可 由包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti )、钽(Ta )、 或其合金的单层或多层制成。栅导电层可通过上述方法即湿法蚀刻或干法蚀 刻而,皮々虫刻。
参照图2、图4和图5,在图4所示产物的前表面上形成栅极绝缘膜30、 未掺杂非晶硅层40和掺杂非晶硅层50。例如，化学气相沉积(CVD)或等 离子体增强化学气相沉积(PECVD )可在该步骤期间被使用且被操作作为持 续沉积或临场(in situ)的一部分。
栅极绝缘膜30可由氮化硅(SiNx)制成且可具有约1500-5000埃的沉 积厚度。未掺杂非晶硅层40可由非晶硅氢化物制成且可具有约500-2000埃 的沉积厚度。掺杂非晶硅层50可由被掺杂以高水平n型杂质的n+非晶硅氢 化物制成，具有约300-600埃的沉积厚度。
其后，如上所述，在掺杂非晶硅层50上沉积由薄金属膜制成的数据导 电层60(S111)。数据导电层60可由包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼 (Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、或其合金的单层或多层形成。优选地， 数据导电层60由能被千法蚀刻的物质形成。例如，数据导电层60可由钼或 钛的单层，钛/铝双层，或者钛/铝/钛、钛/铝/氮化钛、或钼/紹/钼三层形成。 然而，数据导电层60可由各种材料形成，它可具有各种分层结构。可通过 賊射沉积数据导电层60。
参照图5和图6,在数据导电层60上设置光致抗蚀剂膜。光致抗蚀剂膜 可由包4舌光致酸生成剂(photo acid generator, PAG)的正型光致抗蚀剂和/ 或包括光激活交联剂(photo active crosslinker, PAC)的负型光致抗蚀剂形 成。为了在随后工艺中更精确地构图，考虑到图案外侧的倾斜角接近于直角， 可使用负型光致抗蚀剂。
然后光致抗蚀剂膜被曝光和显影以定义布线部分、具有第一厚度T,的 第一区域、沟道部分和具有第二厚度丁2的第二区域。这提供了第一光致抗 蚀剂图案IOO。第二厚度丁2比第一厚度T,小。第一光致抗蚀剂膜100的第 一和第二厚度T,和丁2之间的比率取决于蚀刻工艺(稍后描述)所需的工艺 条件。为了形成具有不同厚度的第一光致抗蚀剂图案100,可以使用狭缝掩 模(slit mask )或半色调4奄冲莫(halftone mask )。
参照图2、图3、图6和图7,第一光致抗蚀剂图案100用作蚀刻掩模以 蚀刻暴露的数据导电层60且形成图案化数据导电层61 ( S112)。可干法蚀刻 数据导电层60。特别地，其上形成有数据导电层60和第一光致抗蚀剂图案 100的绝缘基板10移到蚀刻单元110，蚀刻单元10使用Cl基气体并蚀刻数 据导电层60从而形成图案化数据导电层61。所得图案化数据导电层61可具 有包括源极和漏极电极65和66的数据布线(稍后描述)类型。
参照图2、图7和图8，使用图7所示产物以蚀刻暴露的掺杂非晶硅层 50和未掺杂非晶硅层40,从而形成电阻接触层图案51和半导体层图案41 (S112)。第一光致抗蚀剂图案100可以如图7所示的情况类似地用作蚀刻 掩模。本示例性实施例中的蚀刻工艺与上述用于蚀刻数据导电层60的工艺 基本相同，这里将省略其重复描述。
参照图8和图9,图8所示的第一光致抗蚀剂图案10(H皮回蚀刻以形成 第二光致抗蚀剂图案101。特别地，移除第一光致抗蚀剂图案100的第二区 域从而所得第二光致抗蚀剂图案101仅具有第一区域。第二光致抗蚀剂图案 101的第一区域的厚度可小于第一光致抗蚀剂图案100的第一区域。然后， 执行灰化以从沟道区域中数据导电层60的表面移除第一光致抗蚀剂图案 100的残余物。
参照图2、图9和图10，第二光致抗蚀剂图案101用作蚀刻掩模以蚀刻 图案化数据导电层61且形成具有沟道区域的数据布线，例如包括数据线(未 示出)、源极电极65和漏极电极66的数据布线(S112 )。本示例性实施例的蚀刻工艺可以以与上述蚀刻数据导电层60的工艺以及蚀刻非晶硅层50和未 掺杂非晶硅层40的工艺基本相同的方式进行。
参照图2、图10和图11,还进行蚀刻工艺以在沟道区域中移除并分隔 开电阻接触层图案51从而完成电阻接触层55和56 (S112)。为了完成电阻 接触层55和56在沟道区域中的分隔，可部分地过蚀刻在下面的半导体层图 案41以形成半导体层44。尽管这可以通过使用与蚀刻图案化数据导电层61 的气体(例如Cl基气体)相同的气体而连续地进行(即以批处理方式)，但 是为了方便，还可以使用除了图10所示的步骤中使用的气体之外的气体以 实现更精确的控制和更迅速的处理，或者可采用其他蚀刻条件。
上面的步骤完成了数据布线，其包括数据线(未示出)、源极电极65和 漏极电极66。
参照图2、图3和图11，在蚀刻工艺结束之后，绝缘基板10从蚀刻单 元U0移至等待单元120,绝缘基板IO在其中等待被清洁(S113)。应注意， 上述蚀刻工艺可在维持真空的蚀刻单元110内以批处理方式进行。在用于形 成数据布线的蚀刻工艺之后，在所有蚀刻工艺结束后执行清洁工艺。
如图11所示，在被蚀刻薄金属膜(例如数据布线)的截面上可残余有 气体(例如C1气体)。当绝缘基板IO在清洁期间暴露到空气时，Cl气体可 产生腐蚀性物质，例如铝氬化物(Al(OH)3),如下面给出的反应定义的那样。
A1 + C1仏"> HC1 + A1(0H)3
虑及此，根据本示例性实施例，用于测试清洁单元140的操作的初步清 洁步骤(S114)位于用于清洁被蚀刻的绝缘基板10的主清洁步骤(S116) 之前。这缩短了绝缘基板IO暴露到空气的时间。
更特别地，当绝缘基板IO在等待单元120中等待被清洁(S113)时， 清洁单元140进行初步清洁操作(S114)。控制单元150纟全查清洁单元140 的清洁操作(SU5)。如果清洁操作正常，则绝缘基板IO通过传送单元130 移至清洁单元140并经历主清洁操作(S116X如果清洁操作不正常，则绝 缘基板IO保留在等待单元120中(S113)。
如上所述，这最小化了绝缘基板10在清洁期间暴露到空气的时间，且 减少了形成在被蚀刻的薄金属膜例如数据布线上的腐蚀性物质。
虽然未在图2中示出，但是在绝缘基板10的主清洁操作(S116)之后 可执行用于干燥残余在绝缘基板10上的清洁液体的工艺。
参照图11和图12,在清洁绝缘基板10之后，通过使用光致抗蚀剂图案 剥离剂从绝缘基板10完全移除第二光致抗蚀剂图案101。
参照图12和图13，通过使用CVD或PECVD在图12所示产物的前表 面上堆叠保护膜70。
图案化保护膜70以形成部分地暴露漏极电极66的接触孔76。
最后，参照图13和图14，具有400-500埃厚度的导电膜(例如ITO层) 堆叠在图13所示的产物上且被构图以形成连接到漏极电极66的像素电极 82。这完成了如图14所示的TFT基板。
虽然已经参照用于TFT基板的四掩模工艺描述了根据本发明一示例性 实施例的制造TFT基板的方法，但是本发明不以任何方式局限于此。现在将 参照用于TFT基板的五掩模工艺描述根据本发明另一示例性实施例的制造 'n'T基板的方法。
图15至图19是示出根据本发明另一示例性实施例制造TFT基板的方法 的中间结构的截面图。
如图4所示，在绝缘基板10上形成栅极布线，其包括栅极线(未示出)、 栅极电极24和维持电极线(未示出)。
参照图15,在绝缘基板10的前表面上形成栅极绝缘膜30、未掺杂非晶 硅层40和掺杂非晶硅层50以覆盖栅极电极24。形成栅极布线、栅极绝缘膜 30、未掺杂非晶硅层40和掺杂非晶硅层50的方法可基本类似于关于前面的 示例性实施例描述的方法。
参照图15和图16,蚀刻掺杂非晶硅层50和未掺杂非晶硅层40以形成 电阻接触层图案51和半导体层图案41。特别地，光致抗蚀剂膜被应用到图 15所示的产物，且通过光刻/蚀刻工艺被构图。所得光致抗蚀剂膜用作蚀刻 掩模以通过千法蚀刻工艺蚀刻掺杂非晶硅层50和未掺杂非晶硅层40，但是 蚀刻类型不限于此。
参照图2、图16和图17，在图16所示产物上沉积数据导电层60(S1U)。 如上所述，数据导电层60可由包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Mo)、 铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、或其合金的单层或多层形成。
光致抗蚀剂膜设置在所沉积的数据导电层60上且被图案化以形成第三 光致抗蚀剂图案103，其可被图案化以暴露数据导电层60的沟道区域。
参照图2、图3、图17和图18，第三光致抗蚀剂图案103用作蚀刻掩模
以蚀刻暴露的数据导电层60以形成具有沟道区域的数据布线，例如包括数
据线(未示出)、源极电极65和漏极电极66的数据布线(S112)。特别地， 其中形成有数据导电层60和第三光致抗蚀剂图案103的绝缘基板IO移到蚀 刻单元110,其使用气体(例如C1基气体)干法蚀刻数据导电层60且形成
数据布线。
参照图2、图3、图18和图19，还进行蚀刻工艺以在沟道区域中移除并 分隔开电阻接触层图案51从而完成电阻接触层55和56 (S112)。为了在沟 道区域中完全分隔电阻接触层55和56,可部分地过蚀刻在下面的半导体层 图案41以形成半导体层44。
如上参照图11所述，气体(例如C1气体)可残余在被蚀刻的数据布线 的截面上。因此，执行清洁工艺以移除残余在数据布线的截面上的气体。
特别地，在绝缘基板IO被蚀刻单元IIO蚀刻之后，其移至等待单元120 且等待被清洁(S113)。在这期间清洁单元140执行初步清洁操作(S114)。 然后控制单元15(H全查清洁单元140的清洁操作(S115)。如果清洁操作正 常，则绝缘基板10通过传送单元130传送至清洁单元140从而能执行主清 洁操作(S116)。如果清洁单元140的清洁操作不正常，则绝缘基板10在等 待单元120中等待时(S113)纠正反常的操作。然后工艺从初步清洁操作 (S114)继续。
如上所述，这最小化了绝缘基板10在清洁期间暴露到空气的时间，且 减少了形成在被蚀刻的数据布线上的腐蚀性物质。
清洁工艺结束后，绝缘基板10经历与参照图12、 13和14描述的制造 T1T基板的工艺基本相同的工艺。这完成了如图14所示的TFT基板。
如上所述，本发明的制造TFT基板的方法和在该方法中使用的制造系统 具有如下优点。
第一，可以减少在制造TFT基板的工艺期间腐蚀性物质的产生。这降低
了 LCD的缺陷率。
第二，在制造工艺期间能有效地安排TFT基板等待被清洁的时段。
对本领域技术人员显然的是，在本发明中可进行各种修改和变型而不偏
离本发明的思想和范围。因此，本发明意在覆盖发明的修改和变型，只要他
们落在所附权利要求及其等价物的范围内。
权利要求
1、一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括提供蚀刻单元和包括薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。
2、 根据权利要求1所述的方法，其中执行该初步清洁操作包括 在该等待单元中检测该绝缘基板；当该绝缘基板在该等待单元中时，通过该清洁单元的喷嘴喷淋清洁液体 以执行该初步清洁操作；和观'J量在该初步清洁操作期间喷淋的该清洁液体的量且将该量与参考值比较。
3、 根据权利要求2所述的方法，其中通过该清洁单元执行该初步清洁 操作，且当该清洁单元未被提供有该绝缘基板时，通过喷嘴喷淋该清洁液体 约1-5秒。
4、 根据权利要求2所述的方法，其中当测量的该清洁液体的量基本等 于或大于参考值时，该绝缘基板被传送到该清洁单元以用于该主清洁操作。
5、 根据权利要求2所述的方法，其中当测量的该清洁液体的量小于参 考值时，该绝缘基板保留在该等待单元中。
6、 根据权利要求2所述的方法，其中该清洁液体是高温去离子水。
7、 根据权利要求1所述的方法，其中当通过该蚀刻单元干法蚀刻该绝 缘基板时使用Cl基气体。
8、 根据权利要求1所述的方法，其中该蚀刻单元和该等待单元处于真 空状态。
9、 根据权利要求1所述的方法，其中该薄金属膜具有包含Al的多层结构。
10、 根据权利要求9所述的方法，其中该薄金属膜是Al/Mo双层膜或 Mo/Al/Mo三层膜。
11、 根据权利要求1所述的方法，还包括在干法蚀刻该绝缘基板以形成 该电路图案之前在该绝缘基板的上表面上形成栅极布线和栅极绝缘膜，该电 路图案是形成在该栅极绝缘膜的上部分上的数据布线。
12、 一种用于制造薄膜晶体管基板的系统，该系统包括蚀刻单元，用于干法蚀刻绝缘基板和沉积在该绝缘基板上的薄金属膜以形成电路图案；等待单元，用于从该蚀刻单元接收该绝缘基板；包含多个喷嘴的清洁单元，该清洁单元用于从该等待单元接收该绝缘基板且执行主清洁操作；位于该等待单元和该清洁单元之间以传送该绝缘基板的传送单元；以及 当该绝缘基板在该等待单元中等待时控制该清洁单元执行初步清洁操作的控制单元，该控制单元用于检查该清洁单元是否操作正常且基于检查结果决定该绝缘基板的主清洁操作。
13、 根据权利要求12所述的系统，其中该控制单元包括 当该绝缘基板在该等待单元中时用于检测的检测部分； 当该绝缘基板在该等待单元中时用于开始该清洁单元的该初步清洁操作的驱动部分；用于测量通过该清洁单元的该喷嘴喷淋的清洁液体的量且将该量与参 考值比较的测量/比较部分；以及用于基于该测量/比较部分的比较结果向该传送单元提供信号使得该绝 缘基板的传送被控制的控制部分。
14、 根据权利要求13所述的系统，其中该驱动部分用来通过该喷嘴喷 淋该清洁液体约1-5秒。
15、 根据权利要求13所述的系统，其中该清洁液体是高温去离子水。
16、 根据权利要求13所述的系统，其中当通过该喷嘴喷淋的该清洁液 体的量基本等于或大于参考值时，该控制部分用来驱动该传送单元使得该绝 缘基板被传送至该清洁单元。
17、根据权利要求13所述的系统，其中当通过该喷嘴喷淋的该清洁液 体的量小于参考值时，该控制部分不驱动该传送单元，使得该绝缘基板在该 等待单元中等待。
18、根据权利要求12所述的系统，其中该蚀刻单元和该等待单元处于真空状态。
19、 根据权利要求12所述的系统，其中该薄金属膜是包含A1的多层， 且该蚀刻单元使用Cl基气体蚀刻该薄金属膜。
20、 根据权利要求12所述的系统，其中在该绝缘基板的上表面上形成栅极布线和栅极绝缘膜，且该电路图案是形成在该栅极绝缘膜的上部分上的 数据布线。
全文摘要
本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。
文档编号H01L21/00GK101174555SQ20071019446
公开日2008年5月7日 申请日期2007年11月5日 优先权日2006年11月3日
发明者丁有光, 吴旼锡, 宋仁虎, 崔升夏, 秦洪基, 金基铉, 金湘甲 申请人:三星电子株式会社