专利名称：减少噪声干扰的封装结构的利记博彩app
技术领域：
本发明是与封盖制程(cap package)有关，特别 是关于 一 种减少噪声干扰的封装结构。
背景技术：
封盖制程(cap package)受到广泛地应用，其目 的主要是为了保护电子元件。已知的封装结构是以一 金属盖进行封盖制程(cap package),以达到上述目 的；然而，金属盖在塑造形状上较不容易，多以拼装 方式组成，在加工上较为耗时，且无法阻隔电磁干扰 (electro-magnetic interference; EMI)， 使得电子 元件(例如芯片)很容易受到噪声干扰而影响其工 作效能，具有屏蔽效能(Shielding Effectiveness; SE)不佳的缺点。综上所述，现有封装结构以金属盖进行封盖制程 (cap package) 具有上述缺点而有待改进。发明内容本发明的主要目的在于提供一种封装结构，具有 减少噪声干扰的特色。为达成上述目的，本发明所提供一种减少噪声干 扰的封装结构，其特征在于，包含有一基板；一盖体，是由硅基材掺杂非金属材料所制成，该盖体设于该基板而形成有一容室；以及一芯片，设于该基板且位于该容室内。其中该盖体的电阻系数小于1 0 2 Q -m 。 其中该盖体是为P型半导体，其所掺杂的非金属材料是为3 A元素。其中该盖体是为N型半导体，其所惨杂的非金属材料是为5 A元素。其中该基板具有一导接区，该导接区电性连接该 盖体。其中该导接区是进行接地。 其中该盖体是以离子布植方式制成。 其中该盖体具有一开口，该芯片具有一作用区是 对应于该开口 。其中该基板具有一开口，该芯片具有一作用区是 对应于该开口 。本发明的有益效果是本发明的封装结构，具有减少噪声干扰的特色。
为了详细说明本发明的结构、特征及功效所在， 以下结合二较佳实施例并配合
如后，其中图1为本发明第 一 较佳实施例的硅基材盖体的结 构示意图。图2为本发明第 一 较佳实施例的硅基材盖体经过 离子布植的结构示意图。图3为本发明第 一 较佳实施例的结构示意图。 图4为本发明第二较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
首先请参阅图1至图3，其是为本发明第一较佳实施例所提供的减少噪声干扰的封装结构i o ，其主要包含有一基板2 0、 一盖体3 0以及一芯片4 0。该基板2 0具有一导接区2 2，该导接区2 2电 性连接该盖体3 Q且进行接地。该盖体3 0是由一硅基材(Silicon)3 2掺杂 (doping)非金属材料以离子布植方式所制成；其中，该盖体3 0是为P型半导体，由硅基材(Silicon)掺杂(doping) 3 A元素所制成。该盖体3 0的电阻系数 (resistivity)是小于l 02Q-m( ohm-meter); 该盖体3 0盖合于该基板2 0而形成有一容室3 4;该盖体3 0具有一开口3 5。该芯片4 0设于该基板2 0且位于该容室3 4内，该芯片具有一作用区4 2是对应于该开口3 5。其中，该作用区4 2为薄膜且位于该芯片4 0中央位置。经由上述结构，本实施例所提供减少噪声干扰的 封装结构1 0对该盖体3 0进行接地，能够隔绝来自界的电磁干扰 (e 1 ec t ro-raagne t i c interference;EMI)，避免电磁干扰进入该容室3 4内，引起该芯片 4 0与电磁干扰相互间的耦合作用；由此，本发明相 较于现有者，其能克服现有以金属盖进行封盖制程 (cap package)的缺点，具有减少噪声干扰的特色，能句多对于电磁干扰(electro-magnetic interference;EMI )有效进行隔离。请参阅图4 ，其是为本发明第二较佳实施例所提 供减少噪声干扰的封装结构5 0 ，其与第 一 较佳实施例大体结构相同，同样包含有 一 基板6 0 、 一盖体70以及 一 芯片80 ;惟，其差异在于， 该基板6 0員有一开口 6 2 ，该芯片8 0的作用区8 2是对应于该基板6 0的开口6 2;该盖体3 0是为N型半导体由硅基材(S i 1 ic o n )掺杂(doping)5 A元素所制成，且该盖体7 0则兀生遮蔽该芯片8 0 ,经由上述结构，本实施例所提供的减少噪声干扰的封装结构5 0，其主要揭示本实施例的开口 6 2是位于该基板6 0， 其与第 一 较佳实施例中的开口 35所揭露位于该盖体30者不同；本实施例同样可以达到前述实施例所能达成的功效，并提供另 一 实施态样。由此，经由以上所提供的实施例可知，本发明的减少噪声干扰的封装结构是运用半导体材料制作可导电的非金属盖体，能克服现有以金属盖进行封盖制程ccap package )的缺点，对于电磁干扰electro-magne t i cinterference;EMI )， 具有减少噪声干扰的特色综上所述，本发明于前揭实施例中所揭露的构成元件，仅为举例说明，并非用来限制本案的范围，它等效元件的替代或变化，亦应为本案的权利要求范围所涵盖。
权利要求
1.一种减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，包含有一基板；一盖体，是由硅基材掺杂非金属材料所制成，该盖体设于该基板而形成有一容室；以及一芯片，设于该基板且位于该容室内。
6 .依据权利要求5所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该导接区是进行接地。
7 .依据权利要求1项所述的减少噪声干扰的封 装结构，其特征在于，其中该盖体是以离子布植方式制成。
8 .依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该盖体具有 一 开口 ，该芯片 具有一作用区是对应于该开口 。
9 .依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装 结构，其特征在于，其中该基板具有一开口，该芯片 具有一作用区是对应于该开口 。
全文摘要
一种减少噪声干扰的封装结构，包含有一基板、一盖体以及一芯片；其中盖体是由硅基材(Silicon)掺杂(doping)非金属材料所制成，盖体设于基板而形成有一容室；芯片设该基板且位于容室内；由此，本发明通过上述结构，具有减少噪声干扰的特色。
文档编号H01L23/552GK101217139SQ200710181698
公开日2008年7月9日 申请日期2007年10月24日 优先权日2007年1月4日
发明者田炯岳 申请人:菱生精密工业股份有限公司