专利名称：一种制备用于离子注入的对准标记的方法
技术领域：
本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种制备用于离子注入的 对准标记的方法，该方法可以有效解决离子注入作为首步工艺时，无 法为后道工序提供光刻对准标记的问题，同时，无须增加新的光刻掩 膜版，操作简单易行。
背景技术：
光刻是微电子工艺中的关键步骤，每一层图形都必须经过光刻， 而对准标记是光刻套准所必需的，没有对准标记光刻就毫无标准。因
而，集成电路的每一层图形都会有一个相应的对准标记，以保证图层 之间的套准。
如图1所示，图l是对准标记图形的示意图，其中，图la为十字 形对准标记图形，图lb为方块对准标记图形。十字形对准标记图形保 证图形的上下、左右不偏离，方块对准标记图形保证上下不颠倒。
离子注入工艺的图形层也需要对准标记。 一般工艺过程中，离子 注入之前有蒸发金属形成的对准标记，因此离子注入的对准标记套刻 之前的金属对准标记就可以了，而离子注入之后的工艺套刻注入之前 的金属对准标记也可以了。
但是对于特殊的工艺过程，例如离子注入是整个工艺过程的第一 步时，离子注入必须要给下一步工艺留下对准标记。由于离子注入后 半导体材料的颜色不会有肉眼能够观察到的变化，所以此时(即当离 子注入作为整个工艺过程第一步时)，离子注入无法给下一步工艺留下 对准标记。
发明内容
(一)要解决的技术问题有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种制备用于离子注入的 对准标记的方法，以解决离子注入工艺作为第一步工艺时，无法给下 一步工艺留下对准标记的问题。
(二) 技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种制备用于离子注入的对准标 记的方法，该方法包括在进行离子注入之前进行刻蚀，在待注入区 形成用于离子注入的对准标记。
上述方案中，所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同。 上述方案中，所述刻蚀采用的光刻掩膜版与离子注入采用的光刻 掩膜版相同。
上述方案中，所述刻蚀包括在进行离子注入之前，先匀光刻胶 并前烘，然后采用离子注入的光刻掩膜版光刻，显影，在待注入区露 出待离子注入的图形。
上述方案中，所述在光刻显影，露出待离子注入的图形时，其他 部分被光刻胶保护着。
上述方案中，对于半导体材料硅，所述刻蚀采用SF6干法刻蚀，
功率30W，流量为60sccm，刻蚀时间3分钟，刻蚀深度为0.6pm。 上述方案中，该方法针对离子注入作为整个工艺过程第一步的情况。
(三) 有益效果 从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果 本发明提供的这种制备用于离子注入的对准标记的方法，可以有
效解决离子注入过程不能为下一步工艺提供对准标记图形的问题，而 且无须另外制备光刻掩膜版，简单易行，实现成本低。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明
图1是对准标记图形的示意图；其中，图la为十字形对准标记图形，图lb为方块对准标记图形；
图2是本发明提供的制备用于离子注入的对准标记的方法流程图。
具体实施例方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具 体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明提供的这种制备用于离子注入的对准标记的方法，采用离 子注入的光刻掩膜版光刻，在待注入区先用刻蚀法刻去一定深度的半 导体材料，形成用于离子注入的对准标记，使肉眼可以观察到明显的 对准标记图形。
如图2所示，图2是本发明提供的制备用于离子注入的对准标记
的方法流程图，该方法包括
步骤201:采用离子注入的光刻掩膜版光刻，在待注入区先用刻蚀 法刻去一定深度的半导体材料；
步骤202:形成用于离子注入的对准标记，使肉眼可以观察到明显
的对准标记图形。
所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同，所述刻蚀釆用的光刻掩 膜版与离子注入采用的光刻掩膜版相同。
在整个工艺流程中，离子注入是第一步，但为了增加对准标记， 保证离子注入后序步骤有对准标记，在离子注入之前增加一步刻蚀， 形成离子注入这一步的对准标记。刻蚀的图形与离子注入完全相同，
所用的光刻掩膜版也完全相同。具体过程如下
在离子注入之前，先匀光刻胶，前烘，用离子注入的光刻掩膜版 光刻，然后显影，在待注入区露出待离子注入的图形，其他部分被光
刻胶保护着。对于最常用的半导体材料硅，用SF6干法刻蚀硅，功率 30W，流量为60sccm，刻蚀时间3分钟，刻蚀深度为0.6(im，该深度 的图形肉眼看起来已经很明显，足够做对准标记了。接着做离子注入， 然后去胶，后面的工序不变。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果 进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体
5实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内， 所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围 之内。
权利要求
1、一种制备用于离子注入的对准标记的方法，其特征在于，该方法包括在进行离子注入之前进行刻蚀，在待注入区形成用于离子注入的对准标记。
2、 根据权利要求1所述的制备用于离子注入的对准标记的方法， 其特征在于，所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同。
3、 根据权利要求1所述的制备用于离子注入的对准标记的方法， 其特征在于，所述刻蚀采用的光刻掩膜版与离子注入采用的光刻掩膜 版相同。
4、 根据权利要求1、 2或3所述的制备用于离子注入的对准标记 的方法，其特征在于，所述刻蚀包括在进行离子注入之前，先匀光刻胶并前烘，然后采用离子注入的 光刻掩膜版光刻，显影，在待注入区露出待离子注入的图形。
5、 根据权利要求4所述的制备用于离子注入的对准标记的方法， 其特征在于，所述在光刻显影，露出待离子注入的图形时，其他部分 被光刻胶保护着。
6、 根据权利要求4所述的制备用于离子注入的对准标记的方法， 其特征在于，对于半导体材料硅，所述刻蚀采用SF6干法刻蚀，功率 30W，流量为60sccm，刻蚀时间3分钟，刻蚀深度为0.6pm。
7、 根据权利要求4所述的制备用于离子注入的对准标记的方法， 其特征在于，该方法针对离子注入作为整个工艺过程第一步的情况。
全文摘要
本发明公开了一种制备用于离子注入的对准标记的方法，该方法包括在进行离子注入之前进行刻蚀，在待注入区形成用于离子注入的对准标记。所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同。所述刻蚀采用的光刻掩膜版与离子注入采用的光刻掩膜版相同。利用本发明，解决了离子注入过程不能为下一步工艺提供对准标记图形的问题，而且无需另外制备光刻掩膜版，简单易行，实现成本低。
文档编号H01L21/00GK101452819SQ20071017877
公开日2009年6月10日 申请日期2007年12月5日 优先权日2007年12月5日
发明者吴茹菲, 尹军舰, 张海英 申请人:中国科学院微电子研究所