专利名称：一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及强耦合器，特别涉及一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器。
背景技术：
随着无线通信技术的迅速发展，要求产品小型化，低成本，低损耗。而传 统微波电路设计，往往局限于电路板表面的元件分布和设计，忽略了电路板的
背面-金属接地板的开发和利用。由此在研究光子带隙(PBG)结构基础上提出 了缺陷地结构(DGS) ， DGS是通过在接地板上刻蚀缺陷图形而成，这种结构 会扰乱接地板上的屏蔽电流分布，而扰乱的屏蔽电流分布又会改变传输线的特 性，如有效电感和有效电容。
在传统带状线耦合器设计中，针对强耦合度，高方向性耦合器设计需要大 的空间，这样提高了成本，而在有限可用的系统设备空间中需要是不允许的， 如果采用减小耦合器副线的有效耦合长度拉近耦合器主副线间距，在实际PCB 加工中精度难以保证，产品一致性差。以lOdB强耦合器主副线边边耦合间距 为例，如果副线采用八分之波长(介质波长)甚至更短，则主副线距离需要在 O.lmm甚至更小，这在实际加工中间隙公差难以保证，使得产品一致性差，而 且由于间隙太小，实际调试难度也很大，所以在现有强耦合器实现中实现结构 尺寸比较大，不够紧凑。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种耦合结 构更为紧凑的带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现 一种带扰乱屏蔽电流结构的 强耦合器，包括腔体、盖板、大功率匹配负载、带状线耦合器板、连接器，所 述的盖板设在腔体上部，所述的带状线耦合器板设在腔体内，所述的连接器设在腔体侧面，其特征在于，所述的带状线耦合器板包括上下两块，所述的大功 率匹配负载设在带状线耦合器板下面一块，所述的带状线耦合器板上面一块上 表面设有缺陷地结构，所述的腔体内壁底面设有缺陷地槽结构。
所述的缺陷地结构的形状包括方形、矩形、圆形、三角形、周期性方形、 周期性矩形、周期性圆形、周期性三角形。
所述的缺陷地槽结构的形状包括跑道形。
所述的缺陷地槽结构深为带状线厚的3倍。
所述的带状线耦合器板上面一块到盖板的高度为带状线厚度的3倍。 与现有技术相比，本发明具有使耦合结构可以更为紧凑，并提高耦合器的 方向性等优点。
图l为本发明一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器的结构示意图。
具体实施例方式
如图1所示， 一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器包括腔体1,盖板2， 终端50Q大功率匹配负载3，带状线耦合器板4 (分为上下两块，便于实际调 试)，连接器5，在带状线耦合器主副线背面接地面刻蚀成一特定形状形成缺 陷地结构。在腔体相应内壁底面开一特定形状的槽，槽深一般为带状线厚度的 3倍以上，带状线耦合器板上方留至少3倍带状线厚度的空间。
上述在带状线上刻蚀成的特定形状可以是方形，矩形，圆形，三角形或周 期性方形，周期性矩形，周期性圆形，周期性三角形等形状
上述在腔体内壁底部开槽形状为加工方便一般为规则形状，如跑道形形状。
在耦合器中运用缺陷地结构使得耦合结构更为紧凑，适当拉远在强耦合中 (如10dB耦合)主副线的间距。在有限同样空间中主副线间距可以拉远，比 如不采用缺陷地结构时用八分之波长边边耦合时间距需要在O.lmm甚至 0.05mm，这在实际制板时精度难以保证，而采用了缺陷地这种新型设计结构时 主副线间距可以变宽到0.3mm以上。这样使得在有限空间中实现强耦合变成现 实。另外由于缺陷地结构(DGS)是通过在接地板上刻蚀缺陷图形而成，这种结构会扰乱接地板上的屏蔽电流分布，而扰乱的屏蔽电流分布又会改变传输线 的特性，如有效电感和有效电容。通过这种有效电感和有效电容可以提高耦合 器的方向性，实现高方向性，尤其是利用周期性规则形状形成的缺陷地结构对 改善方向性更为有效。
权利要求
1. 一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器，包括腔体、盖板、大功率匹配负载、带状线耦合器板、连接器，所述的盖板设在腔体上部，所述的带状线耦合器板设在腔体内，所述的连接器设在腔体侧面，其特征在于，所述的带状线耦合器板包括上下两块，所述的大功率匹配负载设在带状线耦合器板下面一块，所述的带状线耦合器板上面一块上表面设有缺陷地结构，所述的腔体内壁底面设有缺陷地槽结构。
2. 根据权利要求1所述的一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器，其特征在 于，所述的缺陷地结构的形状包括方形、矩形、圆形、三角形、周期性方形、 周期性矩形、周期性圆形、周期性三角形。
3. 根据权利要求1所述的一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器，其特征在 于，所述的缺陷地槽结构的形状包括跑道形。
4. 根据权利要求1所述的一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器，其特征在 于，所述的缺陷地槽结构深为带状线厚的3倍。
5. 根据权利要求1所述的一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器，其特征在 于，所述的带状线耦合器板上面一块到盖板的高度为带状线厚度的3倍。
全文摘要
本发明涉及一种带扰乱屏蔽电流结构的强耦合器，包括腔体、盖板、大功率匹配负载、带状线耦合器板、连接器，所述的盖板设在腔体上部，所述的带状线耦合器板设在腔体内，所述的连接器设在腔体侧面，所述的带状线耦合器板包括上下两块，所述的大功率匹配负载设在带状线耦合器板下面一块，所述的带状线耦合器板上面一块上表面设有缺陷地结构，所述的腔体内壁底面设有一槽。与现有技术相比，本发明具有使耦合结构可以更为紧凑，并提高耦合器的方向性等优点。
文档编号H01P5/107GK101471475SQ20071017334
公开日2009年7月1日 申请日期2007年12月27日 优先权日2007年12月27日
发明者梁文超, 明 熊, 庆 罗 申请人:奥雷通光通讯设备(上海)有限公司