专利名称：具有可移动外接端子的半导体封装堆叠组合构造的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装堆叠组合构造(POP device),特别是涉及一 种具有可移动外接端子的半导体封装堆叠组合构造。
背景技术：
近年来高科技电子产品不断推出更人性化、功能更佳的电子产品，造 成产品有愈加轻、薄、短、小的趋势。因此， 一种半导体元件的组合型式 是将多个半导体封装件作纵向3D堆叠以符合小型表面接合面积与高密度 元件设置的要求，称之为半导体封装堆叠组合构造(POPdevice)。其中，可 堆叠的半导体封装元件以导线架作为晶片载体，成本最低，其是以延伸出 元件(封胶体)的外引脚焊接并堆叠连接在一起，借以达到电路的串接，但外 引脚之间焊点易有断裂现象。
请参阅图1及2所示，习知的半导体封装堆叠组合构造100主要包含 一第一半导体封装件110以及至少一堆叠在该第一半导体封装件110上的 第二半导体封装件120。该第一半导体封装件110与该第二半导体封装件 120皆为导线架基底，其内封装的晶片可为快闪记忆体或双倍资料速度 (DDR)的动态随机存取记忆体，以增加记忆体容量或增加应用功能。该第一 半导体封装件IIO是包含有一第一封胶体111、 一第一晶片112以及一导线 架的多个第一外引脚113。其中，这些第一外引脚113是可利用焊料150表 面接合至一电路板140。通常使用导线架的半导体产品可为TSOP(薄小外形 封装)、QFP(四方扁平封装)、QFN(四方扁平无接脚封装)、TQFP(薄型四方 扁平封装)等。
该第二半导体封装件120是包含有一第二封胶体121、 一第二晶片122 以及一导线架的多个第二外引脚123。其中，第二半导体封装件120的第二 外引脚123是外露于该第二封胶体121，以焊接物质130连接至第一半导体 封装件110的第一外引脚113的一区段。在封装堆叠时，该第一封胶体121 与该第二封胶体121会不可避免地接触，特别是在温度循环测试时，由于 封装件受温度变化产生形变，再加上封装件内材料之间热膨胀系数不匹配， 形成第一封胶体121与第二封胶体122彼此可能互相接触，甚至相互推挤 而产生应力，此应力将影响焊点的可靠度，若应力过大或温度循环周期升 高，将造成焊点断裂。由于这些第一外引脚113与这些第二外引脚123之 间焊点(即焊接物质130的形成位置)为独立形成，在温度循环试验(temperature cycling test)中容易断裂。经试验分析与研究，外引脚之间焊点 的断裂成因是由元件材料的热膨胀系数不匹配(CTE mismatch)所造成。虽然 不同的材料供应商与不同的型号会有不同的材料性质，但仍举例而言，该 第一半导体封装件110与该第二半导体封装件120的封胶体111与121的热 膨胀系数约为10 ppm/。C当低于玻璃转化温度(Tg),约为36 ppm/°C当高于玻 璃转化温度(Tg),其中封胶体的玻璃转化温度一般约为120°C;而一般导线 架(即外引脚113与123)的材质为金属或合金材料，以铁镍合金Alloy 42为 例，其热膨胀系数约为4.3ppm厂C。因此，当半导体封装堆叠组合构造100 的温度越高，封胶体111与121的体积热膨胀量越大，与外引脚113与123 膨胀拉伸量差异越大，封胶体111与121之间的接触界面产生了拉扯这些 第二引脚123的应力(如图1所示)。故这些第二引脚123的部分焊点承受过 大集中的应力，特别是这些第二引脚123的侧边缘引脚，会有焊点断裂的 问题。
有鉴于上述现有的半导体封装堆叠组合构造存在的缺陷，本发明人基 于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的 运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的半导体封装堆叠组合 构造，能够改进一般现有的半导体封装堆叠组合构造，使其更具有实用性。 经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具 实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种具有可移动外接端子的半导体封装 堆叠组合构造，所要解决的技术问题是能使一上封装件的封胶体相对于外 接端子为可移动，以分散外接端子之间焊点的应力，进而避免受到封胶体 与导线架的热膨胀系数的差异导致焊点断裂的发生。
本发明的次一目的在于，提供一种具有可移动外接端子的半导体封装 堆叠组合构造，所要解决的技术问题是使其能吸收封胶体与导线架的热膨 胀系数的差异作用于外接端子的应力。
本发明的再一目的在于，提供一种具有可移动外接端子的半导体封装 堆叠组合构造，所要解决的技术问题是使其在上下封装件之间增进热量传 导，能在高温下维持上下封装件之间的温度均匀化，减少热应力。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种半导体封装堆叠组合构造，包含 一第一半导体封装件， 其是包含一第 一封胶体、至少一被密封在该第 一封胶体的第 一晶片以及一 导线架的多个第一外引脚，其中这些第一外引脚是由该第一封胶体的侧边 延伸且外露；至少一第二半导体封装件，其是接合于该第一半导体封装件一第二封胶体、至少一被密封在该第二封 胶体的第二晶片以及一导线架的多个第二外引脚，其中这些第二外引脚是
由该第二封胶体的侧边延伸且外露；以及焊接物质，其是焊接这些第二外 引脚与对应的这些第一外引脚；其中，该第；封胶体的一底面是相对于该 焊接物质的形成位置与第 一封胶体的 一顶面为可移动。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的半导体封装堆叠组合构造，其另包含有一应力释放层，其是形 成于该第 一半导体封装件与该第二半导体封装件之间，其中该应力释放层 的一下表面是贴附于该第一封胶体的顶面，该应力释放层的一上表面是贴 附于该第二封胶体的底面。
前述的半导体封装堆叠组合构造，其中所述的应力释放层是为低模数， 以吸收该第一封胶体与该第二封胶体之间的应力。
前述的半导体封装堆叠组合构造，其中所述的应力释放层是具有高导 热性。
前述的半导体封装堆叠组合构造，其中所述的焊接物质是焊接这些第 二外引脚的多个端面或内侧面至对应这些第一外引脚的一肩部区段。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种半导体封装堆叠组合构造，包含 一第一半导体封装件， 其是包含一第一晶片以及多个第一外接端子，其中这些第一外接端子是外 露于该第一晶片的侧边；至少一第二半导体封装件，其是接合于该第一半 导体封装件上，该第二半导体封装件是包含一第二晶片以及多个第二外接 端子，其中这些第二外接端子是外露于该第二晶片的侧边；以及多个电性 连接元件，其是电性连接这些第二外接端子与对应的这些第一外接端子； 其中，该第一半导体封装件与该第二半导体封装件之间预留有一可伸缩间 隙，以使这些电性连接元件是相对于该第 一 晶片为可移动。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体封装堆叠组合构造，其另包含有一应力释放层，其是形 成于该第一半导体封装件与该第二半导体封装件之间，以构成该可伸缩间 隙。
前述的半导体封装堆叠組合构造，其中所述的应力释放层为低模数， 以吸收该第一封胶体与该第二封胶体之间的应力。
前述的半导体封装堆叠组合构造，其中所述的应力释放层具有高导热性。
前述的半导体封装堆叠组合构造，其中所述的第一外接端子是选自于 一导线架的外引脚、 一可挠性基板的引线、与一印刷电路板的外接垫的其 中之一。前述的半导体封装堆叠组合构造，其中所述的第二外接端子是选自于 一导线架的外引脚、 一可挠性基板的引线、与一印刷电路板的外接垫的其 中之一。
前述的半导体封装堆叠组合构造，其中所述的电性连接元件是选自于 共晶键合层、焊料、焊球、导体柱、异方性导电胶、与非导电胶的其中之
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为了 达到上述目的，本发明提供了一种具有可移动外接端子的半导体封装堆叠 组合构造，其主要包含一第一半导体封装件、至少一第二半导体封装件以 及焊接物质。该第一半导体封装件是包含一第一封胶体、至少一^R密封在 该第一封胶体的第一晶片以及一导线架的多个第一外引脚，其中这些第一 外引脚是由该第 一封胶体的侧边延伸且外露。该第二半导体封装件是接合 于该第一半导体封装件上，该第二半导体封装件是包含一第二封胶体、至少 一被密封在该第二封胶体的第二晶片以及一导线架的多个第二外引脚，其 中这些第二外引脚是由该第二封胶体的侧边延伸且外露。该焊接物质其是
焊接这些第二外引脚与对应的这些第一外引脚。其中，该第一封胶体是相 对于该焊接物质的形成位置为可移动。
在等效性应用中，本发明的另一种具有可移动外接端子的半导体封装 堆叠组合构造主要包含一第一半导体封装件及至少一第二半导体封装件。 该第 一半导体封装件是包含一第 一晶片以及多个第 一外接端子，其中这些 第一外接端子是外露于该第一晶片的侧边。该第二半导体封装件其是接合 于该第一半导体封装件上，该第二半导体封装件是包含一第二晶片以及多 个第二外接端子，其中这些第二外接端子是外露于该第二晶片的侧边。多 个电性连接元件是电性连接这些第二外接端子与对应的这些第一外接端 子。其中，该第一半导体封装件与该第二半导体封装件的间预留有一可伸 缩间隙，以使该第二晶片是相对于这些电性连接元件为可移动。
在前述的半导体封装堆叠组合构造中，可另包含有一应力释放层，其 是形成于该第 一半导体封装件与该第二半导体封装件之间，其中该应力释 放层的一下表面是贴附于该第一封胶体的顶面，该应力释放层的一上表面 是贴附于该第二封胶体的底面。
在前述的半导体封装堆叠组合构造中，该应力释放层是可为低模数，以 吸收该第一封胶体与该第二封胶体之间的应力。
在前述的半导体封装堆叠组合构造中，该应力释放层是可具有高导热性。
在前述的半导体封装堆叠组合构造中，该焊接物质是可焊接这些第二 外引脚的多个端面或内侧面至对应这些第一外引脚的一肩部区段。借由上述技术方案，本发明具有可移动外接端子的半导体封装堆叠组
合构造至少具有下列优点
1. 解决以往在半导体封装堆叠组合构造中，封胶体与导线架的热膨胀系 数的差异导致导线架外引脚与导线架外引脚间焊点断裂的发生。
2. 吸收作用于上下堆叠两半导体封装件之间连接的外接端子的应力。
3. 上下堆叠两半导体封装件可以变形也不会导致其间连接的外接端子 发生焊点断裂。
4. 即使下堆叠半导体封装件可以被外接电路板拉伸，上下堆叠两半导体 封装件之间连接的外接端子不会发生焊点断裂。
5. 增加上下堆叠两半导体封装件的界面热量传导，有益散热与温度均匀化。
上迷说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。
图1是习知半导体封装堆叠组合构造的前视示意图。
图2是习知半导体封装堆叠组合构造的局部侧视示意图。
图3是依据本发明的第一具体实施例， 一种具有可移动外接端子的半
导体封装堆叠组合构造的截面示意图。
图4是依据本发明的第一具体实施例，该半导体封装堆叠组合构造的
局部侧-魄示意图。
图5依据本发明的第二具体实施例， 一种具有可移动外接端子的半导 体封装堆叠组合构造的截面示意图。
100:半导体封装堆叠组合构造
110:第一半导体封装件111:第-一封胶体
112:第^晶片113:第.一外引脚
120:第二半导体封装件121:第.二封胶体
122:第二晶片123:第.二外引脚
130:焊接物质
140:电路板150:焊料200:半导体封装堆叠组合构造
210:第一半导体封装件211:第.一封胶体
212:第 一 晶片213:第一外引脚
214:外引脚肩部区段215:第一焊线216:第一焊垫217:黏晶胶
220:第二半导体封装件221.第二封胶体
222:第二晶片223:第二外引脚
224:第二外引脚端面225:第二焊线
226:第二焊垫227系占晶月交
230:焊接物质240应力释放层
250:电路板260:焊料
300:半导体封装堆叠组合构造
310:第一半导体封装件311'第一晶片
312:第一基板313第一外接端子
314:第一焊线315第一焊垫
316:黏晶胶317第一封胶体
320:第二半导体封装件321第二晶片
322:第二基板323第二外接端子
324:第二焊线325第二焊垫
326:黏晶胶327第二封胶体
330:电性连接元件340应力释放层
350:电路板351外接垫
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的半导体封装堆叠组合 构造其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图3与图4为本发明的第一具体实施例所揭示一种具有可移动外接端 子的半导体封装堆叠组合构造。其一具体封装型态可为TSOP(薄小外形封
一'种^有可移动外接端;的半导体封、装堆叠组合^勾造200主要包含一 第一半导体封装件210、至少一第二半导体封装件220以及焊接物质230。 该第一半导体封装件210与该第二半导体封装件220是可为单晶片封装或 多晶片封装。如图3所示，在本实施例中，该第一半导体封装件210与该 第二半导体封装件220皆为单晶片的薄小外形封装(TSOP)。该第一半导体 封装件210是包含一第一封胶体211、至少一被密封在该第一封胶体211的 第一晶片212以及一导线架的多个第一外引脚213，其中该第一晶片212的 主动面是设有一第一焊垫216,并可通过黏晶胶217将该第一晶片212的主 动面黏固于该导线架的这些第一外引脚213的被封胶区段的下表面，另以 多个打线形成的第一焊线215作为内部电性连接元件，将该第一晶片212的该第一焊垫216电性连接至该导线架的这些第一外引脚213的被封胶区 段的上表面。该第一封胶体211是形成在封胶(encapsulation)步骤中，以密 封该第一晶片212、这些第一焊线215以及这些第一外引脚213的被封胶区 段。这些第一外引脚213是由该第一封胶体211的侧边延伸且外露，约位 于该第一晶片212的侧边，作为该第一半导体封装件210的外4妄端子。在 本实施例中，这些第一外引脚213是为海鸥脚(gu11 lead),用以表面接合至 一电路板250，通常以焊料260焊接。而该电路板250可以为主机板、记忆 体模组载板、显示卡载板、记忆卡基板或手机通讯板等等。
该第二半导体封装件220是接合于该第一半导体封装件210上，通过 封装在封装上的堆叠组合，完成多层的TSOP堆叠结构。该第二半导体封 装件220是包含一第二封胶体221 、至少一被密封在该第二封胶体221的第 二晶片222以及一导线架的多个第二外引脚223，其中这些第二外引脚223 是由该第二封胶体221的侧边延伸且外露，约位于该第二晶片222的侧边， 作为该第二半导体封装件220的外接端子。在本实施例中，这些第二外引 脚223是可为概略垂直型态的I型脚，这些第二外引脚223的端面224是利 用该焊接物质230焊接至这些第一外引脚213的一肩部区段214(如图3所 示的放大图)。在不同实施例中，亦可通过这些第二外引脚223在4妄近这些 端面224的内侧面作为焊接区域。
如图3所示，在一具体实施例中，第二半导体封装件220更包含至少 一黏晶胶227与多个第二焊线225。该都晶胶227是黏固该第二晶片222于 该导线架的第二外引脚223或晶片承座(图未绘出)。这些第二焊线225是电 性连接该第二晶片222的多个第二焊垫226至对应的第二外引脚223。除了 皆具有侧延伸的外引脚之外，该第二半导体封装件220的封装型态可与该 第一半导体封装件210相同或不相同。
通常该第一晶片212与该第二晶片222是可为记忆体晶片，如快闪记 忆体或是动态随机存取记忆体，借以提高记忆体容量又不会增加表面接合 面积。
该第一封胶体211与该第二封胶体221是可为环氧模封化合物(Epoxy Molding Compound, EMC),各别密封该第 一 晶片212与该第二晶片222 。
另外，该焊接物质230是可焊接这些第二外引脚223的多个端面224(或 是接近端面224的内侧面)与对应这些第一外引脚213的一肩部区4更214， 借以电性连接这些第二外引脚213与这些第二外引脚223。该焊接物质230 是为可熔焊导电金属，如锡铅或是无铅焊剂。
特别重要的是，该第二封胶体221的一底面是相对于该焊接物质230 的形成位置与该第一封月交体211的一顶面为可移动，用以分散上下封装件 210与220的间的应力。其具体达成的机构可再参阅图3与图4,该半导体封装堆叠组合构造200可另包含有一应力释放层240，其是形成于该第一半 导体封装件210与该第二半导体封装件220之间，其中该应力释;^丈层240 的一下表面是贴附于该第一封胶体211的顶面，该应力释放层240的一上 表面是贴附于该第二封胶体221的底面。具体而言，该应力释放层240是 可为低模数，可选自于由硅胶、环氧树脂及聚亚酰胺树脂所组成的组群中 的其中之一，以吸收该第一封胶体211与该第二封胶体221之间的应力， 借以分散这些外引脚213、 223的间焊点(即该焊接物质230的形成位置)受 到热膨胀系数差异(所指为主要来自于导线架的这些外引脚213、 223、晶片 212、 222以及封胶体211、 221三者的热膨胀系数差异)的应力，达到防止 外引脚的焊点断裂的功效，而提高了该半导体封装堆叠组合构造200的抗 冲击性、抗掉落性、抗热循环性与抗热沖击性。因此，该半导体封装堆叠 组合构造200不会有外引脚之间焊点断裂的问题，提高产品的可靠性。
更具体而言，该应力释放层240是可具有高导热性，其导热系数应相 当于甚至高于该第一封胶体211或该第二封胶体221的导热系数，以帮助 该第一半导体封装件210与第二半导体封装件220间的热源通过该应力释 放层240传导而均匀化，以便于同时散热。
在本发明的第二具体实施例中，如图5所示，揭示另一种具有可移动 外接端子的半导体封装堆叠组合构造。该半导体封装堆叠组合构造300包 含一第一半导体封装件310、至少一第二半导体封装件320以及多个电性连 接元件330。其中，该第一半导体封装件310是包含一第一晶片311、 一第 一基板312以及多个第一外接端子313，其中这些第一外接端子313是外露 于该第一晶片311的侧边。该第一基板312是可为一多层印刷电路板，具 有双面电性导通的线路结构。该第一基板312是具有一上表面与一下表面， 这些第一外接端子313可设置于该第一基板312的一上表面与一下表面， 可作为上下电性连接的端子。其中这些第一外接端子313是选自于一导线 架的外引脚、 一可挠性基板的引线、与一印刷电路板的外接垫的其中之一。 在本实施中，这些第一外接端子313是为外接垫。并可通过多个焊球330 将该第一半导体封装件310表面接合至一电鴻^板350的多个外接垫351。
在本实施例中，该第一晶片311是设置并电性连接至该第一基板312, 例如，可以利用一黏晶胶316将该第一晶片311的主动面贴设于该第一基 板312的该上表面，再以多个打线形成的第一焊线314将该第一晶片311 的第一焊塾315电性连接至该第一基板312的内接垫。在本实施例中，该 第一基板312是可具有一打线槽孔，并以这些第一焊线314通过该打线槽 孔电性连接该第一晶片311与该第一基板312。
该第一半导体封装件310可另包含有一第一封胶体317，以压模或点胶 方式，至少形成于该第一基板312的打线槽孔并突出于该第一基板311的下表面，以密封这些第一焊线314。
该第二半导体封装件320是接合于该第一半导体封装件310上，以达 成高密度封装堆叠模组的架构(Package- On- Package module, POP)。该第二 半导体封装件320是包含一第二晶片321、 一第二基板322以及多个第二外 接端子323,其中这些第二外接端子323是外露于该第二晶片321的侧边。 这些第二外接端子323是可选自于一导线架的外引脚、 一可挠性基板的引 线、与一印刷电路板的外接垫的其中之一。在本实施例中，这些第二外接 端子323可为该第二基板322的外接垫，以供半导体封装件的上下堆叠。
该第二半导体封装件320的封装型态可与该第一半导体封装件310相 同或不相同。在本实施例中，该第二半导体封装件320是相同于该第一半 导体封装件310，该第二晶片321是设置并电性连接至该第二基板322,例 如，可以利用一黏晶胶326将该第二晶片321的主动面贴设于该第二基板 322的该上表面，再以多个打线形成的第二焊线324将该第二晶片321的第 二焊垫325电性连接至该第二基板322的内接垫。在本实施例中，该第二 基板322是可具有一打线槽孔，以供这些第二焊线324的通过。
该第二半导体封装件320可另包含有一第二封胶体327,以压才莫或点胶 方式，至少形成于该第二基板322的打线槽孔并突出于该第二基板322的 下表面，以密封这些第二焊线324。
这些电性连接元件330是电性连接这些第二外接端子323与对应的这 些第一外接端子313。其中这些电性连接元件330是可选自于共晶键合层、 焊料、焊球、导体柱、异方性导电胶、与非导电胶的其中之一。在本实施 例中，这些电性连接元件330是为焊球。具体而言，该第一半导体封装件 310与该第二半导体封装件320之间预留有一可伸缩间隙，以使该第二晶片 321是相对于这些电性连接元件330为可移动，达到上下封装件之间应力緩 冲与分散的功效。
在本实施例中，上述可伸缩间隙可通过一应力释放层340，其是形成于 该第一半导体封装件310与该第二半导体封装件320之间，以构成该可伸 缩间隙。在本实施例中，该应力释放层340的一下表面是贴附于该第一晶 片311的显露背面，该应力释放层340的一上表面是贴附于该第二封胶体 327的底面，亦可贴附于该第二基板322的下表面。更具体而言，该应力释 放层340是可为低模数，以吸收该第一半导体封装件310与该第二半导体 封装件320之间的应力。借以分散这些外接端子313、 323与这些电性连接 元件330之间受到热膨胀系数差异的应力，以防止这些电性连接元件330 断裂，提高该半导体封装堆叠组合构造300的抗冲击性、抗掉落性、抗热 循环性与抗热冲击性。因此，该半导体封装堆叠组合构造300不易有电性 连接元件断裂的问题，以提高产品的可靠性。较佳地，该应力释放层340可具有高导热性，其导热系数应相当于甚 至高于该第一封胶体317或该第二封胶体327的导热系数，以帮助该第一 半导体封装件310或该第二半导体封装件320的热源通过该应力释放层340 传导分散，达到快速散热的效果。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围 内。
权利要求
1、一种半导体封装堆叠组合构造，其特征在于其包含一第一半导体封装件，其包含一第一封胶体、至少一被密封在该第一封胶体的第一晶片以及一导线架的多个第一外引脚，其中这些第一外引脚是由该第一封胶体的侧边延伸且外露；至少一第二半导体封装件，其接合于该第一半导体封装件上，该第二半导体封装件是包含一第二封胶体、至少一被密封在该第二封胶体的第二晶片以及一导线架的多个第二外引脚，其中这些第二外引脚是由该第二封胶体的侧边延伸且外露；以及焊接物质，其焊接这些第二外引脚与对应的这些第一外引脚；其中，该第一封胶体是相对于该焊接物质的形成位置为可移动。
2、 根据权利要求1所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于其另 包含有一应力释放层，其形成于该第一半导体封装件与该第二半导体封装 件之间，其中该应力释放层的一下表面是贴附于该第一封胶体的顶面，该应力释放层的 一上表面是贴附于该第二封胶体的底面。
3、 根据权利要求2所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于所述 的应力释放层是为低模数，以吸收该第一封胶体与该第二封胶体之间的应 力。
4、 根据权利要求2或3所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于 所述的应力释放层具有高导热性。
5、 根据权利要求1所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于所述 的焊接物质是焊接这些第二外引脚的多个端面或内侧面至对应这些第 一外 引脚的一肩部区段。
6、 一种半导体封装堆叠组合构造，其特征在于其包含 一第一半导体封装件，其是包含一第一晶片以及多个第一外接端子，其中这些第 一外接端子是外露于该第 一晶片的侧边；至少一第二半导体封装件，其是接合于该第一半导体封装件上，该第二半导体封装件是包含一第二晶片以及多个第二外接端子，其中这些第二 外接端子是外露于该第二晶片的侧边；以及多个电性连接元件，其是电性连接这些第二外接端子与对应之这些第 一外接端子；其中，该第一半导体封装件与该第二半导体封装件之间预留有一可伸 缩间隙，以使该第二晶片相对于这些电性连接元件为可移动。
7、 根据权利要求6所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于其另 包含有一应力释放层，其形成于该第一半导体封装件与该第二半导体封装件之间，以构成该可伸缩间隙。
8、 根据权利要求7所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于所述 的应力释放层为低模数，以吸收该第一封胶体与该第二封胶体之间的应力。
9、 根据权利要求7或8所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于 所述的应力释放层具有高导热性。
10、 根据权利要求6所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于所 述的第一外接端子是选自于一导线架的外引脚、 一可挠性基板的引线、与 一印刷电路板的外接垫的其中之一。
11、 根据权利要求IO所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于所 述的第二外接端子是选自于一导线架的外引脚、 一可挠性基板的引线、与 一印刷电路板的外接垫的其中之一 。
12、 根据权利要求6所述的半导体封装堆叠组合构造，其特征在于所 述的电性连接元件是选自于共晶键合层、焊料、焊球、导体柱、异方性导 电胶、与非导电胶的其中之一。
全文摘要
本发明是关于一种具有可移动外接端子的半导体封装堆叠组合构造，主要包含多个相互堆叠的半导体封装件以及多个如焊剂的电性连接元件，以连接这些半导体封装件的外接端子，例如导线架的外引脚。每一半导体封装件是以一封胶体密封至少一晶片，该封胶体相对于这些电性连接元件为可移动，以吸收半导体封装件之间的应力。在一实施例中，可将一应力释放层形成于半导体封装件之间。
文档编号H01L23/48GK101431066SQ200710165179
公开日2009年5月13日 申请日期2007年11月5日 优先权日2007年11月5日
发明者范文正 申请人:力成科技股份有限公司