专利名称：一种确认抛光外延片主参考面位置的方法
一种确认抛光外延片主参考面位置的方法
技术领域：
本发明属于硅片加工工艺技术领域，尤其是涉及一种利用位错缺陷显 示确认抛光外延片主参考面位置的方法。背景技术：
在微电子领域的硅片加工和器件生产过程中，参考面起到识别和定位 的作用，它是硅片划分芯片的基准面，因此，参考面是硅片标准化的重要 内容之一。器件生产首先是要在硅片表面上制造出若干个分离管芯或电路， 然后采用划片分割的方式把管芯或电路分割成独立单元，再把这些独立单 元装上支架，压上引线、封装在管壳内而制成器件。由于硅晶体具有各向 异性特点，因此划片时应选择最佳的划片分割方法，否则将会导致管芯成 品率降低。参考面选择的原则之一是和晶体的解理面相一致的。常匸的
(111)和(100)晶向的晶体制备就是根据上述的原则确定的。现有技术
中，通常对正方形或矩形管芯的划片分割是按预先硅片制备的参考面方向
进行的。存在的问题是传统工艺流程靠目测单晶主棱线，找出单晶的几 条主棱，再依据晶向的不同来画出主参考面位置， 一旦主棱判别出现偏差， 将会导致单晶棒参考面的制作错误。在此情况下，人们一直在寻找单晶棒 切割加工成硅片后对画出的主参考面进行正确性判定的手段，而实际上至 今还没有找到好的手段和方法来检测和判定单晶硅片的主参考面是否正 确，以避免硅片后续加工中继续出现错误，造成不必要的损失。
晶向(111)的抛光外延片一般都有4度的偏晶向，如果偏离度错误， 则对外延生长不利，而且还会引起图形畸变。所以硅片加工中一定要保证 各种电路对晶片晶向的要求，而偏晶向切割与主参考面正确与否有直接的 关系。
发明内容
为解决现有技术存在的上述技术问题，本发明旨在提供一种确认抛光
外延片主参考面位置的方法，用该方法判定硅片主参考面位置是否正确简 单易行、准确率高。
一种确认抛光外延片主参考面位置的方法先取一抛光外延片，用
Sirtl腐蚀液腐蚀2分钟。腐蚀液的重量配比为Cr03: H20=1: 2 (标准溶
液)，HF (40%):(标准溶液)=1: 1 (体积比)；将腐蚀后的抛光外延片主 参考面朝外放在显微镜下观察，如果位错缺陷三角形的尖角朝左时，j^可 判定该抛光外延片的主参考面正确，如果位错缺陷三角形的尖角朝右时， 则可判定该抛光外延片的主参考面错误。
有益效果申请人反复试验得出了判定硅片主参考面位置是否正确的 简易方法，实践证明利用该方法来判定参考面位置是否正确，其准确率可 达到100%。
为加深理解，下面通过实施例并结合附图对本发明作进一步说明。
图1为本发明显微镜镜下观察示意图，该图表示位错缺陷三角形的尖 角朝左时的状态。
图2为本发明显微镜另一个镜下观察示意图，该图表示位错缺陷三角
形的尖角朝右时的状态。
具体实施方式
参见图1。观察倍率为200，图1中位于视野1内的位错缺陷三角形2 的尖角3朝左，与尖角3相对的一边则呈竖直线状，因此，我们可以判定
该抛光外延片上的主参考面是正确的。
参见图2。图2中视野内的位错缺陷三角形的尖角朝右，与尖角相对 的一边则呈竖直线状，因此，我们可以判定该抛光外延片上的主参考M是 错误的。
所谓主参考面朝外的意思为将主参考面的标记朝向观察者。 当然，该方法也可以应用于扩散片的主参考面判别。
权利要求
1、一种确认抛光外延片主参考面位置的方法，其特征在于先取一抛光外延片，用Sirtl腐蚀液腐蚀2分钟，腐蚀液的重量配比为CrO3∶H2O＝1∶2(标准溶液)，HF(40％)∶(标准溶液)＝1∶1(体积比)；将腐蚀后的抛光外延片主参考面朝外放在显微镜下观察，如果位错缺陷三角形的尖角朝左时，则可判定该抛光外延片的主参考面正确；如果位错缺陷三角形的尖角朝右时，则可判定该抛光外延片的主参考面错误。
全文摘要
一种确认抛光外延片主参考面位置的方法，其步骤是先取一抛光外延片，用Sirtl腐蚀液腐蚀2分钟，再将腐蚀后的抛光外延片主参考面朝外放在显微镜下观察，如果位错缺陷三角形的尖角朝左时，则可判定该抛光外延片的主参考面正确，如果位错缺陷三角形的尖角朝右时，则可判定该抛光外延片的主参考面错误。本发明提供的这种确认方法经实践证明判定参考面位置是否正确，其准确率可达到100％。
文档编号H01L21/66GK101179041SQ20071015717
公开日2008年5月14日 申请日期2007年11月27日 优先权日2007年11月27日
发明者朱兴萍, 楼春兰, 董尧德 申请人:万向硅峰电子股份有限公司