磁阻效应元件的制造方法及磁阻效应元件的利记博彩app

专利名称：：磁阻效应元件的制造方法及磁阻效应元件的利记博彩app
技术领域：
：本发明涉及使检测电流在磁阻效应膜表面的垂直方向上流过来进行磁检测的磁阻效应元件及其制造方法。存豕汉不近年来，硬盘驱动器(HDD)日益小型化和高密度，可以预期未来密度还将进一步提高。可通过使记录磁道宽度变窄提高磁道密度，来实现硬盘驱动器的高密度。但磁道宽度一窄，所记录的磁化大小即记录信号就变小，要提高再生媒体信号的MR磁头的再生灵敏度。最近，采用包含利用巨磁阻效应(GMR)的高灵敏度的自旋阀膜的GMR磁头。自旋阀膜是一种层叠膜，具有在两层铁磁性层之间夹有非磁性隔层的叠层结构。产生阻抗变化的层叠膜结构部位也称为自旋相关散射单元。两层铁磁性层中的一层铁磁性层(称为'被固定(t°>)层'或'磁化固定层')的磁化方向由反铁磁性层等固定。而另一铁磁性层(称为'自由层'或'磁化自由层')的磁化方向可以随外部磁场而变化。这种自旋阀膜可利用两层铁磁性层的磁化方向相对角度的变化获得较大的磁阻效应。用自旋阀膜的磁阻效应元件中，有CIP(CurrentInPlane(面内电流))一GMR元件、CPP(CurrentPerpendiculartoPlane(与面垂直电流))一GMR元件、以及TMR(TunnelingMagnetoResistance(隧道磁阻))元件。CIP—GMR元件为按与自旋阀膜的膜面相平行的方向提供检测电流，而CPP—Gffi、TMR元件则按与自旋阀膜的膜面大致垂直的方向提供检测电流。按膜面垂直方向供电的方式中，TMR元件利用绝缘层作为隔层，而通常的CPP—GMR则利用金属层作为隔层。这里，用金属层形成自旋阀膜的金属CPP—GMR元件，基于磁化的阻抗变化量小，难以检测微弱的磁场。曾提出一种利用包含厚度方向的电流通路的氧化物层[NOL(纳米级氧化物层)]作为隔层的CPP元件的技术方案(参照专利文献1)。这种元件可利用电流狭窄[CCP(current-confined-path:电流约束通路)]效应来增大元件阻抗和磁阻变化率两者。以下称该元件为CCP_CPP元件。专利文献1:日本特開2002_208744号公报
发明内容目前HDD(硬盘驱动器)等磁存储装置可用于个人用计算机、或便携式音乐播放器等用途。但未来磁存储装置的用途进一步普及、并使高密度存储得到推进的话，对可靠性的要求将更为严格。举例来说，需要提高其在较高温度条件下、高速工作环境下的可靠性。因此，希望磁头的可靠性比以往有所提高。尤其是CCP—CPP元件由于与以往的TMR元件比电阻低，所以能适用于要求传送速度更高的服务器、企业用的高端磁存储装置。在这种高端的用途上，要求高密度、高可靠性能同时满足。另外，在上述用途中，还希望能进一步提高高温下的可靠性。即在更严酷的环境(高温环境等)，更严格的使用条件(读取高速旋转的磁盘上的信息等)下，需要使用CCP—CPP元件。本发明之目的在于提供一种能适用于高密度存储的磁存储装置，并力求能提高可靠性的磁阻效应元件。要达到上述目的，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；在所述所形成的功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；对所述所形成的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；在所述所形成的第2金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、MgCr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；对所述所形成的第2金属层和功能层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。再有，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第l磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；对所述所形成的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；在所述所形成的电流收窄层上形成以从A1、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；以及在所述功能层上形成第2磁性层的工序。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第l磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层的工序；在所述所形成的第1功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；在所述所形成的第2金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层的工序；对所述所形成的第2功能层和第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。再有，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第l磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层的工序；在所述所形成的第1功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；对所述所形成的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；在所述电流收窄层上形成以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层的工序；以及在所述第2功能层上形成第2磁性层的工序。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第l磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；形成于所述第l金属层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层；通过对形成于所述功能层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化，氮化，氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；以及形成于所述电流收窄层上的第2磁性层。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第l磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；通过对形成于所述第1金属层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化，氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层；以及形成于所述电流收窄层上的第2磁性层。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第l磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；通过对形成于所述第1金属层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化*氮化氧氮化处理所形成的，具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层；以及形成于所述功能层上的第2磁性层。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第l磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；形成于所述第1金属层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化*氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第l磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；形成于所述第1金属层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化*氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；形成于所述第1金属层上的功能层；通过对形成于所述功能层上的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；以及形成于所述电流收窄层上的第2磁性层，所述功能层以氧化物氮化物生成能量比作为所述第1金属层的主要成分的元素低、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；通过对形成于所述第1金属层上的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的功能层；以及形成于所述功能层上的第2磁性层，所述功能层以氧化物氮化物生成能量比作为所述第2磁性层的主要成分的元素低、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；通过对形成于所述第1金属层上的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的功能层；以及形成于所述功能层上的第2磁性层，所述功能层以氧化物*氮化物生成能量与作为所述第2磁性层的主要成分的元素相等或其以下、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；形成于所述第1金属层上的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层，所述第1功能层以氧化物，氮化物生成能量比作为所述第1金属层的主要成分的元素低、但氧化物，氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分，所述第2功能层以氧化物氮化物生成能量比作为所述第1磁性层的主要成分的元素低、但氧化物*氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。另外，本发明一方式涉及一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；形成于所述第1金属层上的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层，所述第1功能层以氧化物氮化物生成能量比作为所述第1金属层的主要成分的元素低、但氧化物，氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分，所述第2功能层以氧化物氮化物生成能量与作为所述第2磁性层的主要成分的元素相等或其以下、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。本申请的发明者进行了要达到上述目的的深入研究。最终发现，对于本发明这种CCP一CPP型磁阻效应元件来说，尤其是构成隔层的绝缘层(CCP—N0L)和与其相邻的同样构成所述隔层的金属层或其它磁性层之间的密接性与元件的可靠性密切相关。进而发现，对于CCP—CPP型磁阻效应元件在沿其层叠方向上供电并驱动所述元件的情况下，电流密度升高的上述各界面产生膜剥离或薄膜质量恶化，并且这种紊乱对自旋相关传导带来影响，对元件的可靠性带来不少影响。根据上述观点，本申请的发明者发现，通过对尤其是如上所述层间界面专门形成密接性优良的功能层，来使所述层间界面的密接力增大，可靠性亦大幅度提高。因而，根据本发明的上述方式，可提供一种具有更牢靠的可靠性的CCP—CPP型磁阻效应元件。这样可靠性性能大幅度提高，不仅是HDD制造时，而且各种状况下的抗破坏、耐热性能也提高，所以适合作为需要高可靠性的服务器或企业级用途的磁头。近几年HDD用途广泛的实际状况下，不只是简单提高记录密度的高可靠性磁头愈加重要。磁头寿命的延长，对于拓宽HDD的使用环境来说非常重要。这种高可靠性的磁头，作为热环境严酷的汽车导航用HDD也非常有效。当然，具有这种高可靠性的磁头不仅可用于如上所述这种高附加值的HDD，还可以作为民用的通常个人计算机、便携式音乐播放器、手机等的HDD使用。另外，如上所述，具有密接性的功能层也可以形成为单独层，也可以设法隔离形成多层。这些可取决于上述层间界面所要求的密接性适当确定。另外，从上述各方式的制造方法可知，上述形成功能层的工序可取决于形成上述功能层的位置等适当调换。此外，可以在上述电流收窄层或上述功能层上进一步形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素作为主要成分的金属层。该金属层使来自构成上述隔层的绝缘层(CCP—N0L)的氧和氮等向上方所形成的第2磁性层等扩散，起到抑制变差用的阻挡层作用和促进所述第2磁性层结晶用的籽晶层作用。另外，上述功能层的膜厚可形成为大于或等于0.1nm但小于或等于0.5nm。另外，形成上述电流收窄层时的所述氧化氮化氧氮化处理可以经过离子或等离子的照射处理来实施。如上所述，根据本发明可提供一种可适用于高密度记录的磁记录装置，力求提高可靠性的磁阻效应元件及其制造方法。图1为示出本发明一例磁阻效应元件的立体图。图2为示出图1所示的磁阻效应元件的隔层附近的示意图。图3为同样示出图1所示的磁阻效应元件的隔层附近的示意图。图4为同样示出图1所示的磁阻效应元件的隔层附近的示意图。图5为示出本发明一例磁阻效应元件制造方法的流程图。图6为示出导入密接力增强层的隔层形成工序的流程图。图7为同样示出导入密接力增强层的隔层形成工序的流程图。图8为同样示出导入密接力增强层的隔层形成工序的流程图。图9为同样示出导入密接力增强层的隔层形成工序的流程图。图10为同样示出导入密接力增强层的隔层形成工序的流程图。图11为本发明磁阻效应元件其形成用的成膜装置的示意图。图12图示的为本发明实施方式的磁阻效应元件组装到磁头上的状态。图13图示的同样为本发明实施方式的磁阻效应元件组装到磁头上的状态。图14为示范磁记录再生装置概要构成的主要部位的立体图。图15为从盘片一侧观察致动臂至前面的磁头悬架组件的放大立体图。图16图示的为本发明实施方式的一例磁存储器的矩阵构成。图17图示的为本发明实施方式的另一例磁存储器的矩阵构成。图18为示出本发明实施方式的磁存储器其主要部分的剖面图。图19为图17中沿A-A'线的剖面图。10…磁阻效应膜、11…下电极、12…底层、12…缓冲层、12b…籽晶层、13…固定层、14…被固定(t'>)层、141…下部被固定(t'>)层、142…磁耦合层、143…上部被固定(匕°层、15…下部金属层、16…CCP—NOL层、161…绝缘层、162…电流通路、17…上部金属层、18…自由层、19…罩层、20…上电极、21L、21U…密接力增强层具体实施例方式下面参照附图根据实施本发明用的最佳方式说明本发明的其它特征及优点。(磁阻效应元件)图1为示出本发明实施方式1的磁阻效应元件(CCP—CPP元件)的立体图。另外，图1以及后续附图均为示意图，图上的膜厚彼此间的比例和实际膜厚彼此间的比例未必一致。如图1所示，本实施方式的磁阻效应元件具有磁阻效应膜10、以及设法从上下方向将其夹住设置的下电极11和上电极20。另外，可在图中未示出的基底上构成这些层叠体。磁阻效应膜10为将底层12、固定层13、被固定(t。>)层14、下部金属层15、CCP_N0L层16(绝缘层161、电流通路162)、上部金属层17、自由层18、以及罩层19依次层叠构成。其中，被固定(^^)层14、下部金属层15、CCP—NOL层16、上部金属层17、以及自由层18与两层铁磁性层之间夹住非磁性隔层而成的自旋阔膜相对应。另外，将下部金属层15、CCP_N0L层16、以及上部金属层17整体定义为隔层。另外，为便于说明，极薄氧化层16按与其上下层(下部金属层15及上部金属层17)脱开的状态表示。下面说明磁阻效应元件的组成部分。下电极11为按自旋阀膜的垂直方向供电用的电极。通过在下电极11和上电极20之间加上电压，从而电流在其膜垂直方向上流过自旋阀膜的内部。可利用该电流检测因磁阻效应引起的电阻变化，并进行磁检测。下电极11为了将电流提供给磁阻效应元件，可采用电阻相对较小的金属层。底层12可分成例如缓冲层12a、籽晶层12b。缓冲层12为缓和下电极11表面粗糙用的层。籽晶层12b为控制其上形成薄膜的自旋阀膜的结晶取向及晶粒直径用的层。可以使用Ta、Ti、W、Zr、Hf、Cr或其合金作为缓冲层12a。较好是缓冲层12a的膜厚为210nm左右，更理想的为35nm左右。若缓冲层12a的厚度过薄，会丧失缓冲效果。另一方面，若缓冲层12a的厚度过厚，会使对MR变化率没有贡献的串联阻抗增大。另外，形成于缓冲层12a上的籽晶层12b具有缓冲效果的情况下，未必要设缓冲层12a。上述当中作为理想的一例可使用Ta[3nm]。籽晶层12b只要是能控制其上成膜的结晶取向的材料便可。作为籽晶层12b较好为具有fcc结构(face-centeredcubicstructure(面心立方结构))、hep结构(hexagonalclose-packedstructure(六边形闭合封装结构))、或bec结构(body-centeredcubicstructure(体心立方结构))的金属层等。举例来说，可通过使用具有hep结构的Ru或具有fcc结构的NiFe作为籽晶层12b，来使其上自旋阀膜的结晶取向为fcc(111)取向。此外，可以使固定层13(例如PtMn)的结晶取向为规则的fct结构(face-centeredtetragonalstructure(面心正方结构))或bec结构(body-centeredcubicstructure(体心立方结构))(110)取向。为了充分发挥提高结晶取向用的籽晶层12b的作用，较好是籽晶层12b的膜厚为l5nm，更理想的为1.53nm。作为上述当中理想的一例可采用Ru[2nm]。自旋阀膜或固定层13的结晶取向性能可利用X射线衍射测量。自旋阀膜的fee(111)峰值、固定层13(PtMn)的fct(111)峰值或bcc(110)峰值处的摆动(a*v夕')曲线的半高宽为3.56度，可获得良好的取向性。另外，该取向的分散角也可根据利用断面TEM的衍射光点进行判别。作为籽晶层12b也可以采用NiFe基的合金(例如NixFe咖-x(x=9050，较好为7585)或将第3种元素X添加入NiFe做成非磁性(NixFe100—x)100—yXy(X=Cr、V、Nb、Hf、Zr、Mo))替代Ru。NiFe基的籽晶层12b能较容易地获得良好的结晶取向性能，可以将与上述同样测得的摆动曲线的半高宽为35度。籽晶层12b不仅有提高结晶取向的功能还具有控制自旋阀膜晶粒直径的功能。具体来说，可以将自旋阀膜的晶粒直径控制在540nm，即便磁阻效应元件的尺寸变小依旧不会造成特性偏差、实现较高的MR变化率。这里的晶粒直径可根据形成于籽晶层12b上的晶粒直径来判别，可以由断面TEM等决定。在被固定(t°>)层14为位于隔层16以下层次的基底型式的自旋阀膜的情况下，可以根据形成于籽晶层12b之上的固定层13(反铁磁性层)、或被固定(O)层14(磁化固定层)的晶粒直径进行判别。在与高密度记录对应的再生磁头上元件尺寸例如小于等于100nm。晶粒直径相对元件尺寸之比大，这一点成为元件特性偏差的原因。不希望自旋阀膜的晶粒直径大于40nm。具体来说，较好是晶粒直径的范围为540nm、更理想的范围为520nm。单位元件面积的晶粒数量一旦减少，会因晶粒数量减少而造成特性偏差，所以不太希望晶粒直径变大。尤其是在形成电流通路的CCP—CPP元件中不太希望晶粒直径变大。而另一方面，晶粒直径变得过小，通常难以保持良好的结晶取向。考虑到上述这些的晶粒直径的上限及下限，理想的晶粒直径的范围为520nm。但为MRAM等用途情况下，元件尺寸有时大于或等于lOOnm，尽管晶粒直径大到幼nm左右有时也没有那样的问题。B卩，也有通过采用籽晶层12b即便晶粒直径变得粗大仍无妨碍的情况。为了得到上述520nm的晶粒直径，作为籽晶层12b来说，为Ru[2nm]或(NixFei。o_x)1M—yXy(X=Cr、V、Nb、Hf、Zr、Mo))层的情况下，最好第3种元素X的组分y为030%左右(也包括y为0X时)。另一方面，为了使用比40nm还粗大的晶粒直径，最好利用更多数量的添加元素。最好籽晶层12b的材料为例如NiFeCr时Cr的量为3545%左右，采用表示fcc和bcc的边界相的组成，并采用具有bcc结构的NiFeCr层。如上所述，籽晶层12b的膜厚最好为lnm5nm左右，更理想的为1.53nm。当籽晶层12b的厚度过薄时，结晶取向控制等效果就丧失。另一方面，当籽晶层12b的厚度过厚时，串联阻抗增大，还会使自旋阀膜的界面变得凹凸不平。固定层13具有对成膜于其上的成为被固定(O)层14的铁磁性层赋予单向各向异性(undirectionalanisotropy)来固定磁化的功能。作为固定层13的材料来说，可采用PtMn、PdPtMn、IrMn、RuRhMn、FeMn、NiMn、等反铁磁性材料。其中，作为与高密度记录对应的磁头用的材料IrMn最为合适。IrMn的膜厚比PtMn薄，能外加单向各向异性，适合于为了高密度记录所需的间隙变窄。为了赋予足够强度的单向各向异性，适当设定固定层13的膜厚。固定层13的材料为PtMn或PdPtMn时，作为膜厚较好为820nm左右、更理想的为1015nm。固定层13的材料为IrMn时，比PtMn薄的膜厚也能赋予单向各向异性，较好为418nm、更理想的为515nm。作为上述其中一理想例可采用IrMn[10nm]。作为固定层13可用硬磁性层代替反铁磁性层。作为硬磁性层可采用例如CoPt(Co=5085%)、(CoxPt,。H)咖—yCry(Cr=5085%、y=040%)、FePt(Pt=4060%)。硬磁性层(尤其是CoPt)由于电阻率较小，所以可抑制串联阻抗及面积阻抗RA增大。被固定(t°>)层(磁化固定层)14其中理想的一例为由下部被固定(O)层141(例如Co9。Fei。[3.5nm])、磁耦合层142(例如Ru)、及上部被固定(层143(例如(Fe5。Co5。[lnm]/Cu)X2/Fe5。Co5。[lnm])所组成的复合被固定(匕°"层。固定层13(例如IrMn)和其正上方的下部被固定(t'>)层141进行交换磁耦合使其具有单向各向异性(unidirectionalanisotropy)。而磁耦合层142上下方的下部被固定(匕'>)层141及上部被固定(t'>)层143进行较强的磁耦合使磁化方向互相相反平行。作为下部被固定(O)层141的材料例如可采用CoxFenx合金(x二0100)、NixFe咖-x合金(x=0100)，或将非磁性元素添加在其中。另外，作为下部被固定(层141用的材料也可采用Co、Fe、Ni的单一元素或它们的合金。下部被固定(层141的磁性膜厚(饱和磁化BsX膜厚t(Bst的积))最好与上部被固定(t'层143的磁性膜厚大致相等。也就是说，最好上部被固定(层143的磁性膜厚和下部被固定(t'层141的磁性膜厚对应。作为一个例子，上部被固定(匕'层143为(Fe5。Co5。[lnm]/Cu)X2/Fe5。Co5。[lnm]的情况下，薄膜中的FeCo的饱和磁化约为2.2T，所以磁性膜厚为2.2TX3nm=6.6Tnm。Co9。Fe^的饱和磁化约为1.8T，所以给予与上述相等的磁性膜厚的下部被固定(O)层141其膜厚t为6.6Tnm/1.8T=3.66nm。因而，膜厚最好能使用约3.6nm的Co9。Fe10。下部被固定(O)层141所用的磁性层的膜厚最好为25nm左右。基于固定层13(例如IrMn)的单向各向异性磁场强度及通过磁耦合层142(例如Ru)的下部被固定(t°>)层141和上部被固定(t°>)层143两者间的反铁磁性耦合磁场强度的观点，若下部被固定(f>)层141过薄则MR变化率便变小。而若下部被固定(t'层141过厚，则难以获得器件动作所需的足够的单向各向异性磁场。作为一理想例可以为膜厚3.4nm的Co9。FeK)。磁耦合层142(例如Ru)具有与上下磁性层(下部被固定(^>)层141及上部被固定(O)层143)产生反铁磁性耦合来形成复合被固定结构的功能。作为磁耦合层142用的Ru层其膜厚最好为0.8lnrn。另外，只要是在上下磁性层产生足够的反铁磁性耦合的材料，亦可采用Ru以外的材料。替代与RKKY(Ruderman—Kittel—Kasuya—Yosida)耦合的第2峰值对应的膜厚0.8lnm，也可采用与RKKY耦合的第1峰值对应的膜厚0.30.6nm。第1峰值有格外大的反平行磁化固定力，而另一方面，膜厚的宽裕量小。这里作为一个示例列举一能获得高可靠性、耦合稳定的特性的0.9nmRu的例子。作为上部被固定(匕°层143的一例可以采用(Fe5。Co5。[lnm]/Cu)X2/Fe5。Co5。[lnm]这种磁性层。上部被固定(t'>)层143成为自旋相关散射单元的一部分。上部被固定(^>)层143是直接有助于MR效果的磁性层，为了获得较大的MR变化率，其构成材料、膜厚两者都很重要。特别是位于与CCP—N0L层16间的界面处的磁性材料在有助于自旋相关界面散射上尤为重要。下面对作为上部被固定(f层143在这里使用的具有bcc结构的Fe5。Cos。的效果进行叙述。作为上部被固定(？>)层143在采用具有bcc结构的磁性材料时，由于自旋相关界面散射效应强，所以能实现较大的MR变化率。作为具有bcc结构的FeCo系合金可以举出向FexCo咖-x合金(x^3010Cm)、或向FexC0l。。-x中添加元素的例子。其中一例为，能满足各种特性的Fe4。Co6。Fee。Co4。是通常使用的材料。上部被固定(t°>)层143由容易实现高MR变化率的具有bcc结构的磁性层形成的情况下，最好该磁性层的全部膜厚大于或等于1.5nm。这是用于稳定地保持bcc结构。自旋阀膜所用的金属材料大多为fee结构或fct结构，所以只有上部被固定(t'层143可具有bcc结构。因此，当上部被固定(t'^)层143的膜厚过薄时，就难以稳定地保持bcc结构，无法得到较的高MR变化率。这里，作为上部被固定(e>)层143采用含极薄Cu层叠的Fes。Co5。。这里，上部被固定(匕°>)层143由全部膜厚3nm的FeCo和每lnm的FeCo层叠的0.25nm的Cu所组成，总膜厚为3.5nm。较好是上部被固定(^层143的膜厚小于或等于5nm。这是为了获得较大的固定磁场的缘故。因而具有bcc结构的上部被固定层143其膜厚较好为2.04纳米量级，从而较大的固定磁场和bcc结构的稳定性彼此兼容。上部被固定(>)层143可采用现有的磁阻效应元件中广泛使用的具有fcc结构的C09。Fe,。合金、或具有hcp结构的钴合金，代替具有bcc结构的磁性材料。Co、Fe、Ni等单体金属或含有它们中某一元素的合金材料都可以作为上部被固定(t'层143而采用。作为上部被固定(t'层143的磁性材料依据对获得较大的MR变化率的有利程度的顺序排列，依次为具有bcc结构的FeCo合金材料、具有大于或等于50%的钴组分的钴合金、具有大于或等于50%的镍组分的镍合金。在此作为一例可例举，上部被固定(t°层143可采用磁性层(FeCo层)和非磁性层(极薄Cu层)交替层叠而成的层叠体。具有这种结构的上部被固定(O)层143利用极薄Cu层能提高称为自旋相关体散射效应的自旋相关散射效果。'自旋相关体散射效果'是用于相对于自旋相关界面散射效果而言的。所谓自旋相关体散射效果为在磁性层内部观察到的MR效应的现象。而自旋相关界面散射效果是在隔层和磁性层的界面上观察到的MR效应的现象。下面说明磁性层和非磁性层的层叠结构对体散射效果的改善。CCP"CPP元件中，由于电流在CCP—N0L层16附近变窄，所以CCP—N0L层16在界面附近的阻抗作用非常大。也就是说，CCP—N0L层16和磁性层(被固定(t'层14、自由层18)界面处的阻抗占磁阻效应元件总体阻抗的比例相当大。这表明，对CCP—CPP元件；来说自旋相关界面散射效果的作用非常大，相当重要。也就是说，CCP—N0L层16位于界面的磁性材料的选择与现有的CPP元件相比具有重要的意义。这就是采用具有自旋相关界面散射效果大的具有bcc结构的FeCo合金层作为被固定(t'>)层143的理由，具体如前文所述。但也不可勿视采用体散射效应大的材料，为了得到更高的MR变化率，这一点依旧很重要。为了获得体散射效果用的极薄Cu层其膜厚较好为0.1lnm、更理想的为0.20.5nm。Cu层膜厚过薄，则提高体散射效果的作用减弱。而Cu层膜厚过厚，往往体散射效果降低，并且非磁性Cu层介于两者间的上下磁性层其磁耦合变弱，被固定(t'^)层14的特性就不能充分发挥。因此，作为一例理想方式举例的是采用0.25nm的Cu。作为磁性层间的非磁性层材料，也可以用Hf、Zr、Ti等来代替Cu。而插入上述极薄的非磁性层的情况下，FeCo等磁性层的每一层膜厚较好为0.52nm、更理想的为11.5nni左右。作为上部被固定(t'>)层143，也可以采用将FeCo和Cu合金化后的层来替换FeCo层和Cu层间交替层叠的结构。作为这种FeCoCu合金，可举出例如(FexCo1M—x)咖-yCUy(x=30100、y-315左右)，但也可以采用除此以外的组分范围。这里，作为添加入FeCo的元素也可以用Hf、Zr、Ti等其它元素来代替Cu。上部被固定(t'层143可用Co、Fe、Ni、或它们的合金组成的单层膜。举例来说，作为一种结构最简单的上部被固定(t'>)层143，可以采用以往一直广泛使用的24nm单层的Co9。Fei。。也可将其它元素添加入该材料中。下面说明形成隔层的膜构成。下部金属层15用于形成电流通路162，可以说是电流通路162的供给源。但在形成电流通路162后不需要作为明确的金属层而残留。下部金属层15为形成广义的隔层的一部分用的材料。下部金属层15在形成其上部的CCP—NOL层16时，具有抑制处于下部的磁性层143氧化的阻挡层功能。CCP—NOL层16具有绝缘层161、电流通路162。绝缘层161由氧化物、氮化物、氧氮化物构成。作为绝缘层161可以具有A1A这种非晶态结构、MgO这种结晶结构两者。为了作为隔层起作用，较好是绝缘层161的厚度为13nm、更理想的为L52.5nm范围。另外，CCP—N0L层16相当于本发明的电流收窄层。作为绝缘层161所用的典型绝缘材料，具有以Al203为基材的绝缘材料、或在其中加入添加元素的绝缘材料。作为添加元素有Ti、Hf、Mg、Zr、V、Mo、Si、Cr、Nb、Ta、W、B、C、V等。这些添加元素的添加量可在0%50%左右范围内适当调整。作为一例，可以将约2nm的八1203作为绝缘层161使用。对于绝缘层161也可以用Ti氧化物、Hf氧化物、Mg氧化物、Zr氧化物、Cr氧化物、Ta氧化物、Nb氧化物、Mo氧化物、Si氧化物、V氧化物等来替代Al^这种Al氧化物。在上述氧化物的情况下，也可采用上述材料作为添加元素。另外，添加元素的添加量可在0%50%左右范围内作适当调整。即便是采用以上述A1、Si、Hf、Ti、Mg、Zr、V、Mo、Nb、Ta、W、B、C为基体的氧氮化物、氮化物来替代上述氧化物，也只要是具有使电流绝缘的功能的材料就行。电流通路162是按CCP—N0L层16的膜面垂直方向使电流流过的通路(路径)，用于使电流收窄。可以起到按绝缘层161的膜面垂直方向使电流通过的导电体作用，由例如Cu等金属层所构成。具体来说，隔层16具有电流收窄结构(CCP结构)，可利用电流收窄效应增大MR变化率。形成电流通路162(CCP)的材料，除了Cu外还可例举Au、Ag、Ni、Co、Fe或者包含上述元素其中至少之一的合金层。作为一例可由包含Cu的合金层形成电流通路162。也可用CuNi、CuCo、CuFe等合金层。这里，为了高MR变化率和减小被固定层14和自由层18的层间耦合磁场(interlayercouplingfield,Hin)，希望形成为具有50%或以上Cu的组成。电流通路162与绝缘层161相比是氧、氮含量显著较少的区域(氧含量之差、氮含量之差至少有两倍或两倍以上)，通常为结晶相。由于与非结晶相相比结晶相的阻抗较小，所以很容易作为电流通路162发挥作用。上部金属层17具有保护成膜于其上的自由层18避免与CCP—NOL层16的氧化物相接触氧化的阻挡层功能，以及使自由层18的结晶性良好的功能。例如绝缘层161的材料为非晶态(例如AU)3)时，虽然成膜于其上的金属层其结晶性恶化，但可通过设置使fcc结晶性良好的层(例如Cu层)(小于或等于lnm左右的膜厚为宜)，便能显著地改进自由层18的结晶性。根据CCP—N0L层16的材料或自由层18的材料，可以不设上部金属层17。通过优化退火条件、选择极薄氧化层16的绝缘层161的材料、及自由层18的材料，从而能避免结晶性降低，CCP—NOL层16的金属层17可以不需要。但考虑到制造上的宽裕量的话，最好在CCP—NOL层16上形成上部金属层17。作为理想的一例，可采用Cu作为上部金属层17。作为上部金属层17的构成材料，除了Cu以外也可用Au、Ag等。上部金属层17的材料最好与CCP—NOL层16的电流通路162的材料相同。上部金属层17的材料与电流通路162的材料不同的情况下，造成界面阻抗增大，但两者是相同材料的话，界面阻抗不会增大。上部金属层17的膜厚较好为01nm，更理想的为0.10.5nm。上部金属层17过厚的话，由隔层16收窄的电流在上部金属层17中扩展，电流收窄效应不充分，招致MR变化率下降。这里，本实施方式的要点是，通过使隔层中至少一部分作为密接力增强部分，从而显著改善元件的可靠性。稍后说明该处理细节。自由层18为所具有的铁磁性体其磁化方向随外部磁场而变化的层。举例来说，作为自由层18的一例可以举出将CoFe插入界面利用NiFe的Co9。Fe10[lnm]/Ni83Fe17[3.5nm]这种两层结构的例子。这种情况下，较好是在与隔层16的界面上设置CoFe合金而非NiFe合金。为得到高MR变化率，选择位于隔层16的界面处的自由层18的磁性材料相当重要。另外，不用NiFe的情况下，可以用单层C09。Fe,。[4nm]。另外，用具有CoFe/NiFe/CoFe等3层构成形成的自由层也行。CoFe合金中，为了软磁特性稳定，最好为Cog。Fe,使用Co9。Fei。附近的CoFe合金的情况下，最好膜厚为0.54nm。此外，最好是CoxFe1Qh(x=7090)。另外，可以采用将12nm的CoFe层或Fe层和0.10.8nm左右的极薄Cu层多层交替层叠的层叠体作为自由层18。CCP—N0L层16由Cu层形成的情况下，与被固定(O)层14同样，自由层18也将bcc的FeCo层作为与隔层16的界面材料的话，MR变化率便增大。作为与CCP—N0L层16的界面材料也可使用bcc的FeCo合金来替换fcc的CoFe合金。这种情况下，可以采用容易形成bcc层的FexC0l。。-x(x=30100)、或将添加元素加入其中的材料。上述构成当中，作为理想的一例可以采用Co9。Fei。[lnm]/Ni83Fe17[3.5nm]。罩层19具有保护自旋阀膜的功能。罩层19可以形成为例如多层金属层、例如为Cu层和Ru层的两层结构(Cu[lrnn]/Ru[10nm])。而且，作为罩层19也可用在Ru的自由层18—侧配置的Ru/Cu层等。这种情况下，Ru的膜厚较好为0.52nm左右。这种构成的罩层19尤其是自由层18由NiFe层形成的情况下较为理想。这是因为，Ru和Ni存在非固溶性关系，所以能降低自由层18和罩层19之间形成的界面混合层的磁致伸縮。罩层19为Cu/Ru、Ru/Cu其中任何一种情况下，Cu层的膜厚可较好为0.510nm左右，Ru层的膜厚较好为0.55nm左右。由于Ru电阻率高，因而不希望用太厚的Ru层，所以较好是形成为这样的膜厚范围。作为罩层19，也可以设置其它金属层来替代Cu层或Ru层。罩层19的构成并无特别限定，只要是可作为罩盖来保护自旋阀膜的材料，也可以采用其它材料。但有时可通过对罩层的选择来改变MR变化率或长期可靠性，所以需要加以注意。根据上述观点，Cu或Ru是较为理想的罩层材料例。上电极20是按自旋阀膜的垂直方向供电用的电极。通过在下电极11和上电极20间加上电压，从而自旋阀膜内部有该膜垂直方向的电流流过。上部电极层20可采用低电阻材料(例如Cu、Au)。图2图4放大示出的是上述实施方式的磁阻效应元件的隔层部分。图2示范的为绝缘层161的下侧界面及电流通路162的界面形成有密接力增强层21L的例子。图3示范的为绝缘层161的上侧界面形成有密接力增强层21U的例子。图4示范的为绝缘层161的下侧界面及电流通路162的界面形成有密接力增强层21L、以及上侧界面形成有密接力增强层21U的例子。本发明的磁阻效应元件中，可通过与绝缘层161相邻设置上述密接力增强层，从而增强绝缘层161和电流通路162及下部金属层15间的密接性、绝缘层161和上部金属层17间的密接性、或绝缘层161和电流通路162及下部金属层15、上部金属层17间的密接性。可通过这样提供一种使这些层间界面的密接力增强，元件的特性及可靠性大幅度提高，可力求提高可靠性的CCP—CPP型的磁阻效应元件。如上所述，绝缘层161的母材主要可从由Al、Si、Hf、Ti、V、Ta、W、Mg、Cr、及Zr所组成的元素组中选出，所以密接力增强层21L、21U可以由从A1、Si、Hf、Ti、V、W、Mo、Mg、Cr、及Zr所组成的元素组中选出的材料所构成。或者，可以采用氧化物生成能量比作为绝缘层161的母材选定的元素高、但氧化物生成能量比所述的金属层15、电流通路162、以及金属层17低的元素。表1一览表示上述元素的氧化物生成能量。根据该表，将例如Al用作为绝缘层161的母材时，可以采用Si、Hf、Ti、V、W、Mg、Mo、Cr及Zr作为密接力增强层21L。举例来说，用Si的情况下，为Mo、V、W、Mg这种密接力增强层。但进行CCP—N0L形成工序后，形成一层成为密接力增强层的母材，此后绝缘层161和金属层17的界面形成密接力增强层这种情况下，也能由与作为绝缘层161的母材所选定的元素相同的元素来形成密接力增强层。这是因为，如下面详细说明的那样预先形成有CCP—NOL，因而构成该绝缘层的氧其能量变得稳定，由于上述工序的原因能够减少与形成于密接力增强层上的金属层相接触的氧(0)量。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>作为密接力增强层的膜厚，为了获得密接力增强效果最好较厚。但若过厚，CCP—N0L16和被固定(f>)层14、以及CCP—N0L16和自由层18在层厚方向的距离加大，由CCP—N0L收窄的电流在被固定(t'>)层14和自由层18的位置处会变宽，有时会减弱界面散射的放大效应。基于上述理由，密接力增强层的膜厚较好是大于或等于0.05nni但小于或等于lnm，更理想的为大于或等于0.lnm但小于或等于0.5nm。另外，插入如上所述密接力增强层的CCP—N0L16的结构可以利用Imago科学仪器公司的局部电极原子探针(LocalElectrodeAtomProbe)来确认。三维原子探针显微镜是一种能以三维形式测绘材料的原子量级的组成信息的测量方法。具体来说，将高电压加于加工成前端的曲率半径30100nra、高度100um左右针状细棒的测量对象样品上。而且，用二维检测器检测从测量对象样品的前端被电场蒸发的原子位置。可通过追踪用二维检测器检测出的(x、y)二维平面内的原子位置信息的时间经过(时间轴)，从而得到z方向的深度信息来观察(x、y、z)三维结构。另外，除了用Imago科学仪器公司的装置以外，还可以用Oxford(牛津)仪器公司或Cameca公司、或者具有同等功能的三维原子探针进行分析。另外，通常外加电压脉冲以产生电场蒸发，但也可以用激光脉冲替代电压脉冲。无论何种情况，为了外加偏置电场均用DC电压。为电压脉冲情况下，根据电压加上电场蒸发所需的电场。为激光脉冲情况下，通过使温度局部升高、容易产生电场蒸发的状态，从而产生电场蒸发。下面详细说明本实施方式的CCP—N0L16的结构其可靠性优越的理由。A.与CCP—N0L层16的绝缘层161相邻的金属的氧化CCP—N0L层16，在例如用八1203作为绝缘层161的材料、用Cu作为金属层15及17的材料的情况下，与Al2(X相接的Cu氧化，并形成Cu0x。已知Cu0x使膜的密接力降低。这样，金属层15及金属层17所用的Cu、Au、Ag等氧化生成能量高的元素其氧化物往往会降低膜的密接力。CCP—CPP元件中，与绝缘层16相邻的金属层其密接力降低的情况下，会产生将电流供电发热作为驱动力的微观原子紊乱或微小的膜剥离现象。对CCP—CPP元件供电的情况下，电流集中于金属通路附近，电流通路自身因电流密度增加而产生焦耳热，并局部形成高温。另外，电流通路附近的绝缘层有传导电子以某一几率侵袭，造成损坏。与TMR(隧道磁阻TunnelingMagnetResistance)膜不同，由于电流集中，所以处于相当严酷的状况。另外，用断面TEM观察实际得到供电的元件的话，界面不至于受到破坏。可认为微观的原子紊乱毕竟有助于自旋相关传导。这样，与CCP—N0L16相邻的金属层其密接力较弱的情况下，很可能产生上述现象所导致的微观原子紊乱或微小的膜剥离，并降低可靠性。但可通过按图2和图4所示这种构成设置密接力增强层21L，从而抑制上述微观的原子紊乱或微小的膜剥离，来提高CCP—N0L16的可靠性，进而提高包括其在内的CCP"CPP结构的磁阻效应元件的可靠性。下面详细说明其原理。B.采用密接力增强层提高磁阻效应元件的可靠性以图2示出的对金属层15、电流通路162和绝缘层161之间制作密接力增强层21L的情形为例说明密接力增强层对磁阻效应元件可靠性的影响。首先，在不设密接力增强层的情况下，金属层15和与电流通路162直接含有许多氧的绝缘层161直接相接触，所以金属层15和电流通路162的金属会氧化。另一方面，如图2所示设置密接力增强层的情况下，密接力增强层21L的材料采用的是其氧化物生成能量比金属层15、电流通路162低，但其氧化物生成能量比绝缘层161的母材高的元素。这里，绝缘层161和密接力增强层21L的氧分布，其中绝缘层161的氧化物生成能量低，也就是说易氧化的材料，所以其中绝缘层161的氧含量高。因此，与金属层15和电流通路162相接的氧含量减少，从而抑制金属层15和电流通路162的氧化。另外，关于上述密接性增强的原理，以金属层15、电流通路162和绝缘层161之间制作密接力增强层21L的情形为例作了说明，但除此以外，关于绝缘层16和上部金属层17间的密接力增强，也可基于同样的原理使其密接性增强，提高CCP—N0L16的可靠性，进而提高包括其在内的CCP—CPP结构的磁阻效应元件的可靠性。(磁阻效应元件的制造方法)下面说明本实施方式的磁阻效应元件的制造方法。图5为概要示出本发明实施方式1的磁阻效应元件的制造工序的流程图。如该图所示，大致为按照如上所述这种材料构成及大小(膜厚)依次形成底层12罩层19(工序S11S17)。这时，工序S14中形成由金属层15、CCP—N0L16、金属层17所组成的隔层之际，在CCP—NOL的绝缘层161和金属层15、电流通路162、金属层17的界面上设置密接力增强层。下面给出形成图2图4所示构成的密接力增强层的情况下特意将S14工序细分后的工序图。另外，说明下面示出的工序中由具有非晶态结构的Al203作为绝缘层161、具有金属结晶结构的Cu作为电流通路162构成的情形。图6详细示出形成图2所示这种密接力增强层21L的工序。最初，形成Cu膜作为下部金属层15(S14—al)。然后，形成成为密接力增强层的母材用的金属层21LM(S14—a2)。成为密接力增强层的母材的金属21LM可采用氧化生成能量比成为CCP—N0L的母材的元素161高、但氧化生成能量比金属层15低的元素。这里釆用八1203作为绝缘层161，因而可根据表l采用Si、Hf、Ti、V、W、Mg、Mo、Cr、及Zr作为密接力增强层。然后，将成为CCP—NOL的母材的元素161M成膜(S14—a3)。这里将八1203形成为绝缘层161，所以作为所变换的母材金属层161M，形成AlCu或Al膜。然后，进行形成绝缘层161和电流通路162的过程(S14—a4)。该道工序中有若干种方法，稍后说明这些方法。首先，对母材金属层161M照射惰性气体(例如Ar)的离子束进行预处理。称该预处理为PIT(Pre—iontreatment预离子处理)。该PIT的处理结果，处于母材金属层161M中有下部金属层其中一部分上吸进入的状态。这样母材金属层161M成膜后进行如PIT这种能量处理，相当重要。在成膜的时刻，金属层15的Cu层和密接力增强层的母材层21L以二维膜形态存在，靠PIT工序将金属层15的Cu和密接力增强层的母材21LM上吸至AlCu层中并进入。进入AlCu层中的金属层15的Cu即便是以后进行氧化处理之后仍保持金属状态而成为电流通路162。而且，进入AlCu层中的密接力增强层的母材21LM在该PIT处理时与Cu未完全分离，但此后的氧化工序中可促进分离。为了实现高纯度Cu的电流收窄结构(CCP)，该PIT处理是相当重要的处理。该工序中，以加速电压30150V、离子束电流20200omA、处理时间30180秒的条件照射Ar离子。上述加速电压中最好电压范围为4060V。在电压范围高于其的情况下，由于PIT后表面粗糙等的影响，有时MR变化率会降低。另外，作为电流值来说可利用3080mA的范围，作为照射时间可利用60150秒的范围。另外，也有用偏置溅射形成变换成AlCu或Al等绝缘层161之前的金属层的方法，来代替PIT处理。这种情况下，偏置溅射的能量在DC偏置的情况下可以为30200V、在RF偏置的情况下为30~200W。然后，供给氧化气体(例如氧气)使母材金属层161M氧化，形成绝缘层161。这时，选择条件以便电流通路162保持原样不被氧化。利用这一氧化作用使母材金属层161M变换成由八1203组成的绝缘层，同时形成贯通绝缘层161的电流通路162，形成CCP—NOL16。该氧化工序中，与电流通路的Cu—起上吸的密接力增强层的母材21LM聚集于绝缘层161的八1203和电流通路162的01的界面，成为密接力增强层21L。另外，位于绝缘层16之下的密接力增强层的母材21LM原样成为密接力增强层21U举例来说，边照射惰性气体(Ar、Xe、Kr、He等)的离子束，边供给氧化气体(例如氧)使母材金属层161M氧化(离子束辅助氧化(IA0:Ionbeam—assistedOxidation))。利用该氧化处理可以形成具有由八1203所形成的绝缘层161和由Cu所形成的电流通路162的隔层16。是一种利用A1易氧化、但Cu难以氧化的氧化能量差异的处理。该工序中，边供氧边按加速电压40200V、离子束电流30200mA、处理时间15300秒的条件照射Ar离子。上述加速电压中最好电压范围为50100V。当加速电压高于其时，由于PIT之后表面粗糙等的影响，很可能造成MR变化率降低。另外，作为离子束电流可选用40100mA，作为照射时间可选用30180秒。IAO处理中氧化时的供氧量最好是20004000L范围。IAO时，不仅是A1，而且氧化至下部磁性层(被固定(t'>)层14)的话，CCP—CPP元件的耐热性、可靠性降低，所以不理想。为了提高可靠性，不使位于隔层16下部的磁性层(被固定(^层14)氧化，处于金属状态，是相当重要的。为了做到这一点，需要将供氧量设定为上述范围内。另外，为了利用所提供的氧形成稳定的氧化物，最好只在对基底表面照射离子束的期间让氧气流过。也就是说，未对基底表面照射离子束时最好不让氧气流过。下部金属层15的Cu层的膜厚可根据AlCu层的膜厚作相应调整。具体来说，AlCu层的膜厚加厚的话，PIT工序时进入AlCu层中的Cu量必须增加，所以需要加厚Cu层的膜厚。例如AlCu层的膜厚为0.60.8nm时，使Cu层的膜厚为0.10.5nm左右。AlCu层的膜厚为0.8lnm时，使Cu层的膜厚为0.3lnm左右。Cu层过薄的话，PIT工序时无法向AlCu层供给足够数量的Cu，所以难以使Cu的电流通路162贯通至AlCu层的上部。最终，面积电阻RA的过剩变得过高，而且有时MR变化率变成不足的值。另一方面，若下部金属层15的Cu层过厚，PIT工序时可对AlCu层供给足够数量的Cu，但被固定(t'^)层14和隔层16之间很可能残留较厚的Cu层。为了由CCP—CPP元件得到较高的MR变化率，需要隔层16中所收窄的电流保持收窄的状态不变到达磁性层(被固定(>)层M或自由层18)。被固定(^>)层14和隔层16之间有较厚的Cu层残留的话，隔层16中收窄的电流到达被固定(t'层14以前一直变宽，招致MR变化率下降。完成磁阻效应元件之后，最终残留的Cu的膜厚最好小于或等于lnm。这是因为，当膜厚大于或等于其时，电流收窄效果丧失，并且MR变化率的增大效果也会丧失。更理想的为最终残留的Cu的膜厚小于或等于0.6nm为宜。作为形成电流通路的第1金属层(下部金属层15)的材料，也可以用Au、Ag等来代替Cu。但与Au、Ag相比，Cu相对于热处理的稳定性好，较为理想。被固定(f>)层14所用的磁性材料和电流通路162所用的磁性材料相同的情况下，不需要在被固定(t'层14上使电流通路162的供给源(第1金属层)成膜。也就是说，被固定(t°层14上形成变换成绝缘层161的第2金属层之后，可通过进行PIT工序使被固定(t'层14的材料进入第2金属层中，形成由磁性材料所形成的电流通路162。将Al9。Cih。用于母材层162M的话，PIT工序中，不仅上吸第l金属层的Cu，而且AlCu中的Cu可从Al当中分离。也就是说，可由第l、第2金属层两层形成电流通路162。PIT工序后进行离子束辅助氧化时，利用离子束的辅助效果促进Al和Cu分离的同时进行氧化。母材层162M的膜厚为AlCu的情况下为0.62nm，为Al的情况下为0.51.7nm左右。上述第2金属层氧化形成的绝缘层161其膜厚为0.83.5nm。氧化后的膜厚在1.32.5nm左右范围内的绝缘层161容易制造，而且在电流收窄效应方面也有利。另外，贯通绝缘层161的电流通路162其直径为110nm左右，理想的为26nm左右。直径大于10nm的金属通路162做成较小的元件尺寸时，由于各个元件的特性偏差的原因，所以并不理想，最好不存在直径大于6nm的金属通路162。为了实现电流通路162的良好结构，上述说明中对利用PIT/IAO处理形成电流通路162的情况进行说明。但在IAO后利用Ar、Xe、Kr等惰性气体的离子束或惰性气体的等离子进行处理来代替PIT，也可以形成良好的电流通路162。该处理是在氧化后进行的处理，故称为AIT(After—iontreatment后离子处理)。也就是说，也可利用IA0/AIT处理来形成电流通路162。PIT处理中，在氧化前实现Cu和Al的分离。与此相反，AIT处理中，利用IA0将A1氧化成八1203后，促进Al203和Cu的分离。可利用AIT时的离子束或等离子的能量冲击来促进这种分离。另外，能够将部分氧化的电流通路162的形成部分的氧还原。也就是说，电流通路162的构成材料是Cu的情况下，可通过用AIT处理使IA0处理中所形成的Cu0x的氧还原，从而形成金属状态的Cu。AIT处理中按加速电压50200V、电流30300mA、处理时间30180秒条件对第2金属层的表面照射含有Ar、Kr、He、Ne、Xe等惰性气体的离子束或等离子(RF等离子等)。为离子束的情况下，可独立控制上述加速电压和电流。而为RF等离子的情况下，一旦决定投入RF能量，便会自动确定加速电压、电流，所以难以独立地控制加速电压和电流。但RF等离子具有装置维护方便这种优势。因而，根据装置的状况可利用离子束和RF等离子其中某一种。AIT处理中，由于氧化后需要进行与PIT相比相对较强的能量处理，所以被固定层14和自由层18的层间耦合磁场(interlayercouplingfield)容易变大。这是因为，隔层16的绝缘层161的表面凹凸因AIT处理而增大，所以有时奈耳(Neel)耦合(Orangepeelcoupling橙皮耦合)增加，由于PIT处理中没有上述问题，所以PIT是较为理想的工艺。进行AIT处理替换PIT的同时，也可以在进行PIT处理的情况下进行AIT。也就是说，也可进行PIT/IA0/AIT这样三种处理。这种情况下，较好是以使IAO后残留的微量的吸附浮游氧脱离为目的，按与没有PIT处理情形相比较较低的能量进行AIT处理。这种情况下的AIT条件的具体例如下面所述。也就是说，按照加速电压50100V、电流30200mn、处理时间10120秒的条件，对表面照射含有Ar、Kr、He、Ne、Xe等惰性气体的离子束或等离子(RF等离子等)。然后，在CCP—N0L16之上形成例如Cu膜(S4—a5)作为上部金属层17。理想的膜厚范围为0.20.6nm。当采用0.4nm左右时，具有容易提高自由层18结晶性这种优势。自由层18的结晶性可随成膜条件等作调整，所以上部金属层17并非不可或缺。但作为密接力增强的措施，除了插入上述密接力增强层以外，还可举出利用等离子或离子的密接力增强处理。也就是说，对欲增强密接力的界面进行离子或等离子处理来增加界面的凹凸，增大接触面积，来提高密接力。还具有利用离子或等离子处理来产生上下层的混合，并进一步增强密接力这种效果。作为一具体例，照射惰性气体的离子束或等离子。作为惰性气体可例举Ar、Xe、Kr、He、Ne等，但考虑到制造成本，Ar较为理想。根据需要，用质量更大的Xe等来代替Ar的话，有时可获得特有的效果。将本实施方式的密接力增强层与上述密接力增强处理组合的话，可预计进一步增强密接力。与图6所示的工艺相组合的情况下，可以将密接力增强处理用于下部金属层15的表面或成为密接力增强层的母材的金属层21LM的表面。上述密接力增强处理，也可与稍后说明的其它界面上所形成的密接力增强层相组合。图7详细图示的为形成如图3所示的密接力增强层21U情况下的工序。本工艺中，形成成为密接力增强层的母材的层之后，进行CCP—N0L形成工艺，在绝缘层161和金属层17的界面上形成密接力增强层。最初，形成Cu膜作为金属层15(S14—bl)。然后，形成成为CCP—N0L的母材的元素161M膜(S14—b2)。这里，由于形成Al2(U乍为绝缘层161，所以形成AlCu或Al膜，作为可变换的母材金属层161M。然后，形成成为密接力增强层的母材的金属层21UM(S14—b3)。成为密接力增强层的母材的金属层21UM，如上所述可利用氧化生成能量比成为绝缘层161的母材的元素161M高、但氧化物生成能量比金属层17低的元素。这里，由于用八1203作为绝缘层161，所以可根据表l采用Si、Hf、Ti、V、W、Mg、Mo、Cr及Zr作为密接力增强层。然后，进行形成绝缘层161和电流通路162的工艺(S14—b4)。该道工序形成绝缘层161和电流通路162，金属层21U聚集于绝缘层161的上表面，成为密接力增强层。然后，在如上所述得到的CCP—NOL16上形成例如Cu膜作为上部金属层17(S14—b5)。理想的膜厚范围为0.20.6nm左右。采用0.4nm左右膜的话，具有容易使自由层18结晶性提高这种优点。自由层18的结晶性可利用成膜条件等进行调整，故上部金属层17并非不可或缺。不形成金属层17的情况下，密接力增强层21U形成于绝缘层161和自由层18之间。自由层18的主要元素为Co、Fe、Ni。这种情况下，密接力增强层的母材21U其氧化物生成能量高于自由层18的构成元素的话，可获得密接力增强效果。根据表l，本实施方式中例举的密接力增强层的母材A1、Si、Hf、Ti、V、W、Mo、Mg、Cr及Zr其氧化物生成能量均比Co、Fe、Ni高，所以都能适用。图8也是详细地表示形成如图3所示的密接力增强层21U时的工序用的图。在本过程中，在进行形成CCP—N0L的过程后，形成一层成为密接力增强层的母材，此后，在绝缘层161和金属层17的界面上形成密接力增强层。最初，形成Cu膜，作为金属层15(S14—cl)。然后，形成成为CCP—N0L的母材的元素161M的膜(S14—c2)。这里由于形成Al2(U乍为绝缘层161，故作为被变换的母材金属层161M，形成AlCii或Al。然后，进行形成绝缘层161和电流通路162的过程(S14—c3)。在该道工序中，如以上所述，形成绝缘层161和电流通路162。然后，形成成为密接力增强层的母材的金属层21UM'(S14—c4)。这里所用的成为密接力增强层的母材的金属21UM'如以上所述，虽然可采用氧化物生成能量比成为绝缘层161的母材的元素161M高、但氧化物生成能量比金属层17低的元素，但也可以采用和构成绝缘层161的元素相同的元素，即氧化能量相同的元素。其理由将在以后阐述。在这道工序中，金属层21UM'聚集于绝缘层16之上部，形成密接力增强层21U。以下说明作为密接力增强层的母材21UM'，可以采用和绝缘层161的母材161M相同元素的理由。在图8示出的过程中，由于密接力增强层的母材21UM'的成膜在氧化工序后进行，所以绝缘层161的A1和0牢固地结合。因此，作为密接力增强层对以后成膜的A1不会明显地产生来自已成为氧化物的Al"3的0移动，绝缘层161的Al和密接力增强层的Al中0的含量就不同。其结果能减少与形成于密接力增强层上的金属层接触的0量。然后，在CCP—N0L16上，例如形成一层Cu膜作为上部金属层17(S14—c5)。理想的膜厚范围为0.20.6咖。若使用0.4nm左右，则具有容易提高自由层18结晶性能的优点。自由层18的结晶性可根据成膜条件进行调整，故上部金属层17不是必需的。在未形成金属层17的情况下，在绝缘层161和自由层18之间形成密接力增强层21U。自由层18的主要元素为Co、Fe、Ni。在这种情况下，密接力增强层的母材21U若其氧化物生成能量高于自由层18的构成元素，则能获得密接力增强效果。根据表l，本实施方式中列举出的密接力增强层的母材A1、Si、Hf、Ti、V、W、Mo、Mg、Cr及Zr其氧化物生成能量均比Co、Fe、Ni高所以都能适用。图9为详细地表示形成如图4所示的密接力增强层21L及21U时的工序用的图。在本过程中，按照图7所示的过程，在形成一层成为密接力增强层的母材后，进行形成CCP—NOL的过程，在绝缘层161和金属层15及17的界面上形成密接力增强层。最初，形成Cu膜，作为金属层15(S14—dl)。然后，形成一层成为密接力增强层的母材的金属层21LM(S14—d2)。成为密接力增强层的母材的金属层21LM可以釆用其氧化生成能量比成为绝缘层161的母材的元素161M高、但其氧化物生成能量比金属层15低的元素。这里采用八1203作为绝缘层161，所以根据表l可采用Si、Hf、Ti、V、W、Mg、Mo、Cr、及Zr作为密接力增强层。然后，形成成为CCP—N0L的母材的元素161M的膜(S14—d3)。这里由于形成A1203作为绝缘层161，所以形成AlCu或Al膜，作为被变换的母材金属层161M。然后，形成成为密接力增强层的母材的金属层21LM(S14—d4)。成为密接力增强层的母材的金属层21UM可采用其氧化生成能量比成为绝缘层161的母材的元素161M高、但其氧化物生成能量比金属层17低的元素。这里采用八1203作为绝缘层161，所以根据表1可采用Si、Hf、Ti、V、W、Mg、Mo、Cr、及Zr作为密接力增强层。然后，进行形成绝缘层161和电流通路162的过程(S14—d5)。在该道工序中，和上述一样，形成绝缘层161和电流通路162的同时，形成密接力增强层21L及21U以便覆盖绝缘层161。图10为同样地详细表示形成如图4所示的密接力增强层21L及21U时的工序用的图。在本过程中，按照图7所示的过程，在形成一层成为密接力增强层的母材后，进行形成CCP一N0L的过程，在绝缘层161和金属层15及17的界面上形成密接力增强层21L，再按照图8所示的过程，在绝缘层161和金属层17的界面上形成密接力增强层211T。最初，形成Cu膜，作为金属层15(S14—el)。然后，形成一层成为密接力增强层的母材的金属层21LM(S14—e2)。成为密接力增强层的母材的金属层21LM可以采用其氧化生成能量比成为CCP—NO的母材的元素161高、但其氧化物生成能量比金属层15低的元素。这里采用八1203作为绝缘层161，所以根据表1可采用Si、Hf、Ti、V、W、Mg、Mo、Cr、及Zr作为密接力增强层。然后，形成成为CCP—NOL的母材的元素161M的膜(S14—e3)。这里由于形成A1203作为绝缘层161，所以形成AlCu或Al膜作为被变换的母材金属层161M。然后，进行形成绝缘层161和电流通路162的过程(S14—e4)。在该道工序中，和上述一样，形成绝缘层161和电流通路162，在绝缘层161和金属层15的界面以及与电流通路162间的界面上形成密接力增强层21U然后，形成成为密接力增强层的母材的金属层21UM'(S14—e5)。这里所用的成为密接力增强层的母材的金属层21UM'采用其氧化生成能量比成为绝缘层161母材的元素161M高、但其氧化物生成能量比金属层17低的元素，但也可以用与构成绝缘层161的元素相同的元素，即用氧化生成能量相同的元素。其理由系基于与图8示出的过程相关所说明的理由。在该工序中，金属层21UM，聚集于绝缘层16的上部，形成密接力增强层21U'。(制造磁阻效应元件用的装置)图11为概要表示制造磁阻效应元件所用的成膜装置的示意图。如图11所示，以输送室(TC)50为中心分别通过闸阈设置加载固定室51、预净化室52、第1金属成膜室(MC1)53、第2金属成膜室(MC2)54、氧化物层氮化物层形成室(OC)60。该成膜装置中，在通过闸阀连接的各室之间，由于能在真空中输送基底，所以基底的表面能保持清洁。金属成膜室53、54具有多元(510元)靶标。成膜方式可以列举出DC磁控管溅射、RF磁控管溅射等溅射法、离子束溅射法、蒸镀法、CDV(ChemicalVaporD印osition化学气相沉积)法、以及MBE(MolecularBeamEpitaxy分子束外延)法等例子。(磁阻效应元件的制造方法的总体说明)下面具体说明磁阻效应元件的全部制造方法。在基底(图中未示出)上，依次形成下电极ll、底层12、固定层13、被固定(t'层14、下部金属层15、隔层16、上部金属层17、自由层18、罩层19、上电极20。将基底置于加载固定室51，分别在金属成膜室53、54形成金属膜，在氧化物层*氮化物层形成室60中进行氧化。金属成膜室中最好其真空度能达到小于或等于lX10_8Torr，通常为5X10—，orr5Xl(TTorr量级。输送室50中的真空度达到l(TTorr量级。氧化物层氮化物层形成室60中的真空度达到小于或等于8X10_8Torr。(1)形成底层12(工序Sll)在基底(图中未示出)上，利用精细加工过程预先形成下电极ll。在下电极ll上，例如形成一层Ta[5nm]/Ru[2nm]的膜作为底层12。如以上所述，Ta是缓和下电极粗糙用的缓冲层12a。Ru为控制在其上成膜的自旋阀膜的结晶取向及晶粒直径的籽晶层。(2)形成固定层13(工序S12)在底层12上形成固定层13。作为固定层13的材料可以采用PtMn、PdPtMn、IrMn、RuRhMn等反铁磁性材料。(3)形成被固定(t°层(工序S13)在固定层13上形成被固定(匕°>)层14。被固定(O)层14可以为由例如下部被固定(f>)层141(Co9。Fei。)、磁耦合层142(Ru)、以及上部被固定(e'层143(Co90Fe10[4nm])所形成的复合被固定(匕》)层。(4)形成CCP—N0L层16(工序S14)然后，形成具有电流收窄结构(CCP结构)的CCP—N0L16。利用氧化物层"氮化物层形成室60形成CCP—N0L16。CCP—N0L16的形成方法如(磁阻效应元件的制造方法)所述。通过在绝缘层161和金属层15及电流通路162间的界面、或在绝缘层161和金属层17或自由层18间的界面上设置密接力增强层，从而能提供高可靠性的磁阻效应元件。(5)形成自由层18(工序S15)首先，为了获得高MR变化率，选择自由层18其位于与隔层16间的界面的磁性材料相当重要。在这种情况下，与隔层16间的界面与NiFe合金相比最好设置CoFe合金。CoFe合金中尤其是可采用软磁特性较稳定的C09。Few[lnm]。其它的组成可以用CoFe合金在采用Co9。Fe^附近的CoFe合金时，最好取膜厚为0.54nm。在采用其它组成的CoFe合金(例如Co5。Fe5。)时，最好取膜厚为0.52nm。为了提高自旋相关界面散射效果，在自由层18上例如采用Co5。FeM(或FeXowh(x=4585))时，为了维持自由层18的软磁性，象被固定(f>)层14那样厚的膜厚使用困难。因此膜厚范围最好在0.54nm。在使用不含Co的Fe的情况下，由于软磁特性较好，所以膜厚可以为0.54nm。CoFe层上所设的NiFe层由软磁特性稳定的材料组成。虽然CoFe合金的软磁特性并不是那样地稳定，但通过在其上设置NiFe合金，从而能弥补软磁特性。将NiFe作为自由层18使用，就能在与隔层16的界面上使用可实现高MR变化率的材料，自旋阀膜总体的特性相当理想。NiFe合金的组成最好为NixFelOO—x(x=7885%)。这里，与通常使用的NiFe的组成NiwFe^相比，最好采用富镍的组成(例如Ni83FeJ。这是由于能实现零磁致伸縮。在成膜于CCP结构的隔层16上的NiFe与成膜于金属Cu制的隔层上的NiFe相比磁致伸縮向正侧偏移。为了抵消磁致伸縮向正侧偏移，采用Ni的组分比通常多的负侧的NiFe组分。最好NiFe层总膜厚为25nm(例如3.5nm)。在不使用NiFe层的情况下，可以使用将12nm的CoFe层或Fe层和0.10.8nm左右的极薄Cu层多层交替层叠成的自由层18。(6)形成罩层19和上电极20(工序S16)在自由层18上层叠例如Cu[lnm]/Ru[10nm]作为罩层19。在罩层19上形成按自旋阀膜垂直方向供电用的上电极20。[实施例](实施例1)下面说明本发明的实施例。本发明实施例的磁阻效应膜10的构成如以下所示。下电极11底层12:Ta[5nm]/Ru[2nm]固定层13:Ir22Mn78[7nm]*被固定(匕》)层14:Co75Fe25[3.2nm]/Ru/(Fe5。Co5。[lnm]/Cu)X2/Fe50Co50[lnm]金属层15:CuCCP—N0L16:形成由八1203的绝缘层161及Cu的电流通路162以及Ti所组成的密接力增强层(Ti/Al90Cu10[lnm]/Ti成膜之后作PIT/IAO处理)金属层17:Cu自由层18:Co90Fe10[lnm]/Ni83Fe17[3.5nm]罩层19:Cu[lnm]/Ru[10nm]上电极20。以下说明CCP—N0L16的制造工序。另外，其它的工序按上述方法进行，其说明从略。最初，形成Cu膜作为金属层15。形成Cu膜厚。然后形成Ti膜作为密接力增强层的母材的金属层。成为下方的密接力增强层的母材的Ti其氧化生成能量比CCP—NOL的母材即Al9。CUl。的主要成分Al高、但其氧化物生成能量比金属层15的Cu低。这里，作为密接力增强层除了Ti夕卜，还能利用Si、Hf、V、W、Mg、Mo、Cr及Zr。然后，形成成为绝缘层的八1203的母材的Al9。CUl。[lnm]。然后，形成成为上方的密接力增强层的母材的Ti膜。此后进行形成由八1203所形成的绝缘层和由Cu所形成的电流通路的形成工艺。本实施例中，进行PIT处理和IAO处理。利用上述工序，在由八1203所形成的绝缘层161和由Cu形成的电流通路162的CCP—NOL中，可对八1203的绝缘层161和金属层15间的界面、八1203的绝缘层161和电流通路162间的界面、Al203的绝缘层161和金属层17间的界面设置由Ti所形成的密接力增强层。用三维原子探针观察本实施例的磁阻效应膜10时，可以确认与Al203的绝缘层161和相邻的金属层间的界面上形成有以Ti为主要成分的密接力增强层。在评价本实施例的CCP~CPP元件的特性时，RA==500mQ/um2、MR变化率二9X、△RA=45mQ/ym2。与无密接力增强层的元件相比，在RA、MR变化率的数值上未产生较大的变化。下面评价可靠性。通电试验条件为温度130°C、偏置电压140mV。通过采用较通常的使用条件更严格的条件，从而以短时间的试验显露出可靠性之差异。另外，取电流从被固定(t°>)层14向自由层18流动的方向作为供电方向。也就是说，电子的流动，由于是与此相反，所以是从自由层18向被固定(t'v)层14流动。为了减少自旋转换噪声，这样的供电方向是较为理想的方向。在使电流从自由层18向被固定(t'>)层14流动时(电子的流动从被固定(O)层向自由层)自旋转换转矩效应大，在磁头上成为产生噪声的噪声源。根据这一观点，理想的构成是，供电方向为从被固定(t°层向自由层流动的方向。这里的试验条件由于是加速试验用，所以将温度取得高于通常的条件。另外根据元件尺寸的关系，偏置电压也是比较强的条件。在实施例中，相比实际磁头上的元件尺寸(实际上，元件尺寸比O.lwmxO.lym还要小的)，将元件尺寸加大。元件尺寸一大，尽管偏置电压相同但电流量变大，而且元件的散热性能变差。因此，在实施例的元件中焦耳发热的影响远大于实际磁头的元件，从而就在严酷的条件下进行试验。再有，偏置电压也比实际使用的电压值大，而且温度条件也比实际的高，所有的条件均被严格地设定，所以是为了能在短时间内判断可靠性之优劣而设定的加速试验条件。在按照这样的加速试验条件进行通电试验后，可以确认与未设密接力增强层的元件相比，可靠性显著提高。在本实施例中进行的严格条件下，本实施例的元件可靠性良好，这一点也意味着，本实施方式的磁阻效应元件可在需要高可靠性的环境下使用。在与高密度记录对应的磁头上能实现优于现有的可靠性极高的磁头。这种与高密度记录对应的磁头可用于可靠性技术规格要求极严的使用条件，例如在高温环境下的汽车导航应用、高速使用的服务器、企业级等的HDD(HardDiskDrive硬盘驱动器)。(实施例2)本实施例中，相对实施例l，在形成配置于绝缘层161上侧界面的密接力增强层的工艺方面有所不同。实施例1中，形成配置于绝缘层161上侧界面的密接力增强层的母材Ti膜之后，进行PIT/IAO处理，但在本实施例中，进行PIT/IAO处理后才形成密接力增强层的母材Ti膜。这种形成工艺中在形成上侧的密接力增强层时，作为密接力增强层的母材不仅可采用氧化生成能量较绝缘层161低的元素，而且也可采用氧化生成能量相同的元素。即除了Ti夕卜，还可用A1、Si、Hf、V、W、Mg、Mo、Cr及Zr。用三维原子探针观察本实施例的磁阻效应膜10的情况下，可以确认与八1203的绝缘层161相邻的金属层的界面上形成以Ti为主要成分的密接力增强层。在评价本实施例的CCP—CPP元件的特性的情况下，RA=500mQ/um2、MR变化率=9%、ARA二45mQ/ixm2。与无密接力增强层的元件相比，在RA、MR变化率的数值上未产生大的变化。可以确认与实施例1同样按照加速试验条件进行通电试验的情况下，与不设密接力增强层的元件相比，可靠性显著提高。(磁阻效应元件的应用)下面说明本发明实施方式的磁阻效应元件(CCP—CPP元件)的应用。本发明的实施方式中，CPP元件的元件电阻RA根据与高密度对应的观点最好小于或等于500mQ/um2，小于或等于300mQ/wW则更为理想。在计算元件电阻RA的情况下，使自旋阀膜通电部分的实际有效面积A与CPP元件的电阻R相乘。这里，元件电阻R能直接测量。而另一方面，自旋阀膜通电部分的实际有效面积A是与元件结构相关的值，所以在决定该其时要加以注意。例如，在将自旋阀膜的整体作为实际有效地进行检测的区域制作布线图案时，自旋阀膜全体的面积成为实际有效面积。在这种情况下，根据适当地设定元件电阻的观点，至少使自旋阀膜的面积小于或等于0.04ym2，按照大于或等于200Gbps的记录密度则为小于或等于0.02ixm2。但是，在形成与自旋阀膜相接面积比自旋阀膜小的下电极11或上电极20的情况下，下电极11或上电极20的面积成为自旋阀膜的实际有效面积A。在下电极11或上电极20的面积不同的情况下，电极面积小的电极成为自旋阀膜的实际有效面积A。在这种情况下，根据适当地设定元件电阻的考虑，规定至少使小的电极的面积小于或等于0.04ixm2。在以后将详细叙述的图12、图13的实施例的情况下，因为图12中自旋阀膜10的面积最小处为与上电极20接触的部分，所以考虑将其宽度作为磁道宽度Tw。关于高度方向，因为在图13中与上电极20接触的部分仍为最小，所以考虑将其宽度作为高度D。认为自旋阀膜的实际有效面积A为A=TwXD。本发明的实施方式的磁阻效应元件可以使电极间的电阻小于或等于IOOQ。该电阻R为对装在磁头悬架组件(HGA)前端上的再生磁头部的两个电极盘间进行测量的电阻值。本发明实施方式的磁阻效应元件上，被固定(t°>)层14或自由层18为fee结构的情况下，最好具有fcc(111)取向性。在被固定(匕°>)层14或自由层18具有bcc结构的情况下，最好具有bcc(110)取向性。在被固定(t'>)层14或自由层18具有hcp结构的情况下，最好具有hcp(001)取向性或hcp(110)取向性。本发明实施方式的磁阻效应元件的结晶取向特性，较好取向的偏差角度在4.0度以内，更理想的为在3.5度以内，再要理想的为在3.0度以内。该值可以作为由x衍射的e一2e测量所得的峰值位置处的摆动曲线的半高宽求得。另外，能作为来自元件断面的纳米(十7)衍射光点处的光点扩散角度进行检测。尽管也与反铁磁性膜相关，但通常反铁磁性膜和被固定(t'层14/CCP—N0L层16/自由层18两者的晶格间距有所不同，所以能逐层算出每一层取向的偏差角度。例如铂锰(PtMn)和被固定(t'层14/CCP—N0L层16/自由层18大多晶格间距有所相同。铂锰(PtMn)是相对较厚的膜，所以是适于测量结晶取向偏差的材料。对于被固定(O)层14/CCP—NOL层16/自由层18来说，被固定(t'>)层14和自由层18的结晶结构往往为如bcc结构和fcc结构那样有所不同。这种情况下，被固定(O)层14和自由层18就分别具有不同的结晶取向的扩散角。(磁头)图12和图13示出将本发明实施方式的磁阻效应元件安装在磁头中的状态。图12为相对与磁性记录媒体(图中未示出)对向的媒体对向面沿大致平行的方向剖截磁阻效应元件后的剖面图。图13为相对媒体对向面ABS沿垂直方向剖截该磁阻效应元件的剖面图。图12和图13中举例示出的磁头具有所谓的硬对接(贴合)(hardabutted)结构。磁阻效应膜10为上述CCP"CPP膜。磁阻效应膜10的上下分别设置下电极11和上电极20。图12中在磁阻效应膜10的两个侧面上层叠设置有偏置磁场施加膜41和绝缘膜42。如图17所示有一保护层43设置于磁阻效应膜10的媒体对向面。对磁阻效应膜10的检测电流如箭头A所示，利用配置于其上下的下电极ll、上电极20对膜面沿几乎垂直的方向通电。另外，通过设置于左右的一对偏置磁场施加膜41、41。对磁阻效应膜10加上偏置磁场。利用该偏置磁场控制磁阻效应膜10的自由层18磁各向异性进行单磁畴处理从而该磁畴结构稳定，抑制伴随磁畴壁移动而产生的巴克豪森噪声(Barkhausennoise)。由于磁阻效应膜10的S/N比提高，所以用于磁头时能高灵敏度地进行磁再生。(硬盘和磁头悬架组件)图12和图13示出的磁头能安装在记录再生一体型的磁头悬架组件上，加载到磁记录再生装置上。图14为举例表示上述磁记录再生装置概要构成的主要部分的立体图。即本实施方式的磁性记录再生装置150为采用旋转致动器形式的装置。在该图中，磁盘200装在主轴152上，利用对来自图中未示出的驱动装置控制部的控制信号作出响应的图中未示出的电动机沿箭头A的方向旋转。本实施方式的磁记录再生装置150可以具有多片磁盘200。记录再生存于磁盘200中的信息用的磁头滑动体153，安装于薄膜状悬浮体154的前端。将含有上述任一实施方式的磁阻效应元件的磁头安装在磁头滑动体153的前端附近。当磁盘200旋转时，磁头滑动体153的媒体对向面(ABS)离开磁盘200的表面保持规定的向上浮起量。或者，也可以为滑动体和磁盘200接触的称为'接触滑行'的型式。悬动体154和致动臂155的一端连接。致动臂155其中另一端设置有直线电动机的一种即音圈电动机156。音圈电动机156由绕于线圈骨架上的图中未示出的驱动线圈、与面对面配置成夹住该线圈的永久磁铁及对向磁轭形成的磁路所构成。致动臂155由设置于主轴157的上下两处的图中未示出的滚珠轴承保持，利用音圈电动机156能自由地旋转滑动。图15为从盘片一侧自致动臂155开始看前面的磁头悬架组件的放大立体图。即组件160具有致动机构臂155，致动臂155其中一端与悬浮体154相连。悬浮体154的前端安装着具有包括上述任一实施方式的磁阻效应元件在内的磁头的磁头滑动体153。悬浮体154具有读写信号用的引线164，该引线164与装在磁头滑动体153上的磁头各电极电连接。图中165为组件160的电极盘。根据本实施方式，利用具有上述磁阻效应元件的磁头能可靠地读取以高密度、磁性方式记录于磁盘200的信息。(磁存储器)下面说明装有本发明实施方式的磁阻效应元件的磁存储器。也就是说，利用本发明的实施方式的磁阻效应元件，来实现例如存储单元配置成矩阵的随机存取磁存储器(MRAM:magneticrandomaccessmemory)等磁存储器。图16图示的为本发明实施方式的磁存储器的一例矩阵构成。该图示出将存储单元配置成阵列状情形的电路构成。为了选择阵列中的一位，具有列译码器350和行译码器351，利用位线334和字线332使开关晶体管330导通、进行唯一性的选择，可通过用读出放大器检测来读出记录于磁阻效应膜10中磁性记录层(自由层)中的位信息。写入位信息时，加上使写入电流流过特定的写入字线323和位线322而产生的磁场。图17图示的为本发明实施方式的磁存储器其中一例矩阵构成。这种情况下，分别由译码器360、361选择配置成矩阵状的位线322和字线334，选择阵列中特定的存储单元。各存储单元具有磁阻效应元件10和二极管D串联连接的结构。这里二极管D具有防止检测电流在所选的磁阻效应元件10以外存储单元上迂回的作用。通过在特定的位线322和写入字线323上分别让写入电流流过产生磁场从而进行写入。图18为表示本发明的实施方式的磁存储器主要部分的剖面图。图19为沿图18的A—A'线的剖面图。上述图中示出的结构与图16或图17示出的磁存储器中的1位的存储单元对应。该存储单元具有存储元件部分311和地址选择用晶体管部分312。存储元件部分311具有磁阻效应元件10和与其连接的一对布线322、324。磁阻效应元件10为上述实施方式的磁阻效应元件(CCP—CPP元件)。另一方面，地址选择用晶体管部分312上设置通过敷镀金属的通孔326和埋入布线328连接的晶体管330。该晶体管330根据外加于栅极332的电压相应地作开关动作，控制磁阻效应元件10和布线334间电流通路的通断。另外，磁阻效应元件10的下方按与布线322几乎正交的方向设置写入布线323。这些写入布线322、323例如可以用铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)或含有上述任一种的合金来形成。这种构成的存储单元中，将位信息写入到磁阻效应元件10中时，写入脉冲电流在布线322、323上流过，通过外加由上述电流感生的合成磁场，从而能使磁阻效应元件记录层的磁化适当反转。另外，读出位信息时，读出电流通过布线322、具有磁性记录层的磁阻效应元件IO、和下电极324流动，测量磁阻效应元件10的电阻值或电阻值的变化。本发明的实施方式的磁存储器可通过采用上述实施方式的磁阻效应元件(CCP—CPP元件)，即便为单元尺寸细小的，仍能可靠地控制记录层的磁畴确保可靠地写入，并且读出也能确实地进行。(其它实施方式)本发明的实施方式并不限于上述实施方式可以进行扩充、变更，扩充、变更后的实施方式仍包括在本发明的技术范围内。关于磁阻效应膜具体结构、或其它的电极、偏置外加膜、绝缘膜等形状或材质，从事这项工作的人员通过从已知的范围内作适当选择，从而同样地对本发明加以实施，可获得相同的效果。举例来说，将磁阻效应元件用于再生磁头时，通过对元件的上下方提供磁屏蔽，从而能规定磁头的检测分辨能力。另外，本发明的实施方式不仅对纵向磁记录方式，而且对垂直磁记录方式的磁头或磁性再生装置也适用。再有，本发明的磁再生装置一方面可以是长期包括特定记录媒体的所谓固定式的磁再生装置，而另一方面，也可以是能调换记录媒体的所谓'可移除'方式的磁再生装置。此外，本领域技术人员可根据本发明实施方式上述磁头和磁记录再生装置进行适当设计修改的全部的磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，同样属于本发明范围。权利要求1.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；在所述所形成的功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；对所述所形成的第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。2.—种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第l磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第l金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；在所述所形成的第2金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；对所述所形成的第2金属层和功能层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。3.—种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；对所述所形成的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；在所述所形成的电流收窄层上形成以从A1、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层的工序；以及在所述功能层上形成第2磁性层的工序。4.一种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层的工序；在所述所形成的第1功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；在所述所形成的第2金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层的工序；对所述所形成的第2功能层和第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；以及在所述电流收窄层上形成第2磁性层的工序。5.—种磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，包括形成第1磁性层的工序；在所述所形成的第1磁性层上形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层的工序；在所述所形成的第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层的工序；在所述所形成的第1功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层的工序；对所述所形成的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理，并形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层的工序；在所述电流收窄层上形成以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层的工序；以及在所述第2功能层上形成第2磁性层的工序。6.如权利要求1、2、4中任一项所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，还包括在所述电流收窄层上进一步形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的金属层的工序。7.如权利要求3或5所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，还包括在所述功能层上进一步形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的金属层的工序。8.如权利要求1至5中任一项所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述功能层具有使所述电流收窄层和相邻层两者间密接性增强的功能。9.如权利要求1至5中任一项所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，所述功能层的膜厚大于等于0.lnm但小于等于0.5nm。10.如权利要求1至5中任一项所述的磁阻效应元件的制造方法，其特征在于，形成所述电流收窄层时的所述氧化氮化氧氮化处理，经过离子或等离子的照射来实施。11.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第l磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第l金属层；形成于所述第1金属层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层；通过对形成于所述功能层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；以及形成于所述电流收窄层上的第2磁性层。12.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第l金属层；通过对形成于所述第1金属层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化*氮化*氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层；以及形成于所述电流收窄层上的第2磁性层。13.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括第l磁性层；形成于所述第1磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；通过对形成于所述第1金属层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化，氮化-氧氮化处理所形成的，具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层；以及形成于所述功能层上的第2磁性层。14.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括第l磁性层；形成于所述第1磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；形成于所述第1金属层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化，氮化*氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层。15.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层；形成于所述第1金属层上的以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的以Al为主要成分的第2金属层进行氧化，氮化，氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的以从Al、Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层。16.如权利要求ll、12、14中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述电流收窄层上还包括以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的金属层。17.如权利要求13或15所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述功能层上还包括以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的金属层。18.如权利要求11至15中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述功能层具有使所述电流收窄层和相邻层两者间密接性增强的功能。19.如权利要求11至15中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述功能层的膜厚大于等于0.lnm但小于等于0.5nm。20.如权利要求11至15中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，形成所述电流收窄层时的所述氧化，氮化，氧氮化处理，经过离子或等离子的照射来实施。21.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；形成于所述第1金属层上的功能层；通过对形成于所述功能层上的第2金属层进行氧化氮化氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；以及形成于所述电流收窄层上的第2磁性层，所述功能层以氧化物氮化物生成能量比作为所述第1金属层的主要成分的元素低、但氧化物镙化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。22.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；通过对形成于所述第1金属层上的第2金属层进行氧化，氮化，氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的功能层；以及形成于所述功能层上的第2磁性层，所述功能层以氧化物氮化物生成能量比作为所述第2磁性层的主要成分的元素低、但氧化物镙化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。23.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括-第1磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；通过对形成于所述第1金属层上的第2金属层进行氧化，氮化，氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的功能层；以及形成于所述功能层上的第2磁性层，所述功能层以氧化物，氮化物生成能量与作为所述第2磁性层的主要成分的元素相等或其以下、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。24.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括第l磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；形成于所述第1金属层上的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的第2金属层进行氧化，氮化，氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层，所述第1功能层以氧化物，氮化物生成能量比作为所述第1金属层的主要成分的元素低、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分，所述第2功能层以氧化物，氮化物生成能量比作为所述第1磁性层的主要成分的元素低、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。25.—种磁阻效应元件，其特征在于，包括第l磁性层；形成于所述第1磁性层上的第1金属层；形成于所述第1金属层上的第1功能层；通过对形成于所述第1功能层上的第2金属层进行氧化*氮化，氧氮化处理所形成的、具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层；形成于所述电流收窄层上的第2功能层；以及形成于所述第2功能层上的第2磁性层，所述第1功能层以氧化物*氮化物生成能量比作为所述第1金属层的主要成分的元素低、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分，所述第2功能层以氧化物，氮化物生成能量与作为所述第2磁性层的主要成分的元素相等或其以下、但氧化物氮化物生成能量比作为所述第2金属层的主要成分的元素高的元素为主要成分。26.如权利要求21、22、24中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述电流收窄层上还包括以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的金属层。27.如权利要求23或25所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述功能层上还包括以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的金属层。28.如权利要求21至25中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述功能层具有使所述电流收窄层和相邻层两者间密接性增强的功能。29.如权利要求21至25中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，所述功能层的膜厚大于等于0.lnm但小于等于0.5咖。30.如权利要求21至25中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，形成所述电流收窄层时的所述氧化，氮化，氧氮化处理，经过离子或等离子的照射来实施。31.—种磁头，其特征在于，包括权利要求1125中任一项所述的磁阻效应元件。32.—种磁记录再生装置，其特征在于，包括磁记录媒体和权利要求31所述的磁头。33.—种磁存储器，其特征在于，包括权利要求1125中任一项所述的磁阻效应元件。全文摘要本发明提供一种可力求提高MR变化率和可靠性的磁阻效应元件、磁头、以及磁盘装置。其中，通过形成以从Cu、Au、Ag所组成的元素组中选出的元素为主要成分的第1金属层，在该第1金属层上形成以从Si、Hf、Ti、Mo、W、Nb、Mg、Cr、和Zr所组成的元素组中选出的元素为主要成分的功能层，在该功能层上形成以Al为主要成分的第2金属层，对该第2金属层进行氧化·氮化·氧氮化处理，形成具有绝缘层和使电流在该绝缘层层厚方向上通过的导电体的电流收窄层，来构成磁阻效应元件的隔层。文档编号H01L27/22GK101101957SQ200710127878公开日2008年1月9日申请日期2007年7月9日优先权日2006年7月7日发明者汤浅裕美,福泽英明,藤庆彦申请人:株式会社东芝