专利名称：：无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部和无Pb软钎焊合金的利记博彩app
技术领域：
：本发明涉及用于电子机器的无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部和无Pb软钎焊合金。
背景技术：
：以往，在配线材料，特别是铜和铜合金制的配线材料的表面上，为了防止氧化，实施镀Sn、镀Ag、镀Au或者镀Ni。例如如图1所示，在连接器1和柔性扁平电缆(以下称做"FFC")3的终端连接部中，在连接器(连接部件)1的连接销(金属端子)2、FFC3的导体4的表面等实施了镀层。其中，Sn由于其成本低廉、工业上优良，所以，一般广泛地使用表面上实施了镀Sn的配线材料。作为该镀Sn用合金，以往使用耐晶须性良好的Sn-Pb合金。但是，近年来，出于环境方面的考虑，需要使用无铅材料(非铅材料)、无卣素材料，需要实现用于配线材料的各种材料的无铅化、无卤素化。但是，伴随着镀Sn的无铅化，特别是在纯Sn镀敷中，会在镀Sn膜表面产生Sn的针状结晶的晶须，如图2所示，这些晶须5有可能造成邻接配线材料(导体4)之间发生短路。于是考虑到，为了緩和作为产生晶须的原因的向Sn镀膜的负荷应力，通过对实施了电镀等的Sn镀膜进行回流处理，来降低晶须的产生，其中，回流处理是在Sn镀膜上进行熔融-再固化处理。专利文献l:特开2001-131663号公报专利文献2:特开2002-317295号公报专利文献3:特开2003-211283号公报专利文献4:特开2000-208934号公报专利文献5:特开2003-129278号公报
发明内容发明要解决的问题但是，现在尚未正确理解晶须的产生机理以及减少(抑制)晶须的机理，而且，在使配线材料和连接器相嵌合的终端连接部等受到新的外部应力的部位，即使实施回流处理，也不能够抑制晶须的产生，目前尚无有效的对策。考虑到上述情况而提出的本发明的目的是，提供在无Pb的Sn系材料部的表面上抑制晶须产生的无Pb的Sn系材料，配线用导体，终端连接部，以及无Pb软钎焊合金。解决问题的手段为了达到上述目标，为了在使用时抑制伴随着体积变化而发生的无Pb的Sn系材料的晶体结构相变和氧化，为了抑制在无Pb的Sn系材料内部的应变能的产生，本发明的无Pb的Sn系材料是，在Sn系材料的母材中添加了作为第1添加成分的延迟晶体结构相变的元素(以下将第1添加成分的元素称为"延迟相变的元素，，)，并添加了作为第2添加成分的抑制母材的金属材料氧化的元素(以下将第2添加成分的元素称为"氧化抑制元素")。本发明的配线用导体为，在包括室温在内的同素异形相变温度以下使用在至少部分表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体时，为了抑制在制造时具有体心正方晶体结构的Sn系材料部((3Sn)转变成具有金刚石型晶体结构的aSn，并且为了抑制Sn系材料部的氧化而引起的体积膨胀，在Sn系材料的母材中，添加了从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素作为延迟相变的元素，添加了从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选4奪的至少一种元素作为氧化抑制元素，并进行回流处理。本发明的配线用导体为，在包括室温在内的同素异形相变温度以下使用至少在部分金属导体的表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体时，为了抑制在制造时具有体心正方晶体结构的Sn系材料部(pSn)转变成具有金刚石型晶体结构的aSn，并且为了抑制Sn系材料部的氧化而引起的体积膨胀，在Sn系材料部的上层或者金属导体的上层设置了由从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素构成的第1添加成分的层，以及设置了由从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素构成的第2添加成分的层，并经过回流处理。其中，希望分别以10wt。/。以下的比例在母材中添加相变延迟元素和氧化抑制元素。此外，关于在Sn系材料部的上层或者金属导体的上层上设置的第1添加成分的层和第2添加成分的层的量，优选其为Sn系材料部的10wt%以下。如果添加量过少，则添加效果不充分，如果添加量过多，则影响Sn系材料部的导电率和力学强度，因此，该添加量分别更优选为0.01~1.0wt%。此外，为了抑制在室温放置3000hr、热沖击试验3000循环、耐湿放置3000hr的条件下的晶须的产生，需要使氧化抑制元素的添加量为0.01wt。/。以上，特别需要使所使用的相变抑制元素的添加量比氧化抑制元素的添加量多，具体而言，优选相变抑制元素的添加量为0.1wto/。以上，更优选lwt。/。以上。配线材料可以在由Cu系材料构成的芯材的周围设置了Sn系材料部的披覆层。此外，Sn系材料部可以是软钎料或者硬钎料。另一方面，本发明的终端连接部，在金属导体的终端之间相互连接时，至少一方的终端由上述配线用导体构成，或者至少一方的终端表面由上述配线用导体所披覆，且终端之间由物理接触来连接。此外，本发明的终端连接部，使由上述配线用导体构成的配线材料与具有由上述配线用导体构成的金属端子的连接部件进行物理接触来连接，或者使由上述配线用导体披覆金属端子表面的连接部件之间进行物理接触来连接。而且，本发明的终端连接部是通过上述软钎料将金属导体之间相互电力软钎焊而连接的。此外，本发明的终端连接部是通过上述的硬钎料将金属导体之间相互电力硬钎焊而连接的。本发明的无Pb软钎焊合金中，含0.1~5wt%的Ag，含0.1~5wt%的Cu，含有10wt。/。以下的从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素作为第1添加成分，含有10wt。/。以下的从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素作为第2添加成分，其余部分为Sn。发明的效果根据本发明，可以得到终端连接部的连接可靠性高的无Pb的Sn系材料、配线用导体以及无Pb软钎焊合金，可以发挥优良的效果。此外，根据本发明，在电子机器用配线材料中，可以降低在表面实施有Sn系材料的配线材料的Sn系材料中所产生的应力，其结果是，可以抑制由于对Sn系材料的应力负荷而产生的Sn针状晶体的晶须，可以解决相邻配线材料之间短路的问题。图1:表示使连接器与FFC相嵌合、接触的图。图2:是图1的部分放大图，是表示产生晶须，相邻配线材料发生短路的图。符号说明1:连接器；2:连接销；3:FFC;4:导体；5:晶须。具体实施例方式说明本发明的一个合适的实施方式。作为配线材料的镀材一般使用镀Sn，镀Sn的母合金的Sn具有两种晶体结构类型，即，存在具有体心正方晶型的晶体结构的卩Sn(白锡(whitetin)，密度7,3g/cm3)和具有金刚石型晶体结构的aSn(灰锡(graytin),密度5.75g/cm3)。卩Sn向aSn的相变(以下称为卩—a相变)的同素异形相变点约为13。C(或其以下)，因此，即使在制造时是(3Sn,在同素异形相变点以下的温度使用时也相变成为aSn。此外，Sn的氧化物的氧化数是2和4，即黑色的正方晶型晶体的SnO(氧化亚锡，密度6.45g/cm3)和无色的正方晶系晶体的Sn02(氧化锡,密度6.95g/cm3)。本发明者经过深入研究的结果发现，在镀Sn膜表面产生晶须的原因可能是伴随着Sn的a相变或者氧化而产生的体积膨胀。特别是在镀Sn膜上承受外力负荷的部位上易于发生卩—a相变，体积膨胀27%。此外，在高温多湿的条件下Sn发生氧化形成氧化物，氧化物为SnO时体积膨胀28%,为Sn02时体积膨胀33%。伴随着这样的体积膨胀，无处可去的Sn原子向镀Sn膜外部伸出而呈柱状，从而形成晶须。由此可知，如果延迟了Sn镀膜的p—a相变和氧化，就可能抑制晶须的产生。作为延迟卩—a相变的元素(以下称为相变延迟元素)，已知有Pb、Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni,记载于例如在非专利文献1~3等中。这些元素中，除Ni以外的各元素，由于原子半径都比Sn大，认为具有抑制伴随着体积膨胀的卩—a相变的效果。除此之外，作为原子半径比Sn大的元素还可例举Ti、Zr、Hf。本发明中由于以无Pb为前提，因此釆用Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf作为相变延迟元素。非专利文献1:W.Lee.Williams,"GRAYTINFORMATIONINSOLDEREDJOINTSATLOWTEMPERATURE(低温焊接点处灰锡的形成)"，SYMPOSIUMONSOLDER非专利文献2:Alfred.Bornemann,"TINDISEASEINSOLDERTYPEALLOYS(焊料型合金中的锡疫)"，SYMPOSIUMONSOLDER(1956)非专利文献3:C.E.HormerandH.C.Watkins，"TransformationofTinatLowTemperature(锡在低温下的转化)，，，THEMETALINDUSTRY,1942，Vol.60，pp.364-366此外，作为抑制氧化的元素(以下称为氧化抑制元素)，从艾林汉(Ellingham)图读取的比Sn氧化倾向大的元素有Ge、P、K、Zn、Cr、Mn、Na、V、Si、Ti、Al、Li、Mg、Ca、Zr。由于这些元素的氧化倾向比Sn大，因此比Sn优先氧化，认为具有抑制伴随着体积膨胀的Sn的氧化的效果。本发明的合适的一个实施方式中的无Pb的Sn系材料，是在Sn系材料的母材中，添加了延迟晶体结构相变的相变延迟元素(第1添加成分的元素)和抑制氧化的氧化抑制元素(第2添加成分的元素)。相变延迟元素和氧化抑制元素是各自不同的元素。本实施方式中的配线用导体是，仅由该无Pb的Sn系材料构成金属导体整体，或者在金属导体的表面披覆无Pb的Sn系材料等。这里所说的配线用导体，是指配线材料、电缆导体、印刷线路等的金属导体。具体而言，本实施方式的配线用导体，至少在部分表面具有无Pb的Sn系材料部，Sn系材料部是由在母材中添加从Sb、Bi、OJ、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种来作为相变延迟元素，以及添加从K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种来作为氧化抑制元素而构成的。作为配线用导体，可以列举在由Cu系材料构成的芯材周围设置Sn系材料部的披覆层的配线材料、整体由Sn系材料构成的配线材料(软钎料或者硬钎料)等。例如作为配线材料，可以列举柔性扁平电缆(FFC)、柔性印刷线路板(FPC)、金属上贴付了绝缘体的配线板(MFJ)、印刷配线板、作为在绝缘体上配线的部件的供电板(PSB)、细尺寸的同轴电缆、天线用电缆等电子机器用配线材料。作为Sn系材料部的母材，可以是纯Sn和Sn合金中的任一种。此外，在母材中添加的相变延迟元素和氧化抑制元素的比例分别为0.001~10wt%,优选0.1wt。/。左右(或者0.01~l,Owt%)。如果相变延迟元素或者氧化抑制元素的添加比例小于0.001wt%,就不能充分达到延迟卩—a相变的效果或者抑制Sn氧化的效果。相反，如果相变延迟元素或者氧化抑制元素的添加比例超过10wt%，会产生出现裂紋、焊接连接性下降等的问题。此外，为了抑制在室温放置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr的条件下的晶须的产生，需要使氧化抑制元素的添加量为0.01wt。/。以上，特别需要使所使用的相变抑制元素的添加量比氧化抑制元素的添加量多，具体而言，优选相变抑制元素的添加量为0.1wt。/。以上，更优选lwt。/。以上。其理由据认为是，氧化抑制元素仅以在镀Sn的极表面的改性所必需的比例下即可，极少量就能发挥其效果，但相变抑制元素需要在镀Sn全体中添力口，要发挥效果就必需一定程度的添加量。在母材中添加的相变抑制元素和氧化抑制元素，如果考虑到制造时的工作环境和安全性，作为相变延迟元素，特别优选Sb、Bi、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf,作为氧化抑制元素，特别优选Ge、Zn、P、K、Mn、V、Si、Al、Mg、Ca。通过使用无Pb的软钎焊合金母材作为Sn系材料的母材，在该软钎焊合金母材中，分别以10wt。/。以下的比例添加上述相变延迟元素和氧化抑制元素，可以得到无Pb的软钎焊合金(软钎料或者硬钎料)。作为无Pb的软钎焊合金母材，可以列举Sn-0.15wty。Ag-0.15wt。/。Cu合金，但并不特别限定于此，现有的无Pb的软钎焊合金都可以适用。其中，通过在Sn系材料部的母材中添加In作为相变延迟元素，可以在延迟J3-xx相变的同时，实现P争低配线导体的熔点。这样，在配线用导体与软钎料或硬钎料等相接合时，可以提高流动性和接合性。此外，除了在Sn系材料部的母材中添加相变延迟元素和氧化抑制元素之外，还可以以例如0.15.0wt。/。的比例添加Cu。这样，在配线用导体与软4f料软钎焊接合时，可以防止配线用导体的焊锡腐蚀(食;b扎)。以下，说明本实施方式的作用。本实施方式的配线用导体，例如在FFC的导体等中使用的配线材料的情形下，作为配线用导体，可以列举在由Cu系导体构成的芯材的周围具有镀Sn膜的配线材料，其中镀Sn膜由在镀Sn母材中分别添加0.001~10wt%的比例的相变延迟元素和氧化抑制元素而形成。该配线材料不仅满足镀Sn膜的无Pb化要求，还具有与具有良好耐晶须性效果的Sn-Pb合金(软钎焊)镀膜的配线材料同等的耐晶须性。具体而言，具有这样镀Sn膜的配线材料(参照图1中的4)在与图1所示的连接器(连接部件)1的连接销2相嵌合、接触而连接时，即使在镀Sn膜上负荷巨大的压缩应力，由于相变延迟元素的作用4吏得Sn的(3—a相变延迟，同时由于氧化抑制元素抑制了Sn的氧化，因而抑制了在镀Sn膜表面上晶须的产生。也就是说，象配线材料和连接销嵌合、接触的终端连接部那样，即使在受到巨大外部压力的环境下，在镀Sn膜的表面几乎不产生晶须。这样的结果，对于终端连接部，可以避免伴随晶须的产生而发生的相邻导体的短路等的麻烦，提高终端连接部的连接可靠性。此外，即使在低温(同素异形相变点以下的温度)或高温下使用具有这样的镀Sn膜的配线材料，也可以抑制伴随体积变化的Sn的卩"Mx相变和氧化。因此，对于上述的终端连续部，由于能够在抑制产生晶须的同时，抑制配线材料(配线用导体)内部的应变能的产生、残留，因此可以良好地保持耐弯曲性。另一方面，本实施方式的无Pb软钎焊合金是对金属导体之间进行电力连接的软钎料(或者硬钎料)，是由在软钎料(或者硬钎料)的母材中分别以0.001~10wt%的比例添加相变延迟元素和氧化抑制元素而形成的材料所构成。对于使用这些软钎料(或者硬钎料)使金属导体之间由电力相互连接的终端连接部，该连接部具有与耐晶须性效果良好的Sn-Pb合金(软钎焊)的连接部同等的耐晶须性。因此，即使在低温(同素异形相变点以下的温度)或高温下使用该终端连接部，也可以抑制连接部中晶须的产生，可以避免伴随晶须的产生而发生的导体短路等的麻烦，提高连接部的连接可靠性。以下，说明本发明的其他实施方式本实施方式的配线用导体，是在金属导体的整体表面(至少部分表面)上设置无Pb的镀Sn膜，并且在该镀Sn膜的上层，设置相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层，然后进行回流处理而形成的，在金属导体的整体表面上具有无Pb的Sn的披覆层。无Pb的Sn的披覆层是主要由相变延迟元素、氧化抑制元素和Sn的合金构成的层，可以是全部的层由合金构成，也可以是层的一部分中残存若干相变延迟元素的层、氧化抑制元素的层和镀Sn膜中的任一种。相对于镀Sn膜的重量，相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层的重量比例分别为0.001~10wt%，优选0.1wt。/。左右(或者0.01~1.0wt%)。此外，为了抑制在室温放置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr的条件下的晶须的产生，需要使氧化抑制元素的添加量为0.01wt。/o以上，特别需要使所使用的相变抑制元素的添加量比氧化抑制元素的添加量多，具体而言，优选相变抑制元素的添加量为0.1wt。/。以上，更优选lwt。/。以上。本实施方式中，以在镀Sn膜的上层设置了相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层的情况为例进行了说明，但也可以是在金属导体的上层(镀Sn膜的下层)设置相变延迟元素的层和氧化抑制元素的层。此外，也可以是在镀Sn膜的上层设置相变延迟元素的层(或者氧化抑制元素的层)，在镀Sn膜的下层设置氧化抑制元素的层(或者相变延迟元素的层)。以下说明本实施方式的配线用导体的制造方法首先，对于金属导体，进行无Pb的Sn系材料的镀敷，在至少部分金属导体表面设置镀Sn膜。在该镀Sn膜上设置相变延迟元素的镀膜(以下简称相变延迟镀膜)，并且设置氧化抑制元素的镀膜(以下简称氧化抑制镀膜)。关于相变延迟镀膜和氧化抑制镀膜的形成顺序，哪一个在先均可。然后，对具有镀Sn膜、相变延迟镀膜和氧化抑制镀膜的金属导体，实施适当的压延加工、断面收缩加工等，之后进行回流处理(通电退火)。这样，镀Sn膜的Sn、构成相变延迟镀膜的相变延迟元素和构成氧化抑制镀膜的氧化抑制元素发生扩散，形成由镀Sn膜、相变延迟镀膜和氧化抑制镀膜的合金构成的披覆层。回流的退火温度和时间要采用使镀Sn膜的Sn、构成相变延迟镀膜的相变延迟元素和构成氧化抑制镀膜的氧化抑制元素发生扩散的充分的温度和时间。该退火温度和时间才艮据所使用的相变延迟元素和氧化抑制元素而不同，可以根据所使用的相变延迟元素和氧化抑制元素来适度调节。本发明并不限定于上述实施方式，当然是可以设想多种其他方式的。以下，基于实施例说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。实施例分别采用(a)在纯Sn中分别添加0.01wt。/。的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt%的氧化抑制元素(Ge、Zn、P、K、Mn、V、Si、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；(b)在纯Sn中分别添加0.01wt。/。的相变延迟元素(Bi)、0.01wt。/。的相变延迟元素(Ni)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；(c)在纯Sn中分别添加lwt。/。的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au中的任意一种)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(Zn、P、K、Mn、V中的任意一种)的材料；(d)在纯Sn中分别添加0.1wt。/。的相变延迟元素(Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(Si、P、Zn、Ge、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；(e)在纯Sn中分别添加lwt。/。的相变延迟元素(Bi)、0.lwt。/。的相变延迟元素(Ni)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；(f)在纯Sn中仅添加0.01wt%的相变延迟元素的材料；(g)在纯Sn中仅添加0.01wt%的氧化抑制元素的材料；(h)在纯Sn中不添加任何物质的材料，进行熔融镀敷，制成配线材料(实施例1~14、实施例15、实施例16、实施例17~23、实施例24~30、实施例31、实施例32、比沣交例1~9、比4交例10~18，现有技术例1)。此外，分别采用(i)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt%Ag-0.5wt%Cu合金中分别添加0.01wt%的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(Ge、Zn、P、K、Mn、V、Si、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；(j)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wto/。Ag-0.5wt%Cu合金中分别添加0.0lwt%的相变延迟元素(Bi)、0.01wt。/。的相变延迟元素(Ni)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；(k)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt。/。Ag-0.5wt。/。Cu合金中分别添加lwt%的相变延迟元素(Sb、Bi、In、Ag、Au中的任意一种)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(Zn、P、K、Mn、V中的任意一种)的材料；(1)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt。/。Ag-0.5wto/。Cu合金中分别添加0.1wt%的相变延迟元素(Ni、Ti、Zr、Hf中的任意一种)和0.01wt%的氧化抑制元素(Si、P、Zn、Ge、Al、Mg、Ca中的任意一种)的材料；(m)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt。/。Ag-0.5wt。/。Cu合金中分别添加lwt%的相变延迟元素(Bi)、0.lwtM的相变延迟元素(Ni)和0.01wt。/。的氧化抑制元素(P、Zn中任一种)的材料；(o)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt。/。Ag-0.5wtQ/。Cu合金中仅添加O.Olwt%的相变延迟元素的材料；(p)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt%Ag-0.5wt%Cu合金中仅添加O.Olwt%的氧化抑制元素的材料；(q)在作为无Pb软钎焊的Sn-3wt。/。Ag-0.5wt。/。Cu合金中不添加任何物质的材料，进行熔融镀敷，制成配线材料(实施例33~46、实施例47、实施例48、实施例49~55、实施例56~62、实施例63、实施例64、比较例19~27、比较例28~36，现有技术例2)。将这些各种配线材料分别与连接器嵌合接触，实施通常的室温放置试验(25°C)1000hr、热冲击试验(-55~125°C)1000循环和耐湿放置试验(55°C,95%RH)1000hr。进而，对于添加了0.1wt%以上的相变抑制元素的实施例17~32、实施例49~64,实施通常的室温放置试验(25°C)3000hr、热冲击试验(-55~125°C)3000循环和耐湿放置试验(55°C，95%RH)3000hr。然后，将各配线材料从连接器中取出，使用电子显微镜分别观察在镀膜表面的连接器嵌合部(连接部)上的晶须的生长状况(晶须的长度)。各试验后的各配线材料的耐晶须性评价结果如表1和表2所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>女没有晶须(室溫故置3000hr、热冲击试验3000循环、耐湿放置3000hr)O:没j晶须(室温放置1000hr、热冲击试验1000循环、耐湿放置1000hr)〇最大晶须长度小于50nm(室温放置1000hr,热冲击试验1000循环，耐湿放置1000hr)X:最大晶须长度50nm以上(室温放置1000hr,热沖击试验lOOO循环，耐湿放置.lOOOhr)表2<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>女没有品须(室温放置3000hr、热冲击试验3(H)0循环、耐湿放置3000hr)◎:没有晶须(室温放置10Q0hr、热冲击试验1000循环.耐湿放置1000hr)O:最大晶须长度小于5'0nm(室温放置1000hr、热冲击试验10Q0循环、耐湿放置1000hr)X:最大晶须长度50nra以上(室温放置1000hr,热冲击试验l.OOO循环，耐湿放置1000hr)由表1和表2可知，对于在纯Sn和Sn-3wt%Ag-0.5wt%Cu合金中不添加任何元素的现有技术例1、2中，产生的晶须的最大长度为50|im以上，完全得不到抑制晶须的效果。另一方面，仅添加了相变延迟元素或仅添加了氧化抑制元素的比较例1~36中，产生的晶须的最大长度变短为小于50pm，全部得到了抑制晶须的效果。与这些相比，添加了相变延迟元素和氧化抑制元素的实施例1~64,在评价耐晶须性的各试验后，完全没有产生晶须，可以确认得到比比较例1~36更高的抑制晶须的效果。特別是对于相变抑制元素的添加量在0.1wt。/。以上的实施例17~32、实施例49~64，即使各试验时间和次数分别为原来的3倍(室温放置3000hr、热沖击试-睑3000循环和耐湿放置3000hr),也完全没有产生晶须，可以确认获得了极高的抑制晶须的效果。权利要求1.一种无Pb的Sn系材料，其特征在于，在Sn系材料的母材中，添加作为第1添加成分的延迟晶体结构相变的相变延迟元素，以及作为第2添加成分的与所述相变延迟元素不同的元素的氧化抑制元素。2.—种配线用导体，其特征在于，在至少部分表面上具有Sn系材料部的配线用导体中，在Sn系材料部中添加从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素来作为第1添加成分，并且添加从Ge、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素来作为第2添加成分，并进4于回流处理。3.根据权利要求2所述的配线用导体，其中，所述Sn系材料部中添加的所述第1添加成分的元素和所述第2添加成分的元素分别为10wt。/。以下。4.一种配线用导体，其特征在于，对于至少在部分金属导体的表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体，在所述Sn系材料部的上层或者所述金属导体的上层上，设置由从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素构成的第l添加成分的层，和由从Ge、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素构成的第2添加成分的层，并进行回流处理。5.根据权利要求4所述的配线用导体，其中，在所述Sn系材料部的上层或者所述金属导体的上层上设置的所述第1添加成分的层和所述第2添加成分的层的量为，Sn系材料部的10wt。/o以下。6.根据权利要求2~5任一项所述的配线用导体，其中，其为在由Cu系材料构成的芯材的周围设置了所述Sn系材料部的披覆层的配线材料。7.根据权利要求25任一项所述的配线用导体，其中，所述Sn系材料部是软钎料或者硬钎料。8.—种终端连接部，其特征在于，在连接配线材料的导体和连接器部件的连接销时，所述导体或者所述连接销中至少一方由权利要求2~7的任一项所述的配线用导体构成。9.一种终端连接部，其特征在于，配线材料的导体之间相互连接时，所述导体中至少一方由权利要求2~7的任一项所述的配线用导体构成。10.—种无Pb软钎焊合金，其特征在于，含有0.1~5wt%的Ag，含有0.1~5wt。/。的Cu，含有10wt。/。以下的从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种元素作为第1添加成分以及含有从Ce、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种元素作为第2添加成分，其余部分为Sn。全文摘要本发明提供在无Pb的Sn系材料部的表面抑制晶须产生的无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部以及无Pb软钎焊合金。本发明所涉及的配线用导体是在至少部分表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体，其为在Sn系材料部中添加从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种来作为相变延迟元素，并且添加从Ge、P、K、Zn、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种来作为氧化抑制元素，并进行回流处理。文档编号H01B1/02GK101096730SQ20071010918公开日2008年1月2日申请日期2007年6月14日优先权日2006年6月26日发明者冲川宽,山野边宽,甫西,辻隆之申请人:日立电线株式会社