包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统的利记博彩app

文档序号:7231706阅读:200来源:国知局
专利名称:包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统的利记博彩app
技术领域
本发明关于 一种包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统,特别关 于一种在周边电路区上具有遮光结构的有源有机电激发光显示器。
背景技术
近年来液晶显示器或有源有机电激发光显示器(active-matrix organic light emission display,简称AMOLED)已经被大量应用在各式各样产品的显 示元件上,无论是哪一种显示器都需要在面板上设置周边电路区,其中有机 电激发光显示器的周边电路区因为其面板结构设计的关系,容易受到外界光 线的照射而使得其中的薄膜晶体管元件引发光电效应,进而导致周边电路区 产生漏电流等问题。
传统的有源有机电激发光显示器主要包含下发光式(bo加m emission) 与上发光式(top emission),其结构剖面示意图分别如图1和2所示。参阅图 1 ,下发光式AMOLED具有显示区102和周边区101,有源阵列(active-matrix Array) 12在阵列基板10的显示区102上,周边电路区14在阵列基板10的 周边区101上,有机发光层16在有源阵列12上方,覆盖玻璃(coverglass)18 在阵列基板上方包覆住显示区和周边区。下发光式AMOLED的有机发光层 16的发光方向A穿过阵列基板10向下发光,其显示面位于阵列基板侧。在 传统的下发光式AMOLED中,外界光线B会穿透阵列基板10到达其周边 电路区14,使得周边电路区产生漏电流问题,影响显示器的正常操作以及显 示品质。
接着请参阅图2的上发光式AMOLED,其结构剖面图与下发光式 AMOLED相似,差别在于其有机发光层16的发光方向A为向上穿过覆盖玻 璃18,其显示面位于覆盖玻璃侧。同样地,外界光线B会穿透覆盖玻璃18 到达周边电路区14,进而使得周边电路区产生漏电流而影响显示器的显示品质。
为克服上述问题,目前已有人提出一种改良式的上发光AMOLED,其结构剖面示意图如图3所示,其中具有滤色器结构,滤色器基板19取代原
本的覆盖玻璃,并且在滤色器基板19的周边区101设置黑色矩阵15,覆盖 周边电路区14,在滤色器基板19的显示区102则设置黑色矩阵15以及红、 绿、蓝彩色光致抗蚀剂17在有机发光层16上。虽然图3的结构在周边电路 区上具有黑色矩阵作为遮光层,但是此结构中周边区的黑色矩阵只适用于在 上发光式AMOLED中产生遮光作用,而且在AMOLED中也必须有滤色器 存在,如此将会限定AMOLED的结构设计与增加制作成本。
因此,业界亟需一种可克服周边电路区的漏电流问题的有源有机电激发 光显示器,其可同时适用于上发光式和下发光式的AMOLED,并且可以不 需要滤色器结构中的黑色矩阵作为遮光层,而是利用其他的结构设计产生周 边电路区的遮光效果,以达到降低漏电流现象和较佳的显示品质。

发明内容
同时适用于上发光式和下发光式的有机电激发光显示器,并且可以不需要滤 色器结构中的黑色矩阵作为遮光层,本发明的有源有机电激发光显示器在周 边电路区较无漏电流问题产生,因此可提高显示品质,同时此反射层的制作 可与有源阵列(Array)结构工艺整合在一起,进而降低制作成本。
为达上述目的,本发明提供一种包含有源有机电激发光显示器的图像显 示系统,该有源有机电激发光显示器具有发光面,包括阵列基板,具有显 示区和周边区;有源阵列,设置于阵列基板的显示区上;周边电路,设置于 阵列基板的周边区上;反射层,设置于阵列基板的周边区上,介于发光面与 周边电路之间,且覆盖周边电路;有机电激发光层,设置于有源阵列上方; 以及覆盖层,设置于有机电激发光层之上,覆盖显示区与周边区。
为了让本发明之上述目的、特征、及优点能更明显易懂,以下配合所附 图式,作详细说明如下。


图1为习知的下发光式AMOLED的结构剖面图; 图2为习知的上发光式AMOLED的结构剖面图; 图3为另一习知的上发光式AMOLED的结构剖面图;图4为本发明一实施例的上发光式AMOLED的结构剖面图; 图5A为本发明 一实施例的下发光式AMOLED的结构剖面图; 图5B为本发明另一实施例的下发光式AMOLED的结构剖面图; 图6为本发明 一 实施例的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统 的配置示意图。
主要元件符号说明
10、 20-阵列基板;12、 22~有源阵列;14、 24 周边电路;16、 30 ~ 有机电激发光层;18、35~覆盖层;19 滤色器基板;15、32-黑色矩阵; 17、 34~R、 G、 B彩色光致抗蚀剂层;21 、 26 ~反射层;31 ~阴极层;33 ~ 图案化的金属层;101、 201~周边区;102、 202~显示区;203 ~发光面; 300 本发明的有源有机电激发光显示器;400-输入单元;500-包含有 源有机电激发光显示器的图像显示系统;A -发光方向;B ~外界光线。
具体实施例方式
为了达到降低显示器周边电路区的漏电流现象,使得显示品质较佳,本 发明的有源有机电激发光显示器在发光面与周边电路区之间设置反射层,此 反射层可与目前的有源阵列结构工艺整合在一起,利用一般的阵列(Array) 工艺制作,而不需要额外的工艺或材料,进而节省制作成本,并且可同时适 用于上发光式和下发光式的AMOLED。
请参阅图4,其为本发明一实施例的上发光式AMOLED的剖面图,其 发光方向A为向上发光穿过覆盖层35,发光面203位于覆盖层35外侧。阵 列基板20具有周边区201和显示区202,利用阵列工艺在阵列基板20的显 示区上形成有源阵列22,并且在周边区上形成周边电路24,在有源阵列22 和周边电路24中皆含有多个薄膜晶体管(TFT)结构(未显示)。
接下来利用阵列工艺在显示区202的有源阵列22上形成反射层(亦即为 反射阳极)26的同时,在周边区201的周边电路24上也形成反射层26,进 而达到工艺整合的目的。反射层26为不透明的金属层,其材料例如为钼或 铝。在周边电路24上的反射层26介于发光面203与周边电路24之间,覆 盖住周边电路24,其具有遮光效用,可以反射照射到周边区201的外界光线 B,使得周边电路24的漏电流现象降低。
接着,在有源阵列22上的反射层26上形成有机电激发光层30,其可为各自独立(side-by-side)发出红、绿、蓝(RGB)的有机电激发光层,有机电激发 光层可包含电洞传输层、发光层以及电子传输层。另外,在有机电激发光层 30上尚包括阴极层31,其可为半透明或透明的导电层,适合的材料例如为 ITO、 IZO、 ZnO、 薄的A1-Ag合金,薄的铝层,薄的银层,并且基于电性 考量还可在阴极层31上形成图案化的金属层(busmeta1)33,其可为条状排列 的金属层,可作为辅助阴极,适合的材料例如为Al、 Ag。此外,虽然图中 未显示,但图案化的金属层(busmeta1)33尚可设置于周边区的反射层26上。 最后,在整个阵列基板上方形成覆盖层35,包覆周边区201与显示区 202,以保护AMOLED避免外界水气或氧气的侵入。覆盖层35可以是玻璃 基板或保护层,其中保护层为复数层有机层与无机层交替堆迭形成,其可以 取代玻璃基板。
请参阅图5A,其为本发明一实施例的下发光式AMOLED的剖面图,其 发光方向A为向下发光穿过阵列基板20,发光面203位于阵列基板20外侧。 阵列基板20具有周边区201和显示区202,在形成有源阵列22之前,先在 阵列基板20的周边区201和显示区202上同时形成反射层21,其中位于显 示区202上的反射层21为图案化的反射层,其围绕在显示器的各像素区的 周边形成,若以上视图观看,其形状为格子状。接下来在阵列基板的显示区 的反射层21上形成有源阵列22,并且在周边区201的反射层21上形成周边 电路24。反射层21为不透明的金属层,其材料可为反射率大于90%的金属 材料例如Mo。另外,由于后续的有源阵列22和周边电路24可使用低温多 晶硅(LTPS)工艺形成,因此反射层21必须可承受低温多晶硅工艺中例如准 分子激光退火(excimer laser anneal, 简称ELA)、快速热退火(rapid thermal anneal,简称RTA)、氢化或去氢化(de-hydrogenation)等步骤所使用的高温, 其熔点需大于40(TC。
在有源阵列22和周边电路24中皆含有多个薄膜晶体管(TFT)结构(未显 示),当周边电路24受到外界光线B的照射后,会在薄膜晶体管(TFT)元件 的沟道区(channel)界面产生漏电流现象,因此必须在元件的沟道区下设置遮 光层。在此实施例中,设置于阵列基板20的周边区201上的反射层21介于 发光面203与周边电路24之间,覆盖住周边电路24,由于其具有遮光效用, 可以反射照射到周边区201的外界光线B,因此可使得周边电路24的漏电 流现象降低。接着,在有源阵列22上形成有机电激发光层30,其可为各自独立 (side-by-side)发出红、绿、蓝(RGB)的有机电激发光层,其材料与工艺同前述 的实施例。最后,在整个阵列基板上方形成覆盖层35,包覆周边区201与显 示区202,以保护AMOLED避免外界水气或氧气的侵入,覆盖层35可以是 玻璃基板或保护层。
接着请参阅图5B,其为本发明另一实施例的下发光式AMOLED的剖面 图,其与图5A的差别在于具有阵列上滤色器结构(color filter on array,简 称COA)34,有机电激发光层30设置于有源阵列22以及滤色器34的红、绿、 蓝(RGB)彩色光致抗蚀剂上,在显示区202上没有黑色矩阵层,在此实施例 中,其有机电激发光层可以是发白光的有机电激发光层。同样地,在周边区 201的反射层21可以反射照射到周边区的外界光线B,使得周边电路24的 漏电流现象降低。此外,在此实施例中的覆盖层36包含玻璃基板或保护层。
与传统的有源有机电激发光显示器相较之下,本发明的有源有机电激发 光显示器在周边电路与发光面之间设置反射层,因此可避免外界光线照射到 周边电路,进而降低其漏电流现象。此外,本发明的周边电路的遮光结构不 需利用滤色器中的黑色矩阵,而是利用在阵列基板上方以目前的阵列工艺技 术沉积形成反射层达到遮光效果,因此可与阵列工艺整合在一起而节省制作 成本。并且本发明的反射层结构可同时适用于上发光式和下发光式的 AMOLED,而非如传统的有源有机电激发光显示器利用滤色器中的黑色矩阵 作为遮光层,只能适用于上发光式AMOLED。这是因为在下发光式 AMOLED中,滤色器为COA结构,因此其周边区的黑色矩阵位于周边电路 上方,而周边电路的遮光反射层必须介于发光面与周边电路之间才能达到遮 光效果,因此在下发光式AMOLED中,周边区的黑色矩阵的无法达到遮光 反射作用。
接着请参阅图6,其为本发明的包含有源有机电激发光显示器的图像显 示系统500的配置示意图,其中包含本发明所述的有源有机电激发光显示器 300,该有源有机电激发光显示器300可为电子装置的一部分。 一般而言, 图像显示系统500包含有源有机电激发光显示器300及输入单元400,输入 单元与有源有机电激发光显示器300耦接,并传输信号至有机电激发光显示 器,使有机电激发光显示器显示图像。图像显示系统500可为行动电话、数 码相机、个人数字助理(PDA)、笔记型电脑、桌上型电脑、电视、车用显示器或可携式DVD插_放机。
虽然本发明已揭露优选实施例如上,然其并非用以限定本发明,任何熟 悉此项技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可做些许更动与润饰, 因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。
权利要求
1.一种包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统,包含有源有机电激发光显示器,具有发光面,其中该有源有机电激发光显示器包括阵列基板,具有显示区和周边区;有源阵列,设置于该阵列基板的该显示区上;周边电路,设置于该阵列基板的该周边区上;反射层,设置于该阵列基板的该周边区和该显示区上,介于该发光面与该周边电路之间,且覆盖该周边电路;有机电激发光层,设置于该有源阵列上方;以及覆盖层,设置于该有机电激发光层之上,覆盖该显示区与该周边区。
2. 如权利要求1所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 其中在该周边区和该显示区上没有黑色矩阵层。
3. 如权利要求2所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 其中该有源有机电激发光显示器为上发光式有源有机电激发光显示器,具有 一发光方向通过该覆盖层,该发光面位于该覆盖层,且该反射层位于该显示 区的该有源阵列以及该周边区的该周边电路上。
4. 如权利要求3所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 其中该反射层包括不透明的金属层。
5. 如权利要求3所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 还包括阴极层设置于该有机电激发光层上以及图案化的金属层(bus metal)设 置于该阴极层上。
6. 如权利要求5所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 其中该图案化的金属层设置于该周边区的反射层上。
7. 如权利要求2所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 其中该有源有机电激发光显示器为下发光式有源有机电激发光显示器,具有 一发光方向通过该阵列基板,该发光面位于该阵列基板,且该反射层设置于 该阵列基板与该周边电路之间以及该阵列基板与该有源阵列之间。
8. 如权利要求7所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 其中该反射层的熔点大于400°C。
9. 如权利要求7所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统,其中设置于该阵列基板与该有源阵列之间的该反射层为图案化的反射层,且 该图案化的反射层围绕在显示器各像素的周边。
10. 如权利要求1所述的包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统, 还包含电子装置,该电子装置包含该有源有机电激发光显示器;以及输入单元,与该有源有机电激发光显示器耦接,其中该输入单元传输信 号至该有源有机电激发光显示器,以使该有源有机电激发光显示器显示图像。
全文摘要
本发明关于一种包含有源有机电激发光显示器的图像显示系统,该有源有机电激发光显示器具有发光面,包括阵列基板,具有显示区和周边区;有源阵列设置于阵列基板的显示区上;周边电路,设置于阵列基板的周边区上;反射层,设置于阵列基板的周边区上,介于发光面与周边电路之间,且覆盖周边电路;有机电激发光层,设置于有源阵列上方;以及覆盖层,设置于有机电激发光层之上,覆盖显示区与周边区。
文档编号H01L27/28GK101315943SQ200710105859
公开日2008年12月3日 申请日期2007年6月1日 优先权日2007年6月1日
发明者刘炳麟, 彭杜仁, 詹川逸 申请人:统宝光电股份有限公司
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