专利名称：结晶装置和结晶方法
技术领域：
本发明涉及半导体的结晶装置和结晶方法，并特别涉及一种通过利 用激光束透过掩膜(或掩模)照射多晶半导体膜或非晶态态半导体膜来 产生晶化半导体膜的装置、方法、掩膜等。
背景技术：
用于控制施加到例如液晶显示器(LCD)的像素上的电压的开关元 件或类似物的薄膜晶体管(TFT)的材料通常被粗略地分为非晶硅和多晶
娃o
多晶硅具有比非晶硅高的电子迁移率。因此，当利用多晶硅形成晶 体管时，与利用非晶硅的情形相比，开关速度被提高，并且显示器的响
应速度也被提高。另外，这种晶体管可以用作外围LSI的薄膜晶体管。 另外，利用这种晶体管可以获得诸如可使任何其它元件的设计余量减小 的优点。
在将外围电路例如除显示器主体以外的驱动电路或DAC结合到显示 器中的情形下，由晶体管构成这些外围电路能够以较高的速度工作。
多晶硅由大量的晶粒组成，其具有比单晶硅或晶化硅更低的电子迁 移率。此外，在利用多晶硅形成的小晶体管中，通道部分晶粒边界数的 不规律性是一个问题。因而，近年来提出了这样一种结晶方法，即产生 大颗粒直径的单晶硅，以便提高电子迁移率并减小通道部分处晶粒边界 数的不规律性。
作为一种已知的结晶方法，"相位控制ELA (准分子激光退火)"法
通过利用准分子激光束照射与多晶半导体膜或非晶态半导体膜并行相邻
的相移掩膜产生晶化的半导体膜。例如在"Surface Science Vol. 21， No. 5， pp. 278-287, 2000"中公开了相位控制ELA的详细内容。
在相位控制ELA中，相移掩膜产生具有反向峰值图案的光强度分布。 在该图案中，对应于产生相移掩膜的相移部分的点处(中心处的光强度 基本上为0并且向着外围突增的图案)光强度最小或基本上为0。用该光 强度分布具有反向峰值图案的光照射多晶半导体膜或非晶态半导体膜。 结果是，根据光强度分布，在半导体膜的熔融区产生一温度梯度，并且 与光强度为最小或基本上为0的点一致，在首先被固化的部位形成晶核。
然后，晶体沿横向从晶核向外围生长(横向生长)，由此产生具有较大颗 粒的单晶晶粒。
在现有技术中，通常使用的相移掩膜为所谓的线型相移掩膜，它由 沿一个方向交替重复的两种类型的矩形区域构成。在两种不同类型的区 域之间给出相位差TU (180°)。在此情况下，如图22所示，两个具有不同 厚度或不同相位的不同类型的区域201和202之间的边界构成一个相移 部分。用己经穿过该相移掩膜的光照射多晶半导体膜或非晶态半导体膜。 照射光具有带反向峰值部分RP的光强度分布，从而使得对应于相移部分 200的位置处的线段上的光强度基本上为0或最小，并且该光强度向着周 围一维地增大。
如上所述，在利用线型相移掩膜的现有技术中，沿着对应于相移部 分(边界200)的线段温度变得最低，并且沿与对应于相移部分的线段正 交的方向产生一温度梯度。另外，通常在两个相邻反向峰值图案部分RP 之间的中间部分MP的光强度分布(曲线)包含不规则的波动(波形分 布，例如光强度重复性地增大和减小)。
在此情况下，希望对于晶核的位置控制是在具有反向峰值图案部分
RP的光强度分布中具有较大倾斜的位置或接近最小强度点的位置产生晶 核。但是，在中间部分的波动中具有很低光强度的位置220 (即，不期望 的位置)可能会不方便地产生晶核。另外，即使在不希望的位置产生晶 核，从晶核开始向周围的横向生长也趋于在接近反向峰值部分RP和中间 部分MP之间边界的光强度减小的部位停止。
发明内容
本发明的目的在于提供一种结晶装置，其可以仅仅在所期望的一个 位置或多个部分产生一个或多个晶核，并且实现起始于晶核的充分的横 向生长，从而由此产生具有较大颗粒的晶化半导体膜。
为了实现该目的，根据本发明的第一方面，提供了一种结晶装置， 其包括照明系统，其照射一掩膜，并通过利用具有呈反向峰值图案的 光强度分布的光束透过掩膜辐射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜的 方式产生一晶化半导体膜。该掩膜包括光吸收层，其具有与呈反向峰值 图案的光强度分布相应的光吸收特性；具有光散射特性的光散射层；具 有光反射特性的光反射层；具有光折射特性的光折射层；和/或具有光衍 射特性的光衍射层。
第一层和第二层中的一个可以由一相移层替代。
根据本发明的第二方面，提供了一种结晶方法，其包括以下步骤 照射一掩膜，并通过利用具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束透过 该掩膜辐射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜的方式产生一晶化半导 体膜。该掩膜包括光吸收层，其具有与呈反向峰值图案的光强度分布相 应的光吸收特性；具有光散射特性的光散射层；具有光反射特性的光反 射层；具有光折射特性的光折射层；和/或具有光衍射特性的光衍射层。
如上所述，在根据本发明所述方面的技术中，可以通过利用一可任 意形成中等光强度分布的掩膜完全地控制被处理基底上所获得的呈反向
峰值图案的光强度分布的形态。因此，可以在所期望的位置产生晶核， 并且可以实现从晶核开始的充分的横向生长，从而由此产生具有较大颗 粒的晶化半导体膜。
本发明的各个目的和优点将在下面的描述中详细说明，这些目的和 优点可部分地从下面的描述中显而易见，或者可通过本发明的实践而获 知。本发明的这些目的和优点可以通过以下方式以及它们的组合而获得。
构成本说明书一部分的附图中示出了本发明的一些实施例，其与上 面的一般性描述以及下面将给出的关于实施例的详细描述一起用于解释 本发明的原理。
图1是根据本发明第一实施例的结晶装置的结构示意图； 图2示意性地示出了第一实施例中的掩膜的一基本单元部分的结构 和作用；
图3示意性地示出了根据第一变型的掩膜的一基本单元部分的结构 以及从该掩膜发出的光束的光强度分布；
图4是图3中所示掩膜的光散射层的效果示意图； 图5是光散射的基本视图6A-6E示意性地示出了根据第一变型的掩膜的制造方法以及使用 实施例的一个例子；
图7示意性地示出了根据第二变型的掩膜的一基本单元部分的结构 以及从该掩膜发出的光束的光强度分布；
图8A-8E示意性地示出了根据第二变型的掩膜的制造实施例以及使 用实施例；
图9示意性地示出了根据第三变型的掩膜的一基本单元部分的结构 以及从该掩膜发出的光束的光强度分布；
图10表示当根据第三变型的掩膜的折射面形成为阶梯形时获得的光
强度分布的模拟结果；
图11示意性地示出了根据第四变型的掩膜的一基本单元部分的结构
以及从该掩膜发出的光束的光强度分布；
图12是根据第四变型的掩膜的基本衍射效果的示意图13是根据第四变型的掩膜的制造方法及使用实施例的示意图14是根据本发明第二实施例的结晶装置的结构示意图15是根据本发明第三实施例的结晶装置的结构示意图16是根据本发明第四实施例的结晶装置的结构示意图17是根据本发明第五实施例的结晶装置的主要结构及作用的示意
图17A示出了图17中所示掩膜的一种变型；
图18A-18C为由光反射层和光吸收层整体构成的掩膜的制造方法及 其使用实施例的一个例子的示意图19A-19D示意性地示出了本发明第六实施例的结晶装置的掩膜以 及从该掩膜发出的光束的光强度分布，图19E为表示该掩膜的一种变型 的平面图20为具有二元分布特性的掩膜的制造方法及使用实施例的示意
图21A-21E示出了通过利用每个实施例的结晶装置制造电子器件的 方法的一个例子的各个步骤；以及
图22示出了当采用常规的线型相移掩膜时在被处理基底上获得的光 强度分布。
具体实施例方式
下面参考附图描述本发明的实施例。
图1是根据本发明第一实施例的结晶装置的结构示意图。根据本发
明第一实施例的结晶装置包括一个照射掩膜1的照明系统2。照明系统2 包括一个提供波长例如为248nm的激光束的KrF准分子激光光源2a。作 为光源2a，也可以使用其它适宜的光源，如XeCl准分子激光光源。从光
;源2a发出的激光束经一扩束器2b扩展然后进入第一蝇眼透镜2c。
通过这种方式，在第一蝇眼透镜2c的后焦平面上形成多个小光源， 并且从小光源发出的光通量经第一会聚光学系统2d以叠加的方式照射在 第二蝇眼透镜2e的入射面上。结果，在第二蝇眼透镜2e的后焦平面上 形成比第一蝇眼透镜2c的后焦平面上更小的光源。从形成在第二蝇眼透
,镜2e后焦平面上的小光源发出的光通量经第二会聚光学系统2f以叠加的 方式照射在掩膜1上。
此处，第一蝇眼透镜2c和第一会聚光学系统2d构成第一均化器。与 光入射到掩膜1上的入射角有关的强度通过第一均化器均化。另外，第 二蝇眼透镜2e和第二会聚光学系统2f构成第二均化器。与掩膜1上的平
;面内位置有关的强度通过第一均化器均化。因此，照明系统2用基本上 具有均匀的光强度分布的光或激光束照射掩膜1。
用穿过掩膜1的激光束辐射处理成平行并接近掩膜1的基底3。此处， 通过例如在液晶平板玻璃上利用化学气相沉积法连续地形成底层膜和非 晶硅膜的方式获得被处理基底3。换言之，掩膜1设置成面对非晶态半导
!体膜。被处理基底3通过真空夹具或静电夹具保持在基底支撑台4的预 定位置处。
下面参考图2描述本发明第一实施例中掩膜的一基本单元部分的结 构和作用。掩膜1由一个平行平面型透明基底lb和一光吸收层lc构成， 其中透明基底lb由透明材料如石英玻璃制成，光吸收层lc由预定的光 ;吸收材料制成并具有预定的表面形状。掩膜具有至少一个或通常为多个
分布在同一平面上的基本单元部分la,并且为了清晰起见，图2中只示 出了一个基本单元部分la。掩膜1最好具有这样一种形态，即基本单元 部分la实际上沿透射分布强度变化的方向(图2中的水平方向) 一维地 重复。即，多个条状矩形以这样的方式排列，从而相邻区域的长边变为 一个沿基底水平方向的公共边，并且在每个矩形区中形成一个基本单元 部分la。这一点在根据以下变型和实施例的掩膜中也同样适用。
作为光吸收材料，可以采用例如用在半色调型相移掩模中的材料， 即MoSi、 MoSiON、 ZrSiO、 a-碳、SiN/Tin、 TiSiN、铬及其它材料中的 至少一种。为了制造掩膜1，在透明基底1上形成一个例如由ZrSiO形成 的厚度均匀的光吸收膜，并且接着将一抗蚀剂施加到光吸收膜的表面上。 然后，通过连续地改变剂量实施电子束光刻和显影处理，并且在每个基 本单元部分la中以两边较薄、中心较厚的方式形成一个具有连续曲面的 抗蚀剂膜。之后，利用干蚀刻技术去除抗蚀剂膜和该膜之下的从抗蚀剂 膜侧直到所期望深度的基底的表面。通过这样的蚀刻，使其上具有较厚 抗蚀剂膜的光吸收膜的中心部分蚀刻得比其上具有较薄抗蚀剂膜的两边 部分更少。结果是，可以获得一种包括光吸收层lc的掩膜1，其中光吸 收层lc具有如图2所示的大致连续弯曲的阶梯形表面。
包括具有阶梯形表面(如大致八级阶梯)的光吸收层lc的掩膜l例 如可以通过多次重复成形和使光吸收膜图案化的方式制成。下面将详细 描述该技术。首先，除具有预定宽度的光吸收膜的两个外侧部分外，在 基底的每个矩形区域上施加一抗蚀剂膜，并在去除抗蚀剂膜之后，通过 蚀刻以预定的宽度和预定的深度仅仅蚀刻两个最外部分。然后，对光吸 收膜中不包括两个被蚀刻的最外部分和与两个最外部分相邻的预定宽度 的外部部分施加新的抗蚀剂膜。随后通过类似的蚀刻以预定的宽度和预 定的深度蚀刻外部部分，并进一步以与该蚀刻深度对应的深度蚀刻最外
部分。结果是，在最外部分和外部部分之间形成一阶梯。在这种方式中, 可以以蚀刻部分逐渐移向中心部分的形式执行六次该过程而形成光吸收 膜，从而获得中心最高突出八级阶梯的凸形。这只是一个例子，可以理 解，也可以不形成此阶梯并且阶梯数不局限于八个。
当用照明系统2的基本上具有均匀光强度分布的光或激光束照射具 有这种结构的掩膜1时，透过掩膜1的光具有这样的光强度分布，即在 被处理基底的表面3a上与光吸收层lc的凸部中心对应的位置光强度最 小，并且向着外围光强度单调地增大，也就是说，得出一呈反向峰值图 案(或凹形图案)的光强度分布。
如上所述，第一实施例使用了包括光吸收层lc的掩膜，其中光吸收 层lc具有根据呈反向峰值图案的所期望光强度分布得到的光吸收特性。 因而，可以完全地控制在被处理基底3上获得的光强度分布形态，并且 可以获得如图2中曲线所示的光强度分布，其中光强度从中心向周围单 调地增大。用具有这种光强度分布的光辐射的被处理基底根据该光强度 分布被加热。该基底的被加热部分的温度高于基底的熔化温度，以生长 出晶核。光的最小光强度可以设置为在低于、高于或等于熔化温度的温 度下加热基底的辐射部分。在移动基底的同时以脉冲形式辐射具有这种 光强度分布的光。结果是，可以在具有反向峰值图案的光强度分布的基 本中心处的倾斜较大的位置处(即，所期望的位置)产生晶核，并且与 现有技术不同，没有位于相邻反向峰值图案RP之间的中间部分MP的光 强度减小的部分。因而，可实现大晶体的生长，无需防止在过程中间横 向生长停止。在这种情况下，光吸收膜lc的最大突起部分(即掩膜la 中的本实施例的每个基本单元部分la的中心部分)精确地位于透明基底 lb上，并且因此可以通过精确定位掩膜la和被处理基底3而在被处理基 底3a上的所期望位置(部分)产生晶核。另外，可以实现从晶核幵始的
充分的横向生长，并由此产生大颗粒的晶化半导体膜。
下面将参考图3和4描述第一变型的掩膜。在下面的描述中，因为 除特别声明的以外，透明基底的材料和形状以及基本单元部分和掩膜之 间的关系与第一实施例中的相同，所以将省去详细的描述。参见图3，根 据第一变型的掩膜11的基本单元部分lla由透明基底llb和光散射层lie 构成，散射层lie附着在透明基底lib的一个表面上并具有与呈反向峰值 图案的所需光强度分布相应的光散射特性。光散射层lie例如可以通过 在透明层的光入射面和/光出射辐射面上形成照明光波长量级的细小粗糙 部(表面浮凸)、或在透明层上沿该透明层形成预定的精细折射率分布的 方式构成。
如图4所示，当光进入光散射层lie时，产生没有散射的直接透射的 光线(直接透射光)Ll、向后散射的光线(后向散射光)L2和向前散射 的光线L3。虽然图4表示后向散射光L2从光入射面出射并且前向散射 光L3从光出射面出射，但散射光出射的位置不限于此。可以容易地理解， 这些位置依赖于散射层的结构。当利用一掩膜时，有可能使得前向散射 光L3到达被处理基底表面3a并变为杂散光。但在此情况下，通过确保 掩膜11和被处理基底3之间的固定间隙，到达表面3a的前向散射光的 光强度分布变得基本上均匀并且因此该光不会变为杂散光。
在此方式中，根据第一变型的掩膜的直接透射光的光强度分布与形 成在被处理基底3的表面3a上的光强度分布对应。
参见图5，下面对光的散射给予基本的描述。 一般地，可以通过Mie 散射理论计算由直径a近似等于入射光波长的颗粒b (例如如下所述的气 隙)导致的散射。参见图5，强度为I。的平行光束穿过厚度为L、其中具 有颗粒b的基底之后的强度I可以由下列方程(1)表示。在表达式(1) 中，cj是光强度衰减系数，可以由下列表达式(2)表示。 I = I0ecL (1)
cj-NK兀a2 (2)
此处，N是单位立方体积的颗粒数，a是颗粒b的半径。另外，K是 颗粒的散射效率，它是一个可以通过Mie散射理论算出的值。当颗粒的 半径a不小于波长时，K的值近似为4 2。作为一个例子，假设颗粒b 的半径a为0.39|_im，单位体积的颗粒数N为0.24/|im3，颗粒b的散射效 率K为2.0(近似)，衰减系数cj为0.23/pm。因此，光透过厚度为L=10^im 的颗粒分布密度为N的膜之后，光强度I二Ioe4二0.1XlQ，并且变为光强 度为入射光强度Io的1/10。
在这种方式中，可以根据表达式(1)适当地选衰减系数(J从而依据 每个不同的位置而变化或通过改变材料(基本层)不同部分的厚度L并 适当地进行分布来控制光强度的分布。虽然随着颗粒半径a的变大衰减 系数a会增大，但与后向散射光相比，前向散射光增大，并且到达基底3 的散射光成分(=杂散光)也增多。因此，设计时必须考虑到这一点。
下面参考图6A-6E描述根据第一变型的掩膜的制造方法及使用实施例。
上述每个颗粒b可以由任何材料和/或以任何形状如球形、矩形或不 规则形状形成。
通过利用图6A中所示模具12进行树脂模制，在作为基材的如图6B 所示的石英玻璃基底lib上形成具有粗糙表面或棱和凹陷的树脂层13。 模具12是一种通过对Ni板实施机械切割处理而形成的原始板。此处设 定棱的间距P为lO(im，凹陷的深度D为5nm。如图6C所示，在加入作 为与此材料不兼容的挥发物质的二甲苯15后，通过旋覆(spin coating) 在不规则形状的树脂13上形成一个具有平坦上表面的有机SOG膜(绕 转玻璃，如用烷基代替垸氧基硅垸得到的材料)。
随后，通过烘干挥发易挥发物质在有机SOG膜中产生平均半径约为 0.4pm的细小气隙16，如图6D所示。此时，因为SOG膜14的表面平坦, 所以SOG膜14的膜厚度分布依赖于树脂模制层13的层厚度分布，并且 在此例中SOG膜14的最厚部分设置为接近10pm。 SOG膜14的折射率 约为1.5，气隙(空气)的折射率为1。折射率的差异引起散射。将由此 制造的掩膜11保持在一个与被处理基底3距离20pim的位置，并且用XeCl 准分子激光束(波长308nm)从基本上垂直的方向照射掩膜11。结果 是，能够形成具有反向峰值图案(凹形图案)的所期望的光强度分布， 并且可以产生具有大颗粒的晶体。此时，虽然产生了前向散射光，但其 在被处理基底的表面上基本上均匀分布，并且其影响可以忽略。
下面参考图7描述根据第二变型的掩膜的基本单元部分。掩膜21的 基本单元部分21a由一个透明基底21b和一个光反射层21c构成，其中 光反射层21c形成在基底21b的光出射面上，并具有与呈反向峰值图案 的所期望光强度分布相应的光反射特性。光反射层21c构造成按照期望 的层数分布所形成的一多层反射膜。
因为多层反射膜具有这样一种结构，其中不同折射率的介电物质交 替层叠并且基本上不吸收光，所以透射率是由折射率减1而得到的值。 因此，在层数较多的部分反射因子较大(透射率较小)，并且在层数较少 的部分反射因子较小(透射率较大)。但是，希望根据所期望的光强度图 案获得该多层反射面的层数与通过精确计算得到的反射因子值之间的关 系。
光反射层21c可以构造成一种按照预定厚度分布形成的金属反射膜。 但是，在此情况下，必须在极薄的金属反射膜中控制厚度分布。
下面参考图8A-8E描述根据第二变型的掩膜的制造方法及使用实施 例。如图8A所示，通过在作为掩膜基材的石英玻璃基底21b上交替蒸发
MgF2层和ZnS层而形成由MgF2层和ZnS层组成的多层反射膜21c。然 后，如图8B所示，在多层反射膜21c上旋覆一电子束抗蚀剂22。之后， 如图8C所示，通过在利用电子束光刻装置连续改变剂量(照射量)的同 时进行照射和显影，以获得与期望的光强度分布对应的不规则或粗糙的 抗蚀剂膜22。随后，通过干蚀刻抗蚀剂膜22和多层反射膜21c，从而获 得如图8D所示的具有预定的层数分布并对应于图8C所示抗蚀剂膜22 的形状的多层反射膜21c。此处，具有较多层数的部分(即中心部分)具 有较高的反射因子(即较低的透射率)。相反，具有较少层数的部分(即 两侧部分)具有较低的反射因子(即较高的透射率)。中心部分和侧边部 分之间的部分具有朝着侧边部分逐渐增大的透射率。由此制得的掩膜21 保持在与被处理基底3距离20pm的位置，并且用XeCl准分子激光束(波 长为308nm)从箭头(图8E)所示的基本上垂直的方向照射掩膜21。结 果是，形成呈反向峰值图案(凹形图案)的所期望的光强度分布，并可 由此产生大颗粒的晶体。
下面参考图9描述根据一变型的掩膜的基本单元部分的结构和作用。 根据第三变型的掩膜31的基本单元部分31a由透明基底31b和光折射层 31c构成，其中光折射层附着在基底31b的辐射出射面上，并具有与呈反 向峰值图案的所期望光强度分布相应的光折射特性。光折射层31c例如 可以通过将透明层的表面形成为所期望的曲面或在透明层中形成所期望 的折射率分布的方式构成。
为了根据第三变型制造掩膜31，在一个表面(如作为透明层的石英 玻璃基底)上施加抗蚀剂，并在连续或断续改变剂量的同时实施电子束 光刻和显影处理，由此产生具有连续或断续曲面的抗蚀剂膜。之后，可 以通过利用干蚀刻技术获得具有连续弯曲或阶跃表面的折射平面的掩膜 31。例如，通过多次重复形成抗蚀剂膜并使之图案化，可以获得具有阶
梯状折射面的掩膜31。由于在形成如图2所示掩膜时描述了上述技术， 所以此处省去详细的解释。
图10是当利用一个其中折射面根据第三变型形成为阶梯状的掩膜 (通过后一制造方法形成)时可以获得的关于光强度分布的模拟结果的 视图。在此模拟结果中，根据第三变型的掩膜31的折射面近似具有八级 阶梯,对应于22.5-180。的相差。此夕卜，照明系统2的数值孔径设置为0.025， 并且通过计算得到与掩膜31相距40|im地布置的被处理基底3上的光强 度分布。如图IO所示，即使掩膜31的折射面为多级近似，也可以认为 可整体上获得具有反向峰值图案(凹形图案)的所期望的光强度分布。
下面将参考图11描述根据第四变型的掩膜的基本单元部分的结构和 作用。根据第四变型的掩膜41的基本单元部分41a由一个透明基底41b 和一个光衍射层41c构成，该光衍射层41c附着在或整体形成到该基底 的至少一个平面上，在该例子中，它是一个光出射辐射平面，并具有与 呈反向峰值图案的所期望光强度分布相应的光衍射特性。光衍射层41c 例如可以通过将透明层的至少一个平面形形成为必要的形状或在透明层 中形成预定的折射率分布或光吸收因子分布的方式构成。为了实现具有 较高衍射效率(光利用效率)的掩膜，与在内部形成光吸收因子分布的 技术相比，将表面形成为必要的形状的技术以及在内部形成折射率分布 的技术是更优选的。
光衍射层41c实现为一种所谓的衍射光栅(或全息图)。在根据第四 变型的掩膜41中，光被衍射光栅(或全息图)衍射，并且在离开预定距 离的被处理基底表面3a上形成必须的光强度分布。在此情况下，作为衍 射光栅(或全息图)，可以采用其上具有一种干涉条纹的衍射光栅或其上 具有多种叠置的干涉条纹的衍射光栅。另外，依据掩膜表面上散射作用 的存在与否，将衍射光栅分类为在掩膜表面上没有散射的无散射型和在
掩膜表面上有散射的散射型。下面对掩膜表面上没有散射的无散射型(即 设置一种干涉条纹)的情形进行简要的描述。
图12是根据第四变型的掩膜的基本衍射效果的示意图。以入射角e
进入形成于掩膜表面上、周期为d的衍射光栅(或全息图)中的光经受
衍射作用并导致以出射辐射角9出射。此处，入射角e和出射辐射角cp之间
的关系可以由下列衍射表达式(3)表示
sinQ + sincp = m入/d ( 3 )
在表达式(3)中，m是衍射级，入是光的波长。在第四变型中，参 考表达式(3)，足以获得在掩膜表面上的衍射光栅的一个间距d和一个 方向，并从而可得到以预定距离分开的被处理基底3的表面3a上的所期 望光强度分布。
下面参考图13描述根据第四变型的掩膜的制造方法及使用实施例。 在根据第四变型的掩膜41中，通过与第二变型相同的方法(但蚀刻石英 玻璃基底以代替多层反射膜)，如图13所示的一铜类衍射光栅在透明基 底41b的一个表面上形成为光衍射层41c。此类衍射光栅被称作全息光学 元件或衍射光学元件并已经投入实际应用。此类衍射光栅具有在一维方 向上变化的间距，并具有将光线性地会聚到其焦点位置的作用。制成的 无散射型(干涉条纹的一种)掩膜41保持在一个以焦距D的距离离开被 处理基底3的位置上，从而面对此基底，然后用XeCl准分子激光束(波 长308)以具有最大预定入射角的非平行光束(散射光通量)从基本上 垂直的方向照射。
结果是，形成呈反向峰值图案(凹形图案)的所期望的光强度分布， 并由此产生大颗粒尺寸的晶体。这种衍射型掩膜可以通过全息曝光制备。 在此情况下，通过利用光学装置如狭缝或柱状透镜足以产生线性目标光 束，并且将线性目标光束与参考光束的干涉条纹记录到一全息敏感材料
上。即使使用全息记录法或使用基于上述计算的制备方法，散射型和无 散射型两种形态均可以实现。
需注意的是，在上述实施例和变型中，掩膜的基本单元部分形成一 维光强度分布，并且掩膜具有这样一种形态，即基本单元部分沿光强度 分布的方向一维地重复。但是，本发明不限于此，掩膜的基本单元部分 可以形成二维光强度分布，并且掩膜可以具有基本单元部分沿光强度分 布的方向二维重复的形态。
下面将参考图14描述本发明第二实施例的结晶装置的结构。虽然第 二实施例具有类似于第一实施例的结构，但第二实施例与第一实施例的 基本不同之处在于掩膜1的光出射辐射面与被处理基底3的光入射面布 置成彼此接触。如上所述，在根据一所谓的散焦法的第一实施例中，可 以使用光吸收型掩膜l、光散射型掩膜ll、光反射型掩膜21、光折射型 掩膜31和光衍射型掩膜41。
相反，在根据接触法的第二实施例中，可以采用光吸收型掩膜l、光 散射型掩膜11和光反射型掩膜21，但不能使用光折射型掩膜31和光衍 射型掩膜41。另外，如上所述，当前向散射光到达被处理基底并形成杂 散光时，光散射型掩膜11可以用于第二实施例中。
下面参考图15描述根据本发明第三实施例的结晶装置的结构。虽然 第三实施例具有类似于第一实施例的结构，但第三实施例与第一实施例 的基本不同之处在于在掩膜1与被处理基底3之间的光路中设置一个成 象光学系统5。在第三实施例中，如图15所示，被处理基底3设置在光 轴上离开与掩膜1光学共轭的表面(成象光学系统5的象平面)预定距 离的位置处。该成象光学系统5可以是衍射型光学系统、反射型光学系 统或折射/反射型光学系统。在根据所谓的投影散焦法的第三实施例中， 与第一实施例类似，可以使用光吸收型掩膜1、光散射型掩膜11、光反
射型掩膜21、光折射型掩膜31和光衍射型掩膜41。
在第一和第二实施例中，必须对被处理基底中的磨损加以关注。相
反，在第三实施例中，在掩膜1和被处理基底3之间加入了成象光学系 统5。由此确保在被处理基底3和成象光学系统5之间具有一个较大的间 隙。因此，可以不受被处理基底中的磨损影响地实现良好的结晶。
在第三实施例中，因为可以确保被处理基底3和成象光学系统5之 间具有一个较大的间隙，所以可很容易将用于探测位置的探测光束引入 这些元件之间的光路中并调节被处理基底4与成象光学系统5之间的位 置关系。
图16是根据本发明第四实施例的结晶装置的结构简图。虽然第四实 施例具有类似于第三实施例的结构，但第四实施例与第三实施例的基本
不同之处在于掩膜1和被处理基底3布置成通过成象光学系统6光学共 轭。下面主要针对与第三实施例的不同之处对第四实施例进行描述。
在第四实施例中，成象光学系统6具有一个布置在其光瞳面上的孔 径光阑6a。孔径光阑6a选自多个具有不同孔径部分(光透射部分)的孔 径光阑中的一个，并且多个孔径光阑构造成能够相对于光路被切换。或 者，孔径光阑6a具有一个可以连续改变孔径部分大小的膜片。在两种情 况下，孔径光阑6a的孔径(即成象光学系统6的成象侧数值孔径)的大 小设置成以在被处理基底3的半导体膜上产生具有反向峰值图案的必要 的光强度分布。
在根据所谓的投影NA法的第四实施例中，与第一和第三实施例一 样，可以使用光吸收型掩膜l、光散射型掩膜ll、光反射型掩膜21、光 折射型掩膜31和光衍射型掩膜41。另外，在第四实施例中，可以不受被 处理基底3中的磨损的影响地实现良好的结晶，并且可以如第三实施例 一样调节被处理基底3和成象光学系统6之间的位置关系。200710096523.0
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下面参考图17描述本发明第五实施例的结晶装置。虽然第五实施例 具有与第一实施例类似的结构，但第五实施例与第一实施例的基本不同
之处在于掩膜51具有两个功能层。如图17所示，掩膜51的基本单元部 分51a包括一个光折射层51b和一个光吸收层51c，其中光折射层51b具 有与呈反向峰值图案的所期望光强度分布相应的光折射特性，光吸收层 51c具有与呈反向峰值图案的所期望光强度分布相应的光吸收特性。
此处，布置成与被处理基底的表面3a具有预定间隙的光折射层51b 在表面3a上形成具有平缓的反向峰值图案(凹形图案)的光强度分布， 其中该光强度分布的图案如图中虚线51bb所示的曲线。另一方面，接近 于(或压抵)被处理基底的表面3a布置的光吸收层51c在表面3a上形成 具有反向峰值的光强度分布，其中该光强度分布比由光衍射层51b获得 的分布曲线陡。
结果是，在利用掩膜51的第五实施例中，通过光折射层51b的作用 和光吸收层51c的作用的结合，可以在被处理基底的表面3a上获得具有 两级(或两级)反向峰值图案的光强度分布，即如图17中的实线所示的 曲线。在具有图17所示两级反向峰值图案的光强度分布中，在光强度从 光强度为0或最小的位置朝着横向剧增并达到预定值之后，进一步沿横 向基本上单调地增大。在光强度基本上为0或最小的位置处，尽管不是 必须，但希望以这种方式设置光强度，即表面3a的温度变为不超过形成 此表面的物质(如非晶硅)的熔点。在第五实施例中，在具有两级反向 峰值图案的光强度分布中光强度最小的位置或附近形成一个或多个晶 核。随后，沿光强度梯度(换言之，温度梯度)较大的方向从晶核开始 向周围横向生长。此时，与现有技术不同，在可通过本发明的掩膜获得 的具有两级反向峰值图案的光强度分布中，中间部分基本上不存在光强 度减小的部分。因而，可以无需在中间过程中停止横向生长地实现大晶
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粒的生长。
当试图只通过光吸收层51c获得具有两级反向峰值图案的光强度分 布时，光吸收层51c的膜厚度变化变大。但是， 一个有利之处在于，由 于在第五实施例中利用了两个功能层的结合，因而不再需要或很少需要 光吸收层51c的膜厚度分布。同样，当试图只通过光折射层51b获得具 有两级反向峰值图案的光强度分布时，光折射层51b的表面形状或折射 率分布变得非常复杂。但是，由于使用了两个功能层的结合，通过光折 射层51b足以形成具有凹形图案的光强度分布，并且以较简单的表面形 状或折射率分布就已足够。
在第五实施例中，虽然使用了具有光折射层51b和光吸收层51c的掩 膜51，但本发明不限于功能层的这种结合。也可以使用具有两个或多个 任何不同的功能层以及两个或多个相同的功能层的掩膜。具体地说，作 为构成掩膜的第一和第二功能层，任意的功能层可以选自光吸收层、光 散射层、光反射层、光折射层和光衍射层。
虽然在第五实施例中光折射层51b和光吸收层51c之间布置有一个间 隙，但本发明不限于此。两个功能层可以整体地形成或分布，或是它们 之间没有间隙。至于两个功能层的分布，可以按照各种变型实施。具体 地说，例如当给予光吸收材料一个折射面时，光吸收层和光折射层可以 整体地形成。另外，例如当给予光吸收材料一个相移平面时，光吸收层 和相移层整体地形成。图17A示出了该例子。掩膜100通过利用如图22 所示的移相器100a作为透明基底并将如图2所示的光吸收层100c作为 一个功能层附着到光出射辐射面上的方式形成。此处，功能层不局限于 光吸收层，并且本领域的技术人员可以理解，功能层可以选自具有与呈 反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性的光吸收层、光散射层、 光反射层、光折射层和光衍射层。另外，可以理解，功能层和移相器中
的任何一个都可以布置在光入射侧。
虽然在第五实施例中本发明被应用到基于散焦法的结晶装置和方法 中，但本发明不限于此。本发明也可以应用到基于接触法、投影散焦法
或投影NA法的结晶装置和方法中。
下面参考图18A-18C描述一掩膜的制造方法及使用实施例，其中一 光反射层和一光吸收层整体形成。在该制备实施例中，由多层具有预定 层数分布的反射膜53组成的光反射层53通过结合第一实施例的第二变 型所述的方法形成于如图18A所示的石英玻璃基底52上。随后，通过溅 射在光反射层的最厚区域上形成一个络层，并且实施抗蚀剂施用、曝光、 显影和蚀刻，由此形成如图18B所示的由铬图案组成的光吸收层54。
将制备的掩膜55保持在一个与被处理基底3接触的位置或保持在离 开被处理基底3预定距离的位置，如图18C所示。然后，用XeCl准分子 激光束(波长308nm)如箭头所示地从基本上垂直的方向照射掩膜55。 结果是，可形成具有两级反向峰值图案的所期望的光强度分布，并且产 生大颗粒的晶体。此处，光反射层53具有形成平缓反向峰值图案(凹形 图案)的光强度分布的功能。光吸收层54具有形成陡峭反向峰值图案的 光强度分布的功能。
下面参考图19A-19DC描述根据本发明第六实施例的结晶装置中使 用的掩膜及其作用。第六实施例具有与第一实施例类似的结构，但第六 实施例与第一实施例的基本不同之处在于掩膜61具有二元分布特性。在 根据第六实施例的掩膜61的基本单元部分61a中，很多小的光吸收单元 区61c按照预定的点阵分布直接形成在例如石英玻璃基底61b上。在此 实例中，光吸收单元区61c具有环形形状，区域之间的间隙沿横向(图 19D中的水平方向)朝外侧变宽并沿纵向均匀分布。
光吸收单元区61c的形状和分布不限于上述结构。它们可以按照必须
的光强度图案任意地设置。例如，如图19E所示，光吸收单元区61c可 以具有细长层的形状。
如图19B所示，可以在具有上述结构的掩膜61的出射辐射面上获得 带状不连续的光强度分布。但是，通过利用散焦去除空间频率中的高频 成分，可以在以一定间隙离开掩膜61的出射辐射面的被处理基底的表面 3a上获得具有较连续的反向峰值图案的光强度分布，如图19C所示。
虽然在第六实施例中使用了按预定分布形成的小光吸收单元区61c, 但本发明不限于此。例如也可以使用按预定分布形成的小光散射单元区 或光反射单元区(但是，不能使用小光折射单元区或小光衍射单元区)。 即， 一般地，可以通过在材料或结构方面具有分布特性连续性的适当位 置利用具有二元结构的掩膜并截止(或去除)空间频率的高频成分而获 得连续的光强度分布。在此情况下，不再需要关于材料或结构方面实现 分布连续的困难处理。
虽然在第六实施例中通过分开掩膜61的出射辐射面与被处理基底的 表面3a来去除高频成分，但本发明并不局限与此。高频成分也可以通过 分开被处理基底与某一个表面而去除，其中所述的某一个表面经分布在 被处理基底和掩膜之间光路上的成象光学系统与掩膜光学共轭。具体地 说，例如在图15所示的装置中，利用本实施例的掩膜61作为掩膜1就 足够了。而且尤其在散焦法或投影散焦法中，也可以通过利用具有预定 最大入射角的非平行光通量照射掩膜来去除高频成分。
另外，高频成分也可以通过以下方式去除，即布置被处理基底和掩膜 以使得它们彼此通过成象光学系统基本上光学共轭以及将成象光学系统 的象侧数值孔径设置为一个必要的值。另外，通过对布置在被处理基底 和掩膜之间光路上的成象光学系统给予一个必要的象差，也可以达到上 述目的。
下面对通过将成象光学系统的象侧数值孔径设置为一个必要的值而 去除高频成分的情形进行简要描述。经过成象光学系统的图像的复振幅
分布I (u,v)可以由物体(掩膜)的复振幅分布O (u,v)与点图像的复 振幅分布(点扩展函数)ASF (u, v)的巻积积分表示，如下列表达式(4) 所示。需指出的是，"/"是表达式(4)中的积分符号。
I (u，v) -JVlO(u' ，v' )ASF(u-u' ，v-v' ) I du' dv' (4)
此处，点扩展函数ASF由光瞳函数的傅立叶变换给出。即，当成象 光学系统的象侧数值孔径很小时，点扩展函数具有较宽的分布，并且图 像的模糊斑变大。这意味着物体的空间频率中的高频成分被截止，并且 用作一种高频截止滤波器。结果是，即使物体是二元型的，高频成分也 被截止，并由此获得连续的光强度分布。
下面参考图20描述具有二元分布特性的掩膜的制造方法及使用实施 例的一个例子。在此制造实施例中， 一铬掩膜用作掩膜。即，如图20所 示，通过在透明基底61b上形成小的铬区61c，从而以基于一种图案的二 元方式分布地制造掩膜61的基本单元部分61a，使得数值孔径随着离开 中心的距离完全地增大。在铬掩膜的情况下，铬层61c起着光吸收层的 作用并还起着光反射层的作用。
通过用投影NA法施加到由此制得的掩膜上并将成象光学系统的象 侧数值孔径设置为0.05而截止高频成分。结果形成具有反向峰值图案(凹 形图案)或两级峰值图案的所期望的光强度分布，由此可产生大颗粒的 晶体。需注意的是，在图20所示的实例中，只调制一个方向中的数值孔 径，但也可以调制其它方向的数值孔径，或者可以沿两个方向二维调制 数值孔径。此外，还可以调制具有固定大小的小孔径的密度。
在前述每个实施例中，虽然可以在设计阶段计算光强度分布，但希
望在实际处理平面(暴露的平面)的基础上观测并确认光强度分布。因
此，通过光学系统放大被处理平面并通过成象元件如CCD输入结果就已 足够。当施用的光为紫外光时，因为光学系统受到限制，所以可以通过 在被处理平面中设置荧光屏而将光转变成可见光。
下面参考图21A-21E描述通过利用根据每个实施例的结晶装置制造 电子器件的方法的一个例子。如图21A所示，在例如具有平坦的两个表 面的矩形绝缘基底80 (如碱玻璃、石英玻璃、塑料、聚酰亚胺或类似物) 上，利用化学气相沉积法或溅射法依次形成一个底层膜81 (如膜厚度为 50nm的SiN和膜厚度为100nm的Si02的层压膜)和非晶态半导体膜82 (如膜厚度约为50mm-200nm的Si， Ge， SiGe或类似物)，从而形成一被 处理基底3。然后，利用根据每个实施例的结晶装置由激光束83(如KrF 准分子激光束或XeCl准分子激光束)如箭头所示地辐照非晶态半导体膜 82的部分或全部上表面(对应于被处理基底3的表面3a)。
结果，如图21B所示，非晶态半导体膜82变为多晶半导体膜或具有 晶粒或大颗粒尺寸晶粒的单晶半导体膜84。然后，如图21C所示，利用 光刻技术将多晶半导体膜或单晶半导体膜处理成岛状半导体膜85。接着， 利用化学气相沉积法或溅射法将膜厚度为20nm-100nm的Si02膜形成为 半导体膜85上的栅极绝缘膜86。另外，如图21D所示，在栅极绝缘膜 86中与半导体膜85相对的部分上形成栅电极87 (如硅化物或MoW)。 然后，沿箭头所示经栅极绝缘膜86将杂质离子88 (在N通道晶体管的 情况下为磷，在P通道晶体管的情况下为硼)植入到半导体层85中，其 中以栅电极87作为一掩膜。之后，在氮气环境下执行退火处理(如450 "C下处理一小时)，以活化半导体层85中的杂质。由此形成源极区91和 漏极区92，且一通道区卯位于夹置在它们之间的栅电极87的下方。
随后，如图21E所示，在栅极绝缘膜86和栅电极87上形成一个层间绝缘膜89。接下来，对这些膜86和89形成接触孔，并且形成与源极 区91和漏极区92相连的源电极93和漏电极94。此时，通道区90根据 多晶半导体膜或单晶半导体膜84的大晶粒的位置而形成，其中该多晶半 导体膜或单晶半导体膜84通过经所述每个变型中的掩膜发射激光束而形 成，如图21A和21B的步骤中所示。利用上述步骤，可以形成多晶晶体 管或单晶半导体晶体管。制得的多晶晶体管或单晶晶体管可以用于液晶 显示器、EL (电致发光)显示器、集成电路如存储器(SRAM或DRAM) 或CPU的驱动电路。
虽然本发明应用于前述每个实施例的结晶装置和方法，但本发明不 限于此， 一般也说，本发明也可以应用到用于在预定平面上形成预定光 强度分布的掩膜以及用于利用此掩膜在置于预定平面上的基底上形成预 定光强度的曝光方法中。
.本领域的技术人员很容易理解其它的优点和变型。因此，本发明不 限于在此展示并描述的具体细节及代表性实施例。在不脱离如所附的权 利要求及其等价物限定的本发明的基本原理的精神或范围的前提下可以 做出各种变型。
权利要求
1.一种结晶装置，其包括掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该光吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
2. —种结晶装置，其包括掩膜(11);以及照明系统(2)，该照 明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过掩膜时 变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射到一多晶半导体 膜或一非晶态半导体膜上，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(ll)包括光散射层(llc)，该光散射层(llc) 具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光散射特性。
3. —种结晶装置，其包括掩膜(21);以及照明系统(2)，该照 明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜 时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体 膜或一非晶态半导体膜，由此产生晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(21)包括光反射层(21c)，该光反射层(21c) 具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光反射特性。
4. 一种结晶装置，其包括掩膜(31);以及照明系统(2)，该照 明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜 时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体 膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(31)包括光折射层(31c)，该光折射层(31c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光折射特性。
5. —种结晶装置，其包括掩膜(41);以及照明系统(2)，该照 明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜 时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体 膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(41)包括光衍射层(41c)，该光衍射层(41c) 具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光衍射特性。
6. —种结晶装置，其包括掩膜(1,11， 21, 31， 41);以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束 透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一 多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，每个所述掩膜(1, 11,21,31,41)包括第一层和第二层， 它们选自具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性的光吸 收层(lc)、具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光散射特性的光 散射层(llc)、具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光反射特性 的光反射层(21c)、具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光折射 特性的光折射层(31c)、以及具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应 的光衍射特性的光衍射层。
7. —种结晶装置，其包括掩膜(100);以及照明系统(2)，该照 明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜 时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体 膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(100)包括相移层(100a)和第一层，该第 一层选自具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性的光吸 收层、具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光散射特性的光散射层、具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光反射特性的光反射层、 具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光折射特性的光折射层、以 及具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光衍射特性的光衍射层。
8. —种结晶装置，其包括掩膜(61);以及照明系统(2)，该照明 系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜时 变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜 或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(61)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的二元分布特性，并被构造成通过去除空间频率中的高频成分而获 得相对连续的光强度分布。
9. 一种结晶方法，其包括以下步骤照射掩膜(1)，并利用具有呈 反向峰值图案的光强度分布的光束透过该掩膜辐射一多晶半导体膜或一 非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，采用包括光吸收层(lc)的掩膜，该光吸收层(lc)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。 '
10. —种掩膜(41)，用于在一预定的平面(3a)上形成预定的光强 度分布，其特征在于，所述掩膜包括具有与呈反向峰值图案的光强度分布相 应的光衍射特性的光衍射层(41c)。
11. 一种曝光方法，其包括照射如权利要求10所述的掩膜的照明系统，其特征在于，所述方法包括在基底(3)上形成预定的光强度分布， 该基底(3)在该预定平面(3a)上进行处理。
12. 如权利要求ll所述的曝光方法，其特征在于，所述基底和掩膜 布置成彼此接触。
13. 如权利要求ll所述的曝光方法，其特征在于，所述基底和掩膜 布置成彼此基本上平行且紧邻。
14. 如权利要求ll所述的曝光方法，其特征在于，在所述基底和掩 膜之间的光路上布置一成象光学系统(5),并且将基底设置成与一个平 面在成象光学系统的光轴上分开预定的距离，其中所述平面与所述掩膜 光学共轭。
15. 如权利要求ll所述的曝光方法，其特征在于，在所述基底和掩 膜之间的光路上布置一成象光学系统(6)，所述成象光学系统的象侧数值孔径被设置成为产生预定光强度分布 所需的值，以及所述基底设置在与所述掩膜基本上光学共轭的表面上。
全文摘要
一种结晶装置，它包括掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
文档编号H01L21/336GK101101870SQ20071009652
公开日2008年1月9日 申请日期2003年10月31日 优先权日2002年11月1日
发明者松村正清, 谷口幸夫 申请人:株式会社液晶先端技术开发中心