专利名称：一种消除隔行字线桥接的方法
技术领域：
本发明涉及一种存储阵列的排列方法，尤其涉及一种可消除隔行字线桥接 的存储阵列排列方法。
背景技术：
在110nm的沟槽式(:Deep Trench,简称DT )动态随片几读耳又存4诸器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM )技术的节点(node )里，经常会产生一 种特殊的失效模型——隔行字线桥接(Interleave Word Line Bridge,简称 Interleave WL )，这种失效模型随机分布在晶圆的存储阵列的边缘(array edge )。
为了找出这种失效模型产生的原因，我们采用了电性失效分析(Electrical Failure Analysis,简称EFA)和物理失效分冲斤(Physical Failure Analysis,简称 PFA )来对这种隔行字线桥接进行分析。
从PFA分析的结果来看，interleave WL仅仅发生在存储阵列边缘的一些特 殊的区域上，其根本原因是存储阵列边缘的设计问题。由于存储阵列边缘的负 载效应(loading effect) , DT的均匀度和形状在存储阵列的边缘和在存储阵列的 中心并不完全相同，这会导致存储阵列边缘的多晶硅填充工艺产生一些较大空 洞；由于空洞的存在，后续的浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation)蚀刻(etch), 高密度等离子体辅助薄膜沉积(HDP deposition), CMP (化学机械抛光)工艺完 成后，会产生局部碟形效应；由于上一层的碟形效应的影响，而导致栅极薄膜 沉积的形状并不是很规则，从而造成光刻和蚀刻的残留。其结果就必然导致在 ^t极蚀刻过后残存有多晶硅的残留。
并且这种失效模型的出现和晶圓的制作过程没有太多的关联，完全由于存 储阵列边缘的过渡区域的负载效应(loading effect)造成的，这种失效模型一般 会导致晶圓的良率下降1.5%左右，甚至在这个失效模型所引起的不稳定系统的 作用下，晶圓的良率可能会下降20%左右。所以我们必须寻求一种新的技术来解决这种隔行字线桥接。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供了 一种消除隔行字线桥接方法，能有效
的解决多晶硅蚀刻后出现的残留而导致GC桥接问题，提高了晶圓的良率。
本发明一种消除隔行字线桥接方法，在存储阵列边缘排列虚拟单元，并且 该虚拟单元的沟槽到栅极的距离大于0.44nm,小于3.52nm;沟槽到字线电路有 源区的距离大于0.44nm，小于3.52nm,并且虛拟单元在排列的过程中始终保才寺 与字线平行。
本发明由于采用了以上技术特征，使之与现有技术相比，具有以下优点和 积才及效果
采用了在存储阵列的边缘多排列虛拟单元的方法，有效地消除了隔行字线
桥接问题。
图1为存储阵列边缘排列局部图。
具体实施例方式
基于上述的分析，隔行字线桥接(bridge)产生的根本原因于存储阵列边缘 的空白太多造成的，所以我们重新i殳计了 DT (沟槽)，AA (Active area,有源 区域)，GC (Gate of Conduct,才册极)的排列,最主要的是我们在存储阵列的边 缘增加了 一些DT虛拟单元(dummy ),所谓的虚拟单元是指和现有的DT —样， 但是却不起任何的实际作用的单元。
下面结合一个具体实施例对本发明估文一个详细"i兌明，如图3所示，虚拟单 元104排列在存储阵列的周围，并且保证排列虚拟单元104后，其虚拟单元的 沟槽101到栅极102的距离要大于0.44nm,小于3.52nm;并且沟槽101到SWD (Sub-Word Line Driver,字线驱动电路)的有源区103的距离大于0.44nm,小 于3.52nm，并且所排列的虛拟单元和字线是平行的。
在背景技术的分析里面我们可以知道，隔行字线桥接经常发生在存储阵列的边缘区域，这和晶圓的制作工艺过程是没有关系的，即无论采用什么样的晶
圓制作工艺都不可避免的出现桥接(Bridge),本发明在存储阵列周围的空白地 方排列虚拟单元后，改善了原来会出现桥"l妻(Bridge)区域的均匀度，在这些区 域不会产生空洞，也就不会造成WL bridge。
本实施例只是对本发明的一个举例说明，本发明所要保护的范围不限于此， 所有在存储阵列的边缘排列虚拟单元，都在本发明的保护范围之内，并且其可 以根据不同的需要，在存储阵列的周围排列数量行数不等的虚拟单元。
通过对本发明的晶圓和现有方法的晶圓进行电性失效分析，结果我们发现
1、 使用现有存储阵列的晶圓，我们随机抽查了 151个，结果发现有74个 发生了隔行字线桥接，其失效率接近50%
2、 对于使用本发明所述的存储阵列的晶圓，我们随机检查了 5000多个， 结果发现发生隔行字线桥接的晶圓的个数是0。
列排列方式，即在存储阵列的四周排列虚拟单元，能有效地解决发生隔行字线 桥接的问题，有效地提高晶圆的良率。
权利要求
1、一种消除隔行字线桥接的方法，其特征在于，在存储阵列的周围排列虚拟单元。
2、 如权利要求1所述的消除隔行字线桥接的方法，其特征在于，所述的沟槽的 虛拟单元到栅极的距离大于0.44nm,小于3.52nm;沟槽到字线驱动电路有源区 的距离大于0.44nm，小于3.52nm。
3、 如权利要求1所述的消除隔行字线桥接的方法，其特征在于，所述的虚拟单 元在排列的过程中始终保持与字线平行。
全文摘要
本发明一种消除隔行字线桥接方法，在存储阵列周围排列虚拟单元，这样就使得在晶圆的生产过程中，隔行字线桥接就不会发生，并且不对晶圆的功效产生任何的影响。本发明能有效地消除隔行字线桥接，提高晶圆的良率。
文档编号H01L23/52GK101419960SQ20071004735
公开日2009年4月29日 申请日期2007年10月24日 优先权日2007年10月24日
发明者常建光, 王永刚 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司