专利名称：一种第一层金属的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体器件的制作，尤其涉及一种第一层金属的利记博彩app。
背景技术：
在半导体器件及其对应的接触孔制成后，接下来会制作第一层金属，其详
细过程为(a)去除自然氧化层；(b)制作粘附层；(c)制作扩散阻挡层。
上述步骤(a)先通过氢氟酸溶液来去除氧化层，再用去离子水清洗，之后 使用甩干装置将该半导体器件甩干，甩干过程中通常会对半导体器件加热(通 常温度为100至200摄氏度)，但经上述甩干半导体器件的接触孔中易残留水 蒸气成分，在后续制作粘附层和扩散阻挡层的过程中，该水蒸气会被该粘附层 和扩散阻挡层覆盖从而形成气泡状缺陷，如此将会影响第一层金属粘附的牢固 性，易使第一层金属从半导体器件上剥离。
因此，如何提供一种第 一层金属的利记博彩app以避免第 一层金属上形成气泡 状缺陷，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种第一层金属的利记博彩app，通过所述方法可避免 在第一层金属上形成气泡状缺陷，并可大大提高第一层金属的牢固性。
本发明的目的是这样实现的 一种第一层金属的利记博彩app，该第一层金属 制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩 散阻挡层，该利记博彩app包括以下步骤(l)去除自然氧化层；(2)制作粘附 层；(3 )制作扩散阻挡层；该方法在步骤(1)与步骤(2 )间还进行热处理步 骤，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒。
在上述的第一层金属的利记博彩app中，该热处理的温度为680摄氏度，时间 为30秒。
在上述的第一层金属的利记博彩app中，在步骤(l)中，通过氬氟酸溶液去除
该自然氧化层，该自然氧化层的厚度为40埃。
在上述的第一层金属的利记博彩app中，该粘附层为钛，其厚度为100埃。 在上述的第一层金属的利记博彩app中，该扩散阻挡层为氮化钛，其厚度为200埃。
在上述的第 一层金属的利记博彩app中，该半导体器件为动态随机存储器。 与现有技术制作第一层金属时无热处理步骤而易使第一层金属中产.生气泡 状缺陷相比，本发明的第一层金属的利记博彩app在去除自然氧化层后，进行了热 处理，从而将半导体器件特别是接触孔中的水蒸气彻底去除，避免第一层金属 中产生气泡状缺陷，大大提高了第一层金属的牢固性。
本发明的第一层金属的利记博彩app由以下的实施例及附图给出。 图1为本发明的第一层金属的利记博彩app的流程图。
具体实施例方式
以下将对本发明的第 一层金属的利记博彩app作进一 步的详细描述。 本发明中的第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，所述第一层 金属从下到上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层.，其中，所述粘附层和所述扩 散阻挡层分别为钛和氮化钛。在本实施例中，所述半导体器件为动态随机存储器。
参见图1，本发明的第一层金属的利记博彩app首先进行步骤SIO,去除自然氧 化层，所述步骤的详细过程为首先通过氢氟酸溶液去除所述自然氧化层，所 述自然氧化层的厚度为40埃，接着用去离水清洗所述半导体器件，最后使用甩 干设备将所述半导体器件甩干。
接着继续步骤Sll,进行热处理，其中，所述热处理的温度范围为350到 680摄氏度，时间范围为30到60秒。在本实施例中，所述热处理的温度为680 摄氏度，所述热处理的时间为30秒。
接着继续步骤S12,制作粘附层。在本实施例中，通过化学气相沉积制作粘 附层，所述粘附层为钛，其厚度为100埃。
接着继续步骤S13,制作扩散阻挡层。在本实施例中，通过化学气相沉积制 作扩散阻挡层，所述扩散阻挡层为氮化钛，其厚度为200埃。
综上所述，本发明的第一层金属的利记博彩app在去除自然氧化层后，继续进 行热处理，从而将半导体器件特别是接触孔中的水蒸气彻底去除，避免第一层 金属中产生气泡状缺陷，大大提高了第一层金属的牢固性。
权利要求
1、一种第一层金属的利记博彩app，该第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层，该利记博彩app包括以下步骤(1)去除自然氧化层；(2)制作粘附层；(3)制作扩散阻挡层；其特征在于，该方法在步骤(1)与步骤(2)间还进行热处理步骤，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒。
2、 如权利要求1所述的第一层金属的利记博彩app，其特征在于，该热处理的 温度为680摄氏度，时间为30秒。
3、 如权利要求1所述的第一层金属的利记博彩app，其特征在于，在步骤(l) 中，通过氢氟酸溶液去除该自然氧化层，该自然氧化层的厚度为40埃。
4、 如权利要求1所述的第一层金属的利记博彩app，其特征在于，该粘附层为 钛，其厚度为100埃。
5、 如权利要求l所述的第一层金属的利记博彩app，其特征在于，该扩散阻挡 层为氮化钛，其厚度为200埃。
6、 如权利要求1所述的第一层金属的利记博彩app，其特征在于，该半导体器 件为动态随机存储器。
全文摘要
本发明提供了一种第一层金属的利记博彩app，该第一层金属制作在已制成接触孔的半导体器件上，且其从下至上依次包括一粘附层和一扩散阻挡层。现有技术在制作第一层金属时在去除自然氧化层后并未进行热处理，而使水蒸气残留形成气泡状缺陷。本发明的方法先去除自然氧化层；然后进行热处理，其中，该热处理的温度范围为350到680摄氏度，时间范围为30到60秒；接着制作粘附层；最后制作扩散阻挡层。本发明的方法可将去除自然氧化层后所残留的水蒸气彻底去除，从而可避免第一层金属上出现气泡状缺陷，并可大大提高第一层金属的牢固性。
文档编号H01L21/768GK101359617SQ200710044550
公开日2009年2月4日 申请日期2007年8月3日 优先权日2007年8月3日
发明者萍 何, 杰 刘, 周文磊, 王学娟 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司