卷绕式膜电容器的利记博彩app

文档序号:7225355阅读:247来源:国知局
专利名称:卷绕式膜电容器的利记博彩app
巻绕纖电容器
背景技术
本发明涉及一种巻绕式膜电容器,尤其是一种包括布置在介电膜表面的多 个导电区段的巻绕式膜电容器及其制造方法。
电容器的电容量通常会随着时间的推移而减少,例如由于自愈、腐蚀或者 一些其它老化效应。这种减少可能不均等地发生,使得在经过一段时间之后, 电容器的一些部分可育狯比其它部分失去更多电容量。类似地,如果多个电容 器或电容器区段并联或者串联,那么, 一段时间之后,这些电容器或区段中的 一些可能比另外的一些失去更多的电容量。
具有内部串联连接的巻绕式膜电容器是公知的。在这些电容器中,在巻绕 式膜表面上提供的金属化层,被横向(即,垂直于巻绕方向)划分,例如以形 成多个分立的电极。因此,两个或更多的串联电容器被形成在单个绕组中,通 常具有一些浮动的、艮环与端子电连接的电极。这些浮动电极将连接至IJ相对引 线的两个电极之间的电位降细分。
在某些瞎况中,也需要在纵向(即,以巻绕方向)上把金属化层分成区段,
这些区段由绝缘区域分开。例如,US 5057967描述了一种具有金属电极图形的 巻绕式膜电容器,所述金属电极图形包括由多个横向和纵向绝缘间隙相互分隔 开并在两个方向有规则地排列的多个矩形岛电极。而且,从EP 0225822、 DE 19806586、 EP 0640996、 GB 2276765、 EP 0838078、 US 4348714和US 5442516
已知另外的电容器。
商业上可用的金属化膜的分段通常是以如下方式制造的把油或者相似物 质以规则的预定图形转移到膜表面上。然后,蒸发并沉积金属以形成所述区段。 由于金属只能沉积在该表面没有油的区域,贝岫油覆盖的区域保持绝缘并由此 分开所述区段。通常,用具有固定周长的印刷辊施加上述油。印刷辊在膜的纵 向上滚动,该方向将变为电容器的巻绕方向。所以,所有的图形都是且必须是 以印刷辊的周长为周期在巻绕方向上自我重复的。
在上述的电容器中,如果所述区段的电容量变得不均匀,贝u电流和电压在绕组中的分布、并因此的电压水平在所述区段之间会变化地相当大。这会对电 容器的寿命性能产生影响。特别是,如果区段受损并损失相当量的电容量,则 在受损区段附近的区域会产生高的过电压。这些过电压会加速这些附近区域的
老化,并且最终也会损坏这些区域。即使这些区段由已知为栅(gate)的窄金属
桥相连,至少在保险丝栅被熔化后,上面的问题仍会发生。
因此,改善巻绕纖电容器的可靠性、寿命、禾口/或者寿命的可预测性,仍 是问题。特别地,这些电容器中的高电压和/或不可预测电压、特别是过电压和 过电压峰值仍是问题。

发明内容
本发明试图克服上述问题的至少一部分。通过根据权利要求1的巻绕式膜
电容器和M31用于制造权利要求12的巻绕鄉电容器的方法,目标育,实现。 本发明的其它优点、特征及方面和细节在从属丰又利要求、说明书和附图中有明
、根据本发明的一方面,巻绕式膜电容器包括第一介电膜和第二介电膜,沿 着它们各自的长度方向巻绕成绕组,并且彼此巻绕或形成绕组的交替的匝;多 个第一导电区段,沿着第一介电膜的长度方向布置在第一介电膜的第一表面上; 多个第二导电区段,沿着第二介电膜的长度方向布置在第二介电膜的表面上, 或者沿着第一介电膜的长度方向布置在第一介电膜的第二表面上,第二表面与 第一介电膜的第一表面相对,其中,第一导电区段具有沿着第一介电膜的长度 方向逐渐增加的长度,并且第二导电区段具有分别沿着第一,二介电膜的长 度方向逐渐增加的长度,并且,其中绕组每匝的第一和/或第二区段的数量等于 或大于一。伏选地,第二导电区段与第一导电区段电绝缘,例如M第一介电 膜和繊二介电膜。
根据发明的另一个方面,用于制造巻绕^II电容器的的方法包括如下步骤: 第一介电膜和第二介电膜沿着其长度方向(优选地以交替的匝)巻绕成绕组, 借此在制造过程中,该绕组围绕着巻轴旋转;作为围绕着巻轴旋转的绕组的旋 转角度的函数,分别确定沿着第一介电膜长度方向的多个分区分区位置;布置 于第一介电膜表面的第一层,在分区位置被分成多个导电区段。优选地,该方 飾括制造根据权利要求的第1至第11项之一所述的巻绕刻莫电容器的更多的步骤。
任何第一区段的起始可以相对于第二区段的各自相对起始端偏移达在预定 偏移范围内的偏移量X,或者达约为各自的第一区段长度的一半的偏移量X。第 一导电区段和/或第二导电区段可以根据巻绕角度周期性设置,其中,优选地, 围绕绕组的中心轴定义巻绕角度。周期可以与匝无关。绕组中的第一介电膜的
每匝或每任何匝者阿以有n个第一区段,n是任何实数,,也,n等于或者大 于l,更优选地,n是自然数。同样的,在绕组的第二介电膜的每匝或者每任何 匝都可以有n个第二区段。
本发明还涉及用于执行所公开方法的设备并包括用于执fi^个所述方法步 骤的设备零件。这些方法步骤可以经由5更件部件、通过适当的软件编程的计算 机、二者的结合或者以其它方式执行。而且,本发明还涉及一种所述设备通过 其运行的方法。该发明包括用于执行该设备的^h功能和制造该设备的齡零 件的方法步骤。


通过参考下述的本发明的实施例的说明并结合附图,将会更好的理解本发 明,其中
图1示出了现有技术中公知的巻绕式膜电容器; 图2示出了根据本发明的巻绕 电容器;以及 图3是作为偏角a的函数的最大场(field)的图;以及 图4和图5示出了制造巻绕式膜电容器的方法。
具体实施例方式
图1显示了在本领域中公知的具有分段的巻绕式膜电容器r的截面图。膜
10'和20'(未示出)彼此巻绕以形成巻绕式膜电容器r的绕组。鄉10'和20' 的每一个上,区段14d,、 14g,、 14h,等和区段24c,、 24f、 24g,等的长度相同(由 于图l的示意性特性,可能有偏差)。而且,这些区段根据髓各自膜的长度周 期性地布置。这些区段被绝缘分区12'、 22'彼此分开,这些分区也根据各自的 膜10'或20'的长度周期性地布置。在下文,术语"区段"是用来指被在不同长度 位置的两个绝缘分区定界的一片导电材料。通过膜10'和膜20'(未示出),膜 20,的区段与膜10'的区段隔离。
这些区段由绝缘区域在横向方向细分,因此产生若干电极岛(electrodeisland)。电极岛的一些与外部端子连接以接收一些固定电压,而另一些电极岛 是浮动的,因而产生了例如根据US5, 057, 967公知的内部串联连接。为了明 瓶假定区段被与在下面的图4和5相^t也横向细分,那么,膜10'的針区段 被细分成四个电极,膜20'的齡区段被再分成三个电极。膜10的針区段的 最外两个电极,每一个都分别附着于外部端子,而所有其它的电极都是浮动的。 因为绕组(winding)的直径随着每一匝而变化,所以根据绕绕组的中心轴 的巻绕角度,区段的布置是非周期性的。而且,这些区段彼此没有对准,也就 是说,在膜10'的区段和膜20'的区段之间没有固定的偏移(就绝对长度而言或 相对区段的长度)。
下文,讨论区段穀U损害的情况。为了明确,假定膜10'的区段14g'受到 严重损害而且失去几乎所有的电容量,而其它区段具有满电容量。因此,在损 坏的区段14g'中,仅能积聚标称的表面电荷的一小部分。与受损区段14g'至少 部分重叠的膜20'的区段是区段24f、 24g'、 24f和24k'。据经验发现,这些区 段显示出了尤其增加的老化,并因此它们本身很有可能变得受损。
为了给这种效果做定性的解释,首先假设除了受损区段14g'和直接相邻的 区段24f、 24g'、 24j'和24k'之外所有的区段处于标称的电位。
区段24j'几乎整个与受损区段14g'重叠,该受损区段14g'是区段24j'朝向 绕组内部的最近邻。由于在受损区段14g'上的表面电荷较少,因此会在区段24j' 上从内部感应非常少的电荷。另一方面,由于假定下一外部区段14k'正常充电, 那么该区段14k'会从另一侧感应一些电荷到区段24j'上。然而,区段24j'上的感 应电荷的总量会急剧地M^、,因此区段24j'不会达至咜的标称电位。结果,在区 段14k'和区段24j'之间的电压会比标称电压高很多。
相反的,区段24k'与受损区段14g'仅仅有一小部分重叠。替代的是,区段 24k'的大部分内部表面朝向假定处于标称电位的区段14h'。因此,在区段24k' 中几乎感应了全部标源电荷。所以,区段141'和24k'之间的电压会接近标称值。
根据相同的论点,在区段14d'和24g'之间以及在导电区段14d'和24f之间 预期有适度增加的电压。
如果上面的假定(只有直接相邻的区段的电位发生变化)是不严格(relaxed) 的,那么,整个绕组的电压分布可以数字地确定,例如通过如J.Ostrowski, R.Hiptmair , H.Fuhrmann的"Electric 3D Simulation of Metallized Film Capacitor"(可以在互联网网址http://www.sam.math.ethz.ch/reports/2006上获得)所推M的计算。 这种计算考虑了,上面所解释的在区段14g'和24j'之间的电压的增加,依次导 致了在区段24j'和14g'上的额外的感应电荷,这又导致了在较远的区段上的额 外的感应电荷等。发明人执行了这种计算。结果发现,与受损区段14d'最近邻 的区段的电位,特别是区段24j'的电位与标称电位偏离最大,因lt战证实了在上 面定性解释中所使用的假定。从而发现,相对区段之间的最大电压位于受损区 段附近区域,并且发现其比标称电压要大很多(大于标称电压的130%)。这解 释了这些区段老化从而更决地失去它们的电容量这一趋势的原因。
图2示出了根据本发明的巻绕式膜电容器1。除了下面描述的方面,巻绕 鄉电容器1可以一般地与图1的电容器1相类似地构建。特别地,巻绕式膜 电容器具有包括各自的区段14a、 24a、 24b等的膜10和20,这些区段彼此被各 ^^色缘分区(例如12b、 14b)分开。为了清魏见,膜10和20没有在图2中 示出。它们示出在后面的图4和5中。膜10和20是用于使区段14a、 14b等与 区段24a、 24b等电绝缘的电介质。而且,这些区段可以横向细分成电极岛,为 了明确起见,假设这些区段如图4中示出和说明的那样横向细分。但是,下面 讨论的效果不局限于浮动和非浮动区段的任何特定布置。
在图2的巻绕式膜电容器1中,膜10的区段14a、 14b等具有沿着膜10的 长度方向,艮P,沿着巻绕方向逐渐增加的长度。同样地,膜20的区段24a、 24b 等具有沿着膜20的长度方向逐渐增加的长度。此外,巻绕式膜电容器l的区段 14a、 14b、 24a、 24b等的长度根据巻绕角度有规则地布置。艮口,区段布置得使 得各个膜的每任何匝都有两个区段。进而,根据围着线圈(coil)的中心轴的巻 绕角度,这些区段具有周斯性。换句话说,每个区段覆盖相同的预定巻绕角度。
由此,育&够实现相对规则的和可预观啲电压分布,这促使了电容器的相对 可预测的和/或均匀的老化。这与图1的布置相反,在图1中,区段根据长度而 不是根据巻绕角度而具有周斯性,并因此根据巻绕角度,这些区段具有不规则 的图形。
进而,第一膜10的区段14a、 14b等和膜20的区段24a、 24b等彼lt浏准。 更精确地说,膜10的任何区段的起始端相对于膜20的区段的M向内或向外 相对的起始端或末端偏移预定的偏移。这个相同的过程可以被用于膜10的区段 的末端,膜10的区段的末端相对于膜20的区段的各个向内或向夕卜相对的起始端或末端偏移预定的偏移。因此,至少多个第一导电区段(14a、 14b)和至少 多个第二导电区段(24a、 24b)彼此重叠。可以ffl51偏移角a定义偏移量,如 图2所示。在图2中,偏移角a设为90度。也可以通过分数的偏移(fractional offset),也就是说,通过所偏移的区段长度的分数,来确定偏移量。在图2中, 分数的偏移量是1/2, g卩,膜10的^区段相对于膜20的^相对区段偏移达 膜10的区段长度的大约一半。每匝区段的数量n、偏移角a和分数的偏移量x
M:如下等式联系起来
a= (x/n) *360。。 (1) {皿大约1/2的分数的偏移量。因此,例如每匝3个区段且a^60。,或者每 匝4个区段且a45。,是本发明的优选实施例。
在此和下文,仅考虑纵向(巻绕方向)的情况下定义偏移量。按照该偏移 量的定义,横向上的潜在移动是无关的。进而,偏移量可依赖于横截面的特定 选择。可以使用任何横截面并且尤其是正交于绕组的巻轴的横截面来定义区段 的长度。进而,如果在两个区段之间有任何隔离区域,那么为了定义偏移量的 目的,这些隔离区域的相等部分被加到和它们各自最相邻的导电区段中(如图2 所示)。
在图2的线圈中,分数的偏移量大约是1/2,属于膜10或20之一的给定区 段在每侧(内部或外部)上具有各个其它膜的两个相对区段。这些区段中的每 一个都在各自的一侧具有给定区段长度的50%的重叠,并且因此具有整賴面 (考虑到区段的两面,忽略例如12b、 22b的绝缘分区的表面积,而仅考虑图2 的横截面)或者该表面的长度方向的25%的重叠。因此,如果任何一个区段受 损,那么相邻区段的表面或长度的75%会面对处于大约标称电位(根据在, 定性讨论中使用的假定)的近邻。因此,没有单个相邻的区段会受到受损区段 的非常支配性的影响。相反,四个区段同等地受到较小的影响。进而,这四个 区段中的每个都能依次向其它三个区段传送电压干扰。因此,对于大量导电区 段来说,绕组具有很小干扰的电压分布,而不是示出对于仅几个区段的很大干 扰的电压。换句话说,由受损区段感应的电压不均等性分布在绕组的相对大的 部分上并因此被消弱了,而不是集中在小部分里。
如图2所示的布置是更一般布置的特殊瞎况,这也落在本发明的范围之内。 例如,膜10禾口/或20之一的每各个匝的区段的数量可以被选择为任何大于或等于一的预定实数n,而且偏差量可以任意选择。
进而,不但可以根据巻绕角度周斯性地布置区段(如图2所示),也可以非 周期性地布置区段。特别地,分数的偏移量可以在预定的范围内选择,例如10% 至90%的范围,以使膜10的每个区段相对于膜20的各个相对区段偏移这样的 偏移量,即在与膜10的区段相关的预定范围内的偏移量。对于分数的偏移量的 另外的可能范围是在35%和65%之间,或者在另一优选的实施例中在45%至 55%之间。^iti也,分数的偏移量是大约1/2,其中"大约"被定义为包括±5%的 公差。尽管,雌地,分数的偏移量!雌择为l/2或者在以大约值l/2为中心的 范围内,但是,舰于实施本发明并不是必要的。
进而,可将区段14、 24布置在一个膜的两个相对的表面上,比如说在第 一膜10的内表面和外表面,而在其它的第二膜20的表面没有区段。可替换地, 在另一个实施例中,可有区段部分布置在第一膜10的内表面和夕卜表面,也可有 另外的区段部分布置在第二膜20的内表面和外表面。在膜10的内表面上的区 段部分和在膜20夕卜表面上的对应区段部分电接触并且结合到(combine to)区 段14。与两个区段部分相邻的分区在绕组的相同角位置,以使相邻的区段彼此 相互电绝缘。同样地,在膜10的夕卜表面上的区段部分和在膜20内表面上的对 应区段部分电连接并结合到区段24。这个实施例具有的优点是区段14和24布 置在膜10和20两者的表面上。由此,在区段和相邻电介质之间可能的空洞能 够MiK结果,在空洞两端的部分放电的风险就会降低。
图3是一个区段完全受损后的绕组中最大场的图。以标淋AC场为单位绘 出了作为偏移角a的函数的这个最大场。图3是根据上面引用的公开的方法的 数字计算的结果。于此,每匝的区段数量n定为irf (如图2所示),并且参数 a是变化的(水平轴)。结果,根据等式(l),分数的偏移量x是变化的。在垂直 轴上绘出对应于4匝、6匝(对于不同的偏移角a),禾f!7匝(只对于角01=90°) 的最大场。
发现最大场随着偏移角a从01=0°到01=90°增加而减小,在01=90°达到最小 (对于6匝)。这样,雌分数的偏移量x4/2,对应于01=90°。然而,发现任何 偏移量0^20° (且S160。-未示出)(对于分数的偏移量x,大致对应于间隔 10%<x<90%)都会导致最大场的减小。此外,图3中所示的所有偏移量(包括 偏移量0)具有这样的优点,即任何膜10和/或20的任何潜在损坏区段与在其它各^ii中任何相邻的区段的最大相对重叠是已知的,而不论哪个区段损坏。
因此,最终的过电压由此是在已知的或可预测范围内。这也对任何偏移量范围 有效。
尽管图3所示的结果是对于相对少量的匝数所获得的,但是预期结果对于
更多的匝数也是有效的,例如大于10匝、大于50匣,甚至大于100匝。这能 够根据以下的事实推断得到,考虑到图3所示的误差棒,看起来计算的结果不 太1繊于匝数。进而,对称的考虑表明最小场应该总是在x4/2 (忽略边界^她) 处,这样就证实了图3的主要定性的计算结果。
在下文,参见图4,说明制造电容器的方法。提供了第一和第二介电膜10 和20。这些膜鹏地包括电绝缘聚合物,例如,聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、 聚碳酸酯、聚酰亚胺、M"苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、 聚酯、环氧树脂、聚砜或这些聚合物的混合物,这些聚合物还可能包含添加剂 并适于形成具有高介电强度的薄膜。第一膜10和第二膜20形成了通常但不是 必须的固定宽度的延长带。这些延长带的厚度,在1,和20|nm之间。
第一介电膜10和第二介电膜20部分或者全部覆盖导电材料的覆盖层。该 覆盖层优选地包括金属,并且尤其是fflil气相淀积所施加的金属化,但是也可 以4顿除金属以夕卜的其它导电材料,例如碳或半导体材料。
fflil在制造期间围着巻轴3旋转,第一介电膜10和第二介电膜20沿着膜 10和20的长度方向5,以交替的匝巻绕成绕组。为了分隔作为巻绕角度(而不 是长度)的函数的连续区段,作为围绕巻轴3旋转的绕组的旋转角度的函数, 分另鹏定沿着第一介电膜10的长度方向的多个分区位置。然后,选择性的移除 在这些分区位置处的导电层,从而,产生了绝缘区域或分区12a-g、 22a-g。结果, 产生了区段,这些区段am些分区12a-g、 22a-g彼此电绝缘。
育,Sil任何已知技术移除该导电层,例如M (OT激光或火花辊(spark —roller)。火花辊是在其表面具有与滚轴平行布置的线的辊子。对该线施加高电 压,这从与线相接触的膜的任何部分移除导电层,留下横向绝缘空隙或间隙, 即,分区。由此,分区位置被限定在膜的那些长度位置,在那些位置膜与线相 接触。火花辊与部分完成的绕组同步旋转。为了避免火花辊表面沿着各个膜10 或20的表面滑动,tt^地使火花辊与各个膜的表面相距较小距离。横向绝缘空 隙形成分区12a-g、 22a-g,这些分区在分区位置将各个膜10或20的导电层分成多个导电区段14a-g、 24a-f。
在上面方法的一个变形中,将导电层以预分区段的形式施加于M膜10 或20上。可以用任何已知的方法施加该导电层,例如通过使用导电油墨的印刷 技术。导电层可以在与电容器滚动分开的工序中施加,或者与电容器滚动一起 施加。预分区段具有增加的长度,优iti也使得每匝绕组的区段数量是固定的。 这样,把层布置在膜表面的步骤与把层分成多个导电区段的步骤可同时进行。 在任何一种情况下,多个区段 为至少4个区段或者至少10个区段。这些区 段 地在长度方向上一个接另一个。
图5示出了一个与图4的方法對以的方法。在此,只有当巻绕麟(roll) 的时候,膜10和20才以一个堆叠在另一个的上面。由此,这两个膜可容易使 用,例如用于布置导电层或用于将这些层分成区段。在图5中,膜20的区段相 对于膜10的区段横向移动约它们长度的10%。因此,分数的位移(displacement) 是乂=0.1。
在图4禾口 5中,示出区段14a-g由绝缘区敏黄向细分成每区段四个电极。 外部的两个电极延伸至膜10的边缘并且与端子相连。内部的两个电极适于浮动。 相似地,区段24a-f被横向细分成三个浮动电极。这些区段也可以像例如EP 0 225 822Al所述的那样采用由未覆盖的带分开的正方形块(patch)而图形化,所述 正方形块通过在拐角处的覆盖层的细桥相连接。该覆盖层的导电率可以较低, 例如它的表面电阻率可以至少为1欧嫁方块(lD/square)。
任何其它数量的横向细分都是可能的,并且可能的是非浮动的端子电极位 于膜20上或者兼在膜10和20上。同样,仅有浮动电极的区段也是可能的。进 而,与图4所示的布置相反,这些区段可以不用横向细分,而可以采用渐变的 或均匀的导电覆盖层。例如,高电压电容器可以配备内部导电圆柱体和外部导 电圆柱体作为端子电极。然后,这些圆柱体被典型地与布置在它们之间的图2 中示出的巻绕式膜布置1同心布置。在这个电容器中,巻绕鄉布置1的所有 电极区段14和24是浮动的。
另外的浮动和非浮动区段的结合也是可能的。例如,膜10'的所有区段可以 连接到第一端子以用于接收电压,并且膜20'的所有区段可以连接至悌二端子以 用于接收相反符号的电压。可替换地, 一些但不是全部的区段可以是浮动的。
进而,借助薄金属桥或保险丝栅,区段可以电连接到同一膜的相邻区段。可替换地,相邻的区段可以彼此电绝缘。
电容器可以是干式的或者是浸渍式的。 电容器是自愈式的。巻绕膜电 容器可以在皿上是圆柱形或者是平压形的。
所记载的说明使用包括最好的模式的示例公开了本发明,并能使任何本领 域技术人员能够制造和使用本发明。当根据各种特定实施例描述本发明时,本 领域技术人员应认识到能够在权利要求的精神和范围内对本发明进4于修改。例 如,区段的尺寸、形状、布置和它们的电特性以及基底的尺寸和特性可以根据 电容器的特定目的,在很大范围内变化。进而,上述实施例的相互非排他的特 性可以相互结合。
权利要求
1、一种卷绕式膜电容器(1),包括;——第一介电膜(10)和第二介电膜(20),其沿着介电膜(10,20)各自的长度方向卷绕成绕组,并且形成了绕组的交替的匝,——多个第一导电区段(14a,14b),其沿着该第一介电膜(10)的长度方向布置在该第一介电膜(10)的第一表面上,以及——多个第二导电区段(24a,24b),其沿着第二介电膜(20)的长度方向布置在该第二介电膜(20)的表面上,或者沿着第一介电膜(10)的长度方向布置在第一介电膜(10)的第二表面上,该第二表面与该第一介电膜(10)的该第一表面相对,其中,第一导电区段(14a,14b)具有沿着第一介电膜(10)的长度方向逐渐增加的长度,第二导电区段(24a,24b)具有沿着第一或第二介电膜(10,20)的长度方向逐渐增加的长度,并且其中该绕组的每匝的第一和/或第二导电区段(14a,14b,24a,24b)的数量等于或大于1。
2、 根据权利要求1所述的巻绕淵莫电容器,其中至少多个第一导电区 段(14a, 14b)和至少多个第二导电区段(24a, 24b)相互重叠。
3、 根据权利要求l或2所述的巻绕式膜电容器,其中多个第一导电区 段(14a, 14b)的起始端和多个第二导电区段(24a,24b)的起始端^端在 长度方向上相对彼此偏移达在预定的偏移范围内的偏移量。
4、 根据权利要求2所述的巻绕式膜电容器,其中该预定的偏移范围是 各^^第一区段长度的10%到90%, im的35%到65%,优选的45%到55%。
5、 根据任一在先的权禾腰求所述的巻绕式膜电容器,其中第一导电区 段(14a, 14b)的起始端和第二导电区段(24a, 24b)的起始端相对彼此偏 移达各个第一区段的长度一半的偏移量。
6、 根据任一在先的权利要求所述的巻绕式膜电容器,其中根据巻绕角 度,周期性地布置第一区段和/麟二区段(14a, 14b, 24a, 24b)的起始端。
7、 根据任一在先的权利要求所述的巻绕式膜电容器,其中该绕组中的 第一介电膜(10)的每匝有n个第一导电区段(14a, 14b), n是任何实数。
8、 根据权利要求6所述的巻绕式膜电容器,其中该绕组中的第二介电膜(20)的每匝有n个第二导电区段(24a, 24b)。
9、 根据权利要求7或8所述的巻绕式膜电容器,其中n是有理数或自 然数。
10、 根据任一在先的权利要求所述的巻绕式膜电容器,其中至少一些第 一和/或第二导电区段(14a, 14b, 24a, 24b)是浮动电极。
11、 根据任一在先的权利要求所述的巻绕式膜电容器,其中巻纟劍莫电容 M形状上是圆柱形或者是平压形的。
12、 一种用于制造巻绕式膜电容器的方法,尤其是一种根据在先的权利 要求之一的方法,该方法包括如下步骤~~^每第一介电膜(10)和第二介电膜(20)沿着膜的长度方向巻绕成绕 组,借此,在制造期间,该绕组围绕着巻轴(3)旋转;一作为围绕着巻轴(3)旋转的绕组的旋转角度的函数,分别确定^第 一介电膜(10)的长度方向的多个分区位置;并且^^每布置在第一介电被膜(10)的表面上的第一层在分区位置处分成多 个导电区段。
全文摘要
一种卷绕式膜电容器(1)包括第一介电膜(10)和第二介电膜(20),它们沿着介电膜(10,20)各自的长度方向卷绕成绕组,并形成了绕组的交替的匝。多个第一导电区段(14a,14b)沿第一介电膜(10)的长度方向布置在第一介电膜(10)的第一表面上,并且多个第二导电区段(24a,24b)沿第二介电膜的长度方向布置在第二介电膜(20)的表面上或者沿第一介电膜(10)的长度方向布置在第一介电膜(10)的第二表面上。该第一导电区段(14a,14b)具有沿着第一介电膜(10)的长度方向逐渐增加的长度,并且第二导电区段(24a,24b)具有沿着第一介电膜或者第二介电膜(10,20)的长度方向逐渐增加的长度。该绕组中每匝的第一和/或第二导电区段(14a,14b,24a,24b)的数量等于或大于1。
文档编号H01G4/32GK101601108SQ200680056708
公开日2009年12月9日 申请日期2006年12月21日 优先权日2006年12月21日
发明者H·富尔曼, J·奥斯特罗夫斯基, J·穆德 申请人:Abb研究有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1