缓冲组合物的利记博彩app

专利名称：：缓冲组合物的利记博彩app
技术领域：
：本发明一般涉及用于电子器件的高功函的透明导体阳极。
背景技术：
：有机电子器件是一类包括活性层的产品。这些器件将电能转化为辐射，通过电子方法检测信号，将辐射转化为电能，或者包括一层或多层有机半导体层。有机发光二极管(OLED)是包含能够电致发光的有机层的有机电子器件。包含导电聚合物的OLED可以具有以下结构阳极/缓冲层/电致发光(EL)材料/阴极这种一般结构中还可以包括任选的附加层、材料或组合物。所述阳极通常是能够向电致发光(EU材料中注入空穴的任何材料，例如氧化铟锡(ITO)。阳极任选支承在玻璃或塑料基片上。所述缓冲层通常是导电聚合物，促进从阳极向EL材料层中注入空穴。EL材料包括荧光化合物、荧光和磷光金属配合物、共轭聚合物、以及它们的混合物。所述阴极通常是能够向EL材料中注入电子的任何材料(例如Ca或Ba)。阳极或阴极中的至少一种是透明或半透明的，可供发射光之用。经常使用ITO作为透明阳极。但是，ITO的功函数较低，一般为4.6电子伏特。这导致向EL材料注入空穴不太有效。在一些情况下，可以通过表面处理增加ITO的功函数。但是这些处理有时候会获得不稳定的产品，从而导致器件的使用寿命縮短。因此，仍然需要一种组合物和这种组合物制备的层状材料，来改善器件的性质。发明概述提供一种包含半导体氧化物颗粒和以下(a)和(b)中的至少一种聚合物的缓冲组合物(buffercomposition):(a)氟化酸聚合物，和(b)掺杂有氟化酸聚合物的半导体聚合物。在另一个实施方式中，提供由所述新的缓冲组合物构成的缓冲层。在另一个实施方式中，提供包含该缓冲层的电子器件。上述发明概述和以下详细说明仅仅是示范性和说明性的，并非是对说明书和所附权利要求书所定义的本发明的限制。附图简述在附图中以举例而非限制的方式说明本发明。图1是说明接触角的图。图2是有机电子器件的示意图。本领域技术人员能够理解，为了简化和清楚起见图示附图中的对象，这些对象并不一定按照比例绘制。例如，附图中某些对象的尺寸可以相对于其他对象进行了放大，以有助于提高对实施方式的理解。发明详述本发明提供一种包含半导体氧化物颗粒和以下(a)和(b)中的至少一种聚合物的缓冲组合物(a)氟化酸聚合物，和(b)掺杂有氟化酸聚合物的半导体聚合物。本文描述了许多方面和实施方式，它们都是示范性而非限制性的。本领域技术人员阅读了本说明书之后将意识到，在不偏离本发明的范围的情况下其他方面和实施方式也是可能的。在本文中，术语"半导体"指电导率大于绝缘体但是小于良导体的材料。在一个实施方式中，半导体材料的薄膜的电导率小于O.lS/cm，但大于10—8S/cm。术语"氟化酸聚合物"指具有酸性基团的聚合物，其中，至少一些氢已被氟取代。这种氟化可发生在聚合物主链上、与主链相连的侧链上、侧基上，或它们的组合上。术语"酸性基团"指能电离提供一个氢离子给碱从而形成盐的基团。本文中，术语"半导体聚合物"指在不添加炭黑或导电金属颗粒的情况下固有地或内在地能导电的任何聚合物或低聚物。术语"聚合物"包括均聚物和共聚物。术语"掺杂"是用来指半导体聚合物具有来自高分子酸的聚合物反离子来平衡导电聚合物的电荷。1.半导体氧化物颗粒在一个实施方式中，半导体氧化物材料包含选自元素周期表第2族至12族的一种元素的氧化物。在一个实施方式中，半导体氧化物材料包含选自第2族至12族的一种元素的氧化物。相应于元素周期表中列的族号采用"新命名"约定，可以参见CiCZ/"w/6ooA:o/C/zem^^ya"t/PA"/"(CRC化学和物理手册)，第81版(2000)，其中，族是从左至右编号为1-18。在一个实施方式中，无机半导体材料是无机氧化物，可以是双金属氧化物，例如，NixCcv!03/4(Science(科学)，第1273-1276页，第305巻，2004年8月27日)，氧化铟-锡("ITO")，氧化铟-锌("IZO"),氧化镓-铟，锌-锑双氧化物(doubleoxide)和锆，或掺杂有锑的氧化物。2.半导体聚合物任何半导体聚合物都可用于新的组合物。在一个实施方式中，半导体聚合物将形成电导率至少10—7S/cm的膜。适合用于新组合物的半导体聚合物可以是均聚物，或者是两种或更多种相应单体的共聚物。形成导电聚合物的单体称作"前体单体"。共聚物可具有一种以上的前体单体。在一个实施方式中，半导体聚合物由至少一种选自以下的前体单体制成噻吩、吡咯、苯胺和多环芳族化合物。本文将由这些单体制得的聚合物分别称为聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺和多环芳族聚合物。术语"多环芳族化合物"表示具有超过一个芳环的化合物。这些环可以通过一个或多个键连接，或者它们可以稠合在一起。术语"芳环"用来包括杂芳环。"多环杂芳族"化合物具有至少一个杂芳环。在一个实施方式中，预期用来形成所述半导体聚合物的噻吩单体包含以下结构式I:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>式中:独立地选择R1，使其在各自存在时是相同或不同的，所述W选自氢、烷基、烯基、垸氧基、烷酰基、烷硫基、芳氧基、垸硫基烷基、烷基芳基、芳烷基、氨基、烷氨基、二垸基氨基、芳基、烷基亚磺酰基、烷氧基烷基、垸基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、氰基、羟基、环氧基、硅垸、硅氧垸、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；或者两个W基团可以一起形成完成3，4，5，6或7元芳族或脂环族环的亚烷基或亚烯基链，这种芳族或脂环族环可以任选包括一个或多个二价氮、硫或氧原子。本文中术语"烷基"指来自脂族烃的基团，包括直链、支链和环状基团，可以是非取代或取代的。术语"杂垸基"表示烷基中的一个或多个碳原子已被另一个原子例如氮、氧、硫等替代的垸基。术语"亚垸基"表示具有两个连接点的烷基。本文中术语"烯基"指来自具有至少一个碳-碳双键的脂族烃的基团，包括直链、支链和环状基团，可以是非取代或取代的。术语"杂烯基"表示烯基中的一个或多个碳原子已被另一个原子例如氮、氧、硫等替代的烯基。术语"亚烯基"表示具有两个连接点的烯基。本文使用以下取代基术语表示以下给出的化学式"醇"-r3-0h"酰氨基"-R3-C(0)N(R6)R6"酰氨基磺酸/根/酯"-r:i-c(0)n(r6)r4-s03z"苄基""羧酸/根/酯""醚""醚羧酸/根/酯"醚磺酸/根/酯"酯磺酸/根/酯"磺酰亚胺""氨基甲酸酯"-CH2-C6H5-R3-c(0)0-z或-r3-o-c(0)-z-r3-(0-r5)p-0-r5-r3-0-r4-c(0)0-z或-r3-0-r4-0-c(0)-z-r3-0-r4-s03z-r3-0-c(0)-r4-s03z—r3-s02-nh-s02—r5-r:l-0-C(0)-N(r6)2其中，所有"r"基团在各自存在时是相同或不同的，并且R3是单键或亚垸基R4是亚垸基R5是烷基.R6是氢或烷基p是0或1-20的整数Z是H、碱金属、碱土金属、N(R5)4或R5以上基团中任何一种还可以为非取代或取代的，而且任何基团都可以具有取代一个或多个氢的F，包括全氟化基团。在一个实施方式中，所述烷基和亚垸基具有1-20个碳原子。在一个实施方式中，在所述噻吩单体中，两个W—起形成-0-(CHY)m-0-，其中ra是2或3，Y在各自存在时是相同或不同的，选自氢、卤素、烷基、醇、酰氨基磺酸/根/酯、苄基、羧酸/根/S旨、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯，其中Y基团可以是部分或全部氟化的。在一个实施方式中，所有Y都是氢。在一个实施方式中，所述聚噻吩是聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。在一个实施方式中，至少一个Y基团不是氢。在一个实施方式中，至少一个Y基团是具有取代了至少一个氢的F的取代基。在一个实施方式中，至少一个Y基团是全氟化的。在一个实施方式中，所述噻吩单体具有结构式I(a):<image>imageseeoriginaldocumentpage12</image>R7在各自存在时是相同或不同的，选自氢、烷基、杂垸基、烯基、杂烯基、醇、酰氨基磺酸/根/酯、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯，前提是，至少一个W不是氢，并且m为2或3。在一个结构式I(a)的实施方式中，m是2，一个R7是超过5个碳原子的垸基，所有其它17是氢。在一个结构式I(a)的实施方式中，至少一个R7基团是氟化的。在一个实施方式中，至少一个R7基团具有至少一个氟取代基。在一个式中:实施方式中，17基团是全氟化的。在一个结构式I(a)的实施方式中，所述噻吩的稠合的脂环族环上的W取代基改善了单体在水中的溶解性，并且促进在氟化酸聚合物存在下的聚合反应。在一个结构式I(a)的实施方式中，m是2，一个R7是磺酸-亚丙基-醚-亚甲基，所有其它W都是氢。在一个实施方式中，m是2，一个R7是丙基-醚-亚乙基，所有其它R7都是氢。在一个实施方式中，ra是2，一个R7是甲氧基，所有其它W都是氢。在一个实施方式中，一个R'是磺酸二氟亚甲基酯亚甲基(-CH厂0-C(0)-CF2-S03H)，所有其它17都是氢。在一个实施方式中，预期用来形成所述半导体聚合物的吡咯单体包含以下结构式II。在结构式II中独立地选择R1，使其在各自存在时是相同或不同的，所述W选自氢、烷基、烯基、垸氧基、垸酰基、烷硫基、芳氧基、垸硫基烷基、烷基芳基、芳烷基、氨基、烷氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亚磺酰基、烷氧基烷基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、氰基、羟基、环氧基、硅垸、硅氧垸、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、酰氨基磺酸/根/酯、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；或者两个R'基团可以一起形成完成3，4，5,6或7元芳族或脂环族环的亚烷基或亚烯基链，所述芳族或脂环族环可以任选包括一个或多个二价氮、硫或氧原子；和独立地选择R2，使其在各自存在时是相同或不同的，所述112选自氢、烷基、烯基、芳基、垸酰基、垸硫基烷基、烷基芳基、芳烷基、氨基、环氧基、硅烷、硅氧烷、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯。在一个实施方式中，R'在各自存在时是相同或不同的，独立地选自氢、烷基、烯基、垸氧基、环垸基、环烯基、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、酰氨基磺酸/根/酯、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯、氨基甲酸酯，环氧基、硅烷、硅氧烷、以及被磺酸、羧酸、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、氰基、羟基、环氧基、硅烷或硅氧烷部分中的一个或多个取代的烷基。在一个实施方式中，R2选自氢、垸基、以及被磺酸、羧酸、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、氰基、羟基、环氧基、硅垸或硅氧烷部分中的一个或多个取代的垸基。在一个实施方式中，所述吡咯单体是非取代的，R'和R2都是氢。在一个实施方式中，两个R'—起形成6或7元脂环族环，所述脂环族环进一步被选自烷基、杂垸基、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯的基团取代。这些基团可以改善所述单体和制得的聚合物的溶解性。在一个实施方式中，两个R'—起形成6或7元脂环族环，所述脂环族环进一步被烷基取代。在一个实施方式中，两个^一起形成6或7元脂环族环，所述脂环族环进一步被具有至少1个碳原子的垸基取代。在一个实施方式中，两个W—起形成-0-(CHY),-0-，其中m是2或3，Y在各自存在时是相同或不同的，选自氢、垸基、醇、苄基、羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯。在一个实施方式中，至少一个Y基团不是氢。在一个实施方式中，至少一个Y基团是具有取代至少一个氢的F的取代基。在一个实施方式中，至少一个Y基团是全氟化的。在一个实施方式中，预期用来形成所述半导体聚合物的苯胺单体包含以下结构式III。式中a是0或1-4的整数；b是l-5的整数，前提是a+b二5;独立地选择R1,使其在各自存在时是相同或不同的，所述R'选自氢、烷基、烯基、垸氧基、烷酰基、烷硫基、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳烷基、氨基、烷氨基、二烷基氨基、芳基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、垸氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、氰基、羟基、环氧基、硅垸、硅氧烷、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；或者两个^基团可以一起形成完成3，4，5，6或7元芳族或脂环族环的亚烷基或亚烯基链，所述芳族或脂环族环可以任选包括一个或多个二价氮、硫或氧原子。聚合后，所述苯胺单体单元可具有以下所示的结构式IV(a)或结构式IV(b)，或者是这两种结构式的组合。(R、_iv(a)《H)M利W(H)b"l式中，a，b和R'如上文定义。在一个实施方式中，所述苯胺单体是非取代的，a=0。在一个实施方式中，a不是0，至少一个R'是氟化的。在一个实施方式中，至少一个R'是全氟化的。在一个实施方式中，预期用来形成所述半导体聚合物的稠合的多环杂芳族单体具有两个或更多个稠合的芳环，这些芳环中的至少一个是杂芳族的。在一个实施方式中，所述稠合的多环杂芳族单体具有结构式V:式中Q是S、Se、Te或NR6;R6是氢或烷基；独立地选择R8、R9、R"和R11，使其在各自存在时是相同或不同的，所述R8、R9、tT和R"选自氢、垸基、烯基、烷氧基、烷酰基、垸硫基、芳氧基、垸硫基院基、烷基芳基、芳烷基、氨基、垸氨基、二烷基氨基、芳基、垸基亚磺酰基、垸氧基垸基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、腈、氰基、羟基、环氧基、硅烷、硅氧烷、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；和R8和R9、R9和IT、R'。和RU中至少一对一起形成完成5或6元芳环的亚烯基链，所述芳环可以任选地包括一个或多个二价氮、硫或氧原子。在一个实施方式中，所述稠合的多环杂芳族单体具有结构式V(a)、V(b)、V(c)、V(d)、V(e)、V(f)和V(g):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>式中Q是S、Se、Te或NH;禾口T在各自存在时是相同或不同的，选自S、NR6、0、SiR62、Se、Te和PR6;R6是氢或烷基。所述稠合的多环杂芳族单体可以被选自烷基、杂垸基、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯的基团取代。在一个实施方式中，所述取代基团是氟化的。在一个实施方式中，所述取代基团是全氟化的。在一个实施方式中，所述稠合的多环杂芳族单体是噻吩并(噻吩)。这些化合物在例如以下文献中已讨论Macromolecules(大分子)，34，5746-5747(2001);和Macromolecules(大分子)，35，7281-7286(2002)。在一个实施方式中，所述噻吩并(噻吩)选自噻吩并(2，3-b)噻吩、噻吩并(3,2-b)噻吩、和噻盼并(3，4-b)噻吩。在一个实施方式中，所述噻吩并(噻吩)单体被选自烷基、杂垸基、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯的至少一个基团取代。在一个实施方式中，所述取代基团是氟化的。在一个实施方式中，所述取代基团是全氟化的。在一个实施方式中，预期用来形成新组合物中的共聚物的多环杂芳族单体包含结构式VI:(VI)式中Q是S、Se、Te或NR6;T选自S、NR6、0、SiR62、Se、Te和PR6;E选自亚烯基、亚芳基和杂亚芳基；R6是氢或烷基；R'2在各自存在时是相同或不同的，选自氢、垸基、烯基、垸氧基、烷酰基、垸硫基、芳氧基、垸硫基烷基、烷基芳基、芳烷基、氨基、垸氨基、二垸基氨基、芳基、烷基亚磺酰基、烷氧基烷基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、腈、氰基、羟基、环氧基、硅烷、硅氧垸、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；或者两个R"基团可以一起形成完成3，4，5，6或7元芳族或脂环族环的亚垸基或亚烯基链，所述芳族或脂环族环可以任选地包括一个或多个二价氮、硫或氧原子。在一个实施方式中，所述半导体聚合物是第一前体单体和至少一种第二前体单体的共聚物。可以使用任何种类的第二单体，只要其不会对所述共聚物需要的性质产生不利影响即可。在一个实施方式中，以单体单元的总数为基准计，所述第二单体占共聚物的不超过50%。在一个实施方式中，以单体单元的总数为基准计，所述第二单体占不超过30%。在一个实施方式中，以单体单元的总数为基准计，所述第二单体占不超过10%。示范性的第二前体单体种类包括但不限于烯基、炔基、亚芳基和杂亚芳基。第二单体的例子包括但不限于芴、噁二唑、噻二唑、苯并噻二唑、亚苯基亚乙烯基、亚苯基亚乙炔基、吡啶、二嗪和三嗪，这些物质都可以进一步被取代。在一个实施方式中，所述共聚物通过以下方法制备首先形成具有A-B-C结构的中间体前体单体，其中A和C表示第一前体单体，它们可以是相同或不同的，B表示第二前体单体，可以使用标准有机合成技术例如亚马托(Yamamoto)、斯蒂(Stille)、格氏置换、苏如克(Suzuki)和Negishi偶联制备A-B-C中间体前体单体；然后通过中间体前体单体单独进行氧化聚合反应、或者中间体前体单体与一种或多种另外的前体单体进行氧化聚合反应，形成共聚物。在一个实施方式中，所述半导体聚合物是两种或更多种前体单体的共聚物。在一个实施方式中，所述前体单体选自噻吩、吡咯、苯胺和多环芳族化合物。3.氟化酸聚合物所述氟化酸聚合物(以下称为"FAP")可以是氟化和具有酸性基团的任何聚合物。本文中使用术语"氟化"表示有至少一个与碳连接的氢被氟代替。该术语包括部分氟化和全氟化的材料。在一个实施方式中，氟化酸聚合物是高度氟化的。术语"高度氟化"表示与碳连接的可用氢中的至少50%被氟代替。术语"酸性基团"表示能够电离提供一个氢离子给布朗斯台德碱来形成盐的基团。所述酸性基团提供一个可电离的质子。在一个实施方式中，所述酸性基团的pKa小于3。在一个实施方式中，所述酸性基团的pKa小于O。在一个实施方式中，所述酸性基团的pKa小于-5。所述酸性基团可以直接与聚合物主链连接，或者所述酸性基团连接在聚合物主链的侧链上或连接在侧基上。酸性基团的例子包括但不限于羧酸基、磺酸基、磺酰亚氨基、磷酸基、膦酸基以及它们的组合。所述酸性基团可以都相同，或者所述聚合物可以具有超过一种酸性基团。在一个实施方式中，所述FAP是可以被有机溶剂润湿的("可润湿的FAP")。术语"可以被有机溶剂润湿的"表示形成膜后能够被有机溶剂润湿的材料。该术语还包括不能单独形成膜、但是在掺杂到半导体聚合物中后会形成可润湿的膜的高分子酸。在一个实施方式中，所述可以被有机溶剂润湿的材料形成能够以小于40°的接触角被苯基己垸润湿的膜。在一个实施方式中，所述FAP是不能被有机溶剂润湿的("不可润湿的FAP")。术语"不能被有机溶剂润湿的"表示当形成膜后不能被有机溶剂润湿的材料。该术语还包括不能单独形成膜、但是在掺杂到半导体聚合物中后会形成不可润湿的膜的高分子酸。在一个实施方式中，所述不能被有机溶剂润湿的材料形成苯基己烷在其上的接触角大于4(T的膜。本文中使用术语"接触角"用来表示图1中所示的角①。对于一滴液体介质，角O通过表面平面与从液滴外缘到该表面的直线相交确定。而且，在液滴到达其所施加平面上的平衡位置之后测量角O，即"静态接触角"。将可以被有机溶剂润湿的氟化高分子酸的膜表示为所述表面。在一个实施方式中，所述接触角不超过35。。在一个实施方式中，所述接触角不超过30。。测量接触角的方法是众所周知的。在一个实施方式中，所述FAP是水溶性的。在一个实施方式中，所述FAP能够分散在水中。在一个实施方式中，所述FAP在水中形成胶体分散体。在一个实施方式中，所述聚合物主链是氟化的。合适的聚合物主链的例子包括但不限于聚烯烃、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚芳酰胺、聚丙烯酰胺、聚苯乙烯以及它们的共聚物。在一个实施方式中，所述聚合物主链是高度氟化的。在一个实施方式中，所述聚合物主链是完全氟化的。在一个实施方式中，所述酸性基团选自磺酸基和磺酰亚氨基。在一个实施方式中，所述酸性基团位于氟化侧链上。在一个实施方式中，所述氟化侧链选自垸基、烷氧基、酰氨基、醚基以及它们的组合。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP具有氟化烯烃主链，以及氟化醚磺酸/根/酯侧基、氟化酯磺酸/根/酯侧基或氟化醚磺酰亚胺侧基。在一个实施方式中，所述聚合物是1，1-二氟乙烯和2-(1，卜二氟-2-(三氟甲基)烯丙氧基)-l，1,2，2-四氟乙磺酸的共聚物。在一个实施方式中，所述聚合物是乙烯和2-(2-(1'2，2-三氟乙烯氧基)-l，1，2，3，3，3-六氟丙氧基)-1，1，2，2-四氟乙磺酸的共聚物。这些共聚物可以相应的磺酰氟聚合物的形式制备，然后可转化成磺酸形式。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP是氟化和部分磺化的聚(亚芳基醚砜)的均聚物或共聚物。所述共聚物可以是嵌段共聚物。共聚单体的例子包括但不限于丁二烯、丁烯、异丁烯、苯乙烯以及它们的组合。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP是具有结构式VII的单体的均聚物或共聚物<image>imageseeoriginaldocumentpage20</image>式中b是1-5的整数，尺13是0H或腿R14，R"是垸基、氟代烷基、磺酰基垸基或磺酰基氟代垸基。在一个实施方式中，所述单体是以下所示的"SFS"或"SFSI:<image>imageseeoriginaldocumentpage20</image>聚合之后，可以将聚合物转化成酸形式。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP是具有酸性基团的三氟苯乙烯的均聚物或共聚物。在一个实施方式中，所述三氟苯乙烯单体具有结构式VIII:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>式中W选自(CF》q、0(CF2)q、S(CF2)q、(CF2)q0(CF2)r，BS02(CF2)q，b独立地是1-5的整数，『是0H或NHR14，R"是烷基、氟代垸基、磺酰基烷基或磺酰基氟代烷基。在一个实施方式中，使所述含W为S(CF2)q的单体聚合，然后氧化，获得含W为S02(CF2)q的聚合物。在一个实施方式中，将所述含R"为F的聚合物转化成其酸形式，其中R"为0H或N服"。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP是具有结构式IX的磺酰亚胺聚合物~f"S02-Rf-S02-N-S02-R『S02-N~j~(IX)乂HH厶式中Rt.选自氟代亚垸基、氟代杂亚烷基、氟代亚芳基或氟代杂亚芳基；Rg选自氟代亚垸基、氟代杂亚垸基、氟代亚芳基、氟代杂亚芳基、亚芳基或杂亚芳基；n至少为4。在结构式IX的一个实施方式中，Rf和Rg是全氟亚垸基。在一个实施方式中，Rf和Rg是全氟亚丁基。在一个实施方式中，Rf和Rg包含醚氧。在一个实施方式中，n大于20。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP包含氟化聚合物主链和具有结构式X的侧链'""(X)-0-R,5-SOrNH-(SOrRg-S02^)rS02R16式中Rg选自氟代亚烷基、氟代杂亚烷基、氟代亚芳基、氟代杂亚芳基、亚芳基或杂亚芳基；R"是氟代亚烷基或氟代杂亚垸基；R'6是氟代烷基或氟代芳基；P是0或者是1-4的整数。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP具有结构式XI:.(CF2-CF2)G-(CVCF》o(XI)(CF2-CF-0)c-(CF2)e~S02-N-<S02-(CF2)e-SOrN)c-S02R'R相式中R'6是氟代烷基或氟代芳基；a、b、c、d和e各自独立地为O或者为l-4的整数；n至少是4。已经在以下文献中描述了这些氟化酸聚合物的合成，例如A.Feiring等，J.FluorineChemistry(氟化学)2000，105，129-135;A.Feiring等，Macromolecules(大分子)2000，33，9262-9271;D.D.Desmarteau，J.FluorineChem.(氟化学)1995，72，203-208;A.J.Appleby等，J.Electrochem.Soc.(电化学)1993，140(1)，109-111;和Desmarteau,美国专利5463005。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP包含至少一个来自具有结构式XII的烯键式不饱和化合物的重复单元式中d是0、l或2;R"-R2。独立地为H、卤素、1-10个碳原子的烷基或烷氧基、Y、C(Rf，)(Rt.，)OR21、R4Y或0R4Y;Y是COE2、S02E2或磺酰亚胺；R"是氢或对酸不稳定的保护基团；Rf，在各自存在时是相同或不同的，是1-10个碳原子的氟代垸基，或者一起形成(CF丄，其中e为2-10;R4是亚垸基；E2是0H、卤素或017;R5是烷基；前提是R"-R"中的至少一个是Y、R4y或0R4Y。R4、W和R"-IT可任选地被卤素或醚氧取代。结构式XII的代表性单体的一些说明性但非限制性例子表示为以下结构式Xlla—XIIe:(XIIa)(XIIb)p1C02R210《CF2)2S02F(XIIc)和C(CF3)2OCH2OCH3C02R21(XIIe)其中R"是能够形成或重排成叔碳阳离子的基团，更优选是1-20个碳原子的垸基，最优选是叔丁基。其中d=0的结构式XII的化合物(即，结构式XII-a)可以通过结构式(XIII)的不饱和化合物与四环垸烃(quadricyclane)(四环[2.2.1.02'603'5]庚垸)的环加成反应制备，如以下反应式中所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>所述反应可以在约0-200°C、更优选在约30-15(TC的温度下进行，此时可以不存在或是存在惰性溶剂例如二乙醚。对于在等于或高于一种或多种试剂或溶剂的沸点下进行的反应，通常使用密闭式反应器来避免挥发性组分的损失。d值较高(即，d=l或2)的结构式(XII)的化合物可以通过d=0的结构式(XII)的化合物与环戊二烯的反应制备，这是本领域已知的。在一个实施方式中，所述可润湿的FAP是还包含来自至少一种氟代烯烃的重复单元的共聚物，所述氟代烯烃是一种包含至少一个与烯键式不饱和碳连接的氟原子的烯键式不饱和化合物。所述氟代烯烃包含2-20个碳原子。代表性的氟代烯烃包括但不限于四氟乙烯、六氟丙烯、三氟氯乙烯、偏二氟乙烯、氟乙烯、全氟-(2，2-二甲基-1，3-二氧杂环戊烯)、全氟_(2-亚甲基-4-甲基-l，3-二氧环戊垸)、CF^CFO(CF2)tCF《F2(其中t是1或2)和Rf"0CF=CF2(其中R/'是1到约IO个碳原子的饱和氟代垸基)。在一个实施方式中，所述共聚单体是四氟乙烯。在一个实施方式中，所述不可润湿的FAP的聚合物主链中具有包含硅氧烷磺酸的侧基。在一个实施方式中，所述硅氧烷侧基具有以下通式—Oa(OH)b.aR223*R23RfS03H其中a是l-b;b是1-3;R22是不可水解的基团，独立地选自垸基、芳基和芳垸基；R23是二配位的亚垸基，其可以被一个或多个醚氧原子取代，前提是R23具有至少两个以直链方式位于Si和Rf之间的碳原子；和Rf是全氟亚烷基，其可以被一个或多个醚氧原子取代。在一个实施方式中，所述具有硅氧烷基侧基的不可润湿的FAP具有氟化主链。在一个实施方式中，该主链是全氟化的。在一个实施方式中，所述不可润湿的FAP具有氟化主链和结构式(XIV)所示的侧基—Og~[C.F(Rf2)CF—Oh〗^CF2CF2S03H(XIV)式中R/是F或者是具有1-IO个碳原子的全氟垸基，所述全氟烷基可以是非取代的，也可以被一个或多个醚氧原子取代，hi或l，i=0-3，g^0或l。在一个实施方式中，所述不可润湿的FAP具有结构式(XV):~iCF2CF2)j《CH2Ctf2》k(CQ22<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>(XV)式中j》0，k》0，4《(j+k)《199，Q'和Q2是F或H，R/是F或者是具有l-10个碳原子的全氟烷基，所述全氟垸基可以是非取代的，也可以被一个或多个醚氧原子取代，h^或l，i=0-3，gi或l，E4是H或碱金属。在一个实施方式中，R/是-CF"g=l，h=l，i=l。在一个实施方式中，所述侧基的浓度为3-10摩尔％。在一个实施方式中，Q'是H，k》0，Q2是F，可以按照Connolly等的美国专利3282875的描述合成。在另一个优选的实施方式中，Q'是H，Q2是H，g=0，R/是F，h=l，i=l，可以按照同时待审申请序列第60/105662号的描述合成。其他实施方式可以按照Drysdale等的W09831716(Al)和同时待审的美国申请WO99/52954(Al)(Choi等)和序列第60/176881号中的不同描述合成。在一个实施方式中，所述不可润湿的FAP是形成胶体的高分子酸。本文使用的术语"形成胶体的"表示不溶于水、分散在水性介质中时形成胶体的物质。所述形成胶体的高分子酸的分子量通常约为10000-4000000。在一个实施方式中，所述聚合酸的分子量约为100000-2000000。胶体粒度通常约为2-140纳米(，)。在一个实施方式中，所述胶体的粒度约为2-30纳米。可以使用任何具有酸性质子的形成胶体的聚合物材料。在一个实施方式中，所述形成胶体的氟化高分子酸的酸性基团选自羧基、磺酸基和磺酰亚氨基。在一个实施方式中，所述形成胶体的氟化高分子酸是聚合物磺酸。在一个实施方式中，所述形成胶体的聚合物磺酸是全氟化的。在一个实施方式中，所述形成胶体的聚合物磺酸是全氟亚烷基磺酸。在一个实施方式中，所述不可润湿的形成胶体的FAP是高度氟化的磺酸聚合物("FSA聚合物")。"高度氟化的"表示聚合物中卤素和氢原子总数的至少约50%是氟原子，在一个实施方式中至少约为75%，在另一个实施方式中至少约为90%。在一个实施方式中，所述聚合物是全氟化的。术语"磺酸盐官能团"表示磺酸基或磺酸基的盐，在一个实施方式中，是碱金属盐或铵盐。所述官能团用通式-S03E5表示，其中E5是阳离子，也称为"抗衡离子"。E5可以是H、Li、Na、K或N(R,)(R2)(R3)(R,)，R2、R,和&是相同或不同的，在一个实施方式中是H、CH3或C2Hs。在另一个实施方式中，E5是H，这时称所述聚合物为"酸形式"。E5还可以是多价的，例如表示为C,和A^++之类的离子。本领域技术人员很清楚，对于一般表示为MX+的多价抗衡离子的情况，每个抗衡离子对应的磺酸盐官能团的数量等于价数"x"。在一个实施方式中，所述FSA聚合物的聚合物主链上连接有重复的侧链，所述侧链带有阳离子交换基团。聚合物包括均聚物或者两种或更多种单体的共聚物。共聚物通常是由非官能单体和第二单体形成的，所述第二单体带有阳离子交换基团或其前体，例如磺酰氟基团(-S02F)，其可以随后水解为磺酸盐官能团。例如，可以使用第一氟代乙烯单体以及具有磺酰氟基团(-S02F)的第二氟代乙烯单体的共聚物。可能的第一单体包括四氟乙烯(TFE)、六氟丙烯、氟乙烯、偏二氟乙烯、三氟乙烯、三氟氯乙烯、全氟(垸基乙烯基醚)以及它们的组合。优选的第一单体是TFE。在其他实施方式中，可能的第二单体包括具有磺酸盐官能团、或者能够在聚合物中提供需要的侧链的前体基团的氟代乙烯基醚。需要时可以在这些聚合物中结合其他的单体，包括乙烯、丙烯和R-CH=CH2，其中R是1-10个碳原子的全氟烷基。所述聚合物可以是本文所称的无规共聚物种类，即通过共聚单体的相对浓度尽可能保持恒定、这样沿聚合物链的单体单元的分布与其相对浓度和相对活性一致的聚合反应而制得的共聚物。还可以使用无规程度较低的共聚物，通过改变聚合反应过程中单体的相对浓度制备。还可以使用称为嵌段共聚物的那类聚合物，例如欧洲专利申请第1026152A1号中揭示的那些。在一个实施方式中，用于本发明的FSA聚合物包括高度氟化的聚合物，在一个实施方式中，包括全氟化的碳主链和由以下结构式表示的侧链-(0"CF2CFRf3)3-O—CF2CFRf4S。3Es式中R/和R/独立地选自F、Cl或具有l-10个碳原子的全氟烷基，a=0、1或2，E5是H、Li、Na、K或N(R1)(R2)(R3)(R4)，Rl、R2、R3和R4是相同或不同的，在一个实施方式中为H、CH3或GH5。在另一个实施方式中，f是H。如上文所述，E5还可以是多价的。在一个实施方式中，所述FSA聚合物包括例如美国专利3282875、4358545和4940525中所揭示的聚合物。优选的FSA聚合物的例子包含全氟碳主链和以下结构式表示的侧链~0"CF2CF(CF3>0-GF2CF2S03Es式中X如上文所定义。美国专利3282875中揭示了这类FSA聚合物，可以通过四氟乙烯(TFE)和全氟乙烯基醚CF^CF-0-CF2CF(CF3)-0-CF2CF2S02F、全氟(3,6-二氧杂-4-甲基-7-辛烯磺酰氟)(PDMOF)共聚，然后将磺酰氟基团水解转化成磺酸盐基团，需要时进行离子交换将其转化成需要的离子形式而制备。美国专利4358545和4940525中揭示的这类聚合物的例子具有侧链-0-CF2CF2S03E5，其中E5如上文所定义。该聚合物可以通过四氟乙烯(TFE)和全氟乙烯基醚CF^CF-0-CF2CF2S02F、全氟(3-氧杂-4-戊烯磺酰氟)(POPF)共聚，然后水解并且需要时进一步进行离子交换而制备。在一个实施方式中，用于本发明的FSA聚合物的离子交换比通常小于约33。在本申请中，"离子交换比"或"IXR"定义为聚合物主链中的碳原子数与阳离子交换基团数的比值。在小于约33的范围中，IXR可以按照特定应用的需要进行变化。在一个实施方式中，IXR约为3-33，在另一个实施方式中，约为8-23。聚合物的阳离子交换量通常用当量重量(EW)表示。对于本申请来说，当量重量(EW)定义为中和1当量氢氧化钠需要的酸形式的聚合物的重量。对于磺酸盐聚合物的情况，当聚合物具有全氟碳主链并且侧链为-0-CF2-CF(CF》-0-CF2-CF厂S03H(或其盐)时，当量重量约为750-1500EW，对应于IXR约为8-23。使用下式可以将该聚合物的IXR换算为当量重量50IXR+344=EW。虽然美国专利4358545和4940525中揭示的磺酸盐聚合物(例如具有侧链-0-CF2CF2S03H(或其盐)的聚合物)使用相同的IXR范围，但其当量重量稍低，因为含有阳离子交换基团的单体单元的分子量较低。对于约为8-23的优选IXR范围，相应的当量重量范围约为575-1325EW。通过下式可以将该聚合物的IXR换算成当量重量50IXR+178=EW。所述FSA聚合物可以作为胶体水性分散体制备。它们还可以是其他介质中的分散体的形式，其他介质的例子包括但不限于醇、水溶性醚例如四氢呋喃、水溶性醚的混合物、以及它们的组合。制备分散体时，所述聚合物可以以酸形式使用。美国专利4433082、6150426和W003/006537揭示了制备水性醇分散体的方法。制备了分散体之后，可以通过本领域中已知的方法调节浓度和分散液体组成。所述形成胶体的高分子酸的水性分散体(包括FSA聚合物)的粒度通常尽可能小，EW尽可能小，只要能形成稳定的胶体即可。FSA聚合物的水性分散体可以从E.I.内穆尔杜邦公司(E.I.duPontdeNemoursandCompany)(Wilmington,DE)以纟内芬⑧(Nafion)分散体购得。4.制备惨杂的半导体聚合物在一个实施方式中，所述掺杂的半导体聚合物通过前体单体在至少一种FAP的存在下进行氧化聚合反应而形成。下面，将掺杂的半导体聚合物缩写为"SCP/FAP"。聚合反应通常在均质水性溶液中进行。在另一个实施方式中，制得导电聚合物的聚合反应在水和有机溶剂的乳液中进行。一般来说，存在一些水以获得氧化剂和/或催化剂的足够溶解性。可以使用过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾等之类的氧化剂。还可以存在氯化铁、硫酸铁之类的催化剂。制得的聚合产物是掺杂的半导体聚合物的溶液、分散体或乳液。在一个实施方式中，掺杂有FAP的半导体聚合物的水性分散体的制备方法包括通过混合水、至少一种前体单体、至少一种FAP和氧化剂形成反应混合物，混合顺序是任意的，只要添加前体单体和氧化剂中的至少一种时存在至少一部分FAP即可。应当理解，对于半导体共聚物的情况，术语"至少一种前体单体"包括超过一种单体的情况。在一个实施方式中，掺杂的半导体聚合物的水性分散体的制备方法包括通过混合水、至少一种前体单体、至少一种FAP和氧化剂形成反应混合物，混合顺序是任意的，只要添加前体单体和氧化剂中的至少一种时存在至少一部分FAP即可。在一个实施方式中，掺杂的半导体聚合物的制备方法包括(a)提供FAP的水性溶液或水性分散体；(b)向步骤(a)的溶液或分散体中添加氧化剂；(c)向步骤(b)的混合物中添加至少一种前体单体。在另一个实施方式中，在添加氧化剂之前，先向FAP的水性溶液或分散体中添加前体单体。然后进行上述添加氧化剂的步骤(b)。在另一个实施方式中，形成水和前体单体的混合物，以前体单体的总重量为基准计，其浓度通常约为0.5-4.0重量％。向FAP的水性溶液或分散体中添加该前体单体混合物，并且进行上述添加氧化剂的步骤(b)。在另一个实施方式中，水性聚合反应混合物可以包括聚合催化剂，例如硫酸铁、氯化铁等。所述催化剂在最后步骤之前添加。在另一个实施方式中，催化剂与氧化剂一同添加。在一个实施方式中，聚合反应在可与水混溶的共分散(co-dispersing)液体的存在下进行。合适的共分散液体的例子包括但不限于醚、醇、醇醚、环醚、酮、腈、亚砜、酰胺以及它们的组合。在一个实施方式中，所述共分散液体是醇。在一个实施方式中，所述共分散液体是选自正丙醇、异丙醇、叔丁醇、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯垸酮以及它们的混合物的有机溶剂。一般来说，共分散液体的含量应当小于约60体积％。在一个实施方式中，共分散液体的含量小于约30体积％。在一个实施方式中，共分散液体的含量为5-50体积％。在聚合反应中使用共分散液体显著降低了粒度，并且提高了分散体的过滤性。另外，通过该方法获得的缓冲材料表现出提高的粘性，并且由这些分散体制备的膜具有高品质。可以在该方法中的任意时刻向反应混合物中添加共分散液体。在一个实施方式中，聚合反应在辅助酸(co-acid)的存在下进行，所述辅助酸是布容斯帝(Bronsted)酸。所述酸可以是无机酸，例如HC1、硫酸等，或者所述酸是有机酸，例如乙酸或对甲苯磺酸。或者，所述酸可以是水溶性高分子酸，例如聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰氨基-2-甲基-1-丙磺酸)等，或者所述酸是上述第二种氟化酸聚合物。可以使用酸的组合。在该方法中，可以在添加氧化剂或前体单体(无论哪个为最后添加)之前的任意时刻向反应混合物中添加辅助酸。在一个实施方式中，辅助酸在前体单体和氟化酸聚合物之前添加，氧化剂最后添加。在一个实施方式中，辅助酸在添加前体单体之前添加，然后添加氟化酸聚合物，最后添加氧化剂。在一个实施方式中，所述聚合反应在共分散液体和辅助酸的存在下进行。在掺杂的半导体聚合物的制备方法中，氧化剂与全部前体单体的摩尔比一般为0.1-3.0，在一个实施方式中为0.4-1.5。FAP与全部前体单体的摩尔比一般为0.2-10。在一个实施方式中，该摩尔比为l-5。全部固体含量一般约为0.5-12重量％，在一个实施方式中约为2-6重量％。反应温度一般约为4-50°C，在一个实施方式中约为20-35°C。任选的辅助酸与前体单体的摩尔比约为0.05-4。氧化剂的添加时间会影响粒度和粘度。因此，可以通过减缓添加速度来减小粒度。同样，通过减缓添加速度来增加粘度。反应时间一般约为1-30小时。(a)pH处理合成之后，所述掾杂的半导体聚合物的水性分散体的PH值一般非常低。当半导体聚合物掺杂有FAP时，发现可以将pH值调节到较高的值，而不会对在器件中的性质造成不利影响。在一个实施方式中，所述分散体的pH值可以调节到约1.5-4。在一个实施方式中，pH值调节到2-3。发现可以使用已知技术例如离子交换或者用碱性水溶液滴定来调节pH值。在一个实施方式中，形成的掺杂有FAP的半导体聚合物的水性分散体在适合于除去任何残余的分解物质、副反应产物和未反应单体的条件下与至少一种离子交换树脂接触，并且调节pH值，从而形成具有需要的pH值的稳定水性分散体。在一个实施方式中，形成的掺杂的半导体聚合物分散体以任何顺序与第一离子交换树脂和第二离子交换树脂接触。可以同时用所述第一和第二离子交换树脂处理形成的掺杂的半导体聚合物分散体，或者可以先用一种树脂再用另一种树脂依次进行处理。在一个实施方式中，合成得到的两种掺杂的半导体聚合物混合在一起，然后用一种或多种离子交换树脂处理。离子交换是一种可逆的化学反应，其中，使用流体介质(例如水性分散体)中的一种离子交换与不溶于该流体介质的固定固体颗粒结合的相同电荷的离子。本文使用术语"离子交换树脂"表示所有这些物质。由于结合离子交换基团的聚合物载体的交联性质，所述树脂是不溶的。离子交换树脂分为阳离子交换树脂或阴离子交换树脂。阳离子交换树脂具有带正电荷的、可用于交换的移动离子，一般是质子或者钠离子之类的金属离子。阴离子交换树脂具有带负电荷的可交换离子，一般是氢氧根离子。在一个实施方式中，所述第一离子交换树脂是阳离子酸性交换树脂，其可为质子或金属离子形式，一般是钠离子形式。所述第二离子交换树脂是碱性阴离子交换树脂。预期本发明实施时使用酸性阳离子(包括质子)交换树脂和碱性阴离子交换树脂。在一个实施方式中，所述酸性阳离子交换树脂是无机酸阳离子交换树脂，例如磺酸阳离子交换树脂。预期用于本发明实施的磺酸阳离子交换树脂包括例如磺化的苯乙烯-二乙烯基苯共聚物、磺化的交联苯乙烯聚合物、苯酚-甲酸-磺酸性树脂、苯-甲醛-磺酸性树脂、以及它们的混合物。在另一个实施方式中，所述酸性阳离子交换树脂是有机酸阳离子交换树脂，例如羧酸、丙烯酸或含磷阳离子交换树脂。另外，可以使用不同阳离子交换树脂的混合物。在另一个实施方式中，所述碱性阴离子交换树脂是叔胺阴离子交换树脂。预期用于本发明实施的叔胺阴离子交换树脂包括例如叔胺化的苯乙烯-二乙烯基苯共聚物、叔胺化的交联苯乙烯聚合物、叔胺化的苯酚-甲醛树脂、叔胺化的苯-甲醛树脂、以及它们的混合物。在又一个实施方式中，所述碱性阴离子交换树脂是季铵阴离子交换树脂、或这些树脂和其他交换树脂的混合物。所述第一和第二离子交换树脂可以同时或者连续地与形成的水性分散体接触。例如，在一个实施方式中，将两种树脂同时加入形成的导电聚合物的水性分散体中，使其与分散体保持接触至少约1小时，例如约2-20小时。然后通过过滤从分散体中除去离子交换树脂。对过滤器的尺寸进行选择，从而除去较大的离子交换树脂颗粒，同时让较小的分散体颗粒通过。不希望受限于理论，相信所述离子交换树脂使聚合反应猝灭，并且从形成的水性分散体中有效除去离子和非离子杂质以及大部分未反应的单体。而且，所述碱性阴离子交换树脂和/或酸性阳离子交换树脂使得酸性位点的碱性更强，导致增大分散体的pH值。一般来说，对每克半导体聚合物组合物使用约l-5克离子交换树脂。在许多情况下，可以使用所述碱性离子交换树脂将PH值调节到需要的水平。在一些情况下，可以用碱性水溶液例如氢氧化钠、氢氧化铵、氢氧化四甲铵之类的溶液进一步调节pH值。5.制备缓冲组合物新的缓冲组合物可以通过掺混半导体氧化物颗粒与FAP或SCP/FAP来形成。可以通过将半导体氧化物颗粒的水性分散体加入到FAP或SCP/FAP的水性分散体中来进行。在一个实施方式中，所述组合物可以采用超声波降解(sonication)或微流态化进行进一步的处理，确保组分的混合。在一个实施方式中，一种组分或者两种组分都以固体形式进行分离。将固体物质再分散于水中或其他组分的水性溶液或分散体中。例如，半导体氧化物固体颗粒可以分散在掺杂有FAP的半导体聚合物的水性溶液或分散体中。6.缓冲层本发明的另一个实施方式中，提供由包含新的缓冲组合物的水性分散体沉积的缓冲层。术语"缓冲层"或"缓冲材料"表示导电材料或半导体材料，并在有机电子器件中具有一种或多种功能，这些功能包括但不限于使下层平面化、电荷输运和/或电荷注入性质、清除氧或金属离子之类的杂质、以及促进或提高有机电子器件的性能的其他方面。术语"层"与术语"薄膜"可互换使用，表示覆盖要求区域的涂层。该术语的含义并不受涂覆区域尺寸的考虑因素的限制。所述区域可以大到整个器件或小至特定功能区域，例如实际可视的显示器，或小至单个亚像素。在一个实施方式中，缓冲层可釆用液体沉积的方法形成。可以采用任何液体沉积的方法。连续的液体沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、幕涂、浸涂、缝型模头涂布、喷涂和连续喷嘴涂布。不连续的液体沉积技术包括但不限于喷墨印刷、凹版印刷和丝网印刷。在另一个实施方式中，提供由包含掺混有其他可水溶的或可水分散的物质的新导电聚合物组合物的水性分散体沉积的缓冲层。可以添加的这些物质的类型的例子包括但不限于聚合物、染料、涂料助剂、有机和无机导电油墨和糊料、电荷输运材料、交联剂，以及它们的组合。其他水溶性或可水分散的物质可以是简单的分子或聚合物。合适的聚合物的例子包括但不限于导电聚合物，如聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔，以及它们的组合。7.电子器件在本发明的另一个实施方式中，提供了在两个电接触层之间包括至少一个电活性层的电子器件，其中所述器件进一步包括新颖的缓冲层。使用术语"电活性"表示层或材料时，是指该层或材料表现出电子辐射或电辐射性质。电活性层材料在接受到辐射时，会发出辐射或者在电子-空穴对的浓度方面表现出变化。如图2所示，典型的器件100具有阳极层110、缓冲层120、电活性层130和阴极层150。与所述阴极层150相邻的是任选的电子注入/输运层140。所述器件可以包括支承体或基片(未示出)，所述支承体或基片可以与阳极层110或阴极层150相邻。最常见的情况是，所述支承体与阳极层110相邻。所述支承体可以是柔软的或是刚性的，是有机的或是无机的。支承体材料的例子包括但不限于玻璃、陶瓷、金属和塑料膜。与阴极层150相比，阳极层IIO是能更有效注入空穴的电极。阳极可以包括含金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合氧化物的材料。合适的材料包括第2族元素(即，Be,Mg，Ca,Sr,Ba，Ra)，第ll族元素，第4、5和6族元素，以及第8-10族过渡元素的混合氧化物。如果阳极层IIO是透光的，则可以使用第12、13和14族元素的混合氧化物，如氧化铟-锡。本文中所用的词语"混合氧化物"表示具有两个或更多个不同阳离子的氧化物，所述阳离子选自第2族的元素，或第12、13或14族的元素。用于阳极层IIO的材料的一些非限制性的特定例子包括但不限于氧化铟-锡("ITO")、氧化铟-锌、氧化铝-锡、金、银、铜和镍。阳极还可以包含有机物质，尤其是导电聚合物如聚苯胺，包括在自然(Nature)，第357巻，第477-479页(1992年6月11日)的"由可溶性导电聚合物制备的挠性发光二极管(Flexiblelight-emittingdiodesmadefromsolubleconductingpolymer)"中所述的示例的材料。阳极和阴极中至少一个应至少是部分透明的，从而可以观察到生成的光。阳极层110可以通过化学或物理气相沉积方法或者旋转-铸造(spin-cast)法形成。化学气相沉积可以按等离子体增强的化学气相沉积("PECVD")或金属有机化学气相沉积("MOCVD")进行。物理气相沉积包括各种溅射形式，包括离子束溅射，以及电子束蒸发和电阻蒸发(resistanceevaporation)。物理气相沉积的具体形式包括rf磁控管溅射和电感耦合的等离子体物理气相沉积("IMP-PVD")。这些沉积技术是半导体制造领域众所周知的。在一个实施方式中，阳极层HO在平版印刷操作中进行图案化。所述图案可按照要求变化。通过例如将图案化的掩模或光刻胶定位于第一挠性复合阻挡结构，然后施用第一电接触层材料，来形成所述的阳极层。或者，将阳极层以全层施用(也称均厚沉积(blanketdeposit)),然后采用例如图案化的光刻胶层和湿化学或干蚀刻技术进行图案化。还可以采用本领域众所周知的其他图案化的方法。缓冲层120可采用本领域技术人员公知的各种方法沉积在晶片上。典型的沉积方法，如上所述，包括液体沉积(连续和非连续的方法)以及热转印。在缓冲层120和电活性层130之间可以存在任选的层(未示出)。该层可包含空穴输运材料。例如Y.Wang在Kirk-0thmerEncyclopediaofChemicalTechnology,第四版，第18巻，第837-860页，1996中汇总了用于层120的空穴输运材料的例子。空穴输运分子和聚合物都可以使用。常用的空穴输运分子包括但不限于4，4，，4"-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(TDATA)、4，4，，4，，-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)、N，N，-二苯基-N，N，-二(3-甲基苯基)-[1,1，-联苯]-4,4，-二胺(TPD)、1，卜二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己垸(TAPC)、N,N，-二(4-甲基苯基)-N,N，-二(4-乙基苯基)-[1,l'-(3，3'-二甲基)联苯]-4,4'二胺(ETPD)、四-(3-甲基苯基)-N，N，N，，N，-2，5-亚苯基二胺(PDA)、a-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、二[4-(N，N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲垸(MPMP)、l-苯基-3-[对-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]卩比唑啉(PPP或DEASP)、1，2-反-二(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N，N,N，，N，-四(4-甲基苯基)-(1，l'-联苯)-4，4，-二胺(TTB)、N，N，-二(萘-1-基)-N,N，-二-(苯基)联苯胺(a-NPB)、以及卟啉化合物例如铜酞菁。常用的空穴输运聚合物包括但不限于聚(9，9-二辛基芴-N-(4-丁基苯基)二苯胺)共聚物等、聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅垸、聚(二氧噻吩)、聚苯胺和聚吡咯。还可以通过将上述空穴输运分子掺杂到聚合物例如聚苯乙烯和聚碳酸酯中而获得空穴输运聚合物。根据器件的应用，所述电活性层130可以是由施加电压激活的发光层(例如在发光二极管或发光电化学电池中)、对辐射能量作出响应并且在施加或不施加偏压的情况下都产生信号的材料层(例如在光电检测器中)。在一个实施方式中，所述电活性材料是有机电致发光("EL")材料。所述器件中可以使用任何EL材料，包括但不限于小分子有机荧光化合物、荧光和磷光金属配合物、共轭聚合物以及它们的混合物。荧光化合物的例子包括但不限于芘、茈(perylene)、红荧烯、香豆素、它们的衍生物、以及它们的混合物。金属配合物的例子包括但不限于金属螯合的类喔星(oxinoid)化合物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3);环金属化的铱和钼电致发光化合物，例如Petrov等的美国专利6670645和公开的PCT申i青WO03/063555和WO2004/016710中揭示的铱与苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配体的配合物；例如公开的PCT申请WO03/008424、WO03/091688和WO03/040257中揭示的有机金属配合物；以及它们的混合物。Thompson等在美国专利6303238中、Burrows和Thompson在公开的PCT申请W000/70655和W001/41512中描述了包含带电荷的基质材料和金属配合物的电致发光发射层。共轭聚合物的例子包括但不限于聚(亚苯基亚乙烯基)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(对-亚苯基)、它们的共聚物、以及它们的混合物。任选的层140可以起促进电子注入/输运的作用，并且还可作为密封层防止在层界面上使反应猝灭。更具体来说，层140可以促进电子迁移性，并且当层130和150直接接触时降低反应猝灭的可能性。任选的层140的材料的例子包括但不限于金属螯合的类喔星化合物，例如二(2-甲基-8-喹啉)(对-苯基-苯酚)铝(III)(BAIQ)、四(8-羟基喹啉)锆(ZrQ)和三(8-羟基喹啉)铝(Alq3);吡咯化合物，例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、和1,3，5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI);喹喔啉衍生物，例如2，3-二(4-氟苯基)喹喔啉；菲咯啉衍生物，例如9，10-二苯基菲咯啉(DPA)和2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DDPA);以及它们的任意一种或多种的组合。或者，任选的层140可以是无机的，包含BaO、LiF、"20等。阴极层150是能够特别有效地注入电子或负电荷载流子的电极。所述阴极层150可以是功函数低于第一电接触层(在该情况中是阳极层110)的任何金属或非金属。用于阴极层的材料可以选自第1族的碱金属(例如，Li、Na、K、Rb、Cs)、第2族的金属(例如，Mg、Ca、Ba等)、第12族的金属、镧系(例如，Ce、Sm、Eu等)以及锕系(例如，Th、U等)。还可以使用铝、铟、钇以及它们的组合之类的材料。用于阴极层150的材料的具体非限制性例子包括但不限于钡、锂、铈、铯、铕、铷、钇、镁、钐、以及它们的合金和组合。所述阴极层150—般通过化学或物理气相沉积方法形成。在一些实施方式中，如以上关于阳极层IIO所讨论的，可以使阴极层形成图案。所述器件中的其他层可以在考虑这些层的功能后由已知适合用于这些层的任何材料制造。在一些实施方式中，在接触层150上沉积包封层(未示出)，用于防止不希望有的组分例如水和氧进入器件100中。这些组分会对有机层130造成有害影响。在一个实施方式中，所述包封层是阻挡层或膜。在一个实施方式中，所述包封层是玻璃盖。应当理解，所述器件IOO可以包括其他层，尽管这些层在图中未示出。可使用本领域或其它领域已知的其他层。另外，上述层中的任何层可以包括两个或更多个亚层，或者可以形成叠层结构。或者，可以对阳极层110、缓冲层120、电子输运层140、阴极层150和其他层中的一些或全部进行处理，具体来说是进行表面处理，从而增大电荷载流子运输效率或者所述器件的其他物理性质。对各组分层材料的选择优选是通过权衡提供具有高器件效率的器件、器件操作寿命的考虑因素、制造时间和复杂性因素、以及本领域技术人员考虑的其他因素而确定的。将会理解，确定最佳组分、组分结构和组成特性是本领域技术人员的常规工作。在各种实施方式中，不同的层具有以下厚度范围阳极IIO，500-5000埃，在一个实施方式中为1000-2000埃；缓冲层120，50-2000埃，在一个实施方式中为200-1000埃；任选的输运层，50-2000埃，在一个实施方式中为100-1000埃；光敏层130，10-2000埃，在一个实施方式中为100-1000埃；任选的电子输运层140,50-2000埃，在一个实施方式中为IOO-IOOO埃；阴极150,200-10000埃，在一个实施方式中为300-5000埃。各层的相对厚度可以影响器件中电子-空穴复合区的位置，从而影响所述器件的发射光谱。因此，应当对电子输运层的厚度进行选择，使得电子-空穴复合区位于发光层中。需要的层厚度比值取决于所使用材料的确切性质。在工作中，对器件IOO施加来自适当电源(未描绘)的电压。因此，电流通过器件100的各层。电子进入有机聚合物层释放出光子。在一些称为有源矩阵OLED显示器的OLED中，单独沉积的光敏有机膜可以独立地因为电流通过而激发，导致各个像素的光发射。在一些称为无源矩阵OLED显示器的OLED中，沉积的光敏有机膜可以通过电接触层的行和列而激发。本文中所用的术语"包含"、"含有"、"包括"、"具有"、"有"或它们的任意其它变体，用来包括非排他性的包含。例如，包含一系列要素的过程、方法、制件、或装置并不一定只限于那些要素，而是还可以包括没有明确列出的或这些过程、方法、制件、或装置所固有的其它要素。而且，除非明确说明意思相反，否则"或"表示包含的或而非排除的或。例如，以下任一条件满足条件A或B:A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B都为真(或存在)。术语"层"与术语"薄膜"可互换使用，表示覆盖要求区域的涂层。该术语的含义并不受所覆盖区域尺寸的影响。所述区域可以大到整个器件或小至特定功能区域，例如实际可视的显示器，或小至单个亚像素。层和薄膜可以通过任何常规沉积技术来形成，包括气相沉积、液体沉积(连续和不连续的技术)和热转印。连续沉积技术包括但不限于例如旋涂、凹版涂布、幕涂、浸涂、缝型模头涂布、喷涂和连续喷嘴涂布。不连续沉积技术包括但不限于喷墨印刷、凹版印刷和丝网印刷。术语"功函数"用来表示从材料上移动一个电子至离该表面无限远处所需要的最小能量。使用"一个"或"一种"对本发明的元件和部件进行描述。这种做法只是为了方便，并给出本发明的普遍性含义。这种描述应当理解为包括一(个)种或至少一(个)种，单数也包括复数，除非很明显其另有表示。除非另外定义，本文中所用的所有技术和科学术语具有本发明所属领域普通技术人员通常所理解的同样含义。虽然在本发明的实施或测试中可以采用类似于或等同于本文所述的那些方法和材料，但下面描述合适的方法和材料。本文中述及的所有出版物、专利申请、专利和其它参考文献都全文参考结合于本文。在抵触的情况，以本说明书，包括定义为准(willcontrol)。此外，材料、方法和例子都只是说明性的，不构成限制。实施例实施例1本实施例说明锑双氧化物与Nafion⑧的水性分散体的制备，以及由该分散体旋涂的膜的电导率。Nafion⑧是E丄内穆尔杜邦公司(E.I.duPontdeNemoursandCompany)(特拉华州，委明顿(Wilmington，Delaware))的聚(全氟乙烯磺酸)的商品名。在本实施例中，赛纳斯CX-Z300H(CelnaxCX-Z300H)是从尼桑化学工业有限公司(NissanChemicalIndustries,LTD，德克萨斯，豪斯通(Houston,Texas))购得。所述的赛纳斯(Celnax)是锑双氧化物的水溶胶，含有30%(w/w)氧化物和约70%水。其pH值为6.9，采用BET法测定的粒度为20nm。该材料的薄层干膜为蓝绿色，并且几乎是透明的。首先用4.9748克去离子水稀释2.0112克赛纳斯。然后将1.632gNafion⑧分散体加入到稀释的赛纳斯分散体中，Nafion⑧分散体含有12.23%(w/w)Nafion⑧聚合物。它们容易混合形成稳定的分散体，没有出现沉降的迹象。在一个显微镜载玻片上滴加两滴该分散体，形成透明的薄膜。在该薄膜上涂布银糊，形成两根平行条，作为测定电阻的电极。测量该薄膜的厚度将该电阻转换为电导率，沿该电极长度将两个电极分开。确定电导率为8xlO'4S/cm。该电导率适合用作缓冲层。采用紫外线光电子能谱法(UPS)，测定该干膜的Wf。Wf能级通常是使用Hel(21.22eV)辐射，由次级电子定点(cut-off)相对于真空水平确定的。实施例2本实施例说明在半导体氧化物的分散体中添加Nafion⑧对功函数的影响。Nafion⑧是E丄内穆尔杜邦公司的聚(全氟乙烯磺酸)的商品名。膜样品制备和开尔文(Kelvin)探针测定的常规方法用于测定功函数的开尔文探针测定的膜样品是通过将半导体分散体或掺混分散体旋涂在30mmx30mm玻璃/ITO晶片上而制备的。ITO/玻璃基片包括位于中心的15mmx20mm的ITO区域，ITO厚度为100-150nm。在15mmx20mm的ITO区域的一个角上，ITO膜表面延伸到玻璃/ITO的边缘，起到与开尔文探针电极发生电接触的作用。在进行旋涂之前，对ITO/玻璃基片进行清洁，然后，对ITO—侧用UV-臭氧处理10分钟。旋涂后，用醚水湿润的Q-尖(Q-tip)去除在延伸的ITO膜的角上的沉积材料。露出的ITO垫用来与开尔文探针电极接触。然后，沉积的膜按照实施例中所述进行烘焙。烘焙后的膜样品置于一充满氮气的玻璃壶上，然后，在测定之前在壶上加盖。为进行功函数测定，在对样品进行测定之前，首先对经过环境老化的金膜进行测定作为参比。将在同样尺寸的玻璃片上的金膜置于在方形钢容器的底部切出的孔洞中。在该孔洞的侧面，有四个固定夹，将样品稳固保持在位。其中一个固定夹与电线相连，构成与开尔文探针的接触。金膜面对探针尖，同时从钢盖中心部分凸起的开尔文探针尖下降到位于金膜表面的中心上方。然后在四个角上将盖旋紧在该方形钢容器上。该方形钢容器的侧口与管相连，该管能使氮气连续吹扫开尔文探针单元，同时用隔膜盖住氮气排放口，隔膜中插入一个钢针，以保持环境压力。然后，对探针设施进行优化，在整个测定过程中只改变探针尖的高度。将开尔文探针与迈里斯特KP6500开尔文探针计(McAllisterKP6500KelvinProbemeter)相连，该探针计具有以下参数l)频率230;2)振幅20;3)DC偏移样品与样品之间不同；4)烘焙电压上限2伏；5)烘焙电压下限-2伏；6)扫描速度1;7)触发延迟0;8)采样(A)/数据(D)点1024;9)A/D速率12405@19.0循环；10)D/A:延迟200;11)定点梯度0.2;12)步长0.001;13)最大梯度偏移0.001。一旦跟踪梯度稳定，就记录金膜间按伏计的接触电势差("CPD")。然后，金的CPD参照探针尖至(4.7-CPD)eV。该4.7eV(电子伏特)是经环境老化的金膜表面的功函数[表面科学(SurfaceScience),316，(1994),第380页]。在测定样品的CPD的同时周期性测定金的CPD。按照与金膜样品同样的方式，用四个固定夹将各样品加载到孔洞中。在与样品构成电接触的固定夹上，需小心确保在一个角上与露出的ITO垫构成良好接触。在CPD测定期间，少量氮气流连续流过该单元(cdl)，而没有干扰探针尖，记录了样品的CPD后，样品的功函数或能势则可以通过将样品的CPD加上4.7eV与金的CPD的差来计算。在本实施例中，赛纳斯CX-Z300H也是从尼桑化学工业有限公司(NissanChemicalIndustries,LTD,德克萨斯，豪斯通(Houston,Texas))购得。所述的赛纳斯(Celnax)是锑双氧化物(锆酸锑)的水溶胶，含有27.05%(w/w)氧化物，其余为水。其pH值为6.9，采用BET法测定的粒度为20nm。为测定该半导体氧化物膜的功函数，制备稀释的CX-Z300H，具体方式是将5.004克上述水溶胶与13.828克去离子水混合。稀释后的样品仅含有7.19。/。(w/w)氧化物。将稀释后的样品以1，800rpm速度在其中一个膜样品制备常规方法中所述的ITO基片上旋涂60秒。然后，于13(TC，在空气中烘焙在该ITO/玻璃基片上的锌/锑双氧化物膜10分钟。对该氧化物膜样品进行开尔文探针测定之前，首先测定一金膜。金膜与开尔文探针尖之间的接触电势差(CPD)为0.663伏。测定氧化物膜与开尔文探针尖之间的CPD为0.87伏。因此，锑氧化物表面的功函数可以采用对经过空气老化的金膜的功函数(4.7eV)进行计算，为4.91eV。将这一功函数(Wf)数据列于表1中作为对照，以确定添加Nafion⑧对其功函数的影响。用来添加到CX-Z300H中的Nafion⑧的EW为1000，采用类似于美国专利6,150,426中的实施例1，第2部分的方式制备，区别在于采用的温度约为270。C。制备的Nafion⑧为25%(w/w)水分散体。在使用之前，首先将该25%分散体稀释到12%。制备该混合物的一般方式是将Nafion⑧加入到CX-Z300H中，该CX-Z300H已先用水稀释。要求最终的固体在水中的浓度约为7.2%(w/w)，但是酸当量/1克双氧化物的比例保持为5个不同水平。对本实施例的5.0xl(T4酸当量/1克锑/锌氧化物，5.0091克CX-Z300H中加入17.6691克去离子水。用一个滚筒进行搅拌，然后加入5.6859克Nafion⑧。最终的固体浓度为7.18%，酸当量/1克氧化物为5.0x10—4。按照同样方式制备表1列出的各分散体样品，并通过0.45|amHV过滤器过滤，以1，800rpm的速度将其旋涂到经过臭氧处理的ITO基片上60秒。然后，于130。C，空气中对经旋涂的膜烘焙IO分钟，用开尔文探针测定接触电势差。表1清楚地显示锑/锌双氧化物膜表面的功函数较低，但是将Nafion⑧加入到CX-Z300H时有所提高。高功函数对用作器件的缓冲层的OLED很重要。表1酸(Nafion⑧)当量/1克氧化物对功函数(Wf)的影响酸当量/1克氧化物CPD(伏)Wf(eV，参照Au)00.874.911X10-41.025.062.6X10—41.375.415.0Xl(T41.605.647.2Xl(T41.775.812.5X10-31.996.03实施例3本实施例说明在半导体氧化物分散体中添加聚(VF2/PSEBVE)对功函数的影响本实施例中，也使用赛纳斯CX-Z300H来确定聚(VF2/PSEBVE)对锌/锑双氧化物的功函数的影响。下面说明在本实施例中合成聚(VF2/PSEBVE)。严格按照实施例2所述的方式，制备锌/锑氧化物膜，和其与聚(VF2/PSEBVE)的掺混物的膜，并测定接触电势差以确定功函数。列于表2中的功函数清楚地显示，锑/锌双氧化物膜表面的功函数较低，但是将Nafion⑧加入到CX-Z300H时有所提高。高功函数对用作器件的缓冲层的OLED很重要。用来添加到赛纳斯CX-Z300H中的聚(VF2/PSEBVE)按照以下方式制备。a)合成有机溶剂可润湿的聚(VF2/PSEBVE)，该聚合物是1,1-二氟乙烯("VF2")和2-(1,1-二氟-2-(三氟甲基)烯丙氧基)-U,2，2-四氟乙磺酰氟("PSEBVE")的聚合物:__<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>在一个400mL哈斯特里C276(HastelloyC276)反应器中加入160mLVertrelXF、4mL20重量％的HFPO二聚过氧化物(dimerperoxide)的VertrelXF溶液以及143克PSEBVE(0.42mol)。将该反应器冷却至-35。C，抽真空至-3PSIG，用氮气吹扫。该抽真空/吹扫循环重复两次以上。然后，在该反应器中加入29克VF2(0.45mo1)。加热反应器至28T:，反应器压力升高至92PSIG。反应温度在28"保持18小时，在此期间压力下降到32PSIG。将反应器排空，回收粗液体物质。真空除去VertrelXF，获得110克所需的共聚物。b)将上面制备的磺酰氟共聚物转化为磺酸将20克干燥的聚合物和5.0克碳酸锂在100mL无水甲醇中回流12小时。使混合物回到室温，通过过滤去除所有残留的固体。真空除去甲醇，以分离聚合物的锂盐。然后，该聚合物的锂盐溶解于水中，加入安贝立斯特15(Amberlyst15)，这是一种质子性酸交换树脂，已用水彻底洗涤直到在水中时没有颜色。搅拌和过滤该混合物，在滤液中加入新鲜的安贝立斯特15树脂，再次过滤。该步骤重复两次以上。然后从最终滤液中除去水，固体在真空炉内进行干燥。由VF2-PSEBVE酸制备的膜是可以被有机溶剂润湿的。苯基己院在该膜上的接触角小于40°。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>实施例4本实施例说明在半导体氧化物分散体中添加聚(E/PSEPVE)对功函数的影响。本实施例中，也使用赛纳斯CX-Z300H来确定聚(E/PSEPVE)对锌/锑双氧化物的功函数的影响。下面说明在本实施例中合成聚(E/PSEPVE)。严格按照实施例2所述的方式，制备锌/锑氧化物膜，和其与聚(E/PSEPVE)的掺混物的膜，并测定接触电势差以确定功函数。列于表3中的功函数清楚地显示，在CX-Z300H中添加聚(E/PSEPVE)提高了锑/锌双氧化物膜的功函数。高功函数对用作器件的缓冲层的OLED很重要。用来添加到赛纳斯CX-Z300H中的聚(E/PSEPVE)按照以下方式制备。a)合成有机溶剂可润湿的聚(E/PSEPVE)，该聚合物是乙烯("E")禾口2-(2-(l,2,2-三氟乙烯氧基)-l,l，2，3,3,3-六氟丙氧基)-l,l，2,2-四氟乙磺酰氟("PSEPVE")的聚合物。_HFPO-二聚过氧化物2-(2-(l，2，2-三氟乙烯氧基)-l，l,2，3，3,3-六氟丙氧基)-l,l，2，2-四氟乙磺酰氟或全氟-2-(2-氟磺酰基乙氧基)丙基乙烯基醚(PSEPVE)Vertrel(R)XF在一个210mL哈斯特里C276反应器中加入60克PSEPVE(0.13mol)禾口1mL0.17M的HFPO二聚过氧化物的VertrelXF溶液。将该反应器冷却至-35。C，抽真空至-3PSIG，用氮气吹扫。该抽真空/吹扫循环重复两次以上。然后，在该反应器中加入20克乙烯(0.71mol)和另外卯0PSIG的氮气。加热反应器至24°C，反应器压力升高至1400PSIG。反应温度在24。C保持18小时，在此期间压力下降到1350PSIG。将反应器排空，回收61.4克粗液体物质。取10克该物质于85。C和20毫托下干燥10小时，获得8.7克干燥的共聚物。b)将上面制备的磺酰氟共聚物转化为磺酸将19.6克干燥的聚合物和5.6克碳酸锂的混合物在300mL无水甲醇中回流6小时。使混合物回到室温，通过过滤去除所有残留的固体。真空除去甲醇，获得15.7克该聚合物的锂盐。然后，该聚合物的锂盐溶解于水中，加入安贝立斯特15，这是一种质子性酸交换树脂，已用水彻底洗涤直到在水中时没有颜色。搅拌和过滤该混合物，在滤液中加入新鲜的安贝立斯特15树脂，再次过滤。该步骤重复两次以上。然后从最终滤液中除去水，固体在真空炉内进行干燥。由E-PSEPVE酸制备的膜是可以被有机溶剂润湿的。苯基己烷在该膜上的接触角小于40°。实施例5本实施例说明在半导体氧化物分散体中添加聚(NBD/PSEPVE)对功函数的影响本实施例中，也使用赛纳斯CX-Z300H来确定聚(NBD/PSEPVE)对锌/锑双氧化物的功函数的影响。下面说明在本实施例中合成聚(NBD/PSEPVE)。严格按照实施例2所述的方式，制备锌/锑氧化物和聚(NBD/PSEPVE)的掺混物的膜，并测定接触电势差以确定功函数。列于表3中的功函数清楚地显示，在CX-Z300H中添加聚(NBD/PSEPVE)提高了锑/锌双氧化物膜的功函数。高功函数对用作器件的缓冲层的OLED很重要。用来添加到赛纳斯CX-Z300H中的聚(NBD/PSEPVE)按照以下方式制备。a)合成3,3,4-三氟-4-(全氟磺酰基乙氧基)三环[4.2丄02'5]-壬-7-烯(NBD誦PSEVE):在一个1000mL哈斯特里C276反应器中加入2,5-降冰片二烯(98%,Aldrich,100g)和氢醌(0.5g)。将该反应器冷却至-6"，抽真空至-20PSIG，用氮气吹扫。压力再次下降至-20PSIG，在该反应器中加入2-(1,2,2-三氟乙烯氧基)-1，1，2,2-四氟乙磺酰氟(305g)。在反应器内进行搅拌并加热至19(TC，在此期间反应器内压力为126PSIG。反应温度在19(TC保持6小时。压力下降至47PSIG，此时将反应器排空，并冷却至25°。。使用旋带(spinning-band)塔(BP=110-120°C@40托，2100rpm)蒸馏粗单体，获得361克异构体混合物组成的无色液体。其化学结构通过GCMS和19F和'HNMR得到证实。MS:m/e372(M+),353(基峰(base),M+陽F)，289(M+-S02F)173(C9H8F3+)。b)合成TFE和NBD-PSEVE磺酰氟的共聚物一个400ml压力容器用氮气吹扫，并加入74.4克(0.20mol)NBD-PSEVE、50ml索克365mfc(Solkane365mfc)(1,1，1，3,3-五氟丁垸)和0.80克Perkadox⑧16N。封闭该容器，在干冰中冷却，抽真空，并加入30克(0.30mol)TFE。将容器内容物加热至5(TC并搅拌18小时，其间内压从194psi下降至164psi。该容器冷却至室温，排空至l个大气压。将容器的内容物缓慢加入到过量己烷中。过滤固体，用己垸洗涤，在真空炉内于约8(TC干燥。分离出32.3克白色共聚物。该共聚物的氟NMR谱图显示在以下位置的峰+44.7(1F,S02F),-74至-87(2F，OCF2),-95至-125(CF2,来自NBD-PSEVE的4F和来自TFE的4F),-132.1(1F,CF)。由NMR积分，计算聚合物组成如下48%TFE和52%NBD-PSEVE。GPC分析Mn=9500,Mw=17300,Mw/Mn=1.82。DSC:Tg为207。C。分析发现C，33.83;H，1.84;F，45.57。c)TFE/NBD-PSEVE磺酰氟共聚物水解，转化为酸共聚物将22.53克(48.5mmol-S02F)TFE/NBD-PSEVE置于一个1000mL蒸馏烧瓶内。该烧瓶装备有磁力搅拌器、冷凝器和氮气进口适配器。在该烧瓶中加入350mL甲醇/水混合物(l:lv/v)和19.24克(200mmol)碳酸铵。然后将该烧瓶浸在油浴中加热至75。C保持24小时。"F-NMR显示不存在S40，表明磺酰氟水解至低于检测限。对所有的水解的混合物(约376克)进一步处理，转化为酸。在该混合物中加入30克质子交换树脂，搅拌1小时。滤除该树脂，并加入30克新鲜的酸性树脂，搅拌15小时，再次过滤。滤液用20克新鲜的酸性树脂处理0.5小时，再用30克新鲜酸性树脂处理滤液0.5小时。将最后的滤液置于一个圆底烧瓶中，将该烧瓶浸在加热到6(TC的油浴中。通过蒸发除去2/3的内容物时，关闭油浴加热，直到内容物变干。干燥的固体呈黄色，重18.5克。将少量该固体溶解于水中，转变为酸性。在一个显微镜载玻片上滴加两滴该溶液，形成光滑连续的薄膜。该膜表面容易被对二甲苯润湿，对二甲苯是常用于发光材料的溶剂。表3酸(5xl0—"酸当量/1克氧化物)对功函数的影响酸CPD，相对于开尔文探针尖功函数(eV，参照Au)无(锑酸锌)0.874.91聚(E/PSEPVE)1.515.64聚(NBD/TFE-PSEPVE)1.425.54实施例6本实施例说明在半导体氧化物的分散体中添加分散在甲醇中的Nafion⑧对其功函数的影响。Nafion⑧是E丄内穆尔杜邦公司(特拉华州，委明顿)的聚(全氟乙烯磺酸)的商品名。在本实施例中，用来进行说明的赛纳斯CX-Z300H也是从尼桑化学工业有限公司(德克萨斯，豪斯通)购得。所述的赛纳斯是锑双氧化物的甲醇溶胶，经测定含有61.4。/。(w/w)氧化物，其余为甲醇。其pH值为8.2，采用BET法测定的粒度为20nm。为测定该半导体氧化物膜的功函数，制备稀释的CX-Z300H，具体方式是将14.1889克上述甲醇溶胶与70.2178克甲醇混合。稀释后的样品仅含有10.03%(w/w)氧化物。通过0.45pmHV过滤器进行过滤，将稀释后的样品以3,000rpm速度在其中一个膜样品制备一般方法中所述的ITO基片上旋涂60秒。然后，于ll(TC，烘焙在该ITO/玻璃基片上的锌/锑双氧化物膜IO分钟，测得膜厚度为100nm(纳米)。对该氧化物膜样品进行开尔文探针测定之前，首先测定一金膜。金膜与开尔文探针尖之间的接触电势差(CPD)为0.615伏。测定氧化物膜与开尔文探针尖之间的CPD为0.549伏。因此，锑氧化物表面的功函数可以采用对经过空气老化的金膜的功函数(4.7eV)进行计算，为4.63eV。将这一功函数数据列于表4中作为对照，以确定添加Nafion⑧对其功函数的影响。如下制备添加到CX-Z641M中的Nafion⑧/甲醇分散体。首先制备EW为1000的Nafion⑧水性分散体，采用类似于美国专利6,150,426中的实施例1，第2部分的方式制备，区别在于采用的温度约为270°C。然后，将制备的Nafion⑧水性分散体冷冻干燥为Nafion⑧固体。将10.5475克冷冻干燥的Nafion⑧固体与94.2821克甲醇混合，获得10.06%(w/w)Nafion⑧在甲醇中的分散体。将11.75克用甲醇稀释的CX-Z641M分散体与11.68克10.06%Nafion⑧/甲醇分散体混合。产生的分散体为甲醇中含有10.04%(w/w)锌-锑氧化物/Nafion⑧，其pH值为0.5。该分散体的一部分通过0.45pmHV过滤器过滤，以5，000rpm的速度将其旋涂到一个如膜样品制备一般方法中所述的ITO基片上60秒。然后，于110°C，空气中对在所述ITO/玻璃基片上的锑/锌双氧化物膜烘焙10分钟，测得膜厚度为173nm。其功函数列于表4，表4清楚地显示Nafion⑧将锑/锌双氧化物膜的功函数从4.63eV提高到5.37eV。高功函数对用作器件的缓冲层的OLED很重要。用NH4OH水溶液调节一部分的Nafion⑧/锌-锑氧化物/甲醇分散体的pH值至7.8。该分散体保持其稳定性，由其形成的烘焙的膜的功函数仍为5.38eV。表4Nafion对锌/锑双氧化物的功函数的影响<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>比较例A本实施例说明在不含Nafion⑧的锑/锌双氧化物膜上聚合物发光二极管的器件性能。按照实施例6所述，由10.03%(w/w)锑/锌双氧化物的甲醇分散体制备半导体氧化物薄膜，该薄膜的功函数为4.63eV。此功函数较低，本比较例是要证实作为发光二极管的缓冲层的器件功能。将实施例6中制备的10.03。/。(w/w)锑/锌双氧化物的甲醇分散体通过0.45|iimHV过滤器过滤，以3,000rpm速度在玻璃/ITO背光(backlight)基片(30mmx30mm)上旋涂60秒，并于130。C，在空气中烘焙15分钟。各ITO厚度为100-150nm的ITO基片包括3个5mmX5mm的像素和l个2mmX2mm像素用于发光。烘焙后的锌/锑氧化物膜的厚度为100nm。将含双氧化物膜的ITO/玻璃基片转移到手套箱中，在顶部旋涂76nm的卢梅迅绿K21303(LumationGreenK21303)[来自日本的沙米托莫化学品公司(SumitomoChemicalsCompany(Japan)),1%(w/v)的对二甲苯的溶液，以1，000卬m旋涂]。该绿K2层在手套箱内的热板上于13(TC烘焙30分钟，然后，转移到蒸发器内，蒸镀3nm的钡和250nm的铝作为阴极。通过环氧树脂和条状玻璃盖板进行包封。该器件在从大于0至3，000尼特(nit)的电流效率小于0.7cd/A。实施例7本实施例说明添加分散在甲醇中的Nafion⑧对聚合物发光二极管的半导体氧化物分散体的性能的影响。由10.04%(w/w)锌-锑氧化物/Nafion⑧的甲醇分散体制得功函数为5.37eV的半导体氧化物膜。该功函数较比较例1的功函数大得多，比较例l的双氧化物分散体中不含Nafion⑧。本实施例证实膜器件能用作发光二极管的缓冲层。按照实施例6制备的10.04%(w/w)锌-锑氧化物/Nafion⑧的甲醇分散体通过0.45pmHV过滤器过滤，以5,000rpm速度在玻璃/ITO背光基片(30mmx30mm)上旋涂60秒，并于13(TC，在空气中烘焙15分钟。器件其余的制造步骤按照比较例1中所述的步骤进行。该器件在从大于0至1，000尼特(nit)的电流效率为11cd/A。本实施例清楚地显示在锑-锌氧化物的甲醇分散体中添加Nafion⑧提高了其功函数，可以在发光器件中作为缓冲层。比较例B本比较例说明在不含Nafion⑧的锑/锌双氧化物膜上聚合物发光二极管的器件性能。在本比较例中，制备5.99%锑/锌氧化物的水分散体，方法是在19.3706克去离子水中加入5.5143克CX-Z300H。产生的分散体的pH值为8。首先测定由5.99%(w/w)锑/锌双氧化物的水分散体制备的膜的功函数为4.44eV。该功函数较低，本比较例证实了作为发光二极管的缓冲层的器件功能。5.99%锑/锌双氧化物的水分散体也通过0.45pmHV过滤器过滤，以3，000rpm速度在玻璃/ITO背光基片(30mmx30mm)上旋涂60秒，并于130。C，在空气中烘焙15分钟。各ITO厚度为100-150nm的ITO基片包括3个5mmX5mm的像素和1个2mmX2mm像素用于发光。烘焙后的锌/锑氧化物膜的厚度为35nm。将含双氧化物膜的ITO/玻璃基片转移到手套箱中，在顶部旋涂76nm的卢梅迅绿K21303[来自日本的Sumitomo化学品公司(SumitomoChemicalsCompany(J叩an》，1%(w/v)的对二甲苯的溶液，以1,000rpm旋涂]。该绿K2层在手套箱内的热板上于13(TC烘焙30分钟，然后，转移到蒸发器内，蒸镀3nm的钡和250nm的铝作为阴极。通过环氧树脂和玻璃薄片盖板进行包封。该器件在从大于0至3,000尼特(nit)的电流效率小于0.5cd/A。该器件的效率太低而无法使用。实施例8本实施例说明添加Nafion⑧的水分散体对聚合物发光二极管的半导体氧化物分散体的性能的影响。在本实施例中，制备7.2%锑/锌氧化物/Nafion⑧的水分散体，方法是将17.6348克去离子水加入5.6559克CX-Z300H中。在形成的分散体中加入5.6559克实施例2所述的Nafion(12%,w/w)分散体。产生的分散体的pH值为2.2。首先测定由7.2%(w/w)锑/锌双氧化物/Nafion⑧的水分散体制备的半导体膜的功函数为5.23eV。该功函数较比较例2中由不含Nafion⑧的组合物制成的膜的功函数高得多，本比较例证实了作为发光二极管的缓冲层的器件功能。7.2%锑/锌双氧化物/Nafion⑧的分散体也通过0.45|imHV过滤器过滤，以1,800rpm速度在玻璃/ITO背光基片(30mmx30mm)上旋涂60秒，并于13(TC，在空气中烘焙15分钟。烘焙后的锌-锑氧化物/Nafion⑧膜厚度为35nm。器件其余的制造步骤按照比较例2中所述的步骤进行。该器件在从大于0至10,000尼特(nit)的电流效率为11cd/A。本实施例清楚地显示在锑-锌氧化物的甲醇分散体中添加Nafion⑧提高了其功函数，可以在发光器件中作为缓冲层。注意并非以上一般描述或实施例中所述的所有工作都是需要的，特定工作中的一部分可能不是必需的，除了所述工作之外还可以进行一种或多种其他的工作。另外，所述工作的顺序并不一定是进行或必须进行这些工作的顺序。在以上说明书中，已经参考具体实施方式描述了原理。但是，本领域普通技术人员能够理解，在不偏离以下权利要求书中所述的本发明范围的情况下可以进行各种修改和变化。因此，应当认为说明书和附图是说明性的，而非限制性的，所有这些修改都包括在本发明范围中。以上关于具体实施方式描述了益处、其他优点和解决问题的方案。但是，不应认为这些益处、优点、解决问题的方案，以及可能产生任何益处、优点或解决方案或者使其更为显著的任何特征是任何或所有权利要求的关键、需要或必需的特征。应当理解，为了清楚起见，本文在各实施方式中描述的本发明的某些特征也可以组合在单个实施方式中提供。相反，为了简明起见，在单个实施方式中描述的本发明的各种特征也可以个别地或者以任意亚组合的方式提供。另外，以范围表示的数值包括在该范围内的每一个数值。权利要求1.一种缓冲组合物，包含半导体氧化物颗粒和以下(a)和(b)中的至少一种(a)氟化酸聚合物，和(b)掺杂有氟化酸聚合物的半导体聚合物。2.如权利要求l所述的缓冲组合物，其特征在于，半导体氧化物颗粒包含选自第2族至第12族的元素的氧化物，以及它们的混合物。3.如权利要求l所述的缓冲组合物，其特征在于，半导体氧化物颗粒包含双金属氧化物。4.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，各半导体聚合物包含一种或多种选自以下的独立地取代的或者非取代的单体噻吩、吡咯、苯胺、稠合多环杂芳族化合物和多环杂芳族化合物。5.如权利要求4所述的缓冲组合物，其特征在于，噻吩具有选自以下式I和Ia的结构独立地选择R1，使其在各自存在时是相同或不同的，所述Ri选自氢、烷基、烯基、垸氧基、垸酰基、垸硫基、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳垸基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、芳基、垸基亚磺酰基、烷氧基垸基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、氰基、羟基、环氧基、硅烷、硅氧烷、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯，和氨基甲酸酯；或者两个W基团可以一起形成完成3，4，5，6或7元芳族或脂环族环的亚垸基或亚烯基链，这种芳族或脂环族环可以任选包括一个或多个二价氮、硫或氧原子；和式中:式中:<image>imageseeoriginaldocumentpage3</image>R7在各自存在时是相同或不同的，选自氢、垸基、杂垸基、烯基、杂烯基、醇、酰氨基磺酸/根/酯、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酷、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯，前提是，至少一个R卩不是氢，m为2或3。6.如权利要求4所述的缓冲组合物，其特征在于，吡咯具有下面式n表示的结构<image>imageseeoriginaldocumentpage3</image>独立地选择R1，使其在各自存在时是相同或不同的，所述W选自氢、烷基、烯基、烷氧基、垸酰基、烷硫基、芳氧基、垸硫基烷基、垸基芳基、芳垸基、氨基、垸基氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亚磺酰基、烷氧基垸基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、氰基、羟基、环氧基、硅垸、硅氧烷、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、酰氨基磺酸/根/酯、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；或者两个R'基团可以一起形成完成3，4，5，6或7元芳族或脂环族环的亚烷基或亚烯基链，这种芳族或脂环族环可以任选包括一个或多个二价氮、硫或氧原子；和独立地选择R2，使其在各自存在时是相同或不同的，所述W选自氢、烷基、烯基、芳基、垸酰基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳垸基、氨基、环氧基、硅烷、硅氧烷、醇、节基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯。7.如权利要求4所述的缓冲组合物，其特征在于，苯胺具有选自式III、式中:式IVa和式IVb的式表示的结构:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中a是O或1-4的整数；b是l-5的整数，前提是a+b二5;独立地选择R1，使其在各自存在时是相同或不同的，所述R'选自氢、烷基、烯基、烷氧基、垸酰基、烷硫基、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳烷基、氨基、垸基氨基、二垸基氨基、芳基、烷基亚磺酰基、烷氧基垸基、垸基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卣素、硝基、氰基、羟基、环氧基、硅烷、硅氧垸、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；或者两个R'基团可以一起形成完成3，4，5，6或7元芳族或脂环族环的亚垸基或亚烯基链，所述芳族或脂环族环可以任选包括一个或多个二价氮、硫或氧原子；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中，a，b和R'如上定义。8.如权利要求4所述的缓冲组合物，其特征在于，稠合多环杂芳族化合物具有选自式V以及式Va至Vg表示的结构<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式中Q是S或NR6;W是氢或垸基；独立地选择R8、R9、R"和R11，使其在各自存在时是相同或不同的，所述R8、R9、R"和R"选自氢、烷基、烯基、烷氧基、烷酰基、垸硫基、芳氧基、烷硫基垸基、烷基芳基、芳烷基、氨基、垸氨基、二垸基氨基、芳基、垸基亚磺酰基、垸氧基垸基、烷基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、垸氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、腈、氰基、羟基、环氧基、硅烷、硅氧烷、醇、节基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；和R8和R9、R9和lT、R"和R"中至少一对一起形成完成5或6元芳环的亚烯基链，所述芳环可以任选地包括一个或多个二价氮、硫或氧原子；和式中Q是S或NH;和T在各自存在时是相同或不同的，选自S、NR6、0、SiR62、Se和PR、R6是氢或垸基。9.如权利要求4所述的缓冲组合物，其特征在于，多环杂芳族化合物具有式VI表示的结构R12(VI)R12式中Q是S或NR6;T选自S、NR6、0、SiR62、Se禾PPR、E选自亚烯基、亚芳基和杂亚芳基；R6是氢或烷基；R"在各自存在时是相同或不同的，选自氢、烷基、烯基、烷氧基、烷酰基、烷硫基、芳氧基、烷硫基烷基、烷基芳基、芳烷基、氨基、烷氨基、二烷基氨基、芳基、烷基亚磺酰基、烷氧基烷基、垸基磺酰基、芳硫基、芳基亚磺酰基、烷氧基羰基、芳基磺酰基、丙烯酸、磷酸、膦酸、卤素、硝基、腈、氰基、羟基、环氧基、硅垸、硅氧垸、醇、苄基、羧酸/根/酯、醚、醚羧酸/根/酯、酰氨基磺酸/根/酯、醚磺酸/根/酯、酯磺酸/根/酯和氨基甲酸酯；或者两个R"基团可以一起形成完成3，4，5，6或7元芳族或脂环族环的亚垸基或亚烯基链，所述芳族或脂环族环可以任选地包括一个或多个二价氮、硫或氧原子。10.如权利要求3所述的缓冲组合物，其特征在于，半导体氧化物颗粒选自氧化铟-锡(TTO")、氧化铟-锌("IZO")、氧化镓-铟和锌-锑双氧化物。11.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，氧化物颗粒包含两种选自第2族至第16族的元素的氧化物，以及它们的混合物。12.如权利要求ll所述的缓冲组合物，其特征在于，氧化物颗粒选自氧化铟-锡("ITO")、氧化铟-锌("IZO")、氧化镓-铟和锌-锑双氧化物。13.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，氧化物颗粒选自掺杂有锑的氧化物和锆。14.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，氟化酸聚合物("FAP")是高度氟化的。15.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是可润湿的。16.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是不可润湿的。17.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是FSA聚合物。18.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是形成胶体的。19.如权利要求18所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是可润湿的。20.如权利要求18所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是不可润湿的。21.如权利要求19所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是FSA聚合物。22.如权利要求18所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP是聚合的磺酸。23.如权利要求19所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP被掺杂到半导体聚合物中，掺杂有酸的半导体聚合物形成膜。24.如权利要求20所述的缓冲组合物，其特征在于，FAP被掺杂到半导体聚合物中，掺杂有酸的半导体聚合物形成膜。25.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，高分子酸具有选自式VII、VIII、IX、XII和XV的结构式。26.如权利要求25所述的缓冲组合物，其特征在于，高分子酸具有硅氧垸侧基。27.如权利要求25所述的缓冲组合物，其特征在于，高分子酸具有选自式X和XIV的结构式的侧基。28.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，半导体聚合物包含至少一种第一前体单体和至少一种第二前体单体。29.如权利要求28所述的缓冲组合物，其特征在于，至少一种第二前体单体是非导体。30.如权利要求1所述的缓冲组合物，其特征在于，掺杂了氟化酸聚合物的半导体聚合物的水性分散体的pH值在约1.5-4的范围。31.—种电子器件，该器件包含权利要求1所述的缓冲组合物。全文摘要提供一种包含半导体氧化物颗粒和以下(a)和(b)中的至少一种的缓冲组合物(a)氟化酸聚合物，和(b)掺杂有氟化酸聚合物的半导体聚合物。半导体氧化物颗粒包括金属氧化物和双金属氧化物。酸聚合物源自聚烯烃、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚芳酰胺、聚丙烯酰胺、聚苯乙烯的单体或共聚单体。在聚合物主链上、与主链相连的侧链上、侧基上，或它们的组合上可以进行氟化或高度氟化。半导体聚合物包括源自噻吩、吡咯、苯胺和多环杂芳族化合物的聚合物或共聚物。还提供制备缓冲组合物的方法。文档编号H01B1/12GK101595532SQ200680029438公开日2009年12月2日申请日期2006年6月28日优先权日2005年6月28日发明者C·苏,H·斯库拉森,M·T·马特罗申请人:E.I.内穆尔杜邦公司