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专利名称：电子器件的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及包括半导体管芯的电子器件，至少一个RF晶体管占 据该管芯上的整个RF晶体管有源区。
背景技术：
具有集成偏置电路的RFMMIC (射频单片微波集成电路)和分 立式晶体管需要偏置电路，该偏置电路使静态电流在特定的环境温度 范围上保持恒定。RF晶体管的特性(例如，线性度)对于偏置电路的 设置非常敏感。通常，偏置电路是电流驱动的，即，RF晶体管中的电 流由电路镜确定。根据这一原理，将偏置晶体管与RF晶体管耦合， 以便流经偏置单元的电流确定流经RF晶体管的电流，g卩，将流经偏 置晶体管的电流"镜像"到RF晶体管中。电流镜在本领域中是公知 的。
对于MOSFET (金属氧化物硅场效应晶体管)，电流镜中设置的 流经偏置晶体管和RF晶体管的电流之比取决于晶体管的有效总指长 (finger length)(有源区(沟道)的宽度和长度)。包括流经RF晶体 管的电流的RF晶体管的特性由RF MM IC所专用于的应用而预先确 定。为了保持整个电路系统的低功耗，以使流经偏置单元的电流最小 的方式来定义偏置单元的设计参数。为此目的，偏置单元的有源区比 RF晶体管的有源区小。因此，偏置电流也小于流经RF晶体管的电流。
偏置电流与RF晶体管的静态电流之比应该保持恒定，与批量生 产中出现的技术性能参差(spread)无关。因为RF晶体管的面积选为 比偏置单元的面积大，所以RF晶体管得益于由于较大的面积而带来 的更好的平均效应(averaging effect)。.对于偏置单元，这种平均效应 较小，或在最差情况下完全不存在。因此，偏置单元遭受到实质上更
大的参数参差。参数参差引起静态电流的显著变化。由于偏置单元与
RF晶体管之间的电流比较高，偏置单元电流中的误差直接传递到RF 晶体管电流。这种误差可能损害RFMMIC的特性。
本领域公知的第二个问题是在同一管芯上集成的晶体管的热耦 合。取决于工作模式(例如，AB类)， 一些RF晶体管需要较大电流， 这导致输出功率非常高，发出的热量通过衬底传递到偏置单元。这些 热效应可能引起电路系统性能进一步劣化。
为了克服这些问题，现有技术方案提出与RF晶体管相分离地实 现偏置单元，即，不在同一管芯(或衬底)上实现。根据这种已知方 案，可以在任何时间针对集成RF晶体管而调整偏置电路。但是，这 些电路需要调谐，并且相比于完全集成的方案，这些电路更加复杂， 生产成本也更高。
US2002/6,448，859涉及一种具有双极型晶体管的高频功率放大 器。该美国专利的说明书公开了一种包括多个晶体管块和双极型晶体 管的高频功率放大器，其中每一个晶体管块包括与该双极型晶体管 的发射极相连的电阻、用于产生作为该双极型晶体管的基极偏置的参 考电压的参考电压产生电路、以及与该双极型晶体管的基极相连的偏 置产生电路，该偏置产生电路通过转换参考电压来产生基极偏置电压。
US 6,661,290涉及一种具有特定偏置电路的高频功率放大器。
US 6,018,270公开了一种用于单或多低电压RF电路的单偏置块， 包括一个或更多个放大器、以及具有温度和集成电路工艺参数补偿的 一个或多个单或双平衡混合器。
US 5,623,232涉及一种集成电路运算放大器的构形(topography),
其具有针对电流反馈的低阻抗输入。提出了平衡对称的构形，以避免 由于热敏晶体管对于内部发热的不平衡热响应而引起的性能劣化。
US 2004/0222848涉及一种具有温度补偿的平衡射频功率放大器。 公开了一种双晶体管射频功率放大器，其通常具有配置为对称分叉以 提供所需电平衡的输入和输出、以及配置为在工作温度范围上提供基 本一致的增益的温度补偿电路。

发明内容
本发明的目的是提供一种尺寸减小且热稳定性提高的电子器件。 该目的通过权利要求1所述的电子器件实现。
因此，该电子器件具有包括至少一个RF晶体管的半导体管芯， 该RF晶体管占据管芯上的整个RF晶体管有源区。整个RF晶体管有 源区包括具有特定沟道宽度和特定沟道长度的至少一个晶体管沟道。 管芯上还设置有用于对RF晶体管进行偏置的至少一个偏置单元，其 中所述至少一个偏置单元占据管芯上的整个偏置单元有源区。该偏置 单元可以包括一个或更多个晶体管。整个偏置单元有源区(ABC)包 括具有特定沟道宽度和特定沟道长度的至少一个晶体管沟道。整个RF 晶体管有源区基本上大于整个偏置单元有源区。整个偏置单元有源区 具有公共区域中心。整个RF晶体管有源区也具有公共区域中心。偏 置单元和RF晶体管的有源区被设置为使RF晶体管的公共区域中心和 偏置单元的公共区域中心均位于轴上，其中所述轴基本上与所述RF 晶体管的至少一个沟道的长度垂直或平行。
根据上述设置的电子器件允许将偏置单元，即通常一个或多个偏 置晶体管，与RP晶体管一起设置在同一管芯上，虽然由于下述原因 而认为这种设置是不切实际的。为了节省电力，偏置单元通常是有源 区比RF晶体管的有源区小很多的晶体管。因此，RF晶体管和偏置晶 体管的电属性和参数基本不同。相比于校大的RF晶体管，较小的偏 置晶体管经受大得多的参数变化。由此，需要额外的组件来自动或手 动地调整流经偏置单元的电流，这些组件典型地在RF晶体管集成电 路的外部而实现。因此，可以在实现该电路时随时调整偏置电流或偏 置电压。
此外，根据本发明的电子器件通过如下设置补偿较强的参数变化-RF晶体管区和偏置单元区的公共中心在管芯表面上至少一个方向上 一致。这种设置可以补偿管芯表面上一个或多个方向上的一阶参数梯 度。也可以根据高阶参数梯度来选择该设置。
对于单个有源区，公共区域中心是该区域自身的几何中心。对于
两个或更多个分离的有源区，首先确定每个分离部分的区域中心。对
于多个有源区，根据所有部分中的各个区域的尺寸来确定公共区域中 心。即使所划分的偏置单元区域较小，也可以通过公共区域中心的适 当设置，对每个子区的参数参差的增大进行补偿。最简单的方法包括 将整个有源区划分成大小相等的有源子区。为了补偿一阶参数梯度， 可以根据共质心原理而进行适当的设置。共质心原理考虑到每个区域 在特定维度上的单独维度。区域沿一个方向扩展越多，则该区域在该 方向上的贡献成比例地越多。因此，将公共区域中心设置在与沟道长 度平行或垂直的轴上就足够了。
阻止本领域技术人员将偏置单元和RF晶体管放置在同一管芯上 的另一不利之处是存在热耦合的风险。RF要求必需大电流流经RF晶 体管，这在RF晶体管中引起相当多的热量。这个热量耦合至偏置单 元，额外地损害了偏置单元的参数，从而降低了其性能。根据本发明， 可以将偏置单元和RF晶体管的区域彼此分隔得足够远，以减小热耦合。
根据本发明的方面，将整个RF晶体管有源区和整个偏置单元有 源区中的至少一个划分成至少两个有源子区。这些子区包括相应器件 的大部分。如果将区域划分成子区，则可以更加容易地设置上述公共 区域中心。
根据本发明的另一方面，将RF晶体管的有源区划分成偶数个RF 晶体管有源子区。根据这种设置，可以更加有效地优化热耦合和参数 变化补偿。
根据本发明的另一方面，偏置单元有源区位于RF晶体管有源子 区之间，并且偏置单元有源区在相对侧各具有一半数量的RF晶体管 有源子区。因此，更容易对RF晶体管和偏置单元的有源区的公共区 域中心进行匹配。
根据本发明的方面，电子器件具有偶数个偏置单元有源子区。对 于RF晶体管有源区，偶数个偏置单元有源区简化了确定该子区相对 于公共区域中心的正确位置这一过程。
根据本发明另一方面，电子器件具有四个偏置单元有源子区。RF
晶体管有源区呈矩形。将四个偏置单元有源区中的每一个设置在矩形
RF晶体管有源区的四个角之一附近。根据这种设置，容易匹配公共区 域中心，同时使热耦合最小化。可以将偏置单元有源区中这四个部分 中的每一个大致设置在矩形RF晶体管有源区的每个角的区域中。这 种改进的设置减小了热耦合，并仍保留了良好的参数变化补偿。
根据本发明的方面，该电子器件具有两个大小相等的偏置单元有 源子区。偏置单元有源区的这两部分对称地设置在RF晶体管有源区 的相对侧。
根据本发明的另一方面，有源区或有源子区被设置为使RF晶体 管的区域或子区的公共中心与偏置单元的区域或子区的公共中心位于 轴上。该轴基本上垂直于所述RF晶体管的至少一个沟道的长度。对 于特定工艺，沿一个方向的参数参差可能是主要的。通常，参差是由 沟道长度方向上的小缺陷而决定的。沟道属性对该方向上的缺陷高度 敏感。例如，引起参差的参数是有效沟道长度、栅氧化物厚度、掺杂 分布(阴影效应)、惨杂浓度及其他多个参数。在垂直于沟道长度方向 的方向上，即，在沟道宽度的方向上，缺陷的影响并不是同样强烈。 在这种情况下，只对管芯表面上一个方向上的参数劣化进行补偿就足 够了。如果RF晶体管和偏置单元的有源区的公共区域中心位于与其 朝向和RF晶体管沟道长度垂直的一条轴上，则可以避免大多数参数 参差。
根据本发明的另一方面，每个RF晶体管有源子区均包括多个沟 道。附加地或可选地，每个偏置单元有源子区均包括多个沟道。为此， 指长(沟道宽度)减小。因此，即使保持晶体管(偏置晶体管或RF 晶体管)的整体沟道长度和沟道宽度，也可以并排地设置更多数量的 沟道(指形区域)。数量增加的沟道(指形区域)用于改善参数参差的 平均效应。如果应当保持整个有源区，而指形区域的数量增加，则必 须縮短指长。因此，也可以减小RF晶体管沟道的指长，以改善平均 效应。


参照下述实施例和附图，本发明的上述和其他方面将显而易见并 得以阐述。
图1示出了偏置单元和RF晶体管的简化原理图2示出了在制造条件下偏置电流和RF晶体管的静态电流之比
的典型分布(例如，高斯分布)；
图3示出了作为芯片表面上的位置的函数的典型参数变化；
图4示出了脱离芯片而设置的典型的现有技术电路；
图5示出了 RF晶体管和偏置单元在管芯上的常规设置；
图6示出了根据实施例的改进的偏置单元和RF晶体管的设置，
其中区域中心在一条对称轴上一致(coincide);
图7示出了根据实施例的另一改进的偏置单元和RP晶体管设置，
其中区域中心在一条对称轴上一致；
图8示出了根据实施例的理想的偏置单元位置；
图9示出了根据实施例的设置，其中将偏置单元分割为两部分，
以减少热耦合；
图IO示出了根据实施例的另一设置，其中将偏置单元分割为四部 分，以减少热耦合；
图ll示出了根据实施例、针对RF晶体管分割为四部分的设置的 另一偏置单元位置；
图12示出了根据实施例的设置，其中将RF晶体管分割为四部分，
将偏置单元分割为两部分；
图13示出了根据实施例的设置，其中将偏置单元分割为四部分，
将RF晶体管分割为四部分，以获得非常低的热耦合； 图14示出了 MOSFET的简化图； 图15示出了具有多个栅极的MOSFET的简化图； 图16示出了根据实施例的RF晶体管和偏置单元的简化设置，两
者均具有多个栅极；
图17示出了根据实施例的RF晶体管和偏置单元的另一设置； 图18示出了根据实施例的RF晶体管和偏置单元的设置；以及 图19示出了根据实施例的RF晶体管和偏置单元的设置。
具体实施例方式
图1示出了偏置单元BC和RF晶体管RFT的简化电路原理图。 电流源CS向偏置单元BC提供电流IB。 RF晶体管RFT与偏置单元 BC以常规的电流镜方式耦合。因此，流经偏置单元BC的电流IB被 "镜像"至RF晶体管RFT。对于MOSFET晶体管(金属氧化物硅场 效应晶体管)，电流IB与流经RF晶体管RFT的电流IDQ之比由典型 设计参数(如晶体管的宽度W和长度L)确定。RF晶体管RFT的设 计参数主要由该晶体管所专用于的应用而预先确定。偏置单元BC的 设计参数，即其宽度W和长度L，是根据不同需要而确定的。
因为功耗是关于集成电路的主要关注问题之一，所以希望仅使较 小的偏置电流IB流经偏置单元BC。因此，有必要设计较小的偏置单 元有源区ABC。虽然通常希望集成电流尺寸较小，仅占据管芯(微型 芯片)的很小部分，但是小面积也不可避免地带来了缺点。关于小面 积的主要问题之一是参数参差或技术参数变化。
图2示出了偏置电流与RF晶体管的静态电流之比的图。在典型 制造条件下，预期的参数变化具有高斯或正态分布。此类分布是本领 域公知的。相对于RF晶体管占据的面积RFTA，偏置单元占据的面积 ABC越小，参差越大，即，高斯分布越宽和越多。
图3描绘了作为硅管芯上位置的函数的参数变化的典型模型。上 图示出了特定参数可能沿第一轴AX1变化的三种可能方式。曲线(a) 是无参差的理想平坦分布。曲线(b)对应于线性(一阶)梯度，这是 对变化类型的最常用逼近。曲线(c)可以代表其他一些变化类型，是 线性的或甚至非线性的。在这三条曲线下面，图3示出了矩形区域图， 代表硅管芯上宽度为W和长度为L的晶体管的有源区。有源区提供 晶体管的沟道C。隔离栅极位于沟道上，以控制流经沟道的电流。沟 道的最小长度L是MOS工艺的主要特性之一。第一轴AX1基本上平 行于沟道C的宽度W。根据本发明，假设参数分布遵循曲线(b)。因 此，更靠近左边的管芯区域提供的参数与更靠近右边的区域所提供的 参数不同。占据管芯上较大区域的组件得益于所示参数变化的平均效
应，而较小区域会遭受更强烈的参数参差。
图4示出了典型的现有技术电路(AN 1987)，其中将用于对RF 晶体管RFT进行偏置的偏置晶体管Q1和Q2设置在实现有RF晶体管 的集成电路(管芯)的外部。本发明的一个方面是要将偏置晶体管(偏 置单元)与RF晶体管一起集成在一个管芯上。
图5示出了 RF晶体管RFT和偏置单元BC的设置。RF晶体管 RFT占据管芯上的区域ARFT，偏置单元占据比RF晶体管占据的区 域ARFT小得多的区域ABC。因为由RF晶体管占据的区域ARFT比 偏置单元的区域ABC大，所以RF晶体管内的参差比较小偏置单元区 域ABC内的参差得到更好的平均化。单个的小偏置单元不会得益于 相同的平均效应，而且与RF晶体管相比会遭受更多参数偏差。然而， 偏置单元参数的较大变化影响到静态电流IB与流经RF晶体管的偏置 电流IDQ之比。对于图5所示的设置，情况如此，图5中RF晶体管 的有源区ARFT和偏置单元的有源区ABC并排设置在管芯上。RF晶 体管有源区的公共区域中心COARF与偏置单元的公共区域中心 COABC并不一致。
图6示出了根据本发明的设置的简化示意图，其中偏置单元的整 个有源区ABC和RF晶体管的整个有源区ARFT被设置为使偏置单元 的区域中心CCJABC与RF晶体管的区域中心COARFT位于一条轴 AX2上。如果参数参差仅由芯片表面上一个方向上的效应支配，则根 据图6的设置足以补偿这一个方向上的参数变化。因此，不必使区域 中心完全匹配，而只需将它们置于一条公共轴AX2上，例如有源区 ARFT和ABC两者的公共对称轴。
图7示出了简化图，其中偏置单元的有源区ABC被分割为两个 主要部分ABC1和ABC2。这两个子区域ABC1、 ABC2具有位于轴 AX2上的公共区域中心COABC。RF晶体管的有源区ARFT也具有位 于轴AX2上的公共区域中心COARFT。因此，对于将有源区ARFT、 ABC之一或两者均划分为子区域的设计，图6所示对一个方向上的参 数变化进行补偿的设置也是适用的。这种设置已经补偿了垂直于轴 'AX2的方向上的参差，如果该方向主要决定了参差，则这种设置是足 够的。
图8示出了相对于大小相等的RF晶体管的有源子区ARFT1、 ARFT2的理想偏置单元的位置ABC的简化图。在该具体设置中，RF 晶体管有源区被划分成两个主要部分，从而可以将偏置单元的有源区 ABC置于两个部分的中间。当区域和子区域的设置关于图8中间的虚 线对称时，由其区域ABC所表示的偏置单元BC从该位置获益。此外， RF晶体管的有源子区ARFT1、 ARFT2的公共区域中心COARF与偏 置单元的公共区域中心COABC —致。如果采用针对参数变化的线性 模型(根据图3中的曲线(b))，则RF晶体管RFT中间的位置特别 有利。然而，这种设置会遭受较强的热耦合。
图9示出了根据本发明的设置的另一简化示意图，其中偏置单元 的区域ABC被分割为两部分ABC1、 ABC2，以减小热耦合。通过改 变ABC1、 ABC2和RFT之间的距离dl和d2，可以控制热耦合。两 个有源子区ABC1、 ABC2位于RT晶体管的有源区ARFT的相对侧。 同样，也希望建立关于图9中的中间虚线的理想对称。需要特别注意， 使RF晶体管和偏置单元的公共区域中心COARF与COABC匹配。
图IO示出了另一设置，其中偏置晶体管的有源区ABC被分割为 四部分ABC1、ABC2、 ABC3和ABC4。这四个有源子区ABC1、ABC2、 ABC3和ABC4围绕RF晶体管的有源区ARFT以对称的方式分布。 如果在RF晶体管的中心或邻近偏置单元BC的热耦合过于强烈，则 上述设置十分有用。通过增大RF晶体管的有源区ARFT与子区ABC1 到ABC4之间的距离d2，可以减小热耦合。相对于图8和图9的设置， 图IO的设置可以减小热耦合。对于其他设置，应该使RF晶体管和偏 置单元的区域和子区的公共中心COARF和COABC匹配。
图ll示出了根据本发明的设置，其中RF晶体管的有源区ARFT 被分割为多个部分，这里分为四部分ARFT1、 ARFT2、 ARFT3和 ARFT4。对于这种并列的RF晶体管的有源子区，偏置单元的有源区 ABC处于理想位置。RF晶体管和偏置单元的区域和子区的公共中心 COARF禾卩COABC —致。
图12示出了根据本发明的设置，其具有RF晶体管的四个有源子
区ARFT1、 ARFT2、 ARFT3禾卩ARFT4以及偏置单元的两个有源子区 ABC1和ABC2。相比于图ll，该设置减小了热耦合。
图13示出了如下配置将偏置单元的四个有源子区ABC1、ABC2、 ABC3和ABC4围绕被分割为四个有源子区ARFT1、 ARFT2、 ARFT3 和ARFT4的RF晶体管而设置。这种设置可以获得非常低的热耦合。
图14示出了本领域中公知的M0SFET的简化图。栅极G覆盖沟 道C (有源区)。栅极G控制晶体管的工作。漏极和源极区S、 D分别 在栅极G的左侧和右侧。有效沟道长度L是用于制造晶体管的工艺的 最重要特征之一。沟道长度L平行于轴AX1，沟道宽度W平行于轴 AX2。沟道宽度W通常比沟道长度L大，以允许大电流。由于它们的 特征形状，栅极区(由此，沟道)被称作指形区域。因此，沟道宽度 W称作"指长"。
图15示出了 MOSFET的另一简化图。典型地，MOSFET被分割 为多个栅极G和相应的沟道C (未示出)，每一个由漏极和源极区包 围(为简明起见，仅用D指示漏极)。图15中，栅极、漏极和源极由 并排设置的多个矩形区域表示。这些矩形区域连接在一起，形成 MOSFETRET或待匹配的MOSFET对RFT。图15中省略了用于连接 不同的漏极、源极和栅极的配线。图15以晶体管区域ARFT之下不 稳定的线的形式示出了方向AX1上的典型参数变化。因为在轴AX1 的方向上并排设置了多个栅极G (以及对应的沟道C，未示出)，所以 MOSFET的有源区的参数参差在AX1方向上得到平均化。
图16示出了 RF晶体管RFT和偏置单元BC的简化图。RF晶体 管RFT具有大得多的有源区。因此，RF晶体管的有源区提供了更多 的栅极G。有源区较小的偏置单元BC仅提供单一的栅极G。因此， 相比于偏置单元BC， RF晶体管RFT从AX1方向上所示参数参差的 平均效应中获益更多。然而，如果需要增强的平均效应，RF晶体管也 会得益于减小的沟道长度(指长)。
图17示出了相对于图16有所改进的RF晶体管RFT和偏置单元 BC的设置。根据本发明的这个实施例，偏置单元(和/或RF晶体管) 的指长(MOSFET的宽度W)减小，从而允许将晶体管分割成多个更
小的部分。因此，相比于图16，偏置单元BC (即，偏置单元BC所 包括的晶体管)得益于增强的平均效应。所有指形区域(沟道)具有 相同的取向，即，RF晶体管的指形区域和偏置单元的沟道的指形区域 的取向都垂直于AX1。此外，如相对于图6和7己说明的，应该根据 共质心(common centroid)原理来设置偏置单元的有源区ABC和RF 晶体管的有源区ARFT，以使区域中心COARFT和COABC至少在公 共对称轴AX2上一致。这种设置对作为最关键方向的方向AX1上的 参数参差进行了补偿。
图18示出了根据本发明的设置，其中整个偏置单元的有源区ABC 被划分为两个子区ABC1和ABC2。两个子区ABC1、 ABC2均具有如 图17所示的减小的指长。因此，偏置单元BC具有芯片表面上的方向 AX1上的增强的平均效应。采用与图17所示的相同方式，所有指形 区域(RF晶体管和偏置单元)具有相同取向。但是，根据图18， RF 晶体管的有源区的区域中心COARFT和偏置单元的有源区的区域中 心COABC在图18的中间完全一致。这种设置对轴AX2方向上的参 数变化作出了额外贡献。
图19示出了与图10和13的设置基本相似的设置。提供了偏置单 元的有源区ABC的四个子区ABC1-ABC4。然而，除了前述实施例之 外，图19还示出了如何对沟道(指形区域)进行取向。这应该根据参 照图17和18所给出的说明而对MOSFET来进行。虽然示出了区域中 心关于轴AX2而对齐，但是对于本领域技术人员来说明显的是，对于 短的指长，AX2方向上的补偿可能变得越来越重要。
相对于作为偏置电路的电流镜描述了本发明，但是本领域技术人 员容易想到用于偏置的其他电路，本发明的要点对于这些方式也是有 益的，因此这也视为在本发明范围之内。
应该注意，以上提到的实施例说明而不是限制本发明，在不背离 所附权利要求的范围的前提下，本领域技术人员可以设计很多可选实 施例。在权利要求中，括号中的任何附图标记都不应视为限制权利要 求。动词"包含"及其相关词的使用并不排除除了那些在权利要求中 声明的元件和步骤之外的其他元件和步骤的存在。元件前面的冠诃
"一"并不排除多个这样的元素的存在。在枚举了多种装置的系统权 利要求中，这些装置中的多种可以由同一硬件实现。特定措施在彼此 不同的从属权利要求中引述的这一事实并不表示无法有利地使用这些 措施的组合。
此外，在权利要求的任何附图标记都不应构成对权利要求范围的 限制。
权利要求
1.一种电子器件，具有半导体管芯(SD)，所述半导体管芯(SD)包括-至少一个RF晶体管(RFT)，其占据所述管芯(DS)上的整个RF晶体管有源区(ARFT)，所述整个RF晶体管有源区(ARFT)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)，以及-用于对所述RF晶体管(RFT)进行偏置的至少一个偏置单元(BC)，整个偏置单元有源区(ABC)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)，所述至少一个偏置单元(BC)占据所述管芯(SD)上的整个偏置单元有源区(ABC)；-整个RF晶体管有源区(ARFT)基本上大于整个偏置单元有源区(ABC)，-整个偏置单元有源区(ABC)具有公共区域中心(COABC)，-整个RF晶体管有源区(ARFT)具有公共区域中心(COAFT)，-所述有源区(ABC，ARFT)被设置为使所述RF晶体管的区域或子区的公共中心(COART)和所述偏置单元的区域或子区的公共中心(COABC)均位于轴(AX2)上，所述轴(AX2)与所述RF晶体管(RFT)的至少一个沟道(C)的长度(L)基本上垂直或平行。
2. 根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，整个RF晶体 管有源区(ARFT)和整个偏置单元有源区(ABC)中的至少一个被 划分成至少两个有源子区(ARFT1-ARFT4, ABC1-ABC4)。
3. 根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，存在偶数个 RF晶体管有源子区(ARFT1, ARFT2， ARFT3， ARFT4)。
4. 根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述偏置单元 有源区(ABC)位于所述RF晶体管有源子区(ARFT1，ARFT2，ARFT3， ARFT4)之间，而且所述偏置单元有源区(ABC)在相对侧各具有RF 晶体管有源子区(ARFT1， ARFT2， ARFT3， ARFT4)中的一半。
5. 根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，存在偶数个偏 置单元有源子区(ABC1， ABC2， ABC3， ABC4)。
6. 根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，存在四个偏置 单元有源子区(ABC1， ABC2， ABC3， ABC4)，所述RF晶体管有源 区(ARFT)具有矩形形状，四个偏置单元有源区(ABC1， ABC2， ABC3， ABC4)中的每一个均被设置在矩形RF晶体管有源区(ARFT) 的四个角之一附近。
7. 根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，存在两个大小 相等的偏置单元有源子区(ABC1， ABC2)，偏置单元有源区的这两 个部分(ABC1， ABC2)对称地设置在所述RF晶体管有源区(ARFT) 的相对侧。
8. 根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述有源区或 有源子区(ABC1-ABC4， ARFT1-ARFT4)被设置为使所述RF晶体 管的区域或子区的公共中心(COARF)与所述偏置单元的区域或子区 的公共中心(COABC)位于轴(AX2)上，所述轴(AX2)基本上垂 直于所述RF晶体管(RFT)的至少一个沟道(C)的长度(L)。
9. 根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，每个RF晶体 管有源子区(ARFT1， ARFT2， ARFT3， ARFT4)均包括多个沟道(C)。
10. 根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，每个偏置单 元有源子区(ABC1， ABC2， ABC3， ABC4)均包括多个沟道(C)。
11. 根据权利要求9或10所述的电子器件，其特征在于，所有沟 道(C)平行地对齐。
12. —种用于设计根据权利要求l所述的电子器件的方法，包括 步骤-选择至少一个RF晶体管(RFT)，所述RF晶体管(RFT)占据 管芯(SD)上的整个RF晶体管有源区(ARFT)，所述整个RF晶体 管有源区(ARFT)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少 一个晶体管沟道(C)，以及-选择用于对所述RF晶体管(RFT)进行偏置的至少一个偏置单 元(BC)，整个偏置单元有源区(ABC)包括具有沟道宽度(W)和 沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)，所述至少一个偏置单元 (BC)占据所述管芯(SD)上的整个偏置单元有源区(ABC);-整个RF晶体管有源区(ARFT)基本上大于整个偏置单元有源 区(ABC)，-确定整个偏置单元有源区(ABC)的公共区域中心(COABC)， -确定整个RF晶体管有源区(ARFT)的公共区域中心(COAFT)， -设置所述有源区(ABC， ARFT)，以使所述RF晶体管的区域 或子区的公共中心(COARF)和所述偏置单元的区域或子区的公共中 心(COABC)均位于轴(AX2)上，所述轴(AX2)与所述RF晶体 管(RFT)的至少一个沟道(C)的长度(L)基本上垂直或平行。
全文摘要
本发明涉及一种电子器件，其具有包括至少一个RF晶体管(RFT)和用于对RF晶体管(RFT)进行偏置的至少一个偏置单元(BC)的半导体管芯，该RF晶体管(RFT)占据管芯(SD)上的整个RF晶体管有源区(ARFT)。整个RF晶体管有源区(ARFT)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)，以及用于对所述RF晶体管(RFT)进行偏置的至少一个偏置单元(BC)。整个偏置单元有源区(ABC)包括具有沟道宽度(W)和沟道长度(L)的至少一个晶体管沟道(C)。至少一个偏置单元(BC)占据管芯(SD)上的整个偏置单元有源区(ABC)。整个偏置单元有源区(ABC)具有公共区域中心(COABC)。整个RF晶体管有源区(ARFT)具有公共区域中心(COAFT)。所述有源区(ABC，ARFT)被设置为使所述RF晶体管的区域或子区的公共中心(COARF)和所述偏置单元的区域或子区的公共中心(COABC)均位于轴(AX2)上，所述轴(AX2)与所述RF晶体管(RFT)的至少一个沟道(C)的长度(L)基本上垂直或平行。
文档编号H01L27/02GK101180729SQ200680018001
公开日2008年5月14日 申请日期2006年5月11日 优先权日2005年5月26日
发明者约瑟夫斯·H·B·范德赞登 申请人:Nxp股份有限公司