专利名称：：投影光学系统、曝光装置及曝光方法
技术领域：
：本发明涉及投影光学系统、曝光装置及曝光方法，特别涉及适用于在光刻工序中制造半导体元件或液晶显示元件等微型器件之时所使用的膝光装置的投影光学系统。
背景技术：
：在用于制造半导体元件等的光刻工序中，使用将掩模(或母版)的图案像经由投影光学系统向感光性衬底(涂布有光刻胶的晶片、玻璃板等)上投影曝光的曝光装置。曝光装置中，随着半导体元件等的集成度提高，对投影光学系统要求的析像力(析像度)逐渐提高。在此，为了满足对投影光学系统的析像力的要求，需要缩短照明光(膝光光)的波长X，并且增大投影光学系统的像侧数值孔径NA。具体来说，投影光学系统的析像度可以用kX/NA(k为工艺系数)表示。另外，当将投影光学系统与感光性衬底之间的介质(通常为空气等气体)的折射率设为n,将向感光性衬底的最大入射角设为9时，像侧数值孔径NA可以用nsin9来表示。该情况下，如果要通过增大最;t^射角e来实现像侧数值孔径的增大，则向感光性衬底的入射角及从投影光学系统的射出角就会变大，在光学面上的反射损失增大，无法确保较大的有有效的像侧数值孔径。在此，已知有通过在投影光学系统与感光性衬底之间的光路中充满折射率高的液体之类的介质来实现像侧数值孔径的增大的液浸技术(例如专利文献1)。专利文献1:国际^>开第WO2004/019128号小册子然而，在将液浸型的投影光学系统的像侧数值孔径例如设定为大于1.2的情况下，为了避免入射光线的反射，就需要将入射面侧与气体接触且射出面侧与液体接触的边界透镜(边界光学元件)的入射面，制成朝向入射面侧具有较大的曲率的凸面形状。该情况下，用于保持边界透镜的保持用组件(tab)位于射出面侧的液体的附近，液体(浸液)容易侵入到投影光学系统的内部。当液体侵入到投影光学系统的内部时，会导致光学面的防反射膜的老化，进而使得损害投影光学系统的成像性能(一般为光学性能)的危险性提高。
发明内容本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，提供一种可以防止液体(浸液)向光学系统的内部的^X而维持良好的成像性能的液浸型的投影光学系统。另外，本发明的目的在于，提供一种曝光装置及瀑光方法，其使用可以防止液体向光学系统的内部的侵入而维持良好的成像性能的高析像的液浸投影光学系统，可以高精度地且稳定地将微细的图案投影曝光。为了解决上述问题，本发明的第一方式中，提供一种投影光学系统，其将第一面的像经由液体向第二面投影，该投影光学系统的特征是，上述投影光学系统具备边界光学元件，该元件的上述第一面侧与气体接触且上述第二面侧与上述液体接触，上述边界光学元件的入射面朝向上述第一面具有凸面形状，且以包围上述边界光学元件的射出面的有效区域的方式形成有槽部。本发明的第二方式中，提供一种投影光学系统，其将第一面的像经由液体向第二面投影，该投影光学系统的特征是，上述投影光学系统具备边界光学元件，该元件的上述第一面侧与气体接触且上述第二面侧与上述液体接触，上述边界光学元件具备将凸面朝向上述第一面的形状的入射面、和设于与光轴垂直的保持面上的保持用组件，在上述保持用组件和上述光轴之间形成有空间。本发明的第三方式中，提供一种曝光装置，其特征是，具备用于将设定在上述第一面中的图案照明的照明系统；用于将上述图案的像向设定在上述第二面上的感光性衬底上投影的第一方式或第二方式的投影光学系统。本发明的第四方式中，提供一种曝光方法，其特征是，包括将设定在上述第一面上的图案照明的照明工序；经由第一方式或第二方式的投影光学系统将上述图案的像向设定在上述第二面上的感光性衬底上投影曝光的曝光工序。本发明的第五方式中，提供一种器件制造方法，其特征是，包括经由第一方式或第二方式的投影光学系统将设定在上述第一面上的图案的像向设定在上述第二面上的感光性衬底上投影曝光的曝光工序；将经过了上述曝光工序的上述感光性衬底显影的显影工序。本发明的第六方式中，提供一种光学元件，其用于液浸对物光学系统中，且一方的光学面与液体接触，该光学元件的特征是，该光学元件的另一方的光学面具有凸面形状，以包围上述一方的光学面的有效区域的方式形成有槽部。本发明的第七方式中，提供一种光学元件，其用于液浸对物光学系统中，且一方的光学面与液体接触并且另一方的光学面具有凸面形状，该光学元件的特征是，具备设于与上述光学元件的光轴垂直的保持面上而用于保持上述光学元件的保持用组件，在上述保持用组件和上述光轴之间形成有空间。本发明的第八方式中，提供一种液浸对物光学系统，其具备第六方式或第七方式的光学元件，该液浸对物光学系统的特征是，上述光学元件配置于最靠近液体侧。依照本发明的典型的方式的液浸型的投影光学系统中，虽然边界光学元件(边界透镜)的保持用组件位于射出面侧的液体的附近，但是由于以包围边界光学元件的射出面的有效区域的方式形成有槽部，因此利用该槽部的作用，使得液体难以^到保持用组件与透镜室的夹持件之间，进而使得液体难以^yV到投影光学系统的内部。换言之，本发明的投影光学系统中，可以防止液体(浸液)向光学系统的内部的侵入而维持良好的成像性能。本发明的瀑光装置及曝光方法中，由于使用可以防止液体向光学系统的内部的4^V而维持良好的成像性能的高析像的液浸投影光学系统，因此可以高精度地并且稳定地将微细的图案投影曝光，进而可以高精度地并且稳定地制造良好的微型器件。图l是简要地表示本发明的实施方式涉及的曝光装置的构成的图。图2是表示在本实施方式中形成于晶片上的矩形的静止曝光区域与基准光轴之间的位置关系的图。图3是示意性地表示本实施方式的各实施例中的边界透镜与晶片之间的构成的图。图4是表示本实施方式的第一实施例涉及的投影光学系统的透镜构成的图。图5是表示第一实施例的投影光学系统中的横向像差的图。图6是表示本实施方式的第二实施例涉及的投影光学系统的透镜构成的图。图7是表示第二实施例的投影光学系统中的横向像差的图。图8是用于说明在将液浸型的投影光学系统的像侧数值孔径设定得较大时的不良状况的图。图9是简要地表示本实施方式涉及的投影光学系统的特征性的要部构成的图。图IO是在获得作为微型器件的半导体器件之时的方法的流程图。图ll是在获得作为微型器件的液浸显示元件之时的方法的流程图。其中符号说明如下R母版，RST母版载台，PL投影光学系统，Lb边界透镜，Lp液中平行平面板，Lml、Lm2纯7JC(液体)，W晶片，1照明光学系统，9Z载台，10XY载台，12移动镜，13晶片激光干涉仪，14主控制系统，15晶片载台驱动系统，21第一供排7JC^构，22第二供排#构。具体实施例方式基于附图，对本发明的实施方式进行说明。图l是简要地表示本发明的实施方式涉及的曝光装置的构成的图。图1中，X轴及Y轴被设定于与晶片W平行的方向，Z轴祐i更定于与晶片W正交的方向。更具体;ilU兌，XY平面被设定于与水平面平行，+2轴被设定于沿着垂直方向朝向上方。本实施方式的膝光装置如图1所示，具备照明光学系统l,该系统包括例如作为瀑光光源的ArF准分子激光源，且由光学积分器(均化器)、视场光阑、聚光透镜等构成。由从光源射出的波长193nm的紫外脉冲光构成的瀑光光(曝光束)IL穿过照明光学系统1，将母版(掩模)R照明。在母版R上形成有应当转印的图案，将图案区域整体中沿着X方向具有长边并且沿着Y方向具有短边的矩形(狭缝状)的图案区域照明。穿过了母版R的光经由液浸型的投影光学系统PL，在涂布有光刻胶的晶片(感光性衬底)W上的瀑光区域上以规定的缩小投影倍率形成母版图案。即，以与母版R上的矩形的照明区域光学地对应的方式，在晶片W上沿X方向具有长边并且沿Y方向具有短边的矩形的静止曝光区域(有效膝光区域)上形成图案4象。图2是表示本实施方式中形成于晶片上的矩形的静止曝光区域(即有效瀑光区域)与基准光轴之间的位置关系的图。本实施方式中，如图2所示，具有以基准光轴AX为中心的半径B的圃形区域(图像圏)IF内，在从基准光轴AX沿Y方向离开了离轴量A的位置上设定有具有所需的大小的矩形的有效曝光区域ER。这里，有效曝光区域ER的X方向的长度为LX，其Y方向的长度为LY。从而，虽然省略了图示，但是在母版R上，与矩形的有效曝光区域ER对应地，在从基准光轴AX沿Y方向离开了对应于离轴量A的距离的位置上，形成有具有与有效曝光区域ER对应的大小及形状的矩形的照明区域(即有效照明区域)。母版R在母版载台RST上被与XY平面平行地保持，在母版载台RST上组装有使母版R沿X方向、Y方向及旋转方向微动的机构。母版载台RST利用母版激光干涉仪(未图示)实时地计测并控制X方向、Y方向及旋转方向的位置。晶片W借助晶片夹具(未图示)与XY平面平行地固定于Z载台9上。另外，Z载台9被固定于沿着与投影光学系统PL的像面实质上平行的XY平面移动的XY载台10上，并控制晶片W的对焦位置(Z方向的位置)及倾斜角。Z载台9利用使用设于Z载台9上的移动镜12的晶片激光干涉仪13来实时地计测并控制X方向、Y方向及旋转方向的位置。另外，XY载台10祐放置于基座11上，并控制晶片W的X方向、Y方向及旋转方向。另一方面，本实施方式的设于曝光装置上的主控制系统14，基于由母版激光干涉仪计测的计测值来进行母版R的X方向、Y方向及旋转方向的位置的调整。即，主控制系统14通过向组装于母版栽台RST的机构发送控制信号，使母版载台RST微动来进行母版R的位置调整。另外，主控制系统14为了利用自动对焦方式及自动调平方式将晶片W上的表面对入投影光学系统PL的像面，而进行晶片W的对焦位置(Z方向的位置)及倾斜角的调整。即，主控制系统14通过向晶片载台驱动系统15发送控制信号，并利用晶片载台驱动系统15驱动Z载台9，来进行晶片W的对焦位置及倾斜角的调整。另外，主控制系统14基于由晶片激光干涉仪13计测的计测值，进行晶片W的X方向、Y方向及旋转方向的位置的调整。即，主控制系统14通过向晶片载台驱动系统15发送控制信号，并利用晶片载台驱动系统15驱动XY载台IO,来进4亍晶片W的X方向、Y方向及旋转方向的位置调整。在曝光时，主控制系统14向组装于母版载台RST的机构发送控制信号，并且向晶片载台驱动系统15发送控制信号，在以与投影光学系统PL的投影倍率对应的速度比来驱动母版载台RST及XY载台10的同时，将母版R的图案像向晶片W上的规定的拍摄区域内投影瀑光。其后，主控制系统14通过向晶片载台驱动系统15发送控制信号，并利用晶片载台驱动系统15驱动XY载台10,来将晶片W上的其他的拍摄区域分步移动至曝光位置。如这样，利用步进扫描方式重复进行将母版R的图案像向晶片W上扫描曝光的动作。即，本实施方式中，在使用晶片载台驱动系统15及晶片激光干涉仪13等进M版R及晶片W的位置控制的同时，沿着矩形的静止曝光区域及静止照明区域的短边方向即Y方向，将母版载台RST和XY载台10,进而将母版R和晶片W同步地移动(扫描)，由此可以对晶片W上具有与静止曝光区域的长边LX相等的宽度并且具有与晶片W的扫描量(移动量)对应的长度的区域将母版图案扫描曝光。图3是示意性地表示本实施方式的各实施例中的边界透镜与晶片之间的构成的图。参照图3，在本实施方式的各实施例中的投影光学系统PL中，在最靠近晶片侧配置有液中平行平面板Lp，其母版R侧(物体侧)的面与第二液体Lm2接触，并且晶片W侧(像侧)的面与第一液体Lml接触。此外，与该液中平行平面板Lp邻接地配置有边界透镜(边界光学元件)Lb,其母版R侧的面与气体接触，并且晶片W侧的面与第二液体Lm2接触。本实施方式的各实施例中，作为具有大于l.l的折射率的第一液体Lml及第二液体Lm2，使用在半导体制造工厂等中可容易地大量获得的纯水(去离子水)。另夕卜，边界透镜Lb是将凸面朝向母版R侧并且将平面朝向晶片W侧的正透镜。另外，边界透镜Lb及液中平行平面板Lp都由石英形成。这是因为，当将边界透镜Lb或液中平行平面板Lp由萤石形成时，由于萤石具有可溶于水的性质(可溶性)，因此难以稳定地维持投影光学系统的成像性能。另外，已知萤石的内部的折射率分布具有高频成分，包含该高频成分的折射率的不均有可能导致闪光的产生，容易降低投影光学系统的成像性能。另外，已知萤石具有固有双折射性，为了良好地维持投影光学系统的成像性能，需要修正该固有双折射性的影响。从而，从荥石的可溶性、折射率分布的高频成分及固有双折射性的观点考虑，优选将边界透镜Lp或液中平行平面板Lp由石英形成。而且，在使晶片W相对于投影光学系统PL相对移动的同时进行扫描曝光的步进扫描方式的瀑光装置中，为了从扫描曝光开始到结束为止，在投影光学系统PL的边界透镜Lb与晶片W之间的光路中持续充满液体(Lml,Lm2)，例如可以采用国际7>开号WO99/49504号/>才艮中所7>开的技术、日本专利特开平10-303114号公报中所公开的技术等。国际公开号WO99/49504号公报中所公开的技术中，以将边界透镜Lb与晶片W之间的光路充满的方式，从液体供给装置经由供给管及排出管嘴供给被调整为规定的温度的液体，并利用液体供给装置经由回收管及流入管嘴从晶片W上将液体回收。另一方面，日本专利特开平10-303114号公报中所公开的技术中，为了可以收容液体而将晶片夹具工作台构成为容器状，且在其内底部的中央(液体中)，利用真空吸附来定位保持晶片W。另外，以使得投影光学系统PL的镜筒前端部到达液体中，进而使得边界透镜Lb的晶片侧的光学面到达液体中的方式构成。本实施方式中，如图1所示，使用第一供排7jC机构21，使作为第一液体Lml的纯7JC在液中平行平面板Lp与晶片W之间的光路中循环。另夕卜，使用第二供排7K机构22,使作为第二液体Lm2的纯水在边界透镜Lb与液中平行平面板Lp之间的光路中循环。如这样，通过使作为浸液的纯水以微小流量循环，而可以利用防腐、防霉等效果来防止液体的变质。本实施方式的各实施例中，在将与光轴垂直的方向的高度设为y,将从非球面的顶点中的切平面到高度y的非球面上的位置为止的沿着光轴的距离(下垂量)设为z，将顶点曲率半径设为r，将圃锥系数设为K，将n次的非球面系数设为Cn时，可以用下面的数学式(a)来表示非球面。在后述的表(1)及(2)中，对于形成为非球面形状的透镜面，在面编号的右侧附加*标记。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(a)另外，本实施方式的各实施例中，投影光学系统PL具备用于形成配置于物体面(第一面)上的母版R的图案的第一中间像的第一成像光学系统G1;用于基于来自第一中间像的光来形成母版图案的第二中间像(作为第一中间像的像的母版图案的2次像)的第二成像光学系统G2;用于基于来自第二中间像的光来在配置于像面(第二面)上的晶片W上形成母版图案的最终像(母版图案的缩小像)的第三成像光学系统G3。这里，第一成像光学系统Gl及第二成像光学系统G3都是折射光学系统，第二成像光学系统G2是包括凹面反射镜CM的反射折射光学系统。另外，在第一成像光学系统Gl与第二成像光学系统G2之间的光路中配置有第一平面反射镜(第一偏转镜)Ml，在第二成像光学系统G2与第三成像光学系统G3之间的光路中配置有笫二平面反射镜(第二偏转镜)M2。这样，各实施例的投影光学系统PL中，来自母版R的光经过第一成像光学系统Gl在第一平面反射镜Ml的附近形成母版图案的第一中间像。然后，来自第一中间像的光经过第二成像光学系统G2，在第二平面反射镜M2的附近形成母版图案的笫二中间像。继而，来自第二中间像的光经过第三成像光学系统G3，在晶片W上形成母版图案的最^f象。另夕卜，各实施例的投影光学系统PL中，第一成^^光学系统G1及第三成像光学系统G3具有沿着垂直方向以直线状延伸的光轴AX1及光轴AX3，光轴AX1及光轴AX3与基准光轴AX—致。另一方面，第二成像光学系统G2具有沿着水平方向以直线状延伸的(与基准光轴AX垂直的)光轴AX2。这样，母版R、晶片W、构成第一成像光学系统G1的全部光学构件及构成第三成^^光学系统G3的全部光学构件^:沿着与重力方向正交的面即水平面相互平行地配置。另外，第一平面反射镜M1及第二平面反射镜M2分别具有与母版面成45度的角度地设定的反射面，第一平面反射镜M1与第二平面^^射镜M2被作为一个光学构件一体地构成。另外，各实施例中，投影光学系统PL在物体侧及像侧双方被几乎远心地构成。图4是表示本实施方式的第一实施例涉及的投影光学系统的透镜构成的图。参照图4,第一实施例涉及的投影光学系统PL中，第一成像光学系统G1从母版侧开始，依次由平行平面板P1、双凸透镜Lll、将凸面朝向母版侧的正凹凸透镜L12、双凸透镜L13、将非球面形状的凹面朝向母版侧的双凹透镜L14、将凸面朝向母版侧的正凹凸透镜L15、将凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L16、将凹面朝向母版侧的负凹凸透镜L17、将非球面形状的凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L18、将凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L19、双凸透镜L110、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L111构成。另夕卜，第二成像光学系统G2，沿着光的行进去路从母版侧(即入射侧)开始，依次由将凹面朝向母版侧的负凹凸透镜L21、将凹面朝向母版侧的负凹凸透镜L22、将凹面朝向母版侧的凹面应Jt镜CM构成。另外，第三成像光学系统G3从母版侧(即入射侧)开始，依次由将凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L31、双凸透镜L32、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L34、双凹透镜L35、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的双凹透镜L36、将非球面形状的凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L37、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L38、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的负凹凸透镜L39、将非球面形状的凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L310、双凸透镜L311、孔径光阑AS、将平面朝向晶片侧的平凸透镜L312、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L313、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L314、将平面朝向晶片侧的平凸透镜L315(边界透镜Lb)、平行平面板Lp构成。第一实施例中，在边界透镜(边界光学元件)Lb与平4亍平面板(液中平行平面板)Lp之间的光路、及平行平面板Lp与晶片W之间的光路中，充满相对作为使用光(曝光光)的ArF准分子激光(中心波长X=193.306nm)具有1.435876的折射率的纯水(Lml，Lm2)。另外，包括边界透镜Lb及平行平面板Lp的全部透光构件，由相对使用光的中心波长具有1.5603261的折射单的石英(Si02)形成。下面的表(l)中，揭示了第一实施例涉及的投影光学系统PL的各项规格的值。表(l)中，X表示曝光光的中心波长，p表示投影倍率(整个系统的成像倍率)的大小，NA表示像侧(晶片侧)数值孔径，B表示晶片W上的图像圏IF的半径，A表示有效曝光区域ER的离轴量，LX表示有效曝光区域ER的沿着X方向的尺寸(长边的尺寸)，LY表示有效曝光区域ER的沿着Y方向的尺寸(短边的尺寸)。另外，面编号表示沿着光线从作为物体面(第一面)的母版面朝向作为像面(第二面)的晶片面行进的路径的从母版侧开始的面的顺序，r表示各面的曲率半径(非球面的情况为顶点曲率半径mm)，d表示各面的轴上间隔即面间隔(mm)，n表示相对中心波长的折射率。而且，面间隔d在每次反射时都改变其符号。从而，面间隔d的符号，在从第一平面反射镜M1的反射面到凹面反射镜CM为止的光路中、及从第二平面反射镜M2到像面为止的光路中为负，在其他的光路中为正。此外，第一成1象光学系统G1中，朝向母版侧以凸面的曲率半径为正，朝向母版侧以凹面的曲率半径为负。第二成像光学系统G2中，沿着光的行进去路朝向入射侧(母版侧)以凹面的曲率半径为正，朝向入射侧以凸面的曲率半径为负。第三成像光学系统G3中，朝向母版侧以凹面的曲率半径为正，朝向母版侧以凸面的曲率半径为负。而且，表(l)中的表(2)以后的表(2)中也相同。表(1)(主要各项,)K93,306nm(5=1/4NA=1.32B=15.3mmA=2.8mmLX=26mmLY=5mm(光学构件各项恥格)面编号rdn光学构件(母版面)113.75421oo8.00001.5603261(PI)2oo6細03961.4997152細01.5603261(Lll)4-260.976421.00005165.6561835.77311.5603261(L12)6329.4128515.74797144.7370056.48801.5603261(LI3)8-651.172294.14509*-678.6102118.29791.5603261(L14)10173.73534l細01182.8514128.43191.5603261(L15)12122.1740324.650813-632.2308315.81351.5603261(L16)14-283.7658622.985415-95.8374944.87801.5603261(LI7)16-480.2570149.953217*-327.2465537.67241.5603261(L18)18-152.74838l扁019-645.5120547.00831.5603261(L19)20-172.708901.0000211482.4213632.74781.5603261(LI10)22-361,684531.000023185.0673536.28951.5603261(LI11)24*1499.9250072.000025oo-204.3065(Ml)26115.50235-15.00001.5603261(L21)27181.35110-28.181928107.57500-l謹OO1.5603261(L22)29327.79447-34.983230165.1870034.9832(CM)31327.7944618.00001.5603261(L22)32107.5750028.181933181.3511015細01.5603261(L21)34115.50235204.306535oo-72扁0(M2)36552.89298-24.49341.5603261(L31)37211.柳31-1.000038-964.15750-27.57991.5603261(L32)39451.41200—1.000040-239.74429-35.77141.5603261(L33)41--171769.23040-1細042-206.94777-50.00001.5603261(L34)43*-698.47035—43.198744560.33453-10.00001.5603261(L35)45-116.92245-46.536046209.32811-10.00001.5603261(L36)47*-189.99848-23.664448承1878.63986-31.50661.5603261(L37)49211.85278-l細O50-322.20466-33.18561.5603261(L38)51*-1160.22740-10.017252-2715.10365-22.00001.5603261(L39)53*-柳.87714-42.079954*727.37853-62.02551.5603261(L310)55240.59248-1.000056-16276.86134-62.13281.5603261(L311)57333.64919-1.000058oo--1掘0(AS)59-303.09919-68.22441.5603261(L312)60oo--l細O61-182.25869-77.61221.5603261(L313)62*-472,72383-1細063-131.14200-49.99991.5603261(L314)64承-414.78286-l細065-75.90800-43.33511.5603261(L315:Lb)66oo--1.00001.435876(Lm2)67oo—13.00001.5603261(Lp)68oo--2.99991.435876(Lml)(晶片面)(非球面数据)9面/c=0C=_7.9031X10—8C=8.6709X10—1246C=一6.5472X10-16C=1.5504Xl(T加810C=2.6800X10—24C=—2.6032X10-2812"C=7.3308XlCf33C=0161817面k=0C=4.7672X10^C=—8.7145X10—1346C=—2.8591X1CT17C=3.9981X10"810C=—1.9927Xl0—25C=2.8410X10一幼1214C=6.5538X10-35C=0161824面jc=0C=2,7118X1CT8C=—4.0362X10-1346C=8.5346X1CT18C-—7653X10-22C=—1.1856X10画27C=5.2597X10-311214C=—2.0897X10-35C=0161843面k=0C=一1.8839X10画8C=5.6009XIO-1346C=—1.8306X10陽"C=2.2177X10—21810C=—2.3512X1CT25C=1.7766X10-2912!4C=一6.5390X10_MC=0161847面k=0C=9.0773X10C=—5.4651X10"46C=4.4000X10_16C=—2.7426X10_2810C=3.2149X1CT25C=2.3641X1CT幼1214C=—1.3953X1CT32C=01618<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>C=2.5879X10C=064面k=0C=一6.0849X10—8C=—8.7021X10—13C=一1.5623X10-16C=1.5681X10-20810C=一1.6989X10—24C=7.9711X10-291214C=—2.7075X10一33C=01S18图5是表示第一实施例的投影光学系统中的横向像差的图。像差图中，Y表示像高，实线表示中心波长193.3060nm，虚线表示193.306nm+0.2pm=193.3062nm,单点划线表示193.306nm-0.2pm=193.3058nm。而且，图5的表M以后的图7中也相同。从图5的像差图中可以清楚地看到，第一实施例中，尽管确保了非常大的像侧数值孔径(NA=1.32)及比较大的有效曝光区域ER(26mmx5mm)，然而对于波长宽度为193.306nm士0.2pm的曝光光也可以良好地修正像差。图6是表示本实施方式的第二实施例涉及的投影光学系统的透镜构成的图。参照图6，在第二实施例涉及的投影光学系统PL中，第一成4象光学系统G1从母版侧开始，依次由平行平面板P1、双凸透镜Lll、将凸面朝向母版侧的正凹凸透镜L12、将凸面朝向母版侧的正凹凸透镜L13、将非球面形状的凹面朝向母版侧的双凹透镜L14、将凸面朝向母版侧的正凹凸透镜L15、将凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L16、将凹面朝向母版侧的负凹凸透镜L17、将非球面形状的凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L18、将凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L19、双凸透镜LllO、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜Llll构成。另外，第二成像光学系统G2沿着光的行进去路，从母版侧(即入射侧)开始，依次由将凹面朝向母版侧的负凹凸透镜L21、将凹面朝向母版侧的负凹凸透镜L22、将凹面朝向母版侧的凹面反射镜CM构成。另夕卜，第三成像光学系统G3从母版侧(即入射侧)开始，依次由将凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L31、双凸透镜L32、将凸面朝向母版侧的正凹凸透镜L33、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L34、双凹透镜L35、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的双凹透镜L36、将非球面形状的凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L37、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L38、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的平凹透镜L39、将非球面形状的凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L310、将凹面朝向母版侧的正凹凸透镜L311、孔径光阑AS、将平面朝向晶片侧的平凸透镜L312、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L313、将非球面形状的凹面朝向晶片侧的正凹凸透镜L314、将平面朝向晶片侧的平凸透镜L315(边界透镜Lb)、平行平面板Lp构成。在第二实施例中也与第一实施例相同，在边界透镜Lb与平行平面板Lp之间的光路、及平行平面板Lp与晶片W之间的光路中，充满相对作为使用光(曝光光)的ArF准分子激光(中心波长\=193.30611111)具有1.435876的折射率的纯水(Lml,Lm2)。另外，包括边界透镜Lb及平行平面板Lp的全部透光构件，由相对使用光的中心波长具有1.5603261的折射率的石英形成。下面的表(2)中，揭示了第二实施例涉及的投影光学系统PL的各项恥格的值。表(2)(主要各项M^)X=193.306nmP=l/4NA=1.32B=15.4mmA=3mmLX=26mmLY=5mm(<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>1CO8.00001.5603261(Pl)23.00003708.5830550細01.5603261(L11)4-240.961391.00005159.2825655細01.5603261(L12)61030.4258315.33097175.9168033,42621.5603261(L13)81901.4293613.44849承-313.7648611.88181.5603261(L14)10235.561卯l細01190.4080153.34421.5603261(L15)12109.3639412.887213-1337.1341020.23851.5603261(L16)14-314.4714410.226315-106.1352842.50021.5603261(L17)16-334.9779256細8-1619.4332046.36341.5603261(L18)18-167細00l扁019-568.0412748.49661.5603261(L19)20-172.67366l細021637.0316727.84781.5603261(L110)22-838.931671.000023264.5640330.75491.5603261(L111)24*3443.5261772細025oo-237.1956(Ml)26134.07939-15細01.5603261(L21)27218.66017-33,226328111.51192—18細01.5603261(L22)29334.92606-28.521530170.9206728.5215(CM)31334.9260618.00001.5603261(L22)32111.5119233.226333218.6601715.00001.5603261(L21)34134.07939237.195635oo--72.0000(M2)361133.17643-25.25531.5603261(L31)37247.47802-1細038-480.60890-29.69881.5603261(L32)39626.43077-l細O40-208.29831-36.26041.5603261(L33)41-2556.24930-1扁042-173,46230-50.00001.5603261(L34)43*-294.18687-26.431844699.5柳2-11.50001.5603261(L35)45-106.38847-47.952046158.19938-11.50001.5603261(L36)47*—189.99848-27.602448*487.32943-34.32821.5603261(L37)49153.21216-1細050-280.33475-39.40361.5603261(L38)51*-猫.66667-17.386252oo--22細01.5603261(L39)53*-1511.71580-40.315054*655.86673-62,21981.5603261(L310)55242.88510-1細056843.73059—49.25381.5603261(L311)57280.00000-1.000058oo-1細0(AS)59-291.92686-61.10381.5603261(L312)60oo-l細O61-179.32463-67.44741.5603261(L313)62*-438.34656-1,000063—128.42402-52.41561.5603261(L314)64*-401.88080-1.000065-75,86112-41.5893L5603261(L315:Lb)66co-l.OOOO1.435876(Lm2)67oo-16.50001.5603261(Lp)68oo-3.00001.435876(Lml)(晶片面)(非球面数据)9面c3.1753X10一8C6=9.0461X10-12c=—1.0355>U0_15C=1.2398X10—1910c=-12-l.1221X10-23C=5.7476X10—28c=-16-1.1800X10-32C=01817面K=0c=—2.8399X10—8C6=一3.0401X10-13C=1.1462X10—17C=4.0639X10—22810C=-8.6125X10C=4.4202X1CT1214C=一9.9158X10—35C=0161824面C=2.1499X10-8C=—3,8861X10_13C=5.4812X1CT18C="2.1623X10-23C=一2.5636X10-26C=2.1879X10-301214C=—6.5039X10—35C=0161843面k=0C=一2.0533X10-8C=7.8051X1CT〗346C=9.4002XICT18C=—2.1043X10—280C。=7.8182X10—25C=—9.2007X1CTC=3,6742X10—33C=0161847面C=9.8639X10-8C=-6.7359X10-1246C=6.8579X10-16C=—6.1604xWC=5.1722X10—24C=—2.9412X10""C=8.6688X10-33C=048面k=0C=4.3101X10C=—3.2805X1046C=5.6432X10—17C=—9.2345X10画22510G=1.0713X10—25C=一9,9944X1CT301214C=1.8148X10-33C=0161851面/c=0C=2.5839X10一8C=—1.8848X10一1246C=—4.9271X10_17C=4.4946XIO力810C一7.2550X10—26C-4.9237X10—3112uC=—2.4260X10—35C=6.2565X10-40161853面(c=0C=—4.7449X10-8C=—2.3075X10—1346C=1.0475X10—16C=—2.1805X10一21s10C=—9.0530X10-26C=4.6274X10—幼1214C=—6.4961X10-35C=3.4402X10-41161854面k=0C=2.0328X10-8C=—7.7439XI0-13C=1.6217X10-17C=—3.5531X10^810C=8.2634X10—27C=2.6232X10-311214C=—2.0989X10—35C=4.0888X10-40161862面C=2.5121X1CT8C=—2.0342X10—12C=1,2906X10—16C=—5.4455X10—21810C=1.2885X10—25C=一1.4600X10—301214C=3.2850X1CT36C=0161864面k=0C=一2.8098X10-8C=—3.9565X10—1246C=3.1966X10一16C=—2.7246X10"20C=1.8266X10—24C=—8.6244X10—291214C=2.1570X10-33C=01S18图7是表示第二实施例的投影光学系统中的横向像差的图。从图7的像差图中可以清楚地看到，第二实施例中也与第一实施例相同，尽管确保了非常大的像侧数值孔径(NA-1.3)及比较大的有效曝光区域ER(26mmx5mm)，然而对于波长宽度为193.306nm±0.2pm的曝光光也可以良好地修正像差。如此所述，本实施方式的投影光学系统PL中，通过在边界透镜Lb与晶片W之间的光路中夹设具有大的折射率的纯水(Lml，Lm2)，可以在确保大的有效的像侧数值孔径的同时，确保比较大的有效成像区域。即，各实施例中，可以确斜目对中心波长为193.306nm的ArF准分子激光，约为1.3的较高的像侧数值孔径，并且可以确保26mmx5mm的矩形形状的有效曝光区域(静止曝光区域)ER，例如可以在26mmx33mm的矩形的曝光区域内以高析像度将电路图案扫描曝光。然而，在液浸型的投影光学系统的^象侧数值孔径例如小于1.2的情况下，如图8(a)所示，即使不将边界透镜Lb的凸面形状的入射面Lba的曲率i史为那样大，也可以避免入射面Lba上的入射光线的反射。其结果，由于可以将用于保持边界透镜Lb的保持用组件Lbb位于与射出面Lbc侧的液体(浸液未图示)充分地分开的位置，所以液体侵入到保持用组件Lbb与透镜室的夹持件Hd之间或液体进一步侵入到投影光学系统的内部的危险性很低。然而，在将液浸型的投影光学系统的像侧数值孔径设定为例如大于1.2的情况下，如图8(b)所示，为了避免入射光线向边界透镜Lb的入射面Lba的反射，而需要将入射面Lba制成相当大的曲率的凸面形状。该情况下，边界透镜Lb的保持用组件Lbb位于射出面Lbc侧的液体的附近，液体容易侵入到保持用组件Lbb与夹持件Hd之间，进而液体容易侵入到投影光学系统的内部。当液体^yV到保持用组件Lbb与夹持件Hd之间时，因所侵入的液体的作用，会在保持用组件Lbb与夹持件Hd之间作用相互吸引的力，导致边界透镜Lb的移动或变形，进而使得损害投影光学系统的成像性能(一般为光学性能)的危险性提高。另外，当液体穿过保持用组件Lbb与夹持件Hd之间而^yV到投影光学系统的内部时，会导致在包括边界透镜Lb的透光构件的光学面上形成的防^Jt膜的老化，进而4吏得损害投影光学系统的成像性能的危险性提高。图9是简要地表示本实施方式涉及的投影光学系统的特征性的要部构成的图。参照图9(a)，本实施方式的投影光学系统PL中，以包围边界透镜(边界光学元件)Lb的射出面Lbc的有效区域(有效的成像光束所通过的区域)的方式，形成有槽部Gr(换言之为空间)。具体来说，槽部Gr例如被以将射出面Lbc的有效区域遍布全周地包围的方式连续地形成，且具有与将入射面Lba的有效区域的外周和射出面Lbc的有效区域的外周连结起来的有效外周面Lbd对应的(例如与有效外周面Lbd大致平行的)倾斜面Gra。本实施方式的投影光学系统PL中，由于将像侧数值孔径设定为实质上大于1.2的值(1.32或1.3)，所以边界透镜Lb的入射面Lba的曲率大，保持用组件Lbb必然位于射出面Lbc侧的液体Lm2(未图示)的附近，而槽部Gr与保持用组件Lbb相比更深地延伸至入射面Lba侧。换言之，保持用组件Lbb被设于与光轴AX垂直的保持面(图中以双点划线表示的假想的面)Lbbs上，在保持用组件Lbb与光轴AX之间形成有作为槽部Gr的内部的空间。而且，本说明书中所谓"槽部"是包括凹部或扩孔形状部等的广义概念，例如也可以是在槽部Gr的内侧的面(即射出面Lbc)的水平与外侧的面Lbe的水平之间具有阶梯差的那样的构成。另外，本实施方式的投影光学系统PL中，在边界透镜Lb的射出面Lbc的有效区域与液中平行平面板Lp之间的光路中，设有用于保持液体Lm2的液体保持机构LH。液体保持机构LH例如由钛或不锈钢等形成，其一部分向槽部Gr的内部(换言之为空间)突出。更具体来说，液体保持机构LH具有与槽部Gr的倾斜面Gra拉开间隔地相对置的对峙面LHa，倾斜面Gra及对峙面LHa当中的至少一方的面,皮进行了疏水处理加工，或者在倾斜面Gra及对峙面LHa当中的至少一方的面上形成有疏水膜。如上所述，本实施方式的投影光学系统PL中，由于边界透镜Lb的入射面Lba的曲率大，所以虽然保持用组件Lbb位于射出面Lbc侧的液体Lm2的附近，但是由于以包围射出面Lbc的有效区域的方式形成有槽部Gr，所以即使不设置液体保持机构LH,也利用槽部Gr的作用，使得液体Lm2^^侵入到保持用组件Lbb与透镜室的夹持件Hd之间，进而使得液体难以^^到投影光学系统PL的内部。即，本实施方式的投影光学系统PL中，可以防止液体(浸液)向光学系统的内部的^^而维持良好的成像性能。另外，本实施方式的曝光装置中，由于使用了可以防止液体向光学系统的内部的4h而维持良好的成像性能的高析像的液浸投影光学系统PL,所以可以高精度并且稳定地将微细的图案投影曝光。而且，虽然例如也可以以包围边界透镜Lb的射出面Lbc的有效区域的方式断续地设置多个槽部Gr，但是为了有效地防止液体Lm2到达保持用组件Lbb,最好如上所述地，以将射出面Lbc的有效区域遍布全周地包围的方式连续地形成槽部Gr，并且以使槽部Gr与保持用组件Lbb相比更深地延伸至入射面Lba侧的方式形成。另外，本实施方式的投影光学系统PL中，由于在边界透镜Lb与晶片W之间的光路中配置有平行平面板(一般为基本上无折射能力的光学构件)Lp，所以即使作为浸液的纯水受到了来自涂布于晶片W上的光刻胶的排出气体等的污染，也利用夹设于边界透镜Lb与晶片W之间的平行平面板Lp的作用，可以有效地防止污染了的纯7jc对边界透镜Lb的像侧光学面的污染。另外，由于液体(纯水Lml，Lm2)与平行平面板Lp的折射率差小，所以可以大幅度地緩解对平行平面板Lp所要求的姿势或位置精度，因此即使平行平面板Lp被污染，也可以通过随时更换构件，使光学性能容易得到恢复。此外，由于也可以利用平行平面板Lp的作用，将与边界透镜Lb接触的液体Lm2的扫描曝光时的压力变动或步进移动时的压力变动抑制得较小，所以可以用比较小的空间来保持液体。另外，本实施方式的投影光学系统PL中，由于为了不会与边界透镜Lb接触，即为了不会在边界透镜Lb上作用外力，而将液体保持机构LH的一部分以向槽部Gr的内部突出的形态设置，所以可以在边界透镜Lb的射出面Lbc的有效区域与平行平面板Lp之间的光路中可靠地保持液体Lm2。但是，当在与边界透镜Lb接触的液体Lm2中引起预想以上的压力变化时，液体Lm2有可能穿越槽部Gr的倾斜面Gra与液体保持机构LH的对峙面LHa之间而到达保持用组件Lbb。在此，为了即使在与边界透镜Lb接触的液体Lm2中引起预想以上的压力变化，液体Lm2也不会穿越倾斜面Gra与对峙面LHa之间而到达保持用组件Lbb,最好对亲水性的倾斜面Gra及对峙面LHa当中的至少一方的面实施疏水处理加工，或者在倾斜面Gra及对峙面LHa当中的至少一方的面上形成疏7JC膜。而且，为了确保用于设置液体保持机构LH的空间，最好槽部Gr具有与将入射面Lba的有效区域的外周和射出面Lbc的有效区域的外周连结起来的有效外周面Lbd对应的(具有与有效外周面Lbd对应的斜度)倾斜面Gra。另夕卜，本实施方式的投影光学系统PL中，由于将边界透镜Lb的射出面Lbc的有效区域形成为平面状，所以边界透镜Lb与平行平面板Lp之间的液体层Lm2的厚度恒定。其结果，即使液体Lm2的透过率相对曝光光来"^兌并不充分，也可以防止晶片W上的曝光区域内的光量不均的产生。而且，上述的实施方式中，虽然在边界透镜Lb与晶片W之间的光路中配置有平行平面板Lp,但是并不限定于此，也可以如图9(b)的变形例那样，设为省略了平行平面板Lp的设置的构成。在图9(b)的变形例中，也可以通过以包围边界透镜Lb的射出面Lbc的有效区域的方式形成槽部Gr(换言之为空间)，而获得与本实施方式相同的效果。上述的实施方式中，虽然作为填充于边界透镜Lb与晶片W之间的光路中的液体使用了纯水(Lml，Lm2),但是也可以取代它，而使用折射率比它更高的液体(例如折射率在1.6以上的液体)。作为此种高折射率液体，例如可以使用甘油(CH2[OH]CH[OH]CH2[OH])或庚烷(C7H16)等。另外，也可以4吏用加入了H+、Cs—、K+、Cl_、S042—、PO,的7jC、混入了铝氧化物的微粒的水、异丙醇、己烷、癸烷等。在使用此种高折射率液体的情况下，为了限制投影光学系统PL的大小，特别是直径方向的大小，最好将投影光学系统PL的一部分的透镜，特别是靠近像面(晶片W)的透镜由高折射率的材料形成。作为此种高折射率材料，例如优选使用氧化钙或氧化镁、氟化钡、氧化锶、氧化钡或者以它们为主成分的混合晶。这样，就可以基于能够实现的尺寸，来实现高数值孔径。例如在使用了ArF准分子激光器(波长193nm)的情况下，也能够实现1.5左右或者其以上的高数值孔径。另外，在作为曝光光IL使用波长157nm的F2激光器的情况下，作为液体，优选使用能够透过F2激光的液体，例如过氟化聚醚(PFPE)或氟系油等氟系流体。上述的实施方式的曝光装置中，通过利用照明装置将母版(掩模)照明(照明工序)，使用投影光学系统将形成于掩模上的转印用的图案向感光性村底曝光(曝光工序)，可以制造微型器件(半导体元件、摄像元件、液晶显示元件、薄膜磁头等)。下面，参照图10的流程图，对通过使用本实施方式的曝光装置在作为感光性衬底的晶片等上形成规定的电路图案，来获得作为微型器件的半导体器件之时的方法的一个例子进行说明。首先，在图10的步骤301中，在一批晶片上蒸镀金属膜。在下面的步骤302中，在这一批晶片上的金属膜上涂布光刻胶。其后，在步骤303中，使用本实施方式的曝光装置，将掩模上的图案的像经由其投影光学系统向这一批晶片上的各拍:摄区域依次曝光转印。其后，在步骤304中，进行了这一批晶片上的光刻胶的显影后，在步骤305中，在这一批晶片上以光刻胶图案作为掩模进行蚀刻，从而在各晶片上的各拍摄区域形成与掩模上的图案对应的电路图案。其后，通过进行更上一层的电路图案的形成等，来制造半导体元件等器件。根据上述的半导体器件制造方法，可以以良好的生产率获得具有极为微细的电路图案的半导体器件。而且，步骤301~步骤305中，在晶片上蒸镀金属，在该金属膜上涂布光刻胶，此后进行曝光、显影、蚀刻各工序，然而当然也可以在这些工序之前，在晶片上形成硅的氧化膜后，在该硅的氧化膜上涂布光刻胶，此后进行曝光、显影、蚀刻等各工序。另外，本实施方式的曝光装置中，通过在平板(玻璃衬底)上形成规定的图案(电路图案、电极图案等)，也可以获得作为微型器件的液晶显示元件。以下，参照图ll的流程图，对此时的方法的一个例子进行i兌明。图11中，在图案形成工序401中，使用本实施方式的曝光装置将^^模的图案向感光性衬底(涂布有光刻胶的玻璃衬底等)上转印曝光，即执行所谓的光刻工序。利用该光刻工序，在感光性衬底上形成包含多个电极等的规定图案。其后，膝光了的衬底经过显影工序、蚀刻工序、光刻胶剥离工序等各工序，而在衬底上形成规定的图案，并转向下面的滤色片形成工序402。然后,在滤色片形成工序402中，形成以矩阵状排列了多个与R(Red)、G(Green)、B(Blue)对应的3个点的组；或者将R、G、B这3条条紋的滤片的组沿多条水平扫描线方向排列的滤色片。此后，在滤色片形成工序402之后，执行单元组装工序403。单元组装工序403中，4吏用图案形成工序401中得到的具有规定图案的衬底、及滤色片形成工序402中得到的滤色片等来组装液晶面板(液晶单元)。单元组装工序403中，例如向图案形成工序401中得到的具有规定图案的衬底与滤色片形成工序402中得到的滤色片之间注入液晶，而制造液晶面板(液晶单元)。其后，在模块组装工序404中，安装进行组装好的液晶面板(液晶单元)的显示动作的电路、背光灯等各部件，而作为液晶显示元件制作完成。才艮据上述的液晶显示元件的制造方法，可以以良好的生产率获得具有极为微细的电路图案的液晶显示元件。而且，上述的实施方式中，虽然使用了ArF准分子激光源，但是并不限定于此，例如也可以使用F2激光源之类的其他的适当的光源。其中，在作为曝光光使用F2激光的情况下，作为液体^f吏用能够透过F2激光的例如氟系油或过氟化聚醚(PFPE)等氟系的液体。另外，上述的实施方式中，虽然将本发明应用于搭载在曝光装置上的液浸型的投影光学系统中，但是并不限定于此，也可以将;^发明应用于其他的一般的液浸型的投影光学系统中。另外，上述的实施方式中，虽然将但是并不限定于此，也可以将本发明应用于其他的一般的投影光学系统中。另外，上述的实施方式中，虽然将本发明应用于液浸型的投影光学系统中，但是并不限定于此，也可以将本发明应用于液浸型的对物光学系统中。而且，上述的实施方式中，虽然将边界透镜Lb及液晶平行平面板Lp由非晶体材料的石英形成，但是作为形成边界透镜Lb及液中平行平面板Lp的材料并不限定于石英，例如也可以使用氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氟化钡、钡锂氟化物(BaLiF3)、镥船'石榴石([LutetiumAluminumGarnet]LuAG)、尖晶石([crystallinemagnesiumaluminumspinel]MgAl204)等晶体材料。另夕卜，上述的实施方式中，虽然作为第一液体及第二液体使用了纯水，但是作为第一及第二液体并不限定于纯水，例如也可以^^用加入了H+、cs_、k+、cr、so42_、po,的水、异丙醇、甘油、己烷、癸烷或三井化学林式会社的Delphi(以环状烃骨架为基本的化合物)、JSR林式会社的HIF-001、EIDupontDeNemours&Company的IF131或IF132、IF175等。权利要求1.一种投影光学系统，将第一面的像经由液体向第二面投影，该投影光学系统的特征是，上述投影光学系统具备边界光学元件，该元件的上述第一面侧与气体接触且上述第二面侧与上述液体接触，上述边界光学元件的入射面朝向上述第一面具有凸面形状，且以包围上述边界光学元件的射出面的有效区域的方式形成有槽部。2.根据权利要求l所述的投影光学系统，其特征是，上述槽部被以将上述有效区域遍布全周地包围的方式连续地形成。3.根据权利要求1或2所述的投影光学系统，其特征是，上述槽部具有与将上i^射面的有效区域的外周和上述射出面的有效区域的外周连结起来的有效外周面对应的倾斜面。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的投影光学系统，其特征是，上述槽部与用于保持上述边界光学元件的保持用组件相比更延伸至上述入射面侧。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的投影光学系统，其特征是，还具备配置于上述边界光学元件和上述第二面之间的光路中而基本上没有折射能力的光学构件。6.根据权利要求5所述的投影光学系统，其特征是，还具备用于在上述边界光学元件的上述射出面的有效区域与上述基本上没有折射能力的光学构件之间的光路中保持上述液体的液体保持^J;该液体保持机构的一部分向上述槽部的内部突出。7.根据权利要求1至4中任意一项所述的投影光学系统，其特征是，还具备用于在上述边界光学元件的上述射出面的有效区域与上述第二面之间的光路中保持上述液体的液体保持机构；该液体保持机构的一部分向上述槽部的内部突出。8.根据权利要求6或7所述的投影光学系统，其特征是，上述液体保持机构具有与上述槽部的上述倾斜面拉开间隔地相对置的对峙面，上述倾斜面及上述对峙面当中的至少一方的面被实施了疏水处理加工。9.根据权利要求6或7所述的投影光学系统，其特征是，上述液体保持机构具有与上述槽部的上述倾斜面拉开间隔地相对置的对峙面，在上述倾斜面及上述对峙面当中的至少一方的面上形成有疏水膜。10.—种投影光学系统，将第一面的像经由液体向第二面投影，该投影光学系统的特征是，上述投影光学系统具备边界光学元件，该元件的上述第一面侧与气体接触且上述第二面侧与上述液体接触，上述边界光学元件具备将凸面朝向上述第一面的形状的入射面、和设于与光轴垂直的保持面上的保持用组件，在上述保持用组件和上述光轴之间形成有空间。11.根据权利要求10所述的投影光学系统，其特征是，上述空间,皮以遍布上述边界光学元件的射出面的外周整体地包围的方式连续地形成。12.根据权利要求10或11所述的投影光学系统，其特征是，上述空间具有与将上^射面的有效区域的外周和上述边界光学元件的射出面的有效区域的外周连结起来的有效外周面对应的倾斜面。13.根据权利要求10至12中任意一项所述的投影光学系统，其特征是，还具备配置于上述边界光学元件和上述第二面之间的光路中而基本上没有折射能力的光学构件。14.根据权利要求13所述的投影光学系统，其特征是，还具备用于在上述边界光学元件的上述射出面与上述基本上没有折射能力的光学构件之间的光路中保持上述液体的液体保持机构；该液体保持机构的一部分向上述空间突出。15.根据权利要求11至13中任意一项所述的投影光学系统，其特征是，还具备用于在上述边界光学元件的上述射出面与上述第二面之间的光路中保持上述液体的液体保持机构；该液体保持机构的一部分向上述空间突出。16.根据权利要求14或15所述的投影光学系统，其特征是，上述空间具有与将上^X射面的有效区域的外周和上述射出面的有效区域的外周连结起来的有效外周面对应的倾斜面，上述液体保持机构具有与上述空间的上述倾斜面拉开间隔i^目对置的对峙面，上述倾斜面及上述对峙面当中的至少一方的面被实施了疏水处理加工。17.根据权利要求14或15所述的投影光学系统，其特征是，上述空间具有与将上述入射面的有效区域的外周和上述射出面的有效区域的外周连结起来的有效外周面对应的倾斜面，上述液体保持机构具有与上述空间的上述倾斜面拉开间隔地相对置的对峙面，在上述倾斜面及上述对峙面当中的至少一方的面上形成有疏水膜。18.根据权利要求1至17中任意一项所述的投影光学系统,其特征是，上述边界光学元件的上述射出面的有效区域形成为平面状。19.根据权利要求1至18中任意一项所述的投影光学系统，其特征是，上述投影光学系统基于来自上述第一面的光而在上述第二面上形成上述第一面的缩小像。20.根据权利要求19所述的投影光学系统，其特征是，上述投影光学系统还具备折射型的第一成像光学系统，其用于基于来自上述第一面的光形成第一中间像；第二成像光学系统，其包括至少一个凹面反射镜，且用于基于来自上述第一中间l象的光形成第二中间4象；折射型的第三成像光学系统，其用于基于来自上述第二中间像的光在上述第二面上形成上述缩小第一偏转镜，其配置于上述第一成^^光学系统与上述笫二成^^光学系统之间的光路中；第二偏振镜，其配置于上述第二成像光学系统与上述第三成像光学系统之间的光路中。21.根据权利要求l至20中任意一项所述的投影光学系统,其特征是，上述边界光学元件由晶体材料形成。22.根据权利要求l至20中任意一项所述的投影光学系统，其特征是，上述边界光学元件由非晶体材料形成。23.—种瀑光装置，其特征是，具备用于将设定在上述第一面中的图案照明的照明系统；用于将上述图案的像向设定在上述第二面上的感光性衬底投影的权利要求1至22中任意一项所述的投影光学系统。24.—种曝光方法，其特征是，包括将设定在上述笫一面上的图案照明的照明工序；经由权利要求1至22中任意一项所述的投影光学系统将上述图案的像向设定在上述第二面上的感光性衬底上投影曝光的曝光工序。25.—种器件制造方法，其特征是，包括经由权利要求l至22中任意一项所述的投影光学系统将设定在上述第一面上的图案的像向设定在上述第二面上的感光性衬底上投影曝光的曝光工序；将经过了上述曝光工序的上述感光性衬底显影的显影工序。26.—种光学元件，用于液浸对物光学系统中，且一方的光学面与液体接触，该光学元件的特征是，该光学元件的另一方的光学面具有凸面形状，以包围上述一方的光学面的有效区域的方式形成有槽部。27.根据权利要求26所述的光学元件，其特征是，上述槽部被以将上述一方的光学面的上述有效区域遍布全周地包围的方式连续地形成。28.根据权利要求26或27所述的光学元件，其特征是，上述槽部具有与将上述光学元件的上述另一方的光学面的有效区域的外周和上述光学元件的上述一方的光学面的有效区域的外周连结起来的有效外周面对应的倾斜面。29.根据权利要求26至28中任意一项所述的光学元件，其特征是，上述槽部与用于保持上述光学元件的保持用组件相比更延伸至上述光学元件的上述另一方的光学面侧。30.—种光学元件，用于液浸对物光学系统中，且一方的光学面与液体接触并且另一方的光学面具有凸面形状，该光学元件的特征是，具备设于与上述光学元件的光轴垂直的保持面上而用于保持上述光学元件的保持用组件，在上述保持用组件和上述光轴之间形成有空间。31.根据权利要求30所述的光学元件，其特征是，上述空间被以遍布上述光学元件的上述一方的光学面的外周整体地包围的方式连续地形成。32.根据权利要求30或31所述的光学元件，其特征是，上述空间具有与将上述光学元件的上述另一方的光学面的有效区域的外周和上述光学元件的上述一方的光学面的有效区域的外周连结起来的有效外周面对应的倾斜面。33.根据权利要求26至32中任意一项所述的光学元件，其特征是，上述光学元件由晶体材料形成。34.根据权利要求26至32中任意一项所述的光学元件，其特征是，上述光学元件由非晶体材料形成。35.—种液浸对物光学系统，具备权利要求26至34中任意一项所述的光学元件，该液浸对物光学系统的特征是，上述光学元件配置于最靠近液体侧。36.根据权利要求35所述的液浸对物光学系统，其特征是，上述液浸对物光学系统经由上述液体形成物体的像。全文摘要本发明提供一种可以防止液体(浸液)向光学系统的内部侵入而维持良好的成像性能的液浸型的投影光学系统。本发明的投影光学系统是将第一面的缩小像经由液体向第二面投影的投影光学系统，投影光学系统具备第一面侧与气体接触且第二面侧与液体接触的边界光学元件(Lb)，边界光学元件的入射面(Lba)朝向第一面具有凸面形状，且以包围边界光学元件的射出面(Lbc)的有效区域的方式形成有槽部(Gr)。文档编号H01L21/027GK101171667SQ20068001571公开日2008年4月30日申请日期2006年5月8日优先权日2005年5月12日发明者大村泰弘申请人:株式会社尼康