专利名称：钽氮化物膜的形成方法
技术领域：
本发明涉及钽氮化物膜的形成方法，特别是涉及根据CVD法形成作为配线膜用的阻挡膜有用的钽氮化物膜的方法。
背景技术：
近年来，对半导体领域的薄膜制造技术中的微细加工的要求加快，伴随其发生了各种各样的问题。
如以半导体器件中的薄膜配线加工为例，作为配线材料，由于电阻率小等理由，主流是使用铜。但是，由于铜具有刻蚀困难、在基底层的绝缘膜中容易扩散的性质，产生器件的可靠性低的问题。
为了解决该问题，以前，通过在多层配线构造中的多层间连接孔的内壁表面上用CVD法等形成金属薄膜(即，导电性的阻挡膜)，在其上形成铜薄膜作为配线层，使得铜薄膜和基底层的硅氧化膜等绝缘膜不直接接触，防止了铜的扩散(例如，参照专利文献1)。
在该场合，伴随上述多层配线化和图案的微细化，要求用薄的阻挡膜将深宽比高的微细接触孔和沟槽等阶梯覆盖(step coverage)良好地埋设。
专利文献1特开2002-26124号公报(权利要求书等)发明内容在上述现有技术的场合，存在下述问题利用CVD法形成在确保与Cu配线膜的密合性的同时，作为阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物(TaN)膜是困难的。为了解决该问题，有必要开发将原料气体中的烷基等有机基切断除去，减少C含量，而且，切断Ta和N的键，提高Ta/N组成比的可能的成膜工艺。
因此，本发明的课题在于解决上述现有技术的问题，提供利用CVD法形成C、N含量低、Ta/N组成比高、并且作为确保和配线膜(例如，Cu配线膜)的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜的方法。
本发明的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，按照CVD法，在成膜室内同时导入含有在钽元素(Ta)的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及卤素气体，在基板上形成含有TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物(式中，Hal表示卤素原子)的卤化化合物膜，然后导入含H原子的气体，切断除去前述卤化化合物膜中的与Ta键合的N，并且将与N键合的卤素原子和R(R′)基切断除去，形成富含钽的钽氮化物膜。如果上述配合物中的碳原子数超过6，存在膜中碳残存多的问题。
本发明的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，上述含有H原子的气体在成膜室内通过热或者等离子体变成自由基，使该自由基与卤化化合物膜反应，形成富含钽的钽氮化物膜。
如根据上述构成，可以形成在所得到的膜中C、N含量减少，Ta/N组成比增大，并且作为确保和配线膜(例如，Cu配线膜)的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜。
前述原料气体优选选自五(二甲基氨基)钽(PDMAT)、叔-戊基亚氨基三(二甲基酰胺)钽(TAIMATA)、五(二乙基氨基)钽(PEMAT)、叔-丁基亚氨基三(二甲基酰胺)钽(TBTDET)、叔-丁基亚氨基三(乙基甲基酰胺)钽(TBTEMT)、Ta(N(CH3)2)3(NCH3CH2)2(DEMAT)、TaX5(X选自氯、溴、碘中的卤原子)的至少一种的配合物的气体。
上述卤素气体优选为选自氟、氯、溴、碘的至少一种气体。如果使用这样的卤素气体，可以生成上述TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物。
上述含H原子的气体，优选为选自H2、NH3、SiH4的至少一种气体。
根据上述钽氮化物膜的形成方法，可得到膜中的钽和氮的组成比满足Ta/N≥2.0的富含钽的低电阻的薄膜。
本发明的钽氮化物膜的形成方法，其特征还在于，对用上述形成方法获得的钽氮化物膜，通过使用以钽作为主构成成分的靶的溅射，使钽粒子入射。这样，可以形成进一步富含钽的、充分满足Ta/N≥2.0的钽氮化物膜。
上述溅射优选调整DC功率和RF功率，使DC功率变低，并且使RF功率变高来进行。
根据本发明，采用CVD法，可实现能形成具有C、N含量低、并且Ta/N组成比高，作为确保和配线膜(例如，Cu配线膜)的密合性的阻挡膜有用的低电阻的富含钽的钽氮化物膜的效果。
另外根据本发明，对根据上述CVD法得到的钽氮化物膜，利用溅射法等PVD法打入钽，可实现能形成进一步富含钽的钽氮化物膜的效果。
进一步，根据本发明，实现在上述阻挡膜上兼有好的密合性和平滑性、可以形成配线膜的效果。
附图的简单说明[
图1]模式上表示用于实施本发明的成膜方法的成膜装置的一例的构成图。
组装了用于实施本发明的成膜方法的成膜装置的复合型配线膜形成装置的模式构成图。
符号的说明1 真空室2真空排气系3 电极 4高频电源5 加热手段 6基板载置用台7 气体室8孔9 气体导入系S基板具体实施方式
根据本发明，具有C、N含量低、Ta/N组成比高的低电阻的钽氮化物膜以下述方法形成，按照热CVD法或者等离子体CVD法等的CVD法，在载置于作为成膜室的真空室内的基板上，通过使含有上述含钽配合物的原料气体和卤素气体的反应，生成TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物膜，然后使该卤化化合物膜与自由基反应，该自由基是使导入到真空室内的含H原子的气体通过热或者等离子体活化而生成的H2气体或NH3气体由来的H自由基、NH3气体由来的NHx自由基等的自由基。
作为原料气体、卤素气体以及含氢原子气体可以按照上述气体那样直接导入，也可以和N2气体或Ar气体等惰性气体一起导入。关于这些反应体的量，优选卤素气体相对于原料气体，例如相对于原料气体5sccm，以大致5sccm以下的流量使用，另外，含氢原子化合物气体相对于原料气体的量比卤素气体要多，例如，相对于原料气体5sccm，以100～1000sccm(H2换算)的流量使用。
上述两个反应的温度，只要是反应发生的温度即可，例如，原料气体和卤素气体的卤化反应，一般在300℃以下，优选为150～300℃，另外，该卤化反应的生成物和自由基的反应，一般在300℃以下，优选为150～300℃。真空室内的压力优选在最初的卤化反应的场合为1～10Pa，在接下来的成膜反应的场合为1～100Pa。
如上所述，配合物是在钽元素(Ta)的周围配位N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的化合物。该烷基是例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基，可以是直链的，也可以是支链的。该配合物通常为在Ta的周围配位4个至5个N-(R，R′)的化合物。
上述本发明的方法，根据CVD法，可在作为成膜室的真空室内，例如可以导入原料气体和卤素气体进行卤化反应，在基板上形成TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物膜，然后导入含H原子化合物气体，使通过热或者等离子体生成的自由基与上述卤化生成物反应，形成钽氮化物膜，另外也可以在其后将该工艺重复所希望的次数，或者也可以在将上述卤化反应重复所希望的次数后，进行和自由基的反应。
本发明的钽氮化物的形成方法，只要是可以实施所谓CVD法的成膜装置，就可以没有特别限制地进行实施。例如，对使用如图1所示的等离子体CVD成膜装置实施本发明方法的场合的一实施方式，以下进行说明。
图1所示的等离子体CVD装置包含作为成膜室的真空室1，该真空室的侧壁上连接真空排气系2，在真空室的上方部以与真空室绝缘的状态配置电极3。在该电极3上连接的高频电源4的构成为配置在真空室1的外部，在电极上施加高频电力，可以使真空室内发生等离子体。在真空室1内，在其下方部配设内藏加热器等加热手段5的基板载置用台6，使该基板载置面与电极面相互平行、对向。
在电极3的内部设置气体室7，在与电极的基板载置用台6对着的面上开口有作为喷淋喷嘴起作用的多个孔8，形成可以从该孔把气体导入真空室内，向基板表面供给的构成，该电极发挥喷淋盘(シャワ一プレ一ト)的作用。
气体室7与气体导入系9的一端连接，该气体导入系的另一端连接着分别填充了原料气体、卤素气体、含H原子的气体等的多个气瓶(没有图示)。该场合，气体室7上也可以连接多个气体导入系9，它们分别连接在另外的气瓶上。图中没有图示，但是可以用质流控制器控制各气体流量。
原料气体可以采用原料气体填充气瓶进行导入，除此之外，也可以将上述含钽的有机金属化合物收纳到加热保温了的容器内，通过质流控制器等把作为鼓泡气体的Ar等惰性气体供给到容器内，使原料升华，将该鼓泡气体和原料气体一起导入真空室内，也可以通过气化器等把气化了的原料气体导入到真空室内。
使用图1所示的等离子体CVD成膜装置，实施本发明的钽氮化物形成方法的工艺的一实施方式如下所述。
首先，通过真空排气系2，将真空室1内真空排气，直到规定的压力(例如10-4～10-5Pa)，在基板载置用台6上载置基板S后，对加热手段5进行通电，将基板加热到规定的温度(例如150～300℃)。然后，从气体导入系9向气体室7导入原料气体和卤素气体，从孔8向基板S表面供给。作为该基板S，没有特别的限制，例如可以是公知的把基底密合层设置在绝缘层上的基板，也可以是对其表面进行了脱气等的前处理的基板。
真空室1内的压力稳定为规定的压力后，从高频电源4输出频率27.12MHz、功率密度0.2W/cm2的高频交流电压。来自该高频电源的交流电压如果施加在电极3上，则在发挥阴极功能构成的电极3和发挥阳极功能构成的载置在基板保持装置6上的基板S表面之间，产生原料气体和卤素气体的等离子体。在该等离子体中生成原料气体以及卤素气体的自由基，在基板S表面上引起卤化反应，形成TaNx(Hal)yRz化合物膜。在形成具有规定膜厚的卤化化合物膜后，停止高频电源4的运作，停止导入原料气体和卤素气体。
接着，通过气体导入系9将含H原子的气体导入真空室1内进行活化。即，如上述那样操作，使在室内产生等离子体，将在该等离子体中产生的自由基入射到如上述那样形成的卤化化合物膜的表面，使其反应，将该卤化化合物膜分解，切断除去与膜中的Ta键合的N，且切断除去残留着的与N键合的R(R′)基，形成富含钽的钽氮化物膜。一旦形成具有规定膜厚的钽氮化物膜，就停止高频电源4的运作，停止含有H原子的气体的导入，将基板S搬出真空室1外。
对于如上述那样操作形成的钽氮化物膜，利用AES分析时，C为2％以下、N为33～35％、Ta/N＝1.9～2.0，电阻率为450μΩ·cm以下。
如上述那样，在等离子体CVD法中，由于NH3气体和含H原子的气体等的反应气体在等离子体中被活化，所以即使在比较低的温度下也可以形成薄膜。另外，利用热CVD法，在公知的工艺条件下也能与上述同样地操作形成富含钽的钽氮化物膜。
对如上述那样操作形成了具有期望膜厚的钽氮化物膜的基板，例如根据公知的溅射成膜法，使用Ar等的溅射气体，对靶施加电压，使其产生等离子体，溅射靶，在上述钽氮化物膜的表面也可以形成金属薄膜、即，配线膜侧密合层(阻挡膜侧基底层)。
经过以上的工序，在基板S上形成层叠膜，然后在上述配线膜侧密合层上，通过公知的方法形成配线膜(例如Cu配线膜)。
但是，在本发明的钽氮化物形成方法中，在形成该阻挡膜前，需要进行除去吸附在基板S表面的气体等杂质的公知的脱气处理，另外在该基板上形成阻挡膜后，最终形成例如包含Cu的配线膜。因此，如果形成通过可以真空排气的搬送室将该成膜装置至少与脱气室和配线膜形成室连接，通过搬送用机器人，将基板可以从搬送室在成膜装置和脱气室和配线膜形成室间进行搬送的这样构成的复合型配线膜形成装置，可以用该装置实施从前处理到形成配线膜的一系列工序。
对于如上述那样操作形成的钽氮化物膜，也可以通过溅射法等的PVD法打入钽粒子，形成进一步富含钽的钽氮化物膜。例如，可以使用在真空室的上方，在与基板保持装置对着的位置设置靶的公知的溅射装置进行实施。
在这样的溅射装置的场合，在靶上连接有用于产生等离子体的电压施加装置，该等离子体溅射靶表面、使靶构成物质的粒子放出。这里所用的靶，其构成是以含在上述原料气体中的金属的构成元素(Ta)作为主成分，此外电压施加装置由高频发生装置和连接在靶上的电极构成。溅射气体只要是公知的惰性气体、例如氩气、氙气等就可以。
将形成了如上述那样获得的为钽氮化物膜的阻挡膜的基板S载置在溅射室内后，将Ar等惰性气体导入溅射室内，使其放电，对以原料气体构成成分的钽作为主构成成分的靶进行溅射，使作为溅射粒子的钽粒子入射到形成在基板上的薄膜中。这样，通过溅射，由于可以使钽从靶入射到基板表面的薄膜中，所以，可以进一步增加阻挡膜中的钽的含率，可以得到所期望的低电阻的富含钽的钽氮化物膜。另外，由于原料气体是有机钽化合物，所以通过利用上述溅射，构成元素(钽)入射到基板的表面，促进了分解，使C和N等的杂质从阻挡膜排挤出，可以得到杂质少的低电阻的阻挡膜。
该溅射是为了将钽粒子打入钽氮化物膜中，溅射除去C和N，对该膜进行改质而进行的，由于不层叠钽膜，需要在不形成钽膜的条件、即可以利用钽粒子进行刻蚀的条件下进行。因此，例如需要调整DC功率和RF功率，使DC功率变低，且RF功率变高。例如，通过将DC功率设定在5kW以下，提高RF功率，例如为400～800W，可以达到不形成钽膜的条件。由于RF功率依赖于DC功率，所以通过适当调整DC功率和RF功率，可以调整膜的改质程度。另外，溅射温度可以是通常的溅射温度，例如与钽氮化物膜的形成温度相同的温度。
对于如上述那样做形成了具有期望的膜厚的阻挡膜的基板S，例如根据公知的溅射成膜法，导入Ar等的溅射气体、从电压施加装置对靶施加电压使等离子体产生、溅射靶，在上述阻挡膜的表面也可以形成金属薄膜、即配线膜侧密合层(阻挡膜侧基底层)。
经过以上的工序在基板S上形成层叠膜，然后，在上述配线膜侧密合层上用公知的方法形成配线膜。
图2模式上表示具备图1所示的成膜装置的复合型配线膜形成装置的构成图。
该复合型配线膜形成装置100由前处理部101、成膜处理部103和连接它们的中转部102构成。各个部在进行处理前，预先使其内部为真空氛围。
首先，在前处理部101中，将搬入室101a中配置的处理前基板利用前处理部侧搬出搬入机器人101b搬入脱气室101c。在该脱气室101c中加热处理前基板，使表面的水分等蒸发进行脱气处理。然后，将该脱气处理过的基板利用搬出搬入机器人101b搬入还原处理室101d中。在该还原处理室101d内，进行下述的退火处理，即，加热上述基板，利用氢气体等还原性气体除去底层配线的金属氧化物。
退火处理结束后，利用搬出搬入机器人101b从还原处理室101d取出上述基板，搬入中转部102。被搬入的基板在中转部102交接到成膜处理部103的成膜处理部侧搬出搬入机器人103a中。
被交接的上述基板利用搬出搬入机器人103a搬入成膜室103b中。该成膜室103b相当于上述成膜装置1。在成膜室103b中形成了阻挡膜以及密合层的层叠膜，利用搬出搬入机器人103a从成膜室103b搬出，搬入到配线膜室103c中。这里，在上述阻挡膜(在阻挡膜上形成密合层的场合，是密合层)的上面形成配线膜。形成配线膜之后，将该基板利用搬出搬入机器人103a从配线膜室103c移动到搬出室103d而搬出。
如上述，采用一连串地进行上述阻挡膜形成前后的工序、即，脱气工序和配线膜形成工序的上述复合型配线膜形成装置100的构成，可提高作业效率。
另外，上述复合型配线膜形成装置100的构成，在前处理部101设置脱气室101c和还原处理室101d各一室，在成膜处理部103中设置成膜室103b和配线膜室103c各一室，但是并不限于该构成。
据此，例如，使前处理部101以及成膜处理部103的形状为多角形状，在各个面上设置多个上述脱气室101c以及还原处理室101d、以及成膜室103b以及配线膜室103c，可进一步提高处理能力。
实施例1在本实施例中，使用图1所示的成膜装置1，作为原料气体使用五(二甲基氨基)钽(MO)气体、作为卤素气体使用氟气体以及作为反应气体使用NH3气体，形成钽氮化物膜。
根据公知的方法，在实施具有SiO2绝缘膜的基板S的表面的脱气前处理工序后，把基板S搬入利用真空排气系2真空排气到10-5Pa以下的真空室1内。作为该基板，没有特别限制，例如也可以使用下述的基板，即，根据通常的溅射成膜法，使用Ar溅射气体，对具有以Ta为主构成成分的靶施加电压使等离子体产生，溅射靶，在表面形成基板侧密合层的基板。
在真空室1内搬入基板S，将基板S载置在基板载置用台6上之后，用加热器5将该基板加热到250℃，从气体导入系9向气体室7，以5sccm导入上述原料气体，以5sccm导入上述卤素气体，从孔8向基板S表面供给。
真空室1内的压力在规定的压力稳定后，从高频电源4输出频率27.12MHz，功率密度0.2W/cm2的高频交流电压，在电极3和基板S表面之间产生原料气体和卤素气体的等离子体。通过在该等离子体中生成原料气体和卤素气体的自由基，在基板S表面上的卤化反应，形成具有TaNx(Hal)yRz化合物膜。形成具有规定膜厚的卤化化合物膜后，停止高频电源4的运作，停止原料气体和卤素气体的导入。
然后，通过气体导入系9将上述含有H原子的气体导入到真空室1内，如上述那样操作，使室内产生等离子体，将该等离子体中产生的自由基入射到如上述那样形成的卤化化合物膜的表面，使发生反应。通过该反应，切断该卤化化合物膜中的Ta-N键，除去N，且切断除去与N键合的R(R′)基。其结果，形成富含钽的钽氮化物膜。形成具有规定膜厚的钽氮化物膜后，停止高频电源4的运作，停止含有H原子的气体的导入，将基板S搬出真空室1外。
这样获得的阻挡膜的组成是Ta/N＝1.9，C含量为2％以下，N含量为33％。
另外，为了比较，对于使用上述原料气体(MO气体)和卤素气体(氟气)的场合，以及使用上述原料气体和反应气体(H2利用反应气体由来的H自由基照射的处理时间为3秒、5秒、10秒)的场合，根据上述方法成膜。
对用上述方法得到的各自的薄膜，算出电阻率ρ(μΩ·cm)。该电阻率是用4探针探针法测定薄膜电阻(Rs)，用SEM测定膜厚(T)，基于式ρ＝Rs·T算出的。
用氟气体将原料气体(MO气体)变换(卤化)后，照射反应气体(H自由基)10秒进行成膜的场合，与使用MO气体和氟气成膜的场合(106μΩ·cm)、使用MO气体和氟气体和反应气体(照射H自由基3秒)成膜的场合(3×105μΩ·cm)以及使用MO气体和氟气和反应气体(照射H自由基5秒)成膜的场合(4800μΩ·cm)相比较，获得了低的电阻率(450μΩ·cm)。
从这些可知由MO气体和卤素气体的成膜所获得的膜由于含有卤素，生成高电阻的膜，如果预先用H自由基处理该膜，根据该处理时间，电阻率变化，伴随处理时间增长，电阻率降低。从这些结果可知，通过优选进行10秒以上的H自由基处理，有效地除去卤素、R，R′基以及N。
如上述，认为是在采用MO气体和卤素气体和含有H原子的气体(自由基)的成膜中，利用卤素切断原料气体的Ta-N-(R，R′)键的N和R的键的一部分，选择性地除去R，然后通过H自由基照射，切断高电阻的卤化Ta系化合物中Ta与N的键、N与卤素原子的键以及残留的N与R，R′基(烷基)的键，通过除去卤素原子、C以及N，减少了C、N的含有比例，其结果，显示出所形成的膜组成富含钽，膜的电阻率降低。
对于如上述那样操作获得的具有期望的膜厚的阻挡膜的基板，例如，根据公知的溅射成膜方法，使用Ar溅射气体，对靶施加电压使等离子体产生，溅射靶，也可以在上述阻挡膜的表面形成金属薄膜、即，作为基底层的配线膜侧密合层。
在经过以上的工序形成层叠膜的基板S上，即在上述阻挡膜侧密合层上，根据公知的工艺条件形成Cu配线膜。确认各膜之间的粘合性优异。
实施例2本实施例中，对实施例1获得的钽氮化物膜，使用公知的溅射装置，通过溅射打入钽粒子，形成进一步富含钽的钽氮化物膜。
在溅射装置内导入Ar溅射气体，从电压施加装置对靶施加电压使其放电，使等离子体产生，溅射以钽作为主构成成分的靶，在基板S上形成的薄膜中入射作为溅射粒子的钽粒子。该溅射条件是DC功率5kW、RF功率600W。此外，溅射温度为-30～150℃。
通过打入上述钽粒子的溅射，可以进一步增加阻挡膜中的钽的含率，可以得到所期望的低电阻的富含钽的钽氮化物膜。另外，通过将钽入射到基板S的表面薄膜中，促进了薄膜的分解，使C和N等的杂质从膜中排出，可以得到杂质少的低电阻的阻挡膜。这样得到的薄膜，Ta/N＝3.4、C和N的含量C＝0.1％以下、N＝23％、以及得到的薄膜的电阻率250μΩ·cm。
如上述那样，形成期望的膜厚的改质钽氮化物膜后，例如，导入Ar溅射气体，根据公知的溅射成膜工艺条件，从电压施加装置向靶施加电压，使等离子体产生，溅射靶，也可以在上述阻挡膜的表面形成金属薄膜、即，作为基底层的配线膜侧密合层。
在经过以上的工序形成了层叠膜的基板S上，即，在上述配线膜侧密合层上根据公知的工艺条件，形成Cu配线膜。确认各膜之间的粘合性优异。
实施例3作为原料气体，替代五(二甲基氨基)钽，使用叔-戊基亚氨基三(二甲基氨基)钽，除此以外，根据实施例1实施成膜工艺时，得到富含钽的低电阻的钽氮化物膜。对于得到的膜，Ta/N＝1.8、C含量3％、N含量35.7％、以及电阻率为550μΩ·cm。
实施例4作为卤素气体，替代氟气，使用氯气、溴气或碘气，而且，作为生成H自由基的气体，使用H2气体，除此之外，根据实施例1实施成膜工艺时，得到与实施例1同样的结果。
产业上的可利用性根据本发明，按照CVD法，可以形成C、N含量低、Ta/N组成比高、作为确保与Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻的钽氮化物膜。因此，本发明可以适用于半导体器件领域的薄膜形成工艺中。
权利要求
1.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，按照CVD法，在成膜室内，同时导入含有在钽元素(Ta)的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及卤素气体，在基板上形成含有TaNx(Hal)y(R，R′)z化合物(式中，Hal表示卤素原子)的卤化化合物膜，然后导入含H原子的气体，与上述卤化化合物膜反应，切断除去该膜中与Ta键合的N，且切断除去与N键合的卤素原子和R(R′)基，形成富含钽的钽氮化物膜。
2.权利要求1记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，上述含有H原子的气体在成膜室内通过热或者等离子体变换成自由基，使该自由基与卤化化合物反应，形成富含钽的钽氮化物膜。
3.权利要求1或者2记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述原料气体是从五(二甲基氨基)钽、叔-戊基亚氨基三(二甲基酰胺)钽、五(二乙基氨基)钽、叔-丁基亚氨基三(二甲基酰胺)钽、叔-丁基亚氨基三(乙基甲基酰胺)钽、Ta(N(CH3)2)3(NCH3CH2)2、TaX5(X卤原子)中选出的至少一种的配合物的气体。
4.权利要求1～3的任一项记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，上述卤素气体为选自氟、氯、溴、碘的至少一种气体。
5.权利要求1～4的任一项记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述含有H原子的气体是选自H2、NH3、SiH4的至少一种气体。
6.权利要求1～5的任一项记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述钽氮化物膜是钽和氮的组成比满足Ta/N≥2.0的膜。
7.钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，对用权利要求1～6的任一项记载的形成方法获得的钽氮化物膜，通过使用以钽作为主构成成分的靶的溅射，使钽粒子入射。
8.权利要求7记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述溅射是通过调整DC功率和RF功率，使DC功率变低，并且使RF功率变高来进行的。
9.权利要求7或者8记载的钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，入射了前述钽粒子的钽氮化物膜是钽与氮的组成比满足Ta/N≥2.0的膜。
全文摘要
本发明按照CVD法在成膜室内导入含有在Ta元素的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及卤素气体，形成TaN
文档编号H01L21/3205GK101091005SQ20068000147
公开日2007年12月19日 申请日期2006年3月3日 优先权日2005年3月3日
发明者五户成史, 丰田聪, 牛川治宪, 近藤智保, 中村久三 申请人:株式会社爱发科