专利名称：薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的cof薄膜卷带的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带，特别是涉及一种可提高排气效果的薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带。
背景技术：
目前液晶显示器(liquid crystal display，LCD)的驱动IC的封装型态主要为下列3种，分别为卷带式封装(Tape Carrier Packing，TCP，以下均简称为TCP)、覆晶薄膜封装(Chip on Film，COF，以下均简称为COF)及玻璃覆晶封装(Chip on Glass，COG，以下均简称为COG)封装。其中，由于TCP封装技术与材料供应都非常成熟，因此目前TCP封装技术应用范围非常广泛，例如笔记本电脑、桌上型显示器等，所以TCP封装技术算是目前最主要的LCD驱动IC的封装方式。但是，由于其材料与结构特性的限制，在较细小的内引脚距的接合时，其Tape的制作与后续接合制程加工的搬运及接合等都非常的困难，所以在未来讲究轻、薄、短、小的需求下而有COF技术的产生。
请参阅图1所示，是现有习知TCP薄膜覆晶封装构造的截面示意图，在现有习知的卷带式封装(Tape Carrier Packing，TCP)封装方式中，一TCP覆晶封装构造100，包含一TCP卷带110、一晶片120以及一封胶体130。该TCP覆晶封装构造100的该TCP卷带110是至少为3层的结构，其是为一可挠性介电层111、一粘着层(Adhesive)112及一铜层113，该铜层113形成有复数个引脚114，该晶片120具有复数个凸块121，并藉由该些凸块121电性连接该些引脚114，该封胶体130是形成于该晶片120与该TCP卷带110之间，以密封该些凸块121与该些引脚114。其中，该可挠性介电层111的厚度、该粘着层112的厚度以及该铜层113的厚度，再加上该晶片120与该封胶体130的厚度，该TCP覆晶封装构造100的总厚度是约为600～1000微米，当组装于LCD液晶面板时具有弯折不易的缺点。
相较之下，覆晶薄膜封装(Chip on Film，COF)封装方式中，基板是为2层的结构，分别为可挠性介电层(大部分为PI)及铜层，可挠性介电层的厚度，铜层的厚度，再加上晶片与封胶体的厚度，COF封装构造的总厚度约为400～700微米，COF封装构造的厚度是明显小于TCP的封装构造。
请参阅图2所示，是现有习知COF薄膜覆晶封装构造的截面示意图，现有习知的COF薄膜覆晶封装构造200，主要包含一COF薄膜卷带210、一晶片220以及一封胶体230。该COF薄膜卷带210包含有一可挠性介电层211及一引线层212，该引线层212包含复数个第一引线213以及复数个第二引线214。该晶片220具有复数个凸块221，该些凸块221是电性连接该些第一引线213的复数个第一内接指213a与该些第二引线214的复数个第二内接指214a，该封胶体230形成于该晶片220与该COF薄膜卷带210之间，以密封该些凸块221、该些第一内接指213a与该些第二内接指214a。然而该COF薄膜覆晶封装构造200在点涂该封胶体230后必须先经过较低温的外观预固化阶段，再提高温度进行该封胶体230的内部固化程序，因而使残留应力变大，而造成该COF薄膜卷带210的该可挠性介电层211朝向该晶片220方向收缩变形，因而影响外观，并造成该封胶体230、该引线层212及晶片220形成分层而影响该晶片220与该引线层212的电性连接。
由此可见，上述现有的薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的薄膜覆晶封装构造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带存在的缺陷，本设计人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的薄膜覆晶封装构造，能够改进一般现有的薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型的主要目的在于，克服现有的薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带存在的缺陷，而提供一种新的薄膜覆晶封装构造，所要解决的技术问题是使其在一COF薄膜卷带上的一可挠性介电层是定义有一晶片接合区，复数个通孔是形成于该晶片接合区且位于该COF薄膜卷带的复数个第一引线与复数个第二引线之间，一晶片的复数个凸块是电性连接至该COF薄膜卷带，该些通孔可以避免一封胶体形成于该COF薄膜卷带与该晶片后因应力残留而造成该COF薄膜卷带收缩，而可以保持该薄膜覆晶封装构造的外形美观，从而更加适于实用。
本实用新型另一目的在于，提供一种新的覆晶封装的COF薄膜卷带，所要解决的技术问题是使该COF薄膜卷带上的一可挠性介电层是定义有一晶片接合区，复数个通孔是形成于该晶片接合区且位于该COF薄膜卷带的复数个第一引线与复数个第二引线之间，该些通孔是可避免该COF薄膜卷带收缩而造成该COF薄膜卷带应力残留，从而更加适于实用。
本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种薄膜覆晶封装构造，其包含一COF薄膜卷带，其包含有一可挠性介电层、复数个第一引线以及复数个第二引线，该可挠性介电层是定义有一晶片接合区，该些第一引线以及该些第二引线是形成于该可挠性介电层，其中该晶片接合区是形成有复数个通孔，该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间；一晶片，其具有复数个凸块，该晶片是设置于该COF薄膜卷带上，且该些凸块是电性连接至该COF薄膜卷带的该些第一引线以及该些第二引线；以及一封胶体，其形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间，以密封该些凸块。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可以可采用以下的技术措施来进一步实现。前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的该些通孔是位于该晶片接合区的中央。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种覆晶封装的COF薄膜卷带，其包含一可挠性介电层，其定义有一晶片接合区，该晶片接合区形成有复数个通孔；以及复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线以及该些第二引线是形成于该可挠性介电层上，其中该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其中所述的该些通孔是位于该晶片接合区的中央。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种覆晶封装的COF薄膜卷带，其包含一可挠性介电层，其定义有一晶片接合区，该晶片接合区形成有复数个通孔；以及复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线以及该些第二引线是形成于该可挠性介电层上，其中该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间。
本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下技术措施来进一步实现。
前述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其特征在于其中所述的该些通孔是位于该晶片接合区的中央。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。经由以上可知，为了达到上述目的，本实用新型提供了一种薄膜覆晶封装构造，主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带是包含有一可挠性介电层、复数个第一引线以及复数个第二引线，该可挠性介电层是定义有一晶片接合区，该些第一引线以及该些第二引线是形成于该可挠性介电层上，其中该晶片接合区是形成有复数个通孔，且该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间，该晶片是具有复数个凸块，该晶片是设置于该COF薄膜卷带上且该些凸块是电性连接至该COF薄膜卷带，该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间，以密封该些凸块。
借由上述技术方案，本实用新型薄膜覆晶封装构造至少具有下列优点1、该些通孔可提高该薄膜覆晶封装构造内的排气效果。
2、增加该COF薄膜卷带的抗应力强度。
3、避免该薄膜覆晶封装构造因该封胶体固化产生应力，而造成该薄膜覆晶封装构造分层断裂。
34保持该薄膜覆晶封装构造的外形美观。
综上所述，本实用新型是有关一种薄膜覆晶封装构造，主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带是包含有一可挠性介电层、复数个第一引线以及复数个第二引线，该可挠性介电层是定义有一晶片接合区，该晶片接合区形成有复数个通孔，且该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间，该晶片的复数个凸块是电性连接至该COF薄膜卷带，该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间，以密封该些凸块，其中该封胶体是可流布于该些通孔中。该些通孔可提高该薄膜覆晶封装构造内的排气效果，并且增加该COF薄膜卷带的抗应力强度，以避免该薄膜覆晶封装构造因该封胶体固化产生应力，而造成该薄膜覆晶封装构造分层断裂，并可保持该薄膜覆晶封装构造的外形美观。本实用新型具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是现有习知的TCP薄膜覆晶封装构造的截面示意图。
图2是现有习知的COF薄膜覆晶封装构造的截面示意图。
图3是依据本实用新型一具体实施例的一种薄膜覆晶封装构造的截面示意图。
图4是依据本实用新型一具体实施例的该薄膜覆晶封装构造的COF薄膜卷带的上视图。
图5是依据本实用新型第二具体实施例的薄膜覆晶封装构造的COF薄膜卷带的上视图。
图6是依据本实用新型第三具体实施例的该薄膜覆晶封装构造的COF薄膜卷带的上视图。
100TCP覆晶封装构造110TCP卷带111可挠性介电层 112粘着层113铜层 114引脚120晶片 121凸块130封胶体 200COF薄膜覆晶封装构造210COF薄膜卷带211可挠性介电层212引线层 213第一引线213a第一内接指214第二引线214a第二内接指220晶片221凸块 230封胶体300薄膜覆晶封装构造 310COF薄膜卷带311可挠性介电层 312第一引线312a第一内接指313第二引线313a第二内接指314晶片接合区315通孔 316阻焊层320晶片 321主动面322凸块 330封胶体410COF薄膜卷带411可挠性介电层412第一引线 413第二引线414晶片接合区 415通孔510COF薄膜卷带511可挠性介电层512晶片接合区 513通孔具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，
以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的薄膜覆晶封装构造其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图3所示，是依据本实用新型一具体实施例的一种薄膜覆晶封装构造的截面示意图。本实用新型第一具体较佳实施例的薄膜覆晶封装构造300，主要包含一COF薄膜卷带310、一晶片320以及一封胶体330；其中上述的COF薄膜卷带310，包含有一可挠性介电层311、复数个第一引线312以及复数个第二引线313，其中该可挠性介电层311，请结合参阅图4所示，是依据本实用新型一具体实施例的该薄膜覆晶封装构造的COF薄膜卷带的上视图，即是为该COF薄膜卷带310的上视图，该可挠性介电层311是定义有一晶片接合区314，该晶片接合区314是形成设有复数个通孔315；该些第一引线312以及该些第二引线313，是形成于该可挠性介电层311，其中，该些通孔315是位于该些第一引线312与该些第二引线313之间，该些通孔315是可如圆形、方形、三角形等的几何图案，该些通孔315是可采用冲压(Punch)方式、激光钻孔(Laser Drilling)方式或机械钻孔(Mechanical Drillng)方式形成，在本实施例中，该些通孔315是排列为“1”字型，并且该些通孔315是位于该晶片接合区314的中央。
或者，请参阅图5所示，是依据本实用新型第二具体实施例的薄膜覆晶封装构造的COF薄膜卷带的上视图，本实用新型的第二具体实施例是揭示一种COF薄膜卷带410，该薄膜卷带410包含有一可挠性介电层411、复数个第一引线412以及复数个第二引线413，复数个通孔415是形成于一晶片接合区414且位于该些第一引线412与该些第二引线413之间，该些通孔415是可排列为“I”字型。
或者，请参阅图6所示，是依据本实用新型第三具体实施例的该薄膜覆晶封装构造的COF薄膜卷带的上视图，本实用新型的第三具体实施例是揭示复数个通孔513是形成于一COF薄膜卷带510的一可挠性介电层511上所定义的一晶片接合区512内，该些通孔513是排列为“X”字型，该可挠性介电层511的该些通孔513是具有提高该薄膜覆晶封装构造300内排气的功效。
请再参阅图3所示，上述的晶片320，其一主动面321上是具有复数个凸块322，该晶片320设置于该COF薄膜卷带310上且该些凸块322是电性连接至该COF薄膜卷带310，在本实施例中，该些第一引线312是具有复数个第一内接指312a，该些第二引线313是具有复数个第二内接指313a，该晶片320的该些凸块322是电性连接该些第一内接指312a与该些第二内接指313a，该些凸块322与该COF薄膜卷带310的该些第一内接指312a以及该些第二内接指313a是可以超声波键结方式电性连接。
此外，上述的COF薄膜卷带310，是包含有一阻焊层(so1derresist)316，其是形成于该可挠性介电层311上并显露该些第一内接指312a与该些第二内接指313a。
上述的封胶体330，是形成于该晶片320与COF薄膜卷带310之间，以密封该些凸块322、该些第一内接指312a以及该些第二内接指313a。其中该封胶体330是可选自于非导电胶(Non Conductive Paste，NCP)或底部填充胶(underfill)。
当点涂该封胶体330于该COF薄膜卷带310与该晶片320时，该封胶体330是点涂于该晶片320的周边，再流布至该COF薄膜卷带310与该晶片320之间，并且该封胶体330是可流布于该些通孔315中，由于空气与该封胶体330的流动速率不相同，藉由该些通孔315可将该封胶体330所包覆于该COF薄膜卷带310与该晶片320间的空气排出，而可避免空气被包覆而形成气泡。此外，当固化该封胶体330时，该些通孔315可降低应力残留的现象，以防止该薄膜覆晶封装构造300分层断裂，并可以避免该COF薄膜卷带310收缩，以保持该薄膜覆晶封装构造300的外形美观。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
权利要求1.一种薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含一COF薄膜卷带，其包含有一可挠性介电层、复数个第一引线以及复数个第二引线，该可挠性介电层是定义有一晶片接合区，该些第一引线以及该些第二引线是形成于该可挠性介电层，其中该晶片接合区是形成有复数个通孔，该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间；一晶片，其具有复数个凸块，该晶片是设置于该COF薄膜卷带上，且该些凸块是电性连接至该COF薄膜卷带的该些第一引线以及该些第二引线；以及一封胶体，其形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间，以密封该些凸块。
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中所述的该些通孔是位于该晶片接合区的中央。
3.一种覆晶封装的COF薄膜卷带，其特征在于其包含一可挠性介电层，其定义有一晶片接合区，该晶片接合区形成有复数个通孔；以及复数个第一引线以及复数个第二引线，该些第一引线以及该些第二引线是形成于该可挠性介电层上，其中该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间。
4.根据权利要求3所述的覆晶封装的COF薄膜卷带，其特征在于其中所述的该些通孔是位于该晶片接合区的中央。
专利摘要本实用新型是有关于一种薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带，该薄膜覆晶封装构造主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带包含有一可挠性介电层、复数个第一引线以及复数个第二引线，该可挠性介电层定义有一晶片接合区，该晶片接合区形成有复数个通孔，且该些通孔是位于该些第一引线与该些第二引线之间，该晶片的复数个凸块是电性连接至该COF薄膜卷带，该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间，以密封该些凸块，其中该封胶体是可流布于该些通孔中。该些通孔可提高该薄膜覆晶封装构造内的排气效果，并且增加该COF薄膜卷带的抗应力强度，以避免该薄膜覆晶封装构造因该封胶体固化产生应力，而造成该薄膜覆晶封装构造分层断裂，并可保持该薄膜覆晶封装构造的外形美观。
文档编号H01L23/28GK2929962SQ200620118078
公开日2007年8月1日 申请日期2006年6月12日 优先权日2006年6月12日
发明者何志文, 杨志辉, 谢庆堂, 蔡坤宪, 林志松 申请人:飞信半导体股份有限公司