专利名称：用于电吸收调制激光器封装用的热沉的利记博彩app
技术领域：
本发明属于半导体光电子器件领域，更具体说是 一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉。
背景技术：
分布反馈(DFB )激光器与电吸收(EA )调制器的 单片集成器件，即电吸收调制激光器作为 一 种可靠的 光源在长距离高速光纤传输系统中发挥着重要的作 用。集成光源使用外调制技术避免了高速调制时激光 器中光子与电子之间的相互作用，减小了直接调制引 起的较大啁啾，而且，集成光源还具有体积小，耦合 效率高，低啁啾等优点。集成器件封装用的热沉不能 使用 一 般的分立器件使用的热沉，这是因为
1 ，集成器件中的DFB激光器和EA调制器工作所 需的电信号要同时加载，这至少需要三个热沉电极， 必须重新设计热沉上电极的位置；2集成器件中DFB和EA彼此之间存在着信号的
孝禺合，从EA调制器顶端焊盘力口载的高频信号能够通过
焊盘间的电容耦合到激光器的顶端焊盘对激光器进
行直接调制，经过调制的出射光注入到调制器被吸收
后在调制器的电端口也会引起附加调制c
这种光电耦合作用会降低集成光源的响应带宽，
对器件的高频特性产生很大影响。封装使用的热沉必
须消除掉这 一 因素。
发明内容
为了解决以上问题，本发明提出了 一种用于电吸
收调制激光器封装用的热沉，应用本发明的结构设计
可以很好地完成集成芯片的高频测试，同时避免了目IJ
述提到的耦合作用，从而极大地改善集成光源的高频
响应
本发明解决其技术问题的技术方案是
本发明一种用于电吸收调制激光器封装用的热
沉，苴 z 、藩 瞎在于，其中包括
热沉
一第一电极，该第 一 信号电极蒸镀在存、沉的
一侧该第一信号电极用来给电吸收调制激光器提供
工作时DFB激光器所需要的偏置电流；
一第二信号电极，该第二信号电极蒸镀在热沉的另一侧的上端，该第二信号电极用来给电吸收调制激光器提供工作时EA调制器所需要的反向偏置电压和高频调制信号；
一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在热沉上，位于第二信号电极的一侧，并与第二信号电极连接，该薄膜电阻的作用是在实际测试过程中降低电吸收调制激光器中EA调制器的高阻；
一地电极，该地电极蒸镀在热沉表面，形状概似一倒T型结构，该地电极与薄膜电阻连接，该地电极用来提供一个连接到地的电极；
一旁路电容，该旁路电容制作在地电极上，靠近第一信号电极，该旁路电容的作用是将DFB激光器和EA调制器之间存在的耦合电信号导入到地。
其中热沉的材料是氮化铝或无氧高电导铜或金刚石或银或金或碳化硅或氧化铍。
其中所述的薄膜电阻是50 Ω的匹配薄膜电阻。 其中所述的旁路电容是3 . 9 pF的旁路电容。
其中第一信号电极、第二信号电极和地电极的表面镀金。
本发明的有益效果是在热沉上制作了三个电极， 可以同时加载电信号到DFB激光器和EA调制器，完成
器件的高频测试；同时在热沉上靠近激光器信号电极的位置并联了 一个到地电极的电容，测试时，用金丝 将热沉上的信号电极和旁路电容连接起来，这样，从EA调制器耦合到激光器的高频信号就被导入到了地电 极，不会再对激光器产生附加调制，从而改善了集成 光源的高频响应特性。
为进 一 步说明本发明的技术内容，以下结合附图和实施例对本发明作进 一 步说明，其中
图1是本发明用于电吸收调制激光器封装用的热沉的结构俯视图2是应用本发明的 一 实施例，是用于电吸收调 制激光器封装用的具有旁路电容结构的热沉的测试装 配图。
具体实施例方式
请参阅图1所示，本发明是一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉，其中
包括
--热沉1，其中热沉1的材料是氮化铝或无氧高电导铜或金刚石或银或金或
碳化硅或氧化铍，
一第 一 信号电极3 ，该第 一 信号电极3蒸镀在热 沉1的 一 侧；第 一 信号电极3是为了给电吸收调制激 光器提供工作时 DFB激光器所需要的偏置电流，在三 端口测试中也可以直接为激光器提供所需要的高频调 制信号，在实际测试中，第 一 信号电极3将会用金丝 和电吸收调制激光器的DFB激光器的顶端焊盘相连接。
一第二信号电极4 ，该第二信号电极4蒸镀在热 沉1的另 一 侧的上端；第二信号电极4是给电吸收调 制激光器提供工作时EA调制器所需要的反向偏置电压 和高频调制信号，在实际测试中，第二信号电极4将 会用金丝和电吸收调制激光器的EA调制器的顶端焊盘 相连接。而由于实际测试中安置在热沉上的电吸收调 制激光器的EA调制器和DFB激光器是顺序排列的，所 以第 一 信号电极3和第二信号电极4的位置在电吸收调制激光器的出光方向上要错开，这样在实际测试中， 将第 一 信号电极3和第二信号电极4分别连接到DFB 激光器和EA调制器电极的金丝就可以很短，从而在很 大程度上避免了由金丝造成的不利影响。
其中第 一 信号电极3 、第二信号电极4和地电极 2的表面镀金。
一薄膜电阻5 ，该薄膜电阻5制作在热沉1上， 位于第二信号电极4的 一 侧，并与第二信号电极4连接；其中所述的薄膜电阻5是50Ω的匹配薄膜电阻 5 。薄膜电阻5是并联在热沉上电吸收调制激光器的 EA调制器的 一 端，作用是在实际测试过程中降低电吸 收调制激光器中EA调制器的高阻，便于对电吸收调制 激光器进行高频特性的测试。
一地电极2 ，该地电极2蒸镀在热沉1表面，形 状概似 一 倒T型结构，该地电极2与薄膜电阻5连接； 地电极2的作用是提供 一 个地电极，在对电吸收调制 激光器进行测试的过程中，地电极2将会和地连接起 来，发挥其作为地电极的功用。
一旁路电容6 ，该旁路电容6制作在地电极2上， 靠近第 一 信号电极3 。其中所述的旁路电容6是3 . 9 pF的旁路电容6 。旁路电容6是并联在热沉上电吸收 调制激光器的DFB激光器的 一 端，旁路电容6的作用 是将DFB激光器和EA调制器彼此之间存在的信号的耦 合导入到地。从EA调制器顶端焊盘加载的高频信号能 够通过焊盘间的电容耦合到激光器的顶端焊盘，旁路 电容6能够将耦合过来的信号直接导入到地，从而避免了对电吸收调制激光器的DFB激光器的附加调制， 得到更好的调制带宽。
实施例
请参阅图2所示，图2是应用本发明的 一 实施例，
是用于电吸收调制激光器封装用的具有旁路电容结构 的热沉的测试装配图，除了用于电吸收调制激光器封 装用的具有旁路电容结构的热沉外，还包括
一待测电吸收调制激光器7 ;其中待测电吸收调
制激光器7安置在形状概似 一 倒T型结构的地电极2 的T脚位置，同时待测电吸收调制激光器7的出光口 贴近地电极2的边缘。
二焊盘8、9 ;其中焊盘8 、 9分别为待测电吸调制激光器7的 DFB激光器和 EA调制器的顶端焊盘。
三金丝10 、11、12;其中金丝10连接待电吸收调制激光器7的EA调制器的顶丄山顺焊9和第信号电极4，金丝11连接待测电吸收调制激光器7的DFB激光器的顶端焊盘8和第一信号电极3;金 丝12连接第一信号电极3和旁路电容6 。
实际测试过程中，使用共面微波电极分别将电信 号加载在第 一 信号电极3和第二信号电极4上，待测 电吸收调制激光器7的DFB激光器被正向偏置激射出 光而EA调制器被反向偏置。加载到待测电吸收调制激 光器7的EA调制器顶端焊盘9的高频信号通过焊盘 8 、9之间的电容耦合到DFB激光器的顶端焊盘8 ，随后，高频信号通过金丝1 1 、 1 2和劳路电容6被 导入到地电极2 ，避免了对待测电吸收调制激光器的DFB激光器的附加直接调制所引起的较大的啁啾，大大提高了待测电吸收调制激光器的响应宽度。
权利要求
1、一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉，其特征在于，其中包括一热沉；一第一信号电极，该第一信号电极蒸镀在热沉的一侧，该第一信号电极用来给电吸收调制激光器提供工作时DFB激光器所需要的偏置电流；一第二信号电极，该第二信号电极蒸镀在热沉的另一侧的上端，该第二信号电极用来给电吸收调制激光器提供工作时EA调制器所需要的反向偏置电压和高频调制信号；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在热沉上，位于第二信号电极的一侧，并与第二信号电极连接，该薄膜电阻的作用是在实际测试过程中降低电吸收调制激光器中EA调制器的高阻；一地电极，该地电极蒸镀在热沉表面，形状概似一倒T型结构，该地电极与薄膜电阻连接，该地电极用来提供一个连接到地的电极；一旁路电容，该旁路电容制作在地电极上，靠近第一信号电极，该旁路电容的作用是将DFB激光器和EA调制器之间存在的耦合电信号导入到地。
2 、如权利要求1所述的用于电吸收调制激光器封装用的热沉，其特征在于，中沉的材料是氮化铝或无氧高电导铜或金刚石或银或金或碳化硅或氧化铍。
3 、如权利要求1所述的用于电吸收调制激光器封装用的热沉，其特征在于，其中所述的薄膜电阻是5 0 Q的匹配薄膜电阻。
4 、如权利要求1所述的用于电吸收调制激光器 封装用的热沉，其特征在于，其中所述的旁路电容是 3 . 9 pF的旁路电容。
5 、如权利要求1所述的用于电吸收调制激光器 封装用的热沉，其特征在于，其中第 一 信号电极、第 二信号电极和地电极的表面镀金。
全文摘要
一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉，包括一热沉；一第一信号电极蒸镀在热沉的一侧，用来给电吸收调制激光器提供工作时DFB激光器所需要的偏置电流；一第二信号电极蒸镀在热沉的另一侧的上端，用来给电吸收调制激光器提供工作时EA调制器所需要的反向偏置电压和高频调制信号；一薄膜电阻制作在热沉上，位于第二信号电极的一侧，并与第二信号电极连接；一地电极蒸镀在热沉表面，形状概似一倒T型结构，该地电极与薄膜电阻连接；一旁路电容制作在地电极上，靠近第一信号电极，该旁路电容的作用是将DFB激光器和EA调制器之间存在的耦合电信号导入到地。
文档编号H01S5/00GK101202418SQ200610165108
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月13日 优先权日2006年12月13日
发明者侯广辉, 宇 刘, 祝宁华 申请人:中国科学院半导体研究所