专利名称：高光电转换率,多层超薄膜p-n节太阳能电池工艺的利记博彩app
技术领域：
本项发明属新的太阳能电池结构和工艺。
(二)
背景技术：
本项发明用溅射(PVD sputtering)方法在抛光的不锈钢薄片上形成P-型半导体薄 膜，然后再在其上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节太阳能电 池的基本结构。
(三)
发明内容
发明内容分工艺和结构两部分
A) 高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺说明书
第l步分别用P-型半导体(SiB， GeB)， N-型半导体(SiP， GeP)和导电玻璃(ITO)做溅 射(PVD)靶材3个。
第2步用溅射(PVD)方法在抛光的不锈钢薄片上形成P-型半导体薄膜，然后再在其 上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节。其厚度在几个原子层左右。 第3步在超薄膜P-N节上用溅射方法形成一层导电玻璃薄膜，然后再用第2步中所描 述的方法形成第2层超薄膜P-N节。
第4步重复用第2， 3步中所描述的方法形成多层超薄膜P-N节。超薄膜P-N节层数取 决于光的穿透能力和半导体薄膜，导电玻璃薄膜的总厚度。光电转换效率可以高达50%。
B) 高光电转换率，多层超薄膜P-N节太阳能电池结构说明书
附图1是工艺说明中第2步后所形成的单层超薄膜P-N节。
附图2是工艺说明中第3步后所形成的双层超薄膜P-N节，多层超薄膜P-N节与此类似。
(四)
参见"高光电转换率，多层超薄膜P"N节太阳能电池结构"
(五) 具体实施方试
a) 购买溅射(PVD Sputtering)设备。
b) 购买溅射(PVD)靶材，SiB, GeB， SiP, GeP, ITO,
c) 参照高光电转换率,多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺说明书制造多层超薄膜P-N节。
权利要求
1. P-型半导体和N-型半导体做溅射靶材。
2. 用溅射方法在不锈钢膜片上形成P-型半导体薄膜，然后再在 其上又用溅射方法形成N-型半导体薄膜，从而形成超薄膜P-N节。
3. 在超薄膜P-N节上用溅射方法形成一层导电玻璃(ITO),然后 再用第2条中所描述的方法形成第2层超薄膜P-N节。
4. 重复用第2， 3条中所描述的方法形成多层超薄膜P-N节从而达高光电转换效率。
全文摘要
本项发明属于新的太阳能电池结构和工艺。本项发明使用溅射(PVD)方法在不锈钢薄片上形成多层超薄膜P-N节。太阳能电池光电转换效率可以高达50％。
文档编号H01L31/06GK101207166SQ20061015767
公开日2008年6月25日 申请日期2006年12月19日 优先权日2006年12月19日
发明者康优梅, 王在昕 申请人:康优梅;王在昕