专利名称：有机电激发光元件的制造方法及影像显示系统的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种电激发光元件的制造方法和采用该电激发光元件的影 像显示系统，且特别是涉及一种薄膜晶体管的制造方法和采用该薄膜晶体管 的影像显示系统。
背景技术：
一般而言，薄膜晶体管主要包括非晶硅薄膜晶体管与多晶硅薄膜晶体
以区分为发光区与电路区，而阵列基板的制造方法主要包括形成薄膜晶体 管(thin film transistor; TFT)、形成像素电极、以及形成有机发光二极管。其 中，薄膜晶体管的制造工艺通常包括下列步骤在基板的整个表面上形成緩 冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、层间介电层。在薄膜晶体管完成之后， 接着形成像素电极，且此像素电极与薄膜晶体管呈电连接。之后，再于发光 区上形成透明阳极、有机发光层、以及反射式阴极，而完成电激发光元件的 制作。通常，多晶硅薄膜晶体管制造工艺中包含准分子激光退火(excimer
laser anneal; ELA )步骤，以将緩沖层上的非晶硅层转化为多晶硅层，而形成 多晶硅薄膜晶体管。
然而，由于准分子'激光退火(excimer laser anneal; ELA )步-骤所制作出 的薄膜晶体管(例如，用于驱动的薄膜晶体管(driving TFT))具有很大的 电子移动率(mobility)变异性，因此会导致每一个子像素的发光亮度皆不 一致，而产生颜色不均(Mura)的缺陷。
因此业界亟需一种可以解决上述问题的电激发光元件。
发明内容
鉴于上述问题，本发明几个优选实施例通过增加保护膜(protection film ) 的方式，以改善薄膜晶体管间电性差异过大的问题。而且，通过增加保护膜 的方式，可以使用较小的通道长度(channel length)而提高开口率。
本发明优选实施例提供一种有机电激发光元件的制造方法，包括提供 基板，该基板包括第一元件区域与第二元件区域；形成非晶硅层于该基板上 方；形成保护膜于该第二元件区域内的部分该非晶硅层上方；对该非晶硅层 进行准分子激光退火工艺，以将该非晶硅层转化为多晶硅层；移除该保护膜； 以及图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在 该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶 粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。
本发明另一优选实施例提供一种有机电激发光元件的制造方法，包括 提供基板，该基板包括第一元件区域与第二元件区域；形成第一、第二图案 化非晶硅层于该第一、第二元件区域上方；形成保护膜于该第二图案化非晶 硅层上方；以及对该第一、第二图案化非晶硅层进行准分子激光退火工艺， 以将该第一、第二图案化非晶硅层转化为第一、第二图案化多晶硅层，其中 该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有 机电激发光元件。
本发明又一优选实施例提供一种有机电激发光元件的制造方法，包括 提供基板，该基板包括第一元件区域与第二元件区域；形成图案化保护膜于 该第二元件区域上方；形成非晶硅层于该基板与该图案化保护膜上方；对该 非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以将该非晶硅层转化为多晶硅层；以及 该多晶硅层图案化，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在该 第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶粒 尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。
本发明还提供一种影像显示系统，包括有机电激发光元件，包括上 方具有像素区的基板，其中该像素区包括多个次像素，且每一个次像素包括 开关区及驱动区；开关薄膜晶体管，置于该开关区；以及驱动薄膜晶体管， 置于该驱动区，且至少包括栅极、位于该栅极下方的多晶硅层及位于该多晶 硅层下方的图案化保护膜，其中该图案化保护膜为金属层且介于该多晶硅层 与该基板之间。
综上所述，本发明优选实施例的方法可以改善薄膜晶体管间电性差异过 大的问题、提高开口率，并且不会增加工艺的复杂度。
图1为绘示有源矩阵式有机电激发光元件中一个像素的等效电路图。 面图。
图3a 3f为绘示本发明另 一优选实施例中有机电激发光元件的制造方法 的剖面图。
图4a 4g为绘示本发明又一优选实施例中有机电激发光元件的制造方法 的剖面图。
图5a 5g为绘示本发明又一优选实施例中有机电激发光元件的制造方法 的剖面图。
图6为绘示本发明优选实施例中用于显示影像的系统。 简单符号说明
1 开关薄膜晶体管区域；n 驱动薄膜晶体管区域；100~像素；102 ~开 关薄膜晶体管；104~驱动薄膜晶体管；106 有机发光二极管；108 ~数据 线；110~扫描线；112~储存电容；200~基板；202~緩沖层；204~非晶 硅层；204a 多晶硅层；204b 多晶硅层；204c 通道区；204d 源/漏极； 204，b 第一有源层；204，c 通道区；204，d 轻掺杂漏极；204，e ~源/漏极； 206~保护膜；208 准分子激光退火工艺；210 栅极介电层；212~栅极； 214~栅极；216 层间介电层；218~导线；220~保护层；224 透明电极； 300~基板；302~緩冲层；304-非晶硅层；304a ~图案化非晶硅层；304b ~ 图案化非晶硅层；304c~多晶硅层；304d~多晶硅层；304，a 通道区；304，b~ 轻4参杂漏极；304，c 源/漏极；304，d-通道区；304，e ~源/漏极；306 ~保护 膜；308 准分子激光退火工艺；309 栅极介电层；310~栅极；312~栅极； 314 层间介电层；316~导线；318~保护层；322 透明电才及；400~基板； 402 ~图案化保护膜；404 ~緩冲层；406 ~非晶硅层；406a~多晶硅层；406c ~ 通道区；406，a~图案化多晶珪层；406，b 轻掺杂漏极；406，c ~源/漏极； 406，d ~通道区；406b ~图案化多晶硅层；406d ~源/漏极；408 ~准分子激光 退火工艺；410~栅极介电层；412~栅极；414~栅极；416 层间介电层； 418~导线；420~保护层；424 透明电极；500~基板；502-图案化保护 膜；504~緩冲层；506~非晶硅层；506a 多晶硅层；506c-通道区；506，a、 506b~图案化多晶硅层；506，b 轻掺杂漏极；506，c ~源/漏极；506，d 通道 区；506b~图案化多晶硅层；506d-源/漏极；508 ~准分子激光退火工艺；
510 4册4及介电层；512~4册才及；514~才册才及；516 —层间介电层；518~导线； 520~保护层；524~透明电极；600 电子元件；610 有机电激发光元件；620~ 显示面板；630 控制器；640 平面面板元件；650 输入元件；2000 有机电 激发光元件；3000 有机电激发光元件；4000 有机电激发光元件。
具体实施例方式
图1为绘示有源矩阵式有机电激发光元件中一个像素的等效电路图。值 得注意的是，在说明书内所指的每一个"像素"包括一个开关薄膜晶体管 (switching thin film transistor )与驱动薄膜晶体管(driving thin film transistor)
如图1所示，在包括多个像素的像素区域(未显示)内，像素IOO包含 开关薄膜晶体管102、驱动薄膜晶体管104、有机发光二极管106、数据线 108、扫描线110以及储存电容112。有机发光二极管106还包括阳极、电激 发光层与阴极(未显示)。值得注意的是，开关薄膜晶体管102与驱动薄膜 晶体管104形成于同一像素内。
第1实施例面图。
如图2a所示，在包括第一元件区域(例如，开关薄膜晶体管(switching thin film transistor)区域I)与第二元件区域(例如，驱动薄膜晶体管(driving thin film transistor)区域II)的基板200上依次形成緩沖层202、非晶珪层 204与保护膜206。其中，保护膜206形成于第二元件区域I1内的部分非晶 硅层204上方；且保护膜206包括以硅为基材的材料，例如是氧化硅(SiOx )、 氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、或氧化硅与氮化硅的叠层结构。
如图2b所示，对非晶硅层204进行准分子激光退火工艺208，以将该非 晶硅层转化为多晶硅层(204a, 204b);但是，在准分子激光退火工艺208 中，因为保护膜206可以反射部分激光能量的缘故，所以导致部分多晶硅层 204a与部分多晶硅层204b具有不同结晶效果。也就是说，由于未被保护膜 206覆盖的部分多晶硅层204b直接受到完整的准分子激光能量照射的缘故， 所以具有较大尺寸的晶粒(grain)，而其电子迁移率大约为100cm2/V-s。另 一方面，由于保护膜206反射部分激光能量的缘故，因而下方的多晶硅层 204a的晶粒尺寸较小，但是晶粒均一性(uniformity)却增加，而其电子迁 移率大约小于100cm2/V-s。
如图2c所示，移除保护膜206。接着，如图2d所示，图案多晶硅层(204a， 204b)，而形成位于开关薄膜晶体管区域I内的第一有源层204，b与位于驱 动薄膜晶体管区域II内的第二有源层204a。
如图2e所示，形成栅极介电层210，以覆盖第一有源层204，b与第二有 源层204a等图案化多晶硅层以及緩冲层202。
接着，如图2f所示，依次进行后续工艺，以形成栅极(212， 214)、 层间介电层216、导线218、覆盖层220、及透明电极(像素电极)224,由 于此部分并非本发明重点，在此省略说明。最后，完成有机电激发光元件 2000，包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管。上述开关薄膜晶体管包括栅 极212、栅极介电层210与第一有源层204，b;另外，上述驱动薄膜晶体管 包括栅极214、栅极介电层210与第二有源层204a。其中，第一有源层204，b 包括通道区204，c、轻掺杂漏极(lightly doped drain) 204，d、源/漏极204，e; 第二有源层204a包括通道区204c与源/漏极204d。
第2实施例
图3a 3f为绘示本发明另一优选实施例中有机电激发光元件的制造方法 的剖面图。
如图3a所示，在包括开关薄膜晶体管(switching thin film transistor)区 域I与驱动薄膜晶体管(driving thin film transistor)区域II的基板300上依 次形成緩沖层302与非晶硅层304。
如图3b所示，将非晶硅层304图案化，以形成位于开关薄膜晶体管区 域I的图案化非晶硅层304b以及位于驱动薄膜晶体管区域II的图案化非晶 硅层304a。
如图3c所示，形成覆盖图案化非晶硅层304a以及部分緩冲层302表面 的保护膜306。上述保护膜306包括以硅为基材的材料，例如是氧化硅 (SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、或氧化硅与氮化硅的 叠层结构。
如图3d所示，进行准分子激光退火工艺308，以将图案化非晶硅层304a 与304b转化为多晶硅层304c与304d。其中，位于开关薄膜晶体管区域I内 的多晶硅层304d作为后续形成的开关薄膜晶体管的第一有源层，而位于驱 动薄膜晶体管区域II内的多晶硅层304c则作为后续形成的驱动薄膜*体管
的第二有源层。但是，在准分子激光退火工艺308中，因为保护膜306可以 反射部分激光能量的缘故，所以导致多晶硅层304c与多晶硅层304d具有不 同结晶效果。换句话说，由于未被保护膜306覆盖的多晶硅层304b直接受 到完整的准分子激光能量照射的缘故，所以具有较大尺寸的晶粒(grain)， 而其电子迁移率大约为100cm2/V-s。另一方面，由于保护膜306反射部分激 光能量的缘故，因而下方的多晶硅层304c的晶粒尺寸较小，但是晶粒均一 性(uniformity)却增加，而其电子迁移率大约小于100cm2/V-s。
如图3e所示，形成栅极介电层309，以覆盖第一有源层与第二有源层等 图案化多晶硅层以及緩冲层302。
接着，如图3f所示，依次进行后续工艺，以形成栅极(310, 312)、 层间介电层314、导线316、覆盖层318、及透明电极(像素电极)322，由 于此部分并非本发明重点，在此省略说明。最后，完成有机电激发光元件 3000,包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管。上述开关薄膜晶体管包括栅 极310、栅极介电层309与第一有源层；另外，上述驱动薄膜晶体管包括栅 极312、栅极介电层309与第二有源层。其中，第一有源层包括通道区304，a、 轻掺杂漏极(lightly doped drain) 304，b、源/漏极304，c;第二有源层包括通 道区304'd与源/漏极304'e。
第3实施例
图4a 4g为绘示本发明又一优选实施例中有机电激发光元件的制造方法 的剖面图。
如图4a所示，在包括开关薄膜晶体管(switching thin film transistor)区 域I与驱动薄膜晶体管(driving thin film transistor)区域II的基板400上形 成图案化保护膜402。上述图案化保护膜位于驱动薄膜晶体管区域II内。上 述图案化保护膜402的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化 硅(SiOxNy)、或其叠层结构。
如图4b所示，形成緩沖层404于图案化保护膜402与基板400上方。 接着，形成非晶硅层406于緩冲层404上方，如图4c所示。
如图4d所示，对非晶硅层406进行准分子激光退火工艺408,以将非晶 硅层406转化为多晶硅层(406a, 406b )。
如图4e所示，将多晶硅层(406a, 406b)图案化，而形成图案化多晶 硅层406，a与406b。其中，位于开关薄膜晶体管区域I内的多晶硅层406，a
作为后续形成的开关薄膜晶体管的第一有源层，而位于驱动薄膜晶体管区域
II内的多晶硅层406b则作为后续形成的驱动薄膜晶体管的第二有源层。但 是，在准分子激光退火工艺408中，因为图案化保护膜402可以反射部分激 光能量的缘故，所以导致图案化多晶硅层406，a与406b具有不同结晶效果。 换句话说，由于图案化多晶硅层406，a直接受到准分子激光能量照射的缘故， 所以具有较大尺寸的晶粒(grain)，而其电子迁移率大约为100cm2/V-s。另 一方面，由于图案化保护膜402吸收部分激光能量的缘故，因而上方的图案 化多晶硅层406，a的晶粒尺寸较小，但是晶粒均一性(uniformity )却增加， 而其电子迁移率大约小于100cm2/V-s。
如图4f所示，形成栅极介电层410,以覆盖第一有源层与第二有源层等 图案化多晶硅层以及緩冲层402。
接着，如图4g所示，依次进行后续工艺，以形成栅极(412, 414)、 层间介电层416、导线418、覆盖层420、及透明电极(像素电极)424,由 于此部分并非本发明重点，在此省略说明。最后，完成有机电激发光元件 4000,包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管。上述开关薄膜晶体管包括栅 极412、栅极介电层410与第一有源层；另外，上述驱动薄膜晶体管包括栅 极414、4册极介电层410与第二有源层。其中，第一有源层包括通道区406，d、 轻掺杂漏极(lightly doped drain ) 406，b、源/漏极々06，c;第二有源层包括通 道区406c与源/漏极406d。
第4实施例
图5a 5g为绘示本发明又一优选实施例中有机电激发光元件的制造方法 的剖面图。
如图5a所示，在包括开关薄膜晶体管(switching thin film transistor)区 域I与驱动薄膜晶体管(driving thin film transistor)区域II的基板500上形 成图案化保护膜502。上述图案化保护膜位于驱动薄膜晶体管区域II内。上 述图案化保护膜502包括任何金属材料。
如图5b所示，形成緩沖层504于图案化保护膜502与基板500上方。 接着，形成非晶硅层506于緩沖层504上方，如图5c所示。
如图5d所示，对非晶硅层506进行准分子激光退火工艺508，以将非晶 硅层506转化为多晶硅层(506a， 506b )。
如图5e所示，将多晶硅层(506a， 506b)图案化，而形成图案化多晶
硅层506，a与506b。其中，位于开关薄膜晶体管区域I内的多晶硅层506，a 作为后续形成的开关薄膜晶体管的第一有源层，而位于驱动薄膜晶体管区域 II内的多晶硅层506b则作为后续形成的驱动薄膜晶体管的第二有源层。但 是，在准分子激光退火工艺508中，因为困案化保护膜502散热较其它部分 快的缘故，所以导致图案化多晶硅层506，a与506b具有不同结晶效果。换句 话说，由于图案化多晶硅层506，a直接受到完整的准分子激光能量照射的缘 故，所以具有较大尺寸的晶粒(grain)，而其电子迁移率大约为100cm2/V-s。 另 一方面，图案化保护膜502上方的图案化多晶硅层506，a的晶粒尺寸较小， 但是晶粒均一性(uniformity )却增力o，而其电子迁移率大约小于100cm2/V-s。
如图5f所示，形成栅极介电层510，以覆盖第一有源层与第二有源层等 图案化多晶硅层以及緩冲层502。
接着，如图5g所示，依次进行后续工艺，以形成栅极(512， 514)、 层间介电层516、导线518、覆盖层520、及透明电极(像素电极)524，由 于此部分并非本发明重点，在此省略说明。最后，完成有机电激发光元件 5000，包括开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管。上述开关薄膜晶体管包括栅 极512、栅极介电层510与第一有源层；另外，上述驱动薄膜晶体管包括栅 极514、栅极介电层510与第二有源层。其中，第一有源层包括通道区506，d、 轻掺杂漏极(lightly doped drain) 506，b、源/漏极506，c;第二有源层包括通 道区506c与源/漏才及506d。
图6为绘示本发明优选实施例中用于显示影像的系统。在此，此系统为 可以是显示面板620、平面面板元件640或电子元件600。上述有机电激发 光元件可以装配于显示面板而做成有机电激发光二极管面板。如图6所示， 显示面板620包含有机电激发光元件610,例如图2f、 3f与4g分别所示的 有才几电激发光元件2000、 3000与4000。在其它实施例中，平面面板元件640 可由显示面板620与控制器630所构成。在其它实施例中，显示面板620也 可以构成众多电子元件的一部分(例如，在此为电子元件600)。 一般而言， 电子元件600可以包含平面面板元件640，而平面面板元件640具有显示面 板620、控制器630与输入元件650。而且，输入元件650与平面面板元件 640耦接，且提供输入信号(例如，影像信号)至显示面板620以产生影像。 电子元件600可以是移动电话、数码相机、个人数字助理(personal digital assistant; PDA)、笔记本计算机、台式计算机、电视、车上显示器或可携式
DVD播放机。
综上所述，本发明几个优选实施例通过准分子激光退火(excimer laser anneal; ELA )步骤，在緩沖层上或下、或在栅极绝缘层上增加额外的保护膜 或金属膜，造成用于开关的薄膜晶体管(switching TFT )与用于驱动的薄膜 晶体管(driving TFT)具有不同的结晶效果。结果，具有上述不同的结晶效
而避免产生颜色不均(Mura)的缺陷。
权利要求
1.一种有机电激发光元件的制造方法，包括提供基板，该基板包括含有多个像素的像素区域，其中每一像素内包括第一元件区域与第二元件区域；形成非晶硅层于该基板上方；形成保护膜于该第二元件区域内的部分该非晶硅层上方；对该非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以将该非晶硅层转化为多晶硅层；以及图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。
2. 如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该保护膜 包括以硅为基材的材料。
3. 如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该准分 子激光退火工艺中，该保护膜用以反射部分激光能量。
4. 如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括 在该图案该多晶硅层的步骤后，形成栅极介电层，以覆盖该图案化多晶硅层。
5. 如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中位于该第 一元件区域内的第一图案化多晶硅层为第一有源层，位于该第二元件区域内 的第二图案化多晶硅层为第二有源层。
6. 如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一元 件区域内形成开关薄膜晶体管元件，而该第二元件区域内形成驱动薄膜晶体 管元件。
7. 如权利要求6所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括 有机发光二极管，其中该有机发光二极管与该驱动薄膜晶体管元件形成电连接。
8. 如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在准分子 激光退火工艺之后移除该保护膜。
9. 如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该非晶硅层形成于该基板上方的步骤后立即将该非晶硅层图案而先形成第 一 、第二 图案化非晶硅层于该第一、第二元件区域上方。
10. 如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该保护膜 包括以硅为基材的材料。
11. 如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该准分 子激光退火工艺中，该保护膜可以反射部分激光能量。
12. 如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括 在该准分子激光退火工艺之后，形成栅极介电层，覆盖该未被保护膜覆盖的多晶硅层、基板与该保护膜。
13. 如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一、 第二图案化多晶硅层分别为位于该第一元件区域内的第一有源层与位于该 第二元件区域内的第二有源层。
14. 如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一元 件区域内形成开关薄膜晶体管元件，而该第二元件区域内形成驱动薄膜晶体 管元件。
15. 如权利要求14所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括 有机发光二极管，其中该有机发光二极管与该驱动薄膜晶体管元件形成电连接。
16. —种有机电激发光元件的制造方法，包括提供基板，该基板包括含有多个像素的像素区域，其中每一像素内包括 第 一元件区域与第二元件区域；形成图案化保护膜于该第二元件区域上方；形成非晶硅层于该基板与该图案化保护膜上方；对该非晶硅层进行准分子激光退火工艺以将该非晶硅层转化为多晶硅 层；以及图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在 该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶 粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。
17. 如权利要求16所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该图案 化保护膜包括金属材料。
18. 如权利要求16所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该准分子激光退火工艺中，该图案化保护膜有较高的热传系数。
19. 如权利要求16所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括 在该图案该多晶硅层的步骤后，形成栅极介电层，以覆盖该图案化多晶硅层与该基板。
20. 如权利要求16所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一、 第二图案化多晶硅层分别为位于该第一元件区域内的第一有源层与位于该 第二元件区域内的第二有源层。
21. 如权利要求16所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一 元件区域内形成开关薄膜晶体管元件，而该第二元件区域内形成驱动薄膜晶 体管元件。
22. 如权利要求21所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括 有机发光二极管，其中该有机发光二极管与该驱动薄膜晶体管元件形成电连接。
23. —种影像显示系统，包括 有机电激发光元件，包括上方具有像素区的基板，其中该像素区包括多个次像素，且每一个次像 素包括开关区及驱动区；开关薄膜晶体管，置于该开关区；以及驱动薄膜晶体管，置于该驱动区，且至少包括栅极、位于该栅极下方的 多晶硅层及位于该多晶硅层下方的图案化保护膜，其中该图案化保护膜为金 属层且介于该多晶硅层与该基板之间。
24. 如权利要求23所述的影像显示系统，还包括显示面板，其中该有机 电激发光元件形成该显示面板的一部分。
25. 如权利要求24所述的影像显示系统，还包括电子元件，其中该电子 元件包括该显示面纟反；以及耦接至该显示面板的输入单元，且该输入单元用以提供输入信号至该显 示面板，因而该显示面板显示影像。
26. 如权利要求25所述的影像显示系统，其中该电子元件为移动电话、 数码相机、个人数字助理、笔记本计算机、台式计算机、电视、车上显示器或可携式数字多功能光盘播放机。
全文摘要
一种有机电激发光元件的制造方法，包括提供基板，该基板包括第一元件区域与第二元件区域；形成非晶硅层于该基板上方；形成保护膜于该第二元件区域内的部分该非晶硅层上方；对该非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以将该非晶硅层转化为多晶硅层；移除该保护膜；以及图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。
文档编号H01L21/70GK101170076SQ20061013773
公开日2008年4月30日 申请日期2006年10月27日 优先权日2006年10月27日
发明者刘俊彦, 曾章和, 詹川逸 申请人:统宝光电股份有限公司