专利名称：用于高压工艺的横向pnp器件结构的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种集成电路半导体器件，尤其涉及一种用于高压(HV) 工艺的横向PNP (LPNP)器件结构。
背景技术：
横向PNP (LPNP)器件广泛用于各种不同的设计中，在技术文献和论 文中，发表了很多不同种类和Layout (版图)的结构和设计。
如图1所示，现有的用于高压工艺的常规LPNP器件结构，由内向外 包括Collector (集电极)，Emitter (发射极)，Base (基极)和Psub (衬 底)，最里面的P+Diff (P+扩散层)为集电区，其外围有一圈闭合的Field (场氧化层)作为隔离，Field外的P+Diff为发射区，HVNwell (高压N 阱)上N+Diff (N+扩散层)区域为基区电位引出端，在器件上覆盖一层 HVOX (厚氧层)，定义高压氧化层区域，Psub (衬底)作为P型衬底的电 位引出端。该Collector和Emitter之间采用Field (场氧化层)隔离， 以HVNwell (高压N阱)作为Base，该LPNP器件有面积较大，噪声大， 放大系数小等缺点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于高压工艺的横向PNP器件结 构，有耐高压，成本低，面积小，噪声小等特点。
为解决上述技术问题，本发明提供一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，还包括栅，该栅设 于集电极和发射极之间。
所述的用于高压工艺的横向PNP器件作为PNP工作时，在所述的栅上 加正电压，使晶体管处于完全截止的状态。
所述的集电极和所述的发射极之间设有一层多晶硅。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于本发明实现了一种用于高 压工艺的横向PNP器件结构，该结构在Collector和Emitter之间采用 Poly (多晶硅)作为隔离，同时作为Gate (栅)可加电压，在作为PNP 工作时，在Gate上加正电压，使晶体管处于完全截止的状态，有效地降 低了噪声；同时与Field氧化膜隔离的LPNP结构相比，Base区可以做得 更窄，Base/Emitter, Base/Collector结的面积可以做得更大，有利于 提高LPNP的放大倍数。因此，本发明设计的横向PNP器件结构可以使用 于各种高压工艺，具有成本低，无需增加额外工艺步骤，耐高压，与常规 高压工艺兼容，面积小，噪声低的特点。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1是现有的用于高压工艺的常规LPNP器件结构的版面示意图2是本发明用于高压工艺的LPNP器件结构的版面示意图3是本发明用于高压工艺的LPNP器件结构的截面示意图。
具体实施例方式
在高压工艺下实现耐高压横向PNP器件的Layout (版图)结构如下 如图2和图3所示，该LPNP器件包括Collector (集电极)，Base (基
极)，Emitter (发射极)，Gate (栅)和Psub (衬底)，在Gate (栅)内 的P-Diff (P-扩散层)和P+Diff (P+扩散层)区域为集电区，其外包围 一个闭合的多晶硅环作为Gate (栅)，Gate (栅)外的P-Diff和P+Diff 为发射区，HV Nwell (高压N阱)上N+Diff (N+扩散层)区域为基区电 位引出端，在器件上覆盖一层HVOX(厚氧层)，定义高压氧化层区域，Psub (衬底)作为P型衬底的电位引出端。
该LPNP器件结构在Collector和Emitter之间采用Poly (多晶硅) 作为隔离，同时作为Gate可加电压，在作为PNP工作时，在Gate上加正 电压，使晶体管处于完全截止的状态，有效地降低了噪声；同时与Field 氧化膜隔离的LPNP结构相比，Base区可以做得更窄，Base/Emitter、 Base/Collector结的面积可以做得更大，有利于提高LPNP的放大倍数。
权利要求
1、一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，其特征在于，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。
2、 如权利要求1所述的用于高压工艺的横向PNP器件结构，其特征 在于，所述的用于高压工艺的横向PNP器件作为PNP工作时，在所述的栅 上加正电压，使晶体管处于完全截止的状态。
3、 如权利要求1所述的用于高压工艺的横向PNP器件结构，其特征 在于，所述的集电极和所述的发射极之间设有一层多晶硅。
全文摘要
本发明公开了一种用于高压工艺的横向PNP器件结构，由内向外包括集电极、发射极、基极和衬底，还包括栅，该栅设于集电极和发射极之间。本发明的横向PNP器件可以使用于各种高压工艺，具有成本低，无需增加额外工艺步骤，与常规高压工艺兼容，面积小，噪声低的特点。
文档编号H01L29/66GK101202303SQ20061011956
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月13日 优先权日2006年12月13日
发明者李平梁 申请人:上海华虹Nec电子有限公司