专利名称：栅极氧化层利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺领域，尤其是半导体制造工艺领域中的一 种栅极氧化层利记博彩app。
背景技术：
热载流子注入效应是非常著名的半导体效应。热载流子是在M0S管漏 端附近的强电场作用下具有很高能量的导带电子或价带空穴。热载流子可 以通过多种机制注入到M0S管的栅氧化层中，这被称为热载流子注入效应。 热载流子注入效应会导致硅与二氧化硅分界面缺陷和二氧化硅内的热载流 子缺陷。热载流子注入效应对半导体器件的性能存在突出的影响。
以NM0S器件为例，沟道热电子注入使得沟道热电子在漏端附近发生碰 撞获得足够的垂直方向上的动量而进入到栅氧化层。漏雪崩热载流子注入 会产生在漏端附近碰撞离化和雪崩倍增产生的热电子和热空穴注入。注入 到栅氧化层的热载流子可以在氧化层中产生陷阱电荷，在器件的硅一一二 氧化硅界面产成界面态，从而导致器件性能的退化，如阈值电压的漂移、 跨导和驱动电流能力下降、亚阈值电流增加。
热载流子注入效应会降低N型半导体，如NM0S器件的开启电流，同时 会升高P型半导体，如PMOS器件的关断电流。热载流子效应对器件的性能 和寿命有着至关重要的重大影响，尤其对于一些特殊制程，由于器件尺寸 和注入条件之间的相互制约，使得热载流子注入效应显得尤为突出。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种栅极氧化层利记博彩app，能够控 制热载流子注入效应的发生，减缓热载流子注入效应对器件性能的不良影 响，从而改善器件性能。
为解决上述技术问题，本发明栅极氧化层利记博彩app所采用的技术方案 是，包括以下步骤首先，在二氧化硅层上铺垫一层多晶硅；其次，打开 多晶硅刻蚀区域；然后，进行多晶硅刻蚀的过刻，在多晶硅和二氧化硅分 界面形成向内缺口；再对多晶硅进行氧化，在第三步中形成的缺口处形成 二氧化硅；最后，刻蚀去除覆盖在多晶硅上的氧化层，在沟道与多晶硅之 间形成形成栅极氧化层。
本发明栅极氧化层利记博彩app，利用过刻刻蚀形成在多晶硅和二氧化硅 分界面向内的缺口，在多晶硅的再氧化的过程中，该缺口将全部被二氧化 硅填满，并最终在源漏端形成较中央沟道上方更加厚的氧化层，从而增加 器件的漏端栅氧厚度。本发明增加器件了漏端栅氧厚度，从而减小器件漏 端的纵向电场强度，控制热载流子注入效应的发生，减缓热载流子注入效 应对器件性能的不良影响。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1为本发明方法流程图2至图5为本发明实施例示意图。
具体实施例方式
如图1所示，本发明栅极氧化层利记博彩app包括以下步骤首先，如图2 所示，在P型阱上的二氧化硅层，即栅极氧化层上铺垫一层多晶硅，所铺
垫的二氧化硅厚度依照不同工艺要求在1000埃至3000埃之间。然后，打 开多晶硅刻蚀区域，此处采用光刻的方式打开多晶硅刻蚀区域。如图3所 示，利用干法刻蚀在多晶硅刻蚀时在多晶硅和二氧化硅分界面形成向内缺 口。依照不同工艺条件不同，该向内缺口在水平方向的进深不超过漏极与 沟道衬底分界处。接着，如图4所示，进行多晶硅再氧化，在多晶硅刻蚀 过程中所形成的缺口处形成厚度在30埃至150埃之间的二氧化硅，使栅氧 靠近多晶硅两侧二氧化硅比沟道上方中央部分二氧化硅要厚一些，从而增 加器件的漏端栅氧厚度。最后，如图5所示，刻蚀去除覆盖在多晶硅上的 氧化层，在沟道与多晶硅之间形成形成栅极氧化层。
本发明在多晶硅刻蚀时，通过过刻刻蚀形成在多晶硅和二氧化硅分界 面向内的缺口，在多晶硅的再氧化的过程中产生的二氧化硅将该缺口全部 填满，并最终在源漏端形成较中央沟道上方更加厚的氧化层，从而增加器 件的漏端栅氧厚度。本发明增加器件了漏端栅氧厚度，从而减小器件漏端 的纵向电场强度，控制热载流子注入效应的发生，减缓热载流子注入效应 对器件性能的不良影响。
权利要求
1、一种栅极氧化层利记博彩app，其特征在于，包括以下步骤第一步，在二氧化硅层上铺垫一层多晶硅；第二步，打开多晶硅刻蚀区域；第三步，进行多晶硅刻蚀的过刻，在多晶硅和二氧化硅分界面形成向内缺口；第四步，多晶硅再氧化，在第三步中形成的缺口处形成二氧化硅；第五步，刻蚀去除覆盖在多晶硅上的氧化层，在沟道与多晶硅之间形成形成栅极氧化层。
2、 如权利要求1所述的栅极氧化层利记博彩app，其特征在于，第一步中 铺垫的多晶硅厚度为1000埃至3000埃。
3、 如权利要求1所述的栅极氧化层利记博彩app，其特征在于，第二步采 用光刻方法打开多晶硅刻蚀区域。
4、 如权利要求1所述的栅极氧化层利记博彩app，其特征在于，第三步中 采用干法刻蚀方式进行多晶硅刻蚀的过刻。
5、 如权利要求1所述的栅极氧化层利记博彩app，其特征在于，第四步中 多晶硅再氧化形成的二氧化硅厚度为30埃至150埃。
全文摘要
本发明公开了一种栅极氧化层利记博彩app，包括以下步骤第一步，在二氧化硅层上铺垫一层多晶硅；第二步，打开多晶硅刻蚀区域；第三步，进行多晶硅刻蚀的过刻，在多晶硅和二氧化硅分界面形成向内缺口；第四步，多晶硅再氧化，在第三步中形成的缺口处形成二氧化硅；第五步，形成栅极氧化层。本发明通过增加器件的漏端栅氧厚度，能够控制热载流子注入效应的发生，减缓热载流子注入效应对器件性能的不良影响，从而改善器件性能。
文档编号H01L21/02GK101202220SQ200610119560
公开日2008年6月18日 申请日期2006年12月13日 优先权日2006年12月13日
发明者陈晓波 申请人:上海华虹Nec电子有限公司