专利名称：浅沟槽结构及其填充方法
技术领域：
本发明涉及一种浅沟槽(STI)结构。另外还涉及浅沟槽(STI) 的填充方法。
背景技术：
现有浅沟槽制作填充方法，如图1所示，它是现有浅沟槽填充工 艺流程示意图；并结合图2进行说明，图2是图1对应的浅沟槽填充 过程示意图；工艺流程如下
在步骤101中，在硅表面完成沟槽刻蚀后去胶及生长浅沟槽衬垫 氧化层(STI Liner) 10和氮化硅12;
在步骤102中，用高密度等离子体化学气相(HDP， High Density Plasma)沉积的方法对STI生长场氧11;
在步骤103中，对STI进行翻转刻蚀；
在步骤104中，对STI进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP);
在步骤105中，去除步骤101生成的氧化层10，完成了填充STI 制作工艺，最后STI中填入的为场氧11。
经过上述工艺虽然可以完成STI的填充，但需要五个步骤，工艺 较为复杂，成本较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种浅沟槽结构，该结构的生 产简单、成本较低。另外还提供了一种浅沟槽的方法，它可以简化工 艺流程，节约生产成本。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种浅沟槽结构，所述浅 沟槽的填充物为绝缘胶体材料。
一种浅沟槽的填充方法，它包括如下步骤第一步，浅沟槽的衬
垫氧化层和氮化硅生长；第二步，去除浅沟槽的氮化硅；第三步，将
绝缘胶体涂布到浅沟槽中。
因为本发明采用一种绝缘的胶体的材料作为沟槽的填充物取代 传统的用高密度等离子体化学气相沉积的方法生成的二氧化硅，与现 有工艺相比较，本发明省去了原来的翻转刻蚀和化学机械研磨，从而 起到简化工艺流程，节约生产成本的目的。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。
图1是现有浅沟槽填充工艺流程示意图； 图2是图1对应的浅沟槽填充过程示意图； 图3是本发明浅沟槽填充工艺流程示意图； 图4是图3对应的浅沟槽填充过程示意图。
具体实施例方式
如图3所示，它是本发明浅沟槽填充工艺流程示意图，结合图2 进行说明，图4是图3对应的浅沟槽填充过程示意图。它包括如下三 个步骤 步骤201，浅沟槽的衬垫氧化层进行生长，生长除氧化层20和
氮化硅22;
步骤202，去除浅沟槽的氮化硅22;
步骤203，将绝缘胶体21涂布到浅沟槽中，这样就完成了浅沟 槽的填充，形成了一种新的浅沟槽结构。
本发明采用一种绝缘的胶体的材料作为沟槽的填充物取代传统 的用高密度等离子体化学气相沉积的方法，与现有工艺相比较，本发 明在STI衬垫氧化层生长后，直接将STI氮化硅去除，然后用涂布 的方法将绝缘的胶体填充到沟槽中，即完成沟槽的填充工艺。
权利要求
1、一种浅沟槽结构，其特征在于，所述浅沟槽的填充物为绝缘胶体材料。
2、 一种浅沟槽的填充方法，其特征在于，它包括如下步骤 第一步，浅沟槽的衬垫氧化层和氮化硅生长；第二步，去除浅沟槽的氮化硅；第三步，将绝缘胶体材料涂布到浅沟槽中。
全文摘要
本发明公开了一种浅沟槽结构及其填充方法，该结构的生产简单、成本较低，该方法可以简化工艺流程，节约生产成本。浅沟槽结构在于浅沟槽的填充物为绝缘胶体材料。所述填充方法，它包括如下步骤第一步，浅沟槽的衬垫氧化层和氮化硅生长；第二步，去除浅沟槽的氮化硅；第三步，将绝缘胶体涂布到浅沟槽中。
文档编号H01L27/02GK101192603SQ200610118909
公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月30日 优先权日2006年11月30日
发明者周贯宇, 钱文生, 陈华伦 申请人:上海华虹Nec电子有限公司