专利名称：基板处理装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及具备导入外气进行排气的搬送室、负载锁定室等基板处理装置。
背景技术：
对玻璃基板(比如液晶基板)或半导体晶片(下面，也只称为“晶片”)等被处理基板实施蚀刻处理、成膜处理等特定处理的基板处理装置，具备在比如用于对晶片实施特定处理的处理室上连接负载锁定室构成的处理单元，同时，具备通过比如搬送臂等搬送机构对该处理单元进行晶片交接(晶片的搬进搬出)的搬送室。
在这种搬送室中，比如通过搬送机构，取出收纳于箱容器中的未处理晶片，向处理装置传递。这样，未处理晶片通过负载锁定室，被搬送到处理室，在处理室内实行晶片的处理。在处理室内的处理结束的处理完成晶片，从处理室返回到负载锁定室。然后，在搬送室中，通过搬送机构接收返回到负载锁定室的处理完成晶片，向箱容器回收。
这种基板处理装置中，为了阻止招致成品率降低的微粒(比如尘埃、垃圾、附着物、反应生成物等)附着在晶片上，比如在大气中进行晶片传递的搬送室中，在其上部设置从供气口吸入外气的供气扇，同时，在下部设置排气口，通过驱动该供气扇，从供气口吸入外气，从排气口排气，这样，形成从搬送室内的上部朝向下部的一定的气流(比如，空气的下降气流)。基板处理装置通常设置在清洁室内，因此，清洁室内的空气被向搬送室导入，从搬送室返回到清洁室内。
专利文献1特许2001-15578号公报专利文献2特开平6-224144号公报非专利文献1Kanzawa.k，Kitano.J，“A semiconductor devicemanufacturer’seff orts for controlling and evaluating atmosphericpollution”，(Advanced Semicond uctor Manufacturing Conference andWorkshop，1995.ASMC 95Proceedings.IEEE/SEM I 1995)，13-15 Nov1995，pp.190-19
发明内容可是，在通过搬送室回收处理完成晶片时，有时处理气体的气体成分附着在该处理完成晶片上，就那样被搬送到搬送室。在这样的情况下，根据上述那样的搬送室，那种气体成分和搬送室的空气一起，比如向清洁室排气，所以，根据该排气中包含的气体成分的种类不同，有可能污染清洁室内部。比如，在以含有Cl、Br的气体等腐蚀性气体为处理气体使用的情况下，如果含有那种气体成分(比如，Cl2、Br2、HCl、HBr等)的空气从搬送室向清洁室排气，则清洁室内的机械的材料有可能发生腐蚀。
这一点，也考虑到如果将搬送室的排气口连接在工厂的排气设备(比如除害设备)上，使从搬送室排出的气体全部排出到工厂的排气设备中，但是，这样的话，存在增大工厂的排气设备的负担这样的问题。
另外，目前，已知有这样的设计在基板处理装置或清洁室中，为了使微粒等不进入其内部，在基板处理装置或清洁室的供气侧设置过滤器，除去微粒等。比如，专利文献1及非专利文献1为这样的设计在配置基板处理装置等的整个清洁室或区划清洁室的区域中的供气一侧(上部侧)设置过滤器，专利文献2为这样的设计在纵型热处理装置的供气一侧(侧部)设置过滤器。
可是，这种目前的基板处理装置或清洁室，在其供气一侧设置过滤器，为了使微粒等不进入基板处理装置或清洁室内，考虑了供气一侧，未考虑排气一侧。因此，即使将如现有技术那样的供气一侧的过滤器就那样适用于基板处理装置的搬送室，也不能解决因从搬送室的排气产生的上述那样的问题。
因此，本发明鉴于这样的问题而实施，其目的在于提供这样的基板处理装置可以防止比如附着在处理完成基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，就那样向外部排出，可以减轻工厂的排气设备等负担。
为了解决上述课题，根据本发明某种观点，提供一种基板处理装置，其特征在于，具备用于对被处理基板实施特定处理的处理单元，和向该处理单元搬进搬出被处理基板的搬送室，所述搬送室具备向所述搬送室内导入外气的供气部；与所述供气部相对地设置，对所述搬送室内进行排气的排气部；和设置在所述排气部，对所述排气进行过滤的排气过滤机构。在此情况下，所述排气过滤机构由至少除去比如所述排气中含有的有害成分的有害成分除去过滤器构成。具体地说，比如通过化学过滤器或活性炭过滤器构成。
根据这种涉及本发明的基板处理装置，在比如腐蚀性气体等处理气体附着在处理完成基板上，并原样地被搬入搬送室的情况下，该处理气体的气体成分通过排气过滤器而除去，之后，被向外部排气。这样，可以防止该气体成分原样地和搬送室等的排气一起被向外部排出。另外，由于能够除去附着在处理完成基板上而进入搬送室的气体成分之后进行排气，因此，可以不通过比如工厂的排气设备，将搬送室的排气就那样排气到搬送室外。这样，能够大幅度减轻工厂的排气设备的负担。
另外，所述排气部具备设置在比所述排气过滤机构还靠近所述排气下流一侧的排气扇，这样，排气扇不会暴露于排气所包含的腐蚀成分中，因此，作为排气扇，没有必要使用耐腐蚀性的产品。
另外，上述基板处理装置中的供气部优选具备对导入所述搬送室内的外气进行过滤的供气过滤机构。在此情况下，供气过滤机构由至少除去导入搬送室内的外气所含有的胺类成分(氨、胺等)的胺类成分除去过滤器构成。具体地说，例如由化学过滤器或活性炭过滤器构成。
根据这样设计，通过由设置在供气部的供气过滤机构，从导入到搬送室的外气中除去胺类成分(比如氨)，比如在腐蚀性气体等的处理气体的气体成分附着在处理完成基板上，原样地被搬入搬送室等的情况下，通过该气体成分和胺类成分发生化学反应，可以防止在基板上产生微粒。这样，通过不仅在排气部设置排气过滤机构，而且在供气部也设置供气过滤机构，可以使比如气体附着在处理完成基板上并原样地被搬入搬送室内时的对策万无一失。
另外，上述供气过滤机构不仅具备胺类成分除去过滤器，也可以具备除去导入所述搬送室内的外气中所含有的粒子的粒子除去过滤器。这样，可以防止垃圾或尘埃等粒子和外气一起进入搬送室内。
为了解决上述课题，根据本发明另一观点，提供一种基板处理装置，其特征在于，具备用于对被处理基板实施特定处理的处理单元和通过负载锁定室将被处理基板搬进搬出该处理单元的搬送室，所述负载锁定室具备向所述负载锁定室内导入外气的供气部；对所述负载锁定室内的酸进行排气的酸排气部，和设置在所述酸排气部，对所述酸排气进行过滤的排气过滤机构。在此情况下，所述排气过滤机构由至少除去所述排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器构成。
根据这种涉及本发明的基板处理装置，可以从通过负载锁定室的酸排气部排出的排气中除去腐蚀性气体的气体成分等的有害成分。这样，不将负载锁定室的酸排气部连接在工厂的排气设备上，可以就那样进行排气，因此，能够减轻工厂排气设备的负担。
另外，在上述负载锁定室的供气部也可以具备过滤导入所述负载锁定室内的外气的供气过滤机构。在此情况下，供气过滤机构由至少除去比如导入所述负载锁定室内的外气中所含有的胺类成分的胺类成分除去过滤器构成。这样，比如在腐蚀性气体等处理气体的气体成分附着在处理完成基板上，就那样被搬入负载锁定室的情况下，通过该气体成分和氨等胺类成分发生化学反应，能够防止在基板上产生微粒。
为了解决上述课题，根据本发明另一观点，提供一种基板处理装置，其特征在于，具备用于对被处理基板实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出被处理基板的搬送室，还具备连接在所述搬送室上，具有基板待机室和对该基板待机室进行排气的排气部的待机单元，所述基板待机室使通过所述处理装置处理的被处理基板临时待机；以及设置在所述待机单元的排气部，对所述酸排气进行过滤的排气过滤机构。在此情况下，比如排气过滤机构由至少除去所述排气中含有的有害成分的有害成分除去过滤器构成。
根据这种涉及本发明的基板处理装置，可以从通过待机单元的排气部排出的排气中除去腐蚀性气体的气体成分等有害成分。这样，不将待机单元的排气部连接在工厂的排气设备上，可以就那样进行排气，因此，能够减轻工厂排气设备的负担。
另外，在此情况下，在所述搬送室上进一步连接用于进行所述被处理基板的位置确定的位置确定装置，所述待机单元配置在所述位置确定装置的正下方。通过这种配置，能够提高在搬送室内搬送被处理基板的搬送机构的作业效率，能够提高生产能力。
根据本发明，在比如腐蚀性气体等处理气体的气体成分附着在处理完成基板上，就那样被搬入搬送室等的情况下，可以防止该气体成分就那样和搬送室等的排气一起向外部排出。据此，可以将搬送室等的排气直接排到清洁室内等。这样，由于没有必要将排气量比较多的搬送室等的排气向比如工厂的排气设备排气，因此，也能够大幅度减轻对工厂的排气设备施加的负担。
图1为表示涉及本发明的实施方式的基板处理装置的构成例的截面图。
图2为用于说明在处理完的晶片上产生微粒的过程的说明图。
图3为表示处理完的晶片的放置时间和在处理完的晶片上产生的微粒个数之间关系的说明图。
图4为表示搬送室的概略构成的截面图，为从端部方向看搬送室的截面的图。
图5为表示搬送室的概略构成的截面图，为从长度方向的侧面看搬送室200的截面的图。
图6为用于说明化学过滤器的构成的示意图，是从上方看化学过滤器的一部分时的图。
图7为表示利用氧排气单元进行排气的搬送室的构成例的图。
图8为表示涉及本发明的实施方式的基板处理装置的其他构成例的截面图。
符号说明基板处理装置；110(110A、110B)真空处理单元；120搬送装置；132(132A～132C)箱台；134(134A～134C)箱容器；136(136A～136C)门阀；137定位器；138旋转载置台；139光学传感器；140(140A、140B)各处理室；142(142A、142B)载置台；144(144A、144B)门阀；150(150A、150B)负载锁定室；152(152A、152B)门阀；154(154A、154B)缓冲用载置台；156(156A、156B)缓冲用载置台；160共通搬送机构(大气侧搬送机构)；162基台；170(170A、170B)个别搬送机构；172(172A、172B)拾取部；180控制部；200搬送室；210框体；212、214、216搬进搬出口；220天井部(上部)；222供气口；230供气部；232供气扇；234供气过滤机构；236供气过滤器；238框体；240底部(下部)；242排气口；250排气部；252排气扇；254排气过滤机构；256排气过滤器；258框体；260空间；280下降气流；300酸排气单元；310基板待机室；320酸排气部；322排气管；400搬送室；410排气管；412排气口；500基板处理装置；510真空处理单元；520搬送单元；540(540A～540F)处理室；542(542A～542F)载置台；544(544A～544F)门阀；550共通搬送室；554(554M、554N)门阀；560(560M、560N)负载锁定室；564(564M、564N)门阀；570搬送机构(真空侧搬送机构)；572基台；574导轨；576臂机构；W晶片。
具体实施例方式
下面，参照附图，关于本发明的合适的实施方式，详细地进行说明。另外，在本说明书及图纸中，关于在实质上具有同一功能构成的构成要素，通过赋予同一符号，省略重复说明。
(基板处理装置的构成例)首先，关于涉及本发明的实施方式的基板处理装置的构成例，参照附图进行说明。这里，以在搬送室上连接至少一个以上的真空处理单元的基板处理装置为例进行说明。图1为表示涉及本发明的实施方式的基板处理装置的构成例的截面图。
基板处理装置100具备对被处理基板比如半导体晶片(以下仅称为“晶片”)W进行成膜处理、蚀刻处理等各种处理的一个或者两个以上的真空处理单元110和向该真空处理单元110搬进搬出晶片W的搬送单元120。搬送单元120具有在搬送晶片W时共用的搬送室200。
图1表示在搬送单元120的侧面设置比如两个真空处理单元110A、110B。各真空处理单元110A、110B分别和处理室140A、140B连接设置，具有可抽真空地构成的负载锁定室150A、150B。各真空处理单元110A、110B这样构成在各处理室140A、140B内对晶片实施比如同种处理或者互不相同的异种处理。在各处理室140A、140B内，分别设置有用于载置晶片W的载置台142A、142B。另外，由该处理室140及负载锁定室150构成的真空处理单元110不限于两个，可以进一步追加设置。
上述搬送单元120的搬送室200，通过比如N2气体等惰性气体或者清净空气进行循环的截面为略矩形状的箱体构成。在构成搬送室200上的截面为略矩形状的长边的一侧面上，并列设置多个箱台132A～132C。这些箱台132A～132C作为载置箱容器134A～134C的被处理基板待机港发挥作用。图1中，举出比如在各箱台132A～132C上可以分别各载置一台箱容器134A～134C的例子，但是，箱台和箱容器的数量不限于此，比如可以是一台或两台，也可以设置四台以上。
各箱容器134A～134C中，可以以等间距多层地载置收容最多25片晶片W，内部成为比如N2气体充满的密闭构造。另外，搬送室200这样构成通过门阀136A～136C可向其内部搬进搬出晶片W。
在搬送室200内，设置沿其长度方向(图1中表示的箭头方向)搬送晶片W的共通搬送机构(大气侧搬送机构)160。该共通搬送机构160比如固定在基台162上，该基台162在搬送室200内的中心部，沿长度方向设置的未图示的引导轨道上比如可以通过线性驱动机构滑动移动。共通搬送机构160可以是具备如图1所示的两个拾取部的双臂机构，另外，也可以是具备一个拾取部的单臂机构。
在构成搬送室的截面为矩形状的长边的另一侧面上，分别通过可开闭地构成的门阀(大气侧门阀)152A、152B连接着上述两个负载锁定室150A、150B的基端。各负载锁定室150A、150B的前端通过可开闭地构成的门阀(真空侧门阀)144A、144B分别连接在上述处理室140A、140B上。
在各负载锁定室150A、150B内，分别设置有临时载置晶片W，进行待机的一对缓冲用载置台154A、156A及154B、156B。这里，以搬送室侧的缓冲用载置台154A、154B为第一缓冲用载置台，以相对侧的缓冲用载置台156A、156B为第二缓冲用载置台。另外，在两缓冲用载置台154A、156A之间及154B、156B之间，设置有可屈伸、旋转及升降的由多关节臂构成的个别搬送机构(真空侧搬送机构)170A、170B。
在这些个别搬送机构170A、170B的前端，设置拾取部172A、172B，使用该拾取部172A、172B，在第一、第二两缓冲用载置台154A、156A，及154B、156B之间，能够进行晶片W的接收传递移载。另外，从负载锁定室150A、150B向处理室140A、140B内进行的晶片W的搬进搬出，分别使用上述个别搬送机构170A、170B进行。
在搬送室200的一端部，即构成截面为略矩形状的短边的一侧面上，设置作为晶片W的位置固定装置的定位器(预调整台)137。定位器137比如在内部具备旋转载置台138和光学性检测晶片W的周缘部的光学传感器139，检测晶片W的定位平面或凹口等，进行位置确定。
在搬送室200的另一端部，即构成截面为略矩形状的短边的另一侧面上，设置作为待机单元的氧排气单元300。该氧排气单元300根据附着在处理完成的晶片W上的处理气体的气体成分等，使之待机到从处理完成的晶片W上放出的气体不再放出为止。这种氧排气单元300的构成后面叙述。
另外，图1所示的基板处理装置的构成例中，举出在和定位器137的相反一侧的端部设置氧排气单元300的情况为例，但并不一定局限于此，也可以将氧排气单元300设置在和定位器137相同一侧的端部，即设置在搬送室200的一端部上。在此情况下，优选将氧排气单元300设置在定位器137的正下方。
通过做成这种配置，通过共通搬送机构160比如从负载锁定室150一搬出处理完成的晶片W，就使共通搬送机构160向搬送室200一端部的特定位置移动，就这样在将处理完成的晶片W搬入氧排气单元300的同时，可以从定位器137中搬出未处理的晶片W。这样，能够提高共通搬送机构160的作业效率，可以提高生产能力。
在通过这种构成的基板处理装置进行晶片处理的情况下，通过共通搬送机构160，从各箱容器134A～134C取出进行处理的晶片W。通过共通搬送机构160取出的晶片W，被搬送到定位器137，移载于定位器137的旋转载置台138上，在此被固定位置。被固定位置的晶片W再次通过上述共通搬送机构160接受保持，被搬送到对该晶片W进行处理的真空处理单元110A或110B的负载锁定室150A或150B的正前方。然后，一旦门阀152A或152B被打开，则被共通搬送机构160保持的晶片W就从搬送室200向负载锁定室150A或150B内搬送。向负载锁定室150A或150B进行的晶片W的搬送一结束，门阀152A或152B就被关闭。
一打开门阀144A或144B，向负载锁定室150A或150B内搬入的晶片W，就通过个别搬送机构170A或170B向处理室140A或140B搬入。向处理室140A或140B进行的晶片W的搬入一结束，门阀144A或144B就被关闭，在处理室140A或140B内，比如以腐蚀性气体为处理气体使用，对晶片W实施蚀刻处理等特定处理。
然后，在处理室140A或140B内的晶片W的处理结束，一打开门阀144A或144B，晶片W通过个别搬送机构170A或170B就向负载锁定室150A或150B搬出。向负载锁定室150A或150B进行的晶片W的搬出一结束，门阀144A或144B就被关闭，进行向搬送室200的晶片W的搬出动作。即，为了消除处于大气压状态的搬送室200和负载锁定室150A或150B内的压力差，在进行了负载锁定室150A或150B内的大气开放后，打开门阀152A或152B。于是，处理完成的晶片W通过共通搬送机构160从负载锁定室150A或150B向搬送室200返回，门阀152A或152B被关闭。
(附着在处理完成的晶片W上的气体对策)然而，处理气体的气体附着在处理后的完成处理的晶片W上，有时就这样从处理室140通过负载锁定室150向搬送室200返回。通过这种附着在完成处理的晶片W上的气体，产生下述问题。
比如，气体附着在完成处理的晶片W上，如果就这样被搬送到搬送室200，则和完成处理的晶片W一起，附着在完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分进入搬送室200，因此，在搬送室200的排气中，有时含有那种气体成分。所以，比如在以含有Cl、Br等气体等的腐蚀性气体为处理气体使用的情况下，如果就那样将搬送室200内的空气向外部排出，则有可能就这样使含有该气体成分(比如Cl2、Br2、HCl、HBr)等有害成分被排气。
所以，本发明中，在搬送室200的排气一侧设置除去含有Cl、Br的气体等气体成分(比如Cl2、Br2、HCl、HBr)的排气过滤机构，通过排气过滤机构排出来自搬送室200的排气。这样，包含在来自搬送室200的排气中的成分通过排气过滤机构被除去，所以，可以防止在含有包含Cl、Br的气体等气体成分的状态下向搬送室200的外部(比如设置基板处理装置100的清洁室)排气。
另外，有时，上述那种附着在刚处理后的完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分(比如含有F、Br、Cl的气体等卤素类的气体成分)与完成处理的晶片W的表面结合，形成化合物。如果在完成处理的晶片W上形成这种化合物，则比如通过包含在包围完成处理的晶片W的氛围中的成分，有可能在完成处理的晶片W上产生微粒(反应生成物)。
这里，关于起因于这种附着在完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分，在完成处理的晶片W上产生的微粒，参照附图进行说明。图2为用于说明在完成处理的晶片W上产生微粒的过程的图。
如图2(a)所示，附着在完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分与完成处理的晶片W的表面结合，形成化合物A。比如，如果在处理气体中含有卤素类气体成分(比如含有F、Cl、Br等气体的气体成分)，则这些气体成分比如和完成处理的晶片W上的SiO2等结合，在完成处理的晶片W上形成化合物A。
在此情况下，在包围完成处理的晶片W的氛围中，如果含有比如胺类成分，则完成处理的晶片W的化合物A的卤素类化合物和氛围中的胺类成分反应，如图2(b)所示，在完成处理的晶片W的表面上形成盐B。这里，胺类成分中比如包含氨、胺等。胺中比如含有三甲胺、三乙胺、有机碱胺等。
这样，如果用化学式表示在完成处理的晶片W上形成盐B的一系列过程，则如下列化学式(1-1)～(1-3)所示。这里表示如下过程完成处理的晶片W的表面成分(SiO2)和处理气体的气体成分(HF)结合，形成化合物(SiF4)，该化合物(SiF4)和氛围中的氨(NH3)反应，形成卤素类氨盐[比如(NH4)2SiF6]。
……(1-1)……(1-2)……(1-3)完成处理的晶片W的表面成分(SiO2)和处理气体的气体成分(HF)结合，形成化合物(SiF4)，在此情况下，一般地考虑到如上列化学式(1-1)那样发生反应。
但是，在此情况下，如果在氛围中含有氨(NH3)，则也会想到如上列化学式(1-2)那样的反应。在这样的化学式(1-1)中，从左侧向右侧反应所需要的反应能量为1.0eV，与此相对，在化学式(1-2)中，从左侧向右侧反应所需要的反应能量，比上列化学式(1-1)低很多，为0.4eV。
这样，如果在氛围中包含氨(NH3)，则由于上述化学式(1-2)的反应更容易进行，所以，在完成处理的晶片W的表面上变得容易形成化合物(SiF4)。因此，由于上列化学式(1-3)的反应也容易进行，所以，容易形成卤素类的氨盐[(NH4)2SiF6]。
这样，如果附着卤素类气体成分的完成处理的晶片W被置于含有氨(NH3)的氛围中，则在完成处理的晶片W的表面上形成卤素类的氨盐[如(NH4)2SiF6]。
这样，如果在完成处理的晶片W的表面上形成像卤素类氨盐这样的盐B，则该完成处理的晶片W上的盐B慢慢地吸收包围完成处理的晶片W的氛围中所含有的水分(H2O)。于是，随着时间的经过，产生如图2(c)所示的微粒C。即，最初产生即使用0.001μm左右的电子显微镜也不能测到的小微粒C，随着其数量慢慢地增加，这些微粒C的大小也慢慢增大。比如经过一小时左右，成长为0.1μm左右，再经过二十四小时左右，则也有成长为0.5μm～0.7μm左右的微粒C。
其后，经过两三天左右，盐B被氛围中的水分(H2O)潮解，凝聚。然后，在微粒C中比如含有SiO2的情况下，如图2(d)所示，在微粒C的挥发结束后，SiO2作为残渣D残留在完成处理的晶片W上。另外，如果在微粒C中未含有比如SiO2，则微粒C挥发消失。
这里，关于将通过含有比如F成分的处理气体实施了蚀刻等处理的完成处理的晶片W放置于不含氨成分的氛围中的情况和放置于含有氨成分的氛围中的情况下，其放置时间和在完成处理的晶片W上产生的微粒个数之间的关系作成图表，表示在图3中。
图3(a)为将完成处理的晶片W放置于不含氨成分的氛围中的情况，图3(b)为将完成处理的晶片W放置于含氨成分的氛围中的情况。图3中，在横轴上表示时间，在纵轴上表示微粒个数。图3表示的图表为这样的图表在处理前tp、处理后(0小时后)t0、处理后一小时后t1、处理后二十四小时后t24通过比如电子显微镜在完成处理的晶片W上测到的能够观察到的0.12μm以上大小的微粒。
根据这种实验结果，如图3(a)所示，在将完成处理的晶片W放置于不含氨成分的氛围中的情况下，完成处理的晶片W上的微粒个数，即使时间经过，也几乎不发生变化。与此相反，如图3(b)所示，在将完成处理的晶片W放置于含氨成分的氛围中的情况下，发现仅仅是放置，完成处理的晶片W上的微粒个数随时间的经过而增加了。另外，在上述实验中，举出这样的例子进行了说明在完成处理的晶片W的处理气体中含有F成分的情况下，在完成处理的晶片W上形成氨盐[如(NH4)2SiF6]，但是，在完成处理的晶片W的处理气体中含有其他卤素成分(如Br等)的情况下，也与上述情况同样地，在完成处理的晶片W上形成氨盐[如(NH4)2SiBr6等]，因此，在完成处理的晶片W上产生微粒。
这样，在处理刚结束后的完成处理的晶片W上，根据处理气体的种类，该处理气体的气体成分(如含有F、Br、Cl的卤素类气体成分)和完成处理的晶片W的表面结合，形成化合物，该化合物和氛围中所包含的氨等胺类成分反应，形成成为微粒的盐。这样，关于处理刚结束后的完成处理的晶片W，仅仅通过放置在含有氨等胺类成分的氛围中，就产生微粒。因此，在完成处理的晶片W被搬送到搬送室200的情况下，如果导入含有氨成分的外气，则即使通过搬送室200内的氛围，也可能在完成处理的晶片W上产生微粒。
这种氨成分，比如从清洁室内的作业员身体也放出，所以，如果以清洁室的空气为外气，就那样导入搬送室200内，则在被导入的空气中必定含有氨成分，因此，在完成处理的晶片W上产生微粒的可能性高。此时，可以想到通过过滤清洁室本身，从清洁室本身除去氨成分，但是，如果这样，存在为维持清洁室内的环境耗费大量成本等这样的问题。
特别是，近年来，从上述那样的成本问题考虑，有这样的趋势并非对工厂内或清洁室内进行高清洁化，如采用SMIF(StandardMechanical Interface)等的小型环境系统等那样，进行仅对基板处理装置内等必要的部分进行高洁净化的局部洁净化。
但是，在导入了像这样的采用SMIF等的小型环境系统的最新工厂中，尽管使用局部洁净化技术，进行了垃圾或尘埃等微粒对策，但现状是，如上述那样的腐蚀性气体成分的微粒比如由氨成分产生的微粒的产生对策没有被实施。
为此，本发明中，在搬送室200的供气口设置除去氨等胺类成分的化学过滤器等供气过滤机构，通过该供气过滤机构，向搬送室200内导入外气。据此，包含在向搬送室200内导入的空气中含有的胺类成分通过供气过滤机构被除去，所以，能够防止产生起因于附着在完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分的微粒(比如腐蚀性气体成分的微粒、比如基于氨成分产生的微粒)。
这样，本发明中，不仅搬送室200的排气一侧，而且在供气一侧，通过设置过滤装置，也可以使对于附着在完成处理的晶片W上的气体的对策万无一失。
(搬送室的构成例)下面，参照
涉及这种本发明的实施方式的搬送室的构成例。图4、图5为表示涉及本实施方式的搬送室200的概略构成的截面图。图4为从端部方向看搬送室200的截面的图，图5为从长度方向的侧面方向(设置箱台132的一侧)看搬送室200的截面的图。另外，图4中，省略了共通搬送机构160，图5中省略了定位器137。
如图所示，搬送室200通过比如不锈钢或铝制框体210区划构成。在框体210的天井部(上部)220上，配置将空气导入搬送室200内部的供气部230，在框体210的底部(下部)240上，配置将从供气部230导入的空气(外气)向搬送室200的外部排气的排气部250。这样，通过与供气部230相对地置排气部250，在搬送室200内形成从天井部(上部)220朝向底部(下部)240的空气下降气流280。下面，关于这种供气部230及排气部250的构成，详细地进行说明。
首先，关于供气部230进行说明。供气部230具备从设置在框体210的天井部(上部)220上的供气口222导入空气的供气扇232、过滤通过供气扇232从供气口222导入的空气的供气过滤机构234。
具体地说，在框体210的天井部(上部)220的长度方向上，大致等间隔地设置多个供气口222(222A～222C)，在这些供气口222(222A～222C)的正下方分别配置多个供气扇232(232A～232C)。另外，在这些供气扇232(232A～232C)的正下方配置供气过滤机构234。
供气过滤机构234通过比如供气过滤器236和自由拆卸地保持供气过滤器236的框体238构成。另外，供气过滤机构234也可以将供气过滤器236直接自由拆卸地安装在框体210等上构成。
供气过滤器236由除去包含在从供气口222(222A～222C)导入的空气中的胺类成分的胺类成分除去过滤器等构成。这里，胺类成分中比如含有氨、胺等。胺中比如含有三甲胺、三乙胺、有机碱胺等。具体地说，供气过滤器236比如由化学过滤器、活性炭过滤器等构成。
另外，供气过滤机构234也可以做成上述胺类成分除去过滤器和除去导入搬送室200内的外气中所含有的尘埃或垃圾等粒子(微粒)的粒子除去过滤器这样的两层构成。据此，可以防止与外气一起，垃圾或尘埃等粒子进入搬送室200内。作为粒子除去过滤器，比如可以举出ULPA(Ultra Low Penetration Air)过滤器。
另一方面，排气部250具备从形成在框体210的底部(下部)240上的排气口242排出空气的排气扇252，和过滤通过排气扇252从排气口242排出的空气的排气过滤机构254。
具体地说，在框体210的底部240的长度方向上，大致等间隔地设置多个排气口242(242A～242E)，在这些排气口242(242A～242E)的正下方，分别配置多个排气扇252(252A～252E)。另外，在这些排气口242(242A～242E)的上方，覆盖着排气口242(242A～242E)配置排气过滤机构254。
各排气扇252(252A～252E)由比如通过DC(直流)马达进行旋转控制，可控制扇的旋转数的DC扇构成。这样，通过个别地调整各排气扇252(252A～252E)的风速，可以按照使在搬送室200内形成的空气的下降气流280形成直线的方式进行调整。假如在搬送室200内形成的下降气流280倾斜，流动发生混乱，则比如有发生微粒上卷，在搬送室200内通过共通搬送机构160附着在搬送中的晶片W上的可能。本实施方式中，由于可以进行调整，使空气的下降气流280形成直线，因此，可以防止比如微粒上卷这样的情况。
另外，排气扇252(252A～252E)的数量，不限于如图5表示的五个，既可以是四个以下，也可以是六个以上。这样，通过沿搬送室200的长度方向设置多个排气扇252，可以进行搬送室200的长度方向上的空气下降气流280的精细调整。
另外，本实施方式中，关于在供气部230处设置供气扇232的同时，在排气部250处也设置排气扇252的情况进行了说明，但是，也可以仅设置供气扇232和排气扇252的任一个。如果设置供气扇232和排气扇252的任一个，是因为使外气进入搬送室200内，能够产生空气流动，比如产生上述下降气流280。
不过，上述那样的空气的下降气流280，仅通过供气扇232，随着向搬送室200内的下方行进，空气的流动有可能发生混乱，所以，如本实施方式这样，通过在排气部250处也设置排气扇252，通过向下方也给予吸引力，能够更加使空气的下降气流280成为直线。
另外，在图5中表示的排气部250处，将排气扇252设置在了排气过滤机构254的下方，所以，通过排气过滤机构254除去了含有Cl、Br的气体等气体成分(如Cl2、Br2、HCl、HBr等)的空气通过排气扇252。这样，排气扇252不会处于排气中所包含的腐蚀成分中，所以，作为排气扇252，没有必要使用耐腐蚀性的排气扇。因此，作为排气扇252，可以使用便宜的排气扇。不过，作为排气部250，并不限于上述那样的情况，也可以将排气扇252设置在排气过滤机构254的下方。在这样的情况下，作为排气扇252，优选使用耐腐蚀性的。
排气过滤机构254比如由排气过滤器256和自由拆卸地保持排气过滤器256的框体258构成。框体258在排气过滤器256的下方留开空间260，保持排气过滤器256。这样，通过从各排气扇252(252A～252E)隔离空间260而配置排气过滤器256，可以使空气几乎均等地进入排气过滤器256(256A、256B)的整个面上。
另外，排气过滤机构254的框体258也可以这样构成在端部的一方或两方设置开口部，从该开口部在长度方向上可自由滑动地拆卸排气过滤器256。这样，排气过滤器256可以容易地从框体258上拆卸，所以，过滤器更换变得容易。
在此情况下，也可以将排气过滤器256分割为多个进行构成。这样，排气过滤器256从排气过滤机构254中滑动，变得容易抽出放入，因此，更换变得更加容易。另外，排气过滤器256的数量越多，越能缩小用于从排气过滤机构254取出排气过滤器256的、在框体210内确保的空间。这种排气过滤器256的数量虽然无论分割为几个都可以，但是，如果排气过滤器256的数量过多，则反而耗费更换时间。
因此，考虑搬送室200内的空间大小或者更换时间等，排气过滤器256的数量最好做成比如两个左右。另外，排气过滤机构254也可以将排气过滤器256直接自由拆卸地安装在框体210等上来构成。
另外，在上述排气过滤机构254的上部，比如通过维修等成为作业人员进入搬送室200内的立脚地，也可以安装上梯子。
作为上述排气过滤器256，通过可以除去包含在比如从排气口242(242A～242E)排气的空气中的有害成分的有害成分除去过滤器构成。作为有害成分，可以举出比如含有Cl、Br的气体等腐蚀性气体等气体成分(如Cl2、Br2、HCl、HBr等)。
作为这种排气过滤器256，适用这样的化学过滤器通过碳酸盐进行的中和反应化学地吸附除去排气中所含有的有害成分(比如HCl、HBr等)。用化学式表示通过这种化学过滤器除去比如作为有害成分HCl、HBr的过程的话，分别如下列化学式(2-1)、(2-2)所示。
……(2-1)……(2-2)通过这种化学过滤器的空气中包含的比如HCl、HBr，分别通过上列化学式(2-1)、(2-2)表示的反应，成为氯化钾(KCl)、溴化钾(HBr)等盐，附着在化学过滤器的表面，这样被除去。另外，一旦附着在化学过滤器上的氯化钾、溴化钾等盐，只要比如不施加加热等一定的能量，就不会从化学过滤器上脱离。
这里，关于上述那样的化学过滤器的构成，参照附图进行说明。图6为用于说明化学过滤器的构成的示意图，为从上方看化学过滤器的一部分时的图。化学过滤器比如成为图6表示的蜂房式构造。这种化学过滤器中，如果空气从化学过滤器的上方向下方通过，则空气中所含有的比如含有Cl、Br的气体的气体成分等有害成分附着在构成蜂房式构成的各构成体的侧面上，通过发生上述那样的化学反应(比如碳酸盐的中和反应等)，从空气中除去比如HCl、HBr等有害成分。
因此，这种化学过滤器中，构成蜂房式构成的各构成体的表面面积即空气接触的面积越大，有害成分的除去能力就越高。因此，比如化学过滤器的高度越高，或厚度越厚，则面积越大，因此，除去能力也越大。
这一点制约在搬送室200内配置排气过滤机构254的部分的高度和厚度。即使在这样的情况下，为了尽量提高有害成分的除去能力(除去效率)，也可以缩小构成化学过滤器的蜂房式构成的各构成体的波形，扩大整体面积。比如，图6(a)、(b)为扩大化学过滤器的相同厚度L的部分的图。其中，将比起图6(a)中表示的，缩小了构成蜂房式构成的各构成体k的波的图形表示为图6(b)。这样，通过缩小构成蜂房式构成的各构成体k的波，即使为同样厚度，也可以扩大整体面积，因此，能够提高有害成分的除去能力。
另外，排气过滤机构254的排气过滤器256的更换时期，比如，通过实验等测定耐久时间，据此设定更换时期，将其预先存储在设置在比如基板处理装置100的控制部的存储器等中。然后，比如在上述控制部测定排气过滤器256的使用时间，在达到上述更换时期后，比如也可以进行将通知更换时期的表示显示在控制部的显示部等的处理。
另外，也可以在排气过滤机构254上安装检测排气过滤器256的寿命的寿命传感器。在此情况下，比如也可以这样在上述控制部监视寿命传感器，寿命传感器一检测到排气过滤器256的寿命，就进行将通知更换时期的表示等显示在控制部的显示部等的处理。作为这种寿命传感器，可以举出检测搬送室200内的空气中包含的比如HCl、HBr等气体成分的量的传感器等。除此之外，作为寿命传感器，也可以将根据HCl等气体成分的量，颜色发生变化的硅胶类检测片等贴在比如排气过滤机构254上，作业人员进行目视观测。
另外，在搬送室200的框体210上，如图4所示，分别设置用于从载置于箱台132上的箱容器134搬进搬出晶片W的搬进搬出口212、用于在和上述负载锁定室560之间搬进搬出晶片W的搬进搬出口214。在这些搬进搬出口212、214上，分别设置上述门阀136、564，密封且自由开闭地构成。图4中省略了门阀136、564。
另外，在搬送室200的框体210上，如图5所示，设置有用于向作为待机单元的酸排气单元300搬进搬出晶片W的搬进搬出口216。酸排气单元300具备使比如从搬送室200搬入的完成处理的晶片W暂时待机的基板待机室310和进行该基板待机室310的排气的酸排气部320。
基板待机室310多层地可搭载多片(如十九片)地构成。具体地说，比如，基板待机室310在其内部具备基盘、固定在该基盘上，具有保持晶片周缘部的多层(如晶片十九片)保持沟的多根(如四根)基板保持支柱和作为设置在该基板保持支柱内部的加热部材的棒状加热器。
酸排气部320的排气管322比如连接在设置基板处理装置100的工厂的排气设备(比如清洁室的除害设备等)上。在酸排气部320上，比如设置用于控制差压或排气的可变阀。通过由酸排气部320的可变阀控制排气量，可以使酸排气部320的排气量适合比如配置基板处理装置100的工厂的排气设备中的排气用力。
比如通过共通搬送机构160从处理装置110一侧向搬送室200返回的完成处理的晶片W，在回到箱容器134之前，临时搬入酸排气单元300的基板待机室310。此时，完成处理的晶片W保持在板保持支柱上，通过棒状加热器被加热到特定温度，待机到经过特定时间。这样，附着在完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分从完成处理的晶片W放出。
另一方面，酸排气部320中，通过来自连接在排气管322的工厂的排气设备的排气吸引力，产生对基板待机室310进行排气的吸引力。这样，即使比如从收纳于基板待机室310内的完成处理的晶片W上放出上述气体成分(比如HCl、HBr)，该气体也通过酸排气部320排向工厂的排气设备。
其后，经过特定时间后，比如通过共通搬送机构160，晶片W从基板待机室310被取出，返回到箱容器134。这样，气体附着在完成处理的晶片W上返回到箱容器134，因此，可以防止比如通过附着在完成处理的晶片W上的腐蚀性气体的气体成分污染箱容器134的内部或收纳于箱容器134内的其他晶片W等。
(搬送室的动作例)下面，关于如以上那样构成的搬送室200的动作例进行说明。基板处理装置100一开始工作，搬送室200的供气部230的各供气扇232(232A～232C)及排气部250的各供气扇252(252A～252E)就驱动运转。于是，从外部来的空气从供气口222(222A～222C)导入搬送室200内，导入的空气从排气口242(242A～242E)被强制地向外部排气。这样，在搬送室200内，形成从供气部230向排气部250，即从搬送室200的框体210的天井部(上部)朝向底部(下部)240的空气的下降气流280。
在此情况下，从外部(比如设置基板处理装置100的清洁室)来的空气，通过供气部230的供气过滤机构234，向框体210内导入。这样，即使比如清洁室的空气中含有氨等胺类成分，通过供气过滤机构234除去这种胺类成分的空气也被向搬送室200内导入。
这样，由于搬送室200内的氛围中不含有胺类成分，所以，在比如从负载锁定室560通过共通搬送机构160使在处理室处理的完成处理的晶片W返回到搬送室200内的情况下，可以防止在该完成处理的晶片W上产生起因于附着在上述处理完成晶片上的处理气体的气体成分的微粒。
另外，比如从清洁室导入搬送室200内的空气，通过排气部250的排气过滤机构254排气，再次向清洁室返回。这样，比如在从负载锁定室560通过共通搬送机构160使完成处理的晶片W返回到搬送室200内时，通过附着在完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分，即使与完成处理的晶片W一起，含有包括Cl、Br气体的气体成分等有害成分的处理气体进入搬送室200内，通过排气过滤机构254除去了这种有害成分的空气也被向搬送室200的外部排气。因此，可以防止比如在含有有害成分的状态下搬送室200内的空气被向清洁室排气。
(与利用酸排气装置排气的搬送室的比较)但是，如基板处理装置100那样，在具备酸排气单元300的情况下，关于从搬送室200进行的排气，能够想到也可以全部利用酸排气单元300的酸排气部320，向工厂的排气设备(如清洁室的除害设备)排气。这样的话，如本实施方式那样，不将来自搬送室200的排气向清洁室排气也可以。
这里，以利用酸排气装置排气的搬送室的构成例为和本发明的比较例，更加具体地进行说明。图7表示利用酸排气单元300对比如图5表示的搬送室200进行排气时的构成例。图7表示的搬送室400，如图5表示的搬送室200那样，代替设置排气部250，比如在框体210的底部240上设置略方筒状的排气管410，使该排气管410的一端部开口，连接在酸排气单元300的酸排气部320上。
图7表示的搬送室400，如图5表示的搬送室200那样，代替在框体210的底部240上设置排气口242(242A～242E)，通过在排气管410的上部设置排气口412(412A～412E)，从该排气口412(412A～412E)通过排气管410，将搬送室200内的空气导向酸排气单元300的酸排气部320。
这种构成的搬送室400中，通过从连接在酸排气单元300的酸排气部320的排气管322上的工厂的排气设备产生的排气吸引力，通过酸排气部320，从排气管410的排气口412(412A～412E)产生吸引力。这样，搬送室200内的空气从排气口412(412A～412E)被吸入，通过排气管410，通过酸排气部320，被向工厂的排气设备排气。因此，即使在从搬送室400进行的排气中含有有害成分，该有害成分也不会排出到清洁室中。
可是，来自搬送室400的排气量，比来自酸排气单元300的酸排气部320的排气量大很多，所以，如图7表示的搬送室400那样，如果将从搬送室400产生的全部排气向工厂的排气设备排气，则对工厂的排气设备产生较大负担。这种搬送室的排气量也根据基板处理装置的处理能力不同而不同，比如，来自酸排气单元300的酸排气部320的排气量为2m3/min，则来自搬送室400的排气量达到其大致六倍的11.5m3/min。因此，如果通过工厂的排气设备处理这些全部的排气(比如13.5m3/min)，则对工厂的排气设备施加的负担也大。
与此相反，通过涉及本实施方式的图5表示的搬送室200，关于搬送室200内的排气，因为可以从设置在底部240的排气口242(242A～242E)直接排气，因此，可以大幅度减轻对工厂的排气设备施加的负担。根据上述例子，关于搬送室200内的排气(比如11.5m3/min)，由于从搬送室200可以直接排气，所以，向工厂的排气设备排气，成为只从酸排气单元300的酸排气部320的排气(比如2m3/min)，对工厂的排气设备施加的负担大幅度减少。
而且，通过图5表示的搬送室400，将具有除去排气中所包含的有害成分的排气过滤机构254的排气部250设置在框体210的底部240，因此，即使由于附着在完成处理的晶片W上的处理气体的气体成分，使得来自搬送室200的排气中包含腐蚀成分等有害成分，也通过排气过滤机构254除去，因此，洁净空气从搬送室200被排出。这样，即使从搬送室200比如向清洁室直接排气，也不会在从搬送室200进行的排气中含有腐蚀成分等有害成分而被排气，因此，可以防止清洁室内的机材发生腐蚀。
另外，通过涉及本实施方式的搬送室200，如上述那样，不利用酸排气单元300可以进行排气，所以，也可以适用于未设置酸排气单元300的基板处理装置100。
另外，在上述酸排气单元300的酸排气部320处，也可以设置如本实施方式的排气部250那样的排气扇和排气过滤器，通过该排气过滤器，从酸排气部320进行排气。通过这样设置，从酸排气部320的排气通过排气过滤器，也可以除去比如像卤素类成分等那样的有害成分，因此，不将酸排气部320的排气管322连接在工厂的排气设备上，可以比如向清洁室直接排气。这样，能够更加减轻对工厂的排气设备施加的负担。
在此情况下，也可以将上述排气过滤器设置在酸排气部320的比如和基板待机室310的连接部位一侧。通过这样设置，被排气过滤器除去有害成分的空气进入酸排气部320的内部，因此，可以不需要关于酸排气部320的内部的腐蚀对策。这样，比如设置在酸排气部320的内部的差压传感器或可变阀等部件，也可以使用便宜的。
另外，本实施方式中，关于在排气部250设置排气过滤机构254；同时，在供气部230处也设置供气过滤机构234的情况进行了说明，但是，并不一定局限于此，也可以只设置排气部250的排气过滤机构254。这是因为如果至少在排气部250设置排气过滤机构254，则能够防止通过附着在完成处理的晶片W上的气体，比如含有如卤素类气体那样的有害的气体成分的空气被排气。
但是，如果在供气部230处也设置供气过滤机构234，则可以防止在该完成处理的晶片W上产生通过附着在完成处理的晶片W上的气体，比如氨成分导致的微粒。这样，通过在排气过滤机构254上进一步组合供气过滤机构234，能够使附着在完成处理的晶片W上的气体对策万无一失。
(基板处理装置的其他构成例)下面，关于涉及本发明的实施方式的基板处理装置的其他构成例，参照附图进行说明。比如，本发明不限于图1表示的基板处理装置100，能够适用于种种基板处理装置。图8表示以多容器构成真空处理单元的基板处理装置的概略构成。
图8表示的基板处理装置500具备具有对于基板比如晶片W进行成膜处理、蚀刻处理等各种处理的多个处理室540的真空处理单元510、对于该真空处理单元510，搬进搬出晶片W的搬送单元120。搬送单元120的构成由于和图1几乎相同，故关于实质上具有同一功能构成的构成部分，通过赋予同一符号，省略重复说明。
图8表示的搬送单元120为以具备一个拾取部的单臂机构构成配置在搬送室200内的共通搬送机构(大气侧搬送机构)160的例子。固定共通搬送机构160的基台162，在沿长度方向设置的导轨(未图示)上，在搬送室200的中心部可滑动移动地被支撑着。在该基台162和导轨上，分别设置有线性马达的可动元件和固定元件。在导轨的端部设置有用于驱动该线性马达的线性马达驱动机构(未图示)。在线性马达驱动机构上连接着控制部(未图示)。这样，根据从控制部发出的控制信号，线性马达驱动机构进行驱动，共通搬送机构160和基台162一起，沿着导轨向箭头方向移动。
图8中，表示将比如具有六个处理室540A～540F的真空处理单元510配置在搬送装置520的侧面。真空处理单元510具备向六个处理室540A～540F搬进搬出晶片的共通搬送室550，在该共通搬送室550的周围，分别通过门阀544A～544F配置各处理室540A～540F。在该共通搬送室550中，分别通过门阀554M，554N配置可真空吸引的第一、第二负载锁定室560M，560N。这些第一、第二负载锁定室560M、560N分别通过门阀564M、564N连接在搬送室200的侧面上。
这样，上述共通搬送室550和上述六个各处理室540A～540F之间以及上述共通搬送室550和上述各负载锁定室560M、560N之间，分别可密封且开闭地构成，被分组工具化，根据需要，和共通搬送室550能够连通。另外，上述第一及第二各负载锁定室560M、560N和上述搬送室200之间也分别可密封地开闭。
上述各处理室540A～540F对于晶片W，比如实施同种处理或互不相同的异种处理。在各处理室540A，540B内分别设置有用于载置晶片W的载置台542A～542F。
上述负载锁定室560M、560N具有在临时保持晶片W，进行压力调整后，推向下一层的功能。上述负载锁定室560M、560N也可以进一步具有冷却机构或加热机构。
在共通搬送室550内，设置有由比如可屈伸、升降、旋转地构成的多关节臂构成的搬送机构(真空侧搬送机构)570。该搬送机构570可旋转地支撑在基台572上。基台572这样构成通过比如臂机构576，从共通搬送室550内的基端侧到前端侧设置的导轨574上，自由滑动。
根据这样构成的搬送机构570，通过使搬送机构570沿导轨574进行滑动移动，可以进入各负载锁定室560M、560N及各处理室540A～540F。比如，在进入上述各负载锁定室560M、560N及相对配置的处理室540A、540F时，使搬送机构570沿导轨574位于靠近共通搬送室550的基端一侧。
另外，在进入上述六个处理室540B～540E时，使搬送机构570沿导轨574位于靠近共通搬送室550的前端一侧。这样，通过一个搬送机构570，可以进入连接在共通搬送室550上的所有负载锁定室560M、560N或各处理室540A～540F。搬送机构570具有两个拾取部，一次可以处理两片晶片。
另外，搬送机构570的构成，不限于上述构成，也可以通过两个搬送机构构成。比如也可以在靠近共通搬送室550的基端一侧设置由可屈伸、升降、旋转地构成的多关节臂构成的第一搬送机构的同时，在靠近共通搬送室550的前端一侧设置由可屈伸、升降、旋转地构成的多关节臂构成的第二搬送机构。另外，上述搬送机构570的拾取部数量，不限于两个，也可以比如仅具有一个。
关于图8表示的基板处理装置500的搬送室200，也可以适用图5表示的构成。这样，关于图8表示的类型的基板处理装置500，也可以起到和图1表示的类型的基板处理装置100同样的效果。
另外，基板处理装置500中的处理室540的数量，不限于如图8表示的六个，既可以是五个以下，也可以进一步追加设置。另外，图8表示的真空处理单元510中，关于在一个共通搬送室550的周围连接多个处理室的处理室单元为一个的情况进行了说明，但是，并不一定限于此，也可以做成这样的构成在一个共通搬送室550的周围，通过缓冲室连接两个以上已连接了多个处理室的处理室单元的，所谓串联型的构成。
以上，参照附图，关于本发明的适合的实施方式进行了说明，但是，不用说，本发明不限于所述例子。很明显，如果是本行业人员，在记载于权利要求范围内的范畴内，可以想到各种变更例或修正例，那些当然被认为也属于本发明的技术性范围。
比如，上述实施方式中，关于将具备除去腐蚀性气体等含有的卤素类气体成分等的有害气体成分的排气过滤器的排气部设置在基板处理装置的搬送室的情况，进行了说明，但是，并不一定限于此，也可以适用于基板处理装置的负载锁定室(比如图1表示的负载锁定室150A、150B，图8表示的负载锁定室560M、560N等)。
在设置在基板处理装置中的负载锁定室中，比如与连接在用于进行负载锁定室内的真空排气的真空泵等上的真空排气部不同，另外设置进行负载锁定室内的酸排气的酸排气部。该酸排气部的酸排气管连接在工厂的排气设备上。在这种负载锁定室中，通过上述各排气管的阀控制，在特定时机进行附着在处理完成晶片上进入负载锁定室内的处理气体的气体成分(比如，HCl、HBr等卤素类气体成分)的排气(酸排气)。因此，即使在这种负载锁定室中，通过设置在酸排气管上具备排气过滤器和排气扇的排气部，能够从通过负载锁定室的酸排气管排气出的排气中，除去腐蚀性气体的气体成分等的有害成分。这样，可以不将负载锁定室的酸排气管连接在工厂的排气设备上，就那样进行排气，因此，可以减轻工厂的排气设备的负担。
另外，上述实施方式中，关于比如将具备除去氨等胺类成分的供气过滤器的供气部设置在基板处理装置的搬送室的情况进行了说明，但是，并不一定局限于此，也可以适用于基板处理装置的负载锁定室。
在设置在基板处理装置中的负载锁定室内，比如为了进行大气开放，设置有和外气(比如清洁室)连通的连通口。这样，含有氨等胺类成分的空气有可能从连通口进入负载锁定室内，所以，比如有可能在负载锁定室内附着在处理完成晶片上的处理气体的气体成分和进入负载锁定室内的氨等反应，在处理完成晶片上产生微粒。因此，即使在这种负载锁定室的连通口中，通过设置比如具备除去氨等胺类成分的供气过滤器的供气部，从通过负载锁定室的连通口导入的空气中也可以除去胺类成分，因此，可以防止在处理完成的晶片上产生因附着的气体产生的微粒。
另外，除了上述实施方式的基板处理装置，本发明也可以适用于各种的基板处理装置。作为其他基板处理装置，比如也可以适用于纵型热处理装置、涂敷显像装置等。
(产业上的实用性)本发明可以适用于具备导入外气，进行排气的搬送室和负载锁定室等的基板处理装置。
权利要求
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备用于对被处理基板实施特定处理的处理单元，和向该处理单元搬进搬出被处理基板的搬送室，所述搬送室具备向所述搬送室内导入外气的供气部；与所述供气部相对地设置，对所述搬送室内进行排气的排气部；和设置在所述排气部，对所述排气进行过滤的排气过滤机构。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气过滤机构由至少除去所述排气中含有的有害成分的有害成分除去过滤器构成。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气过滤机构由化学过滤器或活性炭过滤器制成。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气部具备设置在比所述排气过滤机构还靠近所述排气的下游侧的排气扇。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述供气部具备对导入所述搬送室内的外气进行过滤的供气过滤机构。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述供气过滤机构由至少除去导入所述搬送室内的外气所含有的胺类成分的胺类成分除去过滤器构成。
7.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述供气过滤机构由化学过滤器或活性炭过滤器制成。
8.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述供气过滤机构具备至少除去导入所述搬送室内的外气所含有的胺类成分的胺类成分除去过滤器，和除去导入所述搬送室内的外气中所含有的粒子的粒子除去过滤器。
9.一种基板处理装置，其特征在于，具备用于对被处理基板实施特定处理的处理单元，和通过负载锁定室向该处理单元搬进搬出被处理基板的搬送室，所述负载锁定室具备向所述负载锁定室内导入外气的供气部；进行所述负载锁定室内的酸排气的酸排气部；和设置在所述酸排气部，对所述酸排气进行过滤的排气过滤机构。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气过滤机构由至少除去所述排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器构成。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述负载锁定室的供气部具备对导入所述负载锁定室内的外气进行过滤的供气过滤机构。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述供气过滤机构由至少除去导入所述负载锁定室内的外气中所含有的胺类成分的胺类成分除去过滤器构成。
13.一种基板处理装置，其特征在于，具备用于对被处理基板实施特定处理的处理单元，和向该处理装置搬进搬出被处理基板的搬送室，还具备与所述搬送室连接的待机单元，所述待机单元具有使通过所述处理单元处理的被处理基板临时待机的基板待机室，和进行该基板待机室的酸排气的酸排气部；以及设置在所述待机单元的酸排气部，对所述酸排气进行过滤的排气过滤机构。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气过滤机构由至少除去所述排气中含有的有害成分的有害成分除去过滤器构成。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，在所述搬送室上连接有用于进行所述被处理基板的位置确定的位置确定装置，所述待机单元配置在所述位置确定装置的正下方。
全文摘要
本发明提供一种基板处理装置，防止比如附着在处理完成的基板上的腐蚀性气体等处理气体的气体成分和搬送室等的排气一起，原样地向外部排出，可减轻工厂的排器设备等的负担。该基板处理装置具备用于对晶片实施特定处理的处理单元和向该处理单元搬进搬出晶片的搬送室(200)，搬送室(200)具有向搬送室(200)内导入外气的供气部(230)、与供气部(230)相对地设置，排出搬送室(200)内气体的排气部(250)、设置在排气部(250)上，由至少除去排气中所含有的有害成分的有害成分除去过滤器(256)构成的排气过滤机构(254)。
文档编号H01L21/67GK1841655SQ20061006711
公开日2006年10月4日 申请日期2006年3月31日 优先权日2005年3月31日
发明者佐佐木义明, 村木雄介, 西村荣一, 小野优子 申请人:东京毅力科创株式会社