专利名称：具有模型反馈更新的隔离/嵌套级联式修饰控制的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体晶片处理。更具体而言，本发明涉及对具有隔离(isolated)和嵌套(nested)结构的晶片的处理。
背景技术：
对于半导体处理而言，公知的是前馈控制器可以在半导体集成电路的制造中被半导体制造设施(fab)使用。一直到最近，晶片被按照批量(batch)或批次(lot)进行处理，并且对于批次中的每个晶片执行相同的处理。批次的大小依赖于fab的生产实际而有所不同，但是一般局限于最大25个晶片。例行地对批次中的少量晶片进行测量，并且基于这些样本测量结果对处理进行调节。这种基于对当前批次的样本测量和对随后的批次的过程方案(recipe)调节的控制的方法被称为lot-to-lot控制(L2L)。修改L2L控制的过程方案所必需的过程模型和信息被存储，并且在fab级别执行计算。近年来，半导体处理设备(SPE)的制造商已经使得具有在处理被执行之前和之后立即测量每个晶片的能力。在处理工具上测量每个晶片的能力被称为集成度量(integrated metrology，IM)。IM继而使得能够在wafer-to-wafer(W2W)的级别上测量并调节过程方案。
半导体晶片上的结构不仅尺寸减小，而且密度也增大了，这导致额外的处理控制问题。半导体晶片上的区域已被基于特定区域内的结构的密度标识为隔离区域和嵌套区域，并且由于这些不同的密度，在半导体处理中产生了一些问题。
对于修饰(trim)刻蚀的需要已经变得越来越普遍，有许多方法已被开发出来用于修饰临界尺寸(CD)以进行栅极长度控制。隔离/嵌套控制已经变为掩模设计过程的一部分，包括对通过刻蚀机的过程的建模。然而，对于与隔离或嵌套结构有关的单个CD目标来说，被设计到掩模制作过程中的隔离/嵌套模型不是最优的。对于要通过修饰缩短栅极以及随时间改变栅极目标变化的需要来说，创建新的掩模并重新优化隔离/嵌套偏置(bias)是昂贵的。掩模偏置控制是利用光学和过程校正(OPC)(有时被称为光学邻近度校正)进行的，其中刻线(reticle)的孔径被调节以增加或缩减必要的光，从而增大图案保真度。另一种方法是相移掩模(PSM)，其中在刻线上创建地形结构以在图像中引入增强对比度的干涉边缘。当设计者在掩模被制作了之后获知在生成了掩模并且创建了第一设置样本部分之后，隔离/嵌套偏置需要进行调节以优化性能时，可能发生另一个问题。
还未解决的是一种在作为刻蚀过程的一部分的图案化之后调节隔离和嵌套线之间的晶片CD偏置的方法。
发明内容
该方法包括一种用于刻蚀处理的方法，其允许对隔离和嵌套结构/特征之间的偏置进行调节，对其中隔离结构/特征需要小于嵌套结构/特征并且嵌套结构/特征相对于隔离结构/特征需要被减小的过程进行校正，同时允许对修饰进行临界控制。
另一种新型方法是在控制系统时应用这样一种过程，其对包括隔离/嵌套偏置控制和修饰控制的级联的步骤序列中的过程进行解耦，然后提供一种利用反馈更新过程模型的方法。第三方法是包括在用于前馈和反馈控制的测量的校准中。
本发明允许工厂系统通过集成度量和集成自动过程控制(APC)控制系统，利用TEL的TELIUS多晶栅极(poly gate)过程按lot-to-lot或wafer-to-wafer的频率来改变偏置目标量和最终CD量。
参考下面的具体实施方式
，尤其当结合附图考虑时，将更清楚地了解本发明的各种实施例和其许多伴随的优点，在附图中图1示出了根据本发明实施例的处理系统的示例性框图；图2示出了根据本发明实施例的集成处理系统的简化框图；图3示出了根据本发明实施例的多步过程序列的简化流程图；图4示出了根据本发明实施例的控制过程的简化框图；图5示出了根据本发明实施例的处理系统的简化框图；图6示出了根据本发明实施例的方案创建过程的简化流程图；图7示出了根据本发明实施例的将参考数据与测得数据关联起来的方程的示例性示图；图8示出了根据本发明实施例的示例性修饰方程的图；图9示出了根据本发明实施例的图示来自示例性过程的结果的SEM图片；图10示出了根据本发明实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图；图11示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图；图12示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图；图13示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图；图14示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图；图15示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图；图16示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图；图17图示了根据本发明实施例的隔离/嵌套控制策略屏幕的示例性视图；图18图示了根据本发明实施例的嵌套控制计划编辑器屏幕的示例性视图；图19图示了根据本发明实施例的隔离控制计划编辑器屏幕的示例性视图；以及图20图示了根据本发明实施例的公式模型编辑器屏幕的示例性视图。
具体实施例方式
下面讨论了本发明的各种实施例。在适当的情况下，相似的标号被用于指代相似的特征。这里给出的实施例仅是在本发明的范围内包含的多种实施例的示例，这一点是本领域技术人员将意识到的。因此，本发明并不仅限于给出的实施例，而是包含将由本领域技术人员意识到的任何和全部的变体和等同物。
图1示出了根据本发明实施例的处理系统的示例性框图。在图示实施例中，处理系统100包括处理工具110、耦合到处理工具110的控制器120以及耦合到控制器120的制造设备系统(MES)130(也称之为“工厂系统130”)。另外，处理工具110、控制器120和MES 130中的至少一个可包括图形用户界面(GUI)组件和/或数据库组件(未示出)。如本领域技术人员应当意识到的，在替换实施例和变体中，不需要采用GUI组件和/或数据库组件来实施本发明和其变体。
某些设置和/或配置信息可由处理工具110和/或控制器120从工厂系统130获得。工厂级别商业规则可用于建立控制层次。例如，处理工具110和/或控制器120可以独立操作，或者可以在某种程度上由工厂系统130控制。另外，工厂级别商业规则可用于确定何时暂停和/或停止过程，以及当过程被暂停和/或停止时采取什么动作。另外，工厂级别商业规则可用于确定何时以及如何改变过程。
商业规则也可用于规定针对正常处理采取的动作和对异常状况采取的动作。这些动作可以包括初始模型加载、刻蚀前度量数据过滤、控制器方案选择、刻蚀后度量数据过滤、反馈计算以及模型更新，以上列举的只是某些示例。
商业规则可以按控制策略级别、控制计划级别或控制模型级别等等定义。商业规则可以指定为只要遇到特定环境(context)就执行。当在较高级别以及较低级别遇到匹配的环境时，可以执行与较高级别相关联的商业规则。GUI屏幕可以用于定义和维护商业规则。对于大于正常安全级别的用户，可以允许定义和指定商业规则。商业规则可以在数据库中维护。可以提供关于如何定义、指定和维护商业规则的文档和帮助屏幕。
MES 130可以利用从与处理工具110和/或控制器120相关联的数据库报告的数据来监视某些系统过程。工厂级别商业规则可以用于确定监视哪些过程和使用哪些数据。例如，处理工具110和/或控制器120可以独立采集数据，或者数据采集过程可以在某种程度上由工厂系统130控制。另外，工厂级别商业规则可以用于确定当过程被改变、暂停和/或停止时如何管理数据。
另外，MES 130可以向处理工具110和/或控制器120提供运行时(run-time)配置信息。例如，自动过程控制(APC)设置、目标、限度、规则和算法可以从工厂下载到处理工具110和/或控制器120，作为运行时的“APC方案”、“APC系统规则”和“APC方案参数”。
某些设置和/或配置信息可以由处理工具110和/或控制器120在其最初被系统配置时确定。系统级别商业规则(系统规则)可以用于建立控制层次。例如，处理工具110和/或控制器120可以独立操作，或者处理工具110可以在某种程度上由控制器120控制。另外，系统规则可以用于确定何时暂停和/或停止过程，以及当暂停和/或停止过程时采取什么动作。另外，系统规则可以用于确定何时改变过程以及如何改变过程。此外，控制器120可以使用工具级别规则来控制某些、大部分或全部工具级别的操作。
通常，规则允许系统和/或工具操作基于系统的动态状态而改变。
在图1中，只示出了一个处理工具110和一个控制器120，但是这种特定配置并不是本发明所必需的。半导体处理系统可以包括任何数目的处理工具，这些处理工具除了独立过程工具和模块以外，还有任意数目的控制器与其相关联。
处理工具110和/或控制器120可以用于配置任何数目的处理工具，这些处理工具除了任意数目的独立过程工具和模块以外，还有任意数目的处理工具与其相关联。处理工具110和/或控制器120可以采集、提供、处理、存储和显示来自涉及处理工具、处理子系统、过程模块和传感器的过程的数据。
处理工具110和/或控制器120可以包括多个应用，包括但不限于至少一个与工具有关的应用、至少一个与模块有关的应用、至少一个与传感器有关的应用、至少一个与接口有关的应用、至少一个与数据库有关的应用、至少一个与GUI有关的应用；以及至少一个配置应用。
例如，系统100可以包括来自Tokyo Electron Limited的APC系统，其可以包括Unity工具TM、Telius工具TM和/或Trias工具TM以及它们的相关联的处理子系统和过程模块。另外，系统100可以包括run-to-run(运行到运行，R2R)控制器，例如来自Tokyo Electron Limited的Ingenio TL ES(工具级别刻蚀系统)或IngenioTMGL ES(群组级别刻蚀系统)服务器，以及来自Tokyo Electron Limited的集成度量模块(IMM)。或者，控制器120可以支持其他过程工具和其他过程模块。
GUI组件(未示出)可以为使用界面提供便利，该界面使得用户能够查看工具状态和过程模块状态；为选定晶片创建并编辑汇总的和原始(跟踪)参数数据的x-y图；查看工具报警日志；配置数据采集计划，该计划规定了用于将数据写入到数据库或输出文件的条件；将文件输入到统计过程控制(SPC)制图、建模和电子制表程序；审查特定晶片的晶片处理信息，并检查当前被保存到数据库的数据；创建并编辑过程参数的SPC图，并设置生成电子邮件警告的SPC报警；运行多变量PCA(主要分量分析)和/或PLS(部分最小二乘)模型；以及查看诊断屏幕以排查问题，并将问题报告给TL控制器120等等。
来自工具的原始数据和跟踪数据可以作为文件存储在数据库中。另外，IM数据和主机度量数据可以存储在数据库中。数据量取决于被配置的数据采集计划，以及过程被执行和处理工具被运行的频率。从处理工具、处理室、传感器和操作系统获得的数据可以存储在数据库中。
在替换实施例中，系统100可以包括客户端工作站(未示出)。系统100可以支持多个客户端工作站。客户端工作站可以允许用户执行配置流程；查看包括工具、控制器、过程和工厂状态在内的状态；查看当前和历史数据；执行建模和制图功能；以及将数据输入到控制器等等。例如，用户可以被提供以允许用户控制由控制器120执行的一个或多个过程的管理权限。
处理工具110和控制器120可以耦合到MES 130，并且可以是E-Diagnostic System(电子诊断系统)的一部分。处理工具110和/或控制器120可以与工厂系统130交换信息。另外，MES 130可以向处理工具110和/或控制器120发送命令和/或超驰(override)信息。例如，MES 130可以向处理工具110和/或控制器120前馈针对任何数目的过程模块、工具和测量设备的可下载方案，其中每个方案带有可变参数。可变参数可以包括最终CD目标、限度、偏移以及需要是可逐批次(lot)调节的工具级别系统中的变量。另外，工厂光刻CD度量数据可被前馈到控制器120。
此外，MES 130可以用于向控制器120提供测量数据，例如临界尺寸扫描电子显微镜(CD SEM)信息。或者，CD SEM信息可以手工提供。调节因子被用于调节IM和CD SEM测量结果之间的任何偏移。CD SEM数据的手工和自动输入包括诸如日期之类的时间戳，以适当地插入到R2R控制器中的反馈(FB)控制环的历史中。
可配置项目可以被配置为利用GEM SECS(通用设备模型/SEMI设备通信标准(GEM SECS))接口通信协议从工厂系统发送的一组可变参数。例如，可变参数可以作为“APC方案”的一部分被传递。APC方案可以包含多于一个子方案，并且每个子方案可以包含可变参数。
在图1中示出了单个处理工具110，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用额外的处理工具。在一个实施例中，处理工具110可以包括一个或多个处理模块。处理工具110可以包括刻蚀模块、淀积模块、抛光模块、涂覆模块、显影模块、热处理模块以及其他类型的模块中的至少一个。
处理工具110可以包括用于耦合到至少一个其他处理工具110和/或控制器120的链路112和114。例如，其他的处理工具110和/或控制器120可以与在该过程之前已经执行的过程相关联，并且/或者其他控制器120可以与在该过程之后执行的过程相关联。链路112和链路114可以用于前馈(FF)和/或反馈(FB)信息。例如，前馈信息可以包括与传入晶片相关联的数据。该数据可以包括批次数据、批量数据、运行数据、成分数据和晶片历史数据以及其他信息。数据可以包括可以用于建立晶片的输入状态的过程前(pre-process)数据。过程前数据的第一部分可以被提供给控制器120，过程前数据的第二部分可以被提供给处理工具110。或者，这两个部分可以包括相同的数据。
处理工具110可以包括单个集成度量模块(IMM)设备(未示出)或多个测量设备。系统100可以包括模块相关测量设备、工具相关测量设备和外部测量设备。例如，数据可以从耦合到一个或多个过程模块的传感器以及耦合到处理工具110的传感器获得。另外，数据可以从诸如SEM工具和光学数字仿形(Optical Digital Profiling，ODP)工具之类的外部设备获得。ODP工具可以从Timbre Technologies Inc.(一家TEL公司)得到，该工具提供了一种用于测量半导体器件中的结构轮廓的专属技术。例如，ODP技术可以用于获得CD信息、结构轮廓信息或通孔轮廓信息。
控制器120耦合到处理工具110和MES 130，并且可以在其间交换诸如处理前数据和处理后数据之类的信息。例如，当从工具110生成内部复位事件时，控制器120可以向MES 130发送诸如报警之类的消息。这可以允许工厂系统和/或工厂人员在发生重要改变之后进行必要的改变以最小化有风险的晶片数，这些改变例如是在校正性或预防性维护期间发生的那些改变。
在图1中也是示出了单个控制器120，但是依赖于仅仅一个控制器120并不是实施本发明所必需的。或者，可以使用额外的控制器120。例如，控制器120可以包括run-to-run(R2R)控制器、前馈(FF)控制器、过程模型控制器、反馈(FB)控制器、或过程控制器，或者其两者或更多者的组合(这些都未在图1中示出)。
控制器120可以包括用于耦合到至少一个其他控制器120的链路122和124。例如，其他控制器120可以与在该过程之前已经执行的过程相关联，并且/或者其他控制器120可以与在该过程之后执行的过程相关联。链路122和链路124可以用于前馈和/或反馈信息。
控制器120可以使用传入材料的测得临界尺寸(输入状态)和目标临界尺寸(期望状态)之间的差来预测、选择或计算一组过程参数，来获得将晶片状态从输入状态改变为期望状态的期望过程结果。例如，这组预测的过程参数可以是基于输入状态和期望状态的要使用的方案的第一估计。在一个实施例中，诸如输入状态和/或期望状态数据之类的数据可以从主机获得。
在一种情况下，控制器120知道输入状态和晶片的期望状态的模型方程，并且控制器120确定可以对晶片执行的将晶片从输入状态改变为处理后状态的一组方案。例如，这组方案可以描述涉及一组过程模块的多步过程。
控制器120的时间常数可以基于测量之间的时间。当测得数据可以在完成一个批次之后得到时，控制器的时间常数可以基于批次之间的时间。当测得数据可以在完成一个晶片之后得到时，控制器的时间常数可以基于晶片之间的时间。当测量数据在处理期间实时提供时，控制器的时间常数可以基于对晶片执行的处理步骤。当测得数据可以在处理晶片的同时或在完成一个晶片后或在完成一个批次后得到时，控制器120可以具有多个时间常数，这些时间常数可以基于过程步骤之间的时间、晶片之间的时间和/或批次之间的时间。
一个或多个控制器120可以工作在任何时间点。例如，第一控制器120可以处于工作模式，而第二控制器120可以处于监视模式。另外，另一个控制器120可以工作在仿真模式。控制器120可以包括单个环路或多个环路，并且这些环路可以具有不同的时间常数。例如，不同的环路可以依赖于晶片定时、批次定时、批量定时、室定时、工具定时和/或工厂定时等等。
控制器120可以基于输入状态、过程特性和过程模型来计算晶片的预测状态。例如，修饰速率模型(trim rate model)可以与处理时间一起使用来计算预测修饰量(trim amount)。或者，刻蚀速率模型可以与处理时间一起使用来计算刻蚀深度，并且淀积速率模型可以与处理时间一起使用来计算淀积厚度。另外，模型可以包括SPC图、PLS模型、PCA模型、故障检测和分类(FDC)模型以及多变量分析(Multivariate Analysis，MVA)模型等等。
控制器120可以接收并利用外部提供的用于过程模块中的过程参数和/或过程参数限度的数据。例如，控制器GUI组件提供了用于过程参数和/或过程参数限度的手工输入的装置。另外，工厂级别控制器可以提供用于一个或多个过程模块的过程参数限度和/或过程参数。
另外，控制器120可以接收并利用外部提供的用于过程模块的过程模块状态数据。过程模块状态数据可以用于计算当前过程状态和/或预测的过程状态。例如，过程模块状态数据可以包括处理时间、RF小时、自从湿法清洗或某个其他事件以来处理的晶片数、来自传感器的输入、来自过程模块的输入、故障数据和来自分析计划的计算数据。控制器GUI组件可以提供用于过程模块状态数据的手工输入的装置和用于查看过程模块状态数据的装置。另外，工厂级别控制器可以提供用于一个或多个过程模块的过程模块状态数据。
控制器120可以接收并执行由可购得的建模软件创建的模型。例如，控制器120可以接收并执行由外部应用创建的并且被发送到控制器120的模型(PLS、PCA等)。
控制器120可以包括一个或多个过滤器(未示出)，以对度量数据过滤从而去除随机噪声。离群点(outlier)过滤器可以用于去除静态无效并且在计算晶片测量结果的平均值中不应当被考虑的离群点。噪声过滤器可以用于去除随机噪声并稳定控制环路。例如，可以应用指数加权运动平均(Exponentially Weighed Moving Average，EWMA)或卡尔曼(Kalman)过滤器。
控制器120可以发送和接收异常状况的通知。例如，控制器120可以将通知发送到工厂级别控制器或工具级别控制器以及从其接收通知。另外，通知可以在识别到异常状况之后经由e-Diagnostics网络、电子邮件或寻呼器(等等)发送。
控制器120可以包括用于存档输入和输出数据的数据库组件。例如，控制器120可以将接收的输入、发送的输出以及控制器120采取的动作存档在可搜索数据库中。另外，控制器120可以包括用于数据备份和恢复的装置。另外，可搜索数据库可以包括模型信息、配置信息和历史信息，并且控制器120可以使用数据库组件来备份并恢复历史的和当前的模型信息和模型配置信息。
控制器120可以包括基于web的用户界面。例如，控制器120可以包括用于查看数据库中的数据的有web能力的GUI组件。控制器120可以包括安全组件，安全组件可以依赖于由安全管理员授予的许可来提供多个访问级别。控制器120可以包括一组在安装时提供的默认模型，以使得控制器120可以复位到默认状况。
取决于异常的性质，控制器120可以响应于异常而采取各种动作。针对异常采取的动作可以基于针对由系统方案、过程方案、模块类型、模块标识号、加载端口号、盒号、批次号、控制任务ID、过程任务ID和/或槽号(slot number)规定的环境而建立的商业规则，以上只是这些商业规则中的一些。
控制器120具有管理多个过程模型的能力，这些过程模型是同时执行的，并且受到不同组的过程方案约束。控制器120可以运行在三种不同模式中仿真模式、测试模式和标准模式。一个控制器120可以工作在与实际过程模式平行的仿真模式中。
当半导体处理系统100包括主机系统和一个或多个处理系统时，主机系统可以作为主系统工作，并且可以控制和/或监视处理操作的主要部分。主机系统可以创建过程序列，并且可以将过程序列发送到处理系统。在一个实施例中，过程序列可以包括测量模块访问和处理模块访问的序列。对于每个测量模块访问和每个处理模块访问可以创建过程任务(process job，PJ)。
另外，当处理系统控制器120执行仿真模型时，可以进行虚拟测量。来自仿真模型执行的结果可以被存储，并且被当作虚拟测量加以跟踪。
图2示出了根据本发明实施例的集成处理系统100’的简化框图。在图示实施例中，示出了处理系统(TELIUS)，其包括处理工具、集成度量模块(IMM)和工具级别高级过程控制(APC)控制器。如本领域技术人员将意识到的，集成处理系统100’的组件仅用于例示本发明的系统。如本领域技术人员将意识到并且将从下面的讨论中显现出来的，本发明的组件的组合的排列(permutation)是重要的。这里没有讨论的每个这样的变体也落在本发明的范围内。
如图2所示的系统100’可以提供IMM晶片采样，并且晶片槽的选择可以利用(PJ创建)功能得以确定。R2R控制配置可以包括前馈控制计划变量、反馈控制计划变量、度量校准参数、控制限度和SEMI标准可变参数等等。度量数据报告可以包括晶片、位置、结构和成分数据等等，并且工具可以报告用于晶片的实际设置。
IMM系统可以包括光学测量系统，例如Timbre Technologies的光学数字轮廓仪(ODP)系统，其使用光谱椭圆偏光法、反射法或其他光学仪器来测量真实器件轮廓、精确临界尺寸(DC)和晶片的多层膜厚度。TimbreTechnologies是一家位于Santa Clara，California的Tokyo Electron公司。ODP、iODP、PAS、PAS Profiler(仿形仪)、TeraGen、Aether和TurboLibrary是Timbre Technologies的商标。
过程是在线执行的，这样消除了为执行分析而折断晶片的需要。ODP可以与现有的薄膜度量工具一同使用以进行在线轮廓和CD测量，并且也可以与TEL处理工具相集成以提供实时过程监视和控制。ODP仿形仪既可以被用作高精度度量工具以提供实际的轮廓、CD和膜厚结果，又可以被用作产量增强工具以检测在线过程漂移或过程故障。
ODP解决方案有三个关键组件ODP仿形仪库包括光谱和其相应的半导体轮廓、CD和膜厚的专用数据库。仿形仪应用服务器(PAS)包括与光学硬件和计算机网络相连的计算机服务器。其处理数据通信、ODP库操作、测量过程、结果生成、结果分析和结果输出。ODP仿形仪软件包括安装在PAS上的用于管理测量方案、ODP仿形仪库、ODP仿形仪数据、ODP仿形仪结果搜索/匹配、ODP仿形仪结果计算/分析、数据通信以及到各种度量工具和计算机网络的PAS接口的软件。
控制系统，例如来自Tokyo Electron Limited的Ingenio ES(Ingenio是Tokyo Electron Ltd.的商标，“ES”是“刻蚀系统，Etch System”的缩写)系统，可以包括诸如Ingenio方案管理应用之类的管理应用。例如，Ingenio方案管理可以用于查看和/或控制存储在Ingenio ES管理服务器方案数据库中的方案，该数据库经由来自Ingenio ES客户端的网络环境(environment)与设备同步。可以位于与工厂相分离的位置处的IngenioES客户端提供了对多个设备单元的综合管理功能。作为Ingenio ES客户端能力的Ingenio方案管理可以包括用于查看和控制存储在Ingenio ES中的方案的管理应用以及用于编辑存储在Ingenio ES管理服务器中的方案数据的应用。
方案可以按树状结构组织，这种树状结构可以包括可以被显示为对象的方案集、类(class)以及方案。方案可以包括过程方案数据、系统方案数据和IMM方案数据。数据可以利用方案集来存储和组织。例如，方案集可以包括设备方案集、备份方案集和用户方案集。另外，数据可以通过类组织，类可以包括SYSTEM、PM、LLM和IMM类。出于定义目的，SYSTEM指系统级别对象，PM指过程模块对象，LLM指加载锁定(loadlock)模块对象，IMM指集成度量模块对象。
在处理工具上的IMM方案可以用于确定晶片采样以及槽和IM方案之间的关系。IM方案可以存在于IM测量硬件上，可以在Telius IMM方案中选择，可以包含图案鉴别信息，可以用于识别要在每个晶片上采样的芯片，并且可以用于确定使用哪一种PAS方案。PAS方案可以用于确定使用哪一个ODP库，并且定义要报告的测量量度，例如CD、SWA、厚度、沟宽和GOF。出于定义目的，SWA指侧壁角，GOF指吻合度。
Ingenio APC方案作为控制策略工作，并且控制策略可以与诸如Telius系统方案之类的处理工具方案相关联。在运行时匹配的晶片级别环境允许按晶片(槽、晶片ID、lotID等)进行定制配置。控制策略可以包括一个或多个控制计划，并且受控制的过程模块和/或测量模块具有针对对过程模块和/或测量模块的访问定义的至少一个控制计划。控制计划可以包含模型、控制限度、目标，并且可以包括静态方案、公式模型和反馈计划。
控制计划可以覆盖模块内的多个过程步骤，并且可以由工厂控制。对于每个过程和/或测量模块可以定义参数范围，并且对于每个控制参数提供了可变参数“限度范围”。
图3示出了根据本发明实施例的多步过程序列的简化流程图。在图示实施例中，示出了多个测量步骤，并且示出了多个处理步骤。对于示出的每个测量步骤和/或处理步骤可以创建一个或多个控制策略。该过程序列并不是本发明所必需的。或者，可以使用其他过程序列，并且可以使用不同数目的控制策略和/或系统方案。
在图示实施例中，示出了初始步骤，其中可以在光刻胶已被显影之后进行测量以表征晶片。对于晶片上的嵌套和隔离区域可以获得测量数据。在某些情况下，嵌套CD可以大于隔离CD。示出的第二步图示了“栅极掩模”刻蚀步骤，其中可以处理双层光刻胶层。在第三步中，可以刻蚀TEOS(即，原硅酸四乙酯(tetraethlyorthosilicate))硬掩模。在第四步中，可以执行灰化过程。在第五步中，可以执行诸如COR过程之类的修饰过程。在第六步中，可以执行多晶刻蚀(poly etch)步骤。
图3还图示了随着晶片通过这六个步骤测量结果的收敛(sin曲线)。而且，示图提供了信息被前馈(“FF”)的两个指示/实例以及信息被反馈(“FB”)的两个实例。如本领域技术人员将意识到的，两个FF和FB的发生只是说明性的，并且不应当被解释为以任何方式限制本发明。
图4示出了根据本发明另一个实施例的控制过程的简化框图。在图示实施例中，示出了控制计划的简化框图。可以创建和执行处理模块和测量模块控制计划和/或策略。
在图示实施例中，示出了前度量数据和后度量数据项，但是这并不是必需的。或者，对于每个过程可能不需要前测量和后测量。
另外，示出了W2W前馈过程，并且示出了L2L反馈过程，但是这并不是必需的。在替换实施例中，可以使用其他配置。由于若干原因，关于各个步骤和其交互的进一步讨论不在这里提供。首先，过程和步骤的精确组合并不是实施本发明所必需的。其次，许多步骤已在上面详细描述，并且将在下面更详细地讨论。
图5示出了根据本发明实施例的处理系统的简化框图。在图示实施例中，示出了(TELIUS)处理工具510，并且示出了集成度量(IM)工具520。
可以利用双束SE系统采集谱数据。由IM模块生成的谱数据可以被与ODP/PAS库中的仿真谱相比较。匹配的谱与具有CD、膜厚和侧壁角信息的轮廓相对应。可以顺序测量像Iso/Dense这样的多种光栅(grating)。
在隔离/嵌套测量序列期间，处理工具选择要使用的一个IM方案，并且对于隔离和嵌套结构可使用不同的IMM方案。对于每个间距(pitch)和结构可以单独测量每个晶片。
例如，晶片可以被加载到集成度量(IM)模块中；IM方案可以被加载到IM模块中；并且仿形仪应用服务器(PAS)方案可以被加载到IM控制器中。随后，可以测量晶片，并且ODP方案可以被加载到IM控制器中。然后可以利用测得的谱搜索库，并且可以识别一种或多种隔离结构。当测量隔离结构时，可以使用用于隔离结构的IM、PAS和ODP方案。
随后，另一个IM方案可以被加载到集成度量(IM)模块中，并且另一个PAS方案可以被加载到IM控制器中。可以测量晶片或者可以使用先前的测量数据，并且可以将另一个ODP方案加载到IM控制器中。随后，可以利用测得的谱搜索库，并且可以识别一种或多种嵌套结构。当测量嵌套结构时，可以使用用于嵌套结构的IM、PAS和ODP方案。可以对晶片上的一个或多个不同位置执行测量序列，并且可以卸载晶片。
图6示出了根据本发明实施例的方案创建过程的简化流程图。在图示实施例中，模块方案是利用修饰量作为期望过程结果，并利用气体流作为可变过程参数创建的。
可以从多种源，包括处理工具和工厂系统接收输入数据。可以对接收的数据进行过滤，并且可以将过滤后的数据发送到数据库，例如主机数据库和/或与处理工具相关联的数据库。过滤规则可以用于确定过滤的性质。例如，商业规则可以用于建立过滤规则。
输入数据可以包括测得数据和参考数据。诸如CD SEM数据之类的参考数据可以用于获得一个传入晶片或晶片组的预期状态的参考点。测得数据可以用于获得一个传入晶片或晶片组的输入状态。通常，存在一个或一组被建立用来将输入状态与预期状态相关的方程。例如，测得的度量数据可以被与诸如CD SEM数据之类的参考数据相关。
过滤后的数据可以用于建立期望过程结果，例如修饰量。可以使用目标信息。例如，限度可以用于建立故障窗口和过程窗口。可以计算实现期望过程结果所需的方案条件。实验设计(“DOE”)技术可以用于确定要使用的最佳方案，并且控制计划可以用作控制元(element)之一。方案可以基于可用处理工具和处理模块的处理限制来建立。
当建立模块方案时，模块方案可以由处理工具验证，并且可以被存储在数据库中。过程目标、模型和规则可以按工厂级别存储、控制和管理。
图7示出了根据本发明实施例的将参考数据与测得数据关联起来的方程的示例性示图。在图示实施例中，示出了将CD SEM数据与ODP数据关联起来的图，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用其他形式的参考数据和/或测得数据。示出的数据与晶片上的嵌套CD有关。其他的图(未示出)可以用于为其他的数据集建立方程，例如为隔离CD的数据建立方程。示出了总测量不确定性(TMU)数据。
图8示出了根据本发明实施例的示例性修饰方程的图。在图示实施例中，示出了用于(隔离修饰量)、(嵌套修饰量)和(隔离-嵌套)的线性方程。或者，可以使用非线性方程。
在一种情况下，隔离结构的刻蚀比嵌套结构快。或者，可以使用其他速率。另外，隔离CD可以大于嵌套CD。或者，可以有其他关系。另外，嵌套CD内的变化可能更大。
在流程的一个部分中，可以计算隔离-嵌套偏置。例如，每种结构的ODP数据可以被与诸如CD SEM数据之类的参考数据相关。
在一个实施例中，提供了一种具有第一间距的测量光栅，其与用于特定产品和技术的隔离结构/特征相一致，并且还提供了具有第二间距的另一种测量光栅，其与用于该产品和技术的嵌套结构/特征相一致。例如，595nm光栅可以用于隔离结构，而245nm光栅可以用于嵌套结构。在替换实施例中，可以提供额外的测量光栅，并且可以提供不同的间距。
所计算的隔离数据值可以利用以下公式确定Isoc＝Iso_Mandel_Slope*Iso_ODP+Iso_Mandel_Intercept其中Iso_Mandel_Slope是对于隔离结构将CDSEM数据与ODP数据关联起来的线的斜率，Iso_ODP是隔离结构之一的ODP测量结果之一的值，Iso_Mandel_Intercept是对于隔离结构将CD SEM数据与ODP数据关联起来的线的截距点。
所计算的嵌套数据值可以利用以下公式确定Nestedc＝Nested_Mandel_Slope*Nested_ODP+Nested_Mandel_Intercept其中Nested_Mandel_Slope是对于嵌套结构将CD SEM数据与ODP数据关联起来的线的斜率，Nested_ODP是嵌套结构之一的ODP测量结果之一的值，Nested_Mandel_Intercept是对于嵌套结构将CD SEM数据与ODP数据关联起来的线的截距点。
偏置量的值可以利用以下公式确定Bias(nm)＝Isoc-Nestedc需要的修饰调节量可以利用以下公式确定Bias_Trim＝Bias-Bias_Target所需的方案设置可以利用以下公式确定方案设置＝Bias_Trim＝y＝f(x)例如，一个控制参数可以被设为等于步骤过程时间(秒)，并且可以利用以下公式确定Step_Time＝Bias_Trim/(隔离-嵌套刻蚀速率)其中Step_Time是“隔离/嵌套控制步骤”。
另一种控制硬掩模刻蚀过程的方式是提供一种介于完全嵌套或隔离之间的中间间距。在这种情况下，可以按先前所示的方法计算隔离/嵌套调节。可以计算需要的修饰量；可以基于额外的测量结果确定控制结构的CD；可以在控制间距和另一间距之间开发出相关；可以将现有的测量结果校准到控制间距；并且可以利用以下公式计算修饰量修饰量＝控制结构的CD-控制结构的CD目标表1示出了用于处理具有隔离和嵌套结构的一组示例性过程参数。示出了多个修饰过程，但是这些并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同的一组过程参数，并且可以使用额外的过程气体。
在一个实施例中，当隔离结构的修饰量大于嵌套结构的修饰量时，过程化学包括HBr/O2；当隔离结构的修饰量小于嵌套结构的修饰量时，过程化学包括C4F8/O2；而当隔离结构的修饰量约等于嵌套结构的修饰量时，过程化学包括HBr/C4F8/O2。在替换实施例中，在过程化学中可以包括惰性气体。
表1
随后，可以基于偏置修饰过程期间进行的BARC修饰量确定额外的修饰(剩余的BARC膜)。BARC_Bias_Trim可变值可以利用隔离刻蚀速率的平均值近似，step_time可变值可以从另一个控制计划传递。
例如，可以采用下面的公式BARC_Bias_Trim＝(平均隔离修饰量/修饰时间)*Stept_time
BARC_Bias_Trim＝(18.1/15)*Step_timeBARC_Trim＝Isoc-BARC_Bias_Trim-最终CD目标(隔离)在替换实施例中，计算可以是基于嵌套值的。
另外，可以计算用于最终BARC修饰的方案设置。例如，当使用O2/CF4比时，可以创建以下方程BARC_Trim＝y＝f(x)其中x是O2流，并且y＝48.416083725*(1-0.00388123723/((0.020654293/80)*x+0.0046147421))在某些情况下，可能发生超范围异常。例如，所计算的隔离/嵌套值可能大于总修饰值，或者隔离值可能大于嵌套传入CD。一种解决方案是检查符号并基于生长嵌套的需要进行一组计算。当值偏离隔离/嵌套偏置修饰曲线时，可以使用最大偏置调节。当值偏离修饰曲线的低端时，解决方案可以是跳过修饰，而当值偏离修饰曲线的高端时，解决方案可以是使用最大修饰并向主机生成警告。
图9示出了根据本发明实施例的图示来自示例性过程的结果的SEM图片。在图示实施例中，SEM图是针对中心轮廓和边缘轮廓示出的。另外，SEM图是针对BARC刻蚀以及组合的BARC刻蚀和修饰过程(15秒)示出的。从图片清楚可见，使用组合过程的结果(在图的右边示出)更好。
图10示出了根据本发明实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图。在图示实施例中，示出了级联式(cascading)前馈wafer-to-wafer(晶片到晶片)计算序列1000，但是这并不是本发明所必需的。或者，该序列可以是基于批次或基于批量的等等。
在图示实施例中，序列1000包括两个控制计划，第一控制计划CP1和第二控制计划CP2，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同数目的控制计划。例如，可以为隔离和嵌套状况使用单独的控制计划，并且也可以使用其他控制计划。
在图10-16所示的实施例中，术语“第一控制计划CP1”和“第二控制计划CP2”被用于指代图示的这两个控制计划。如本领域技术人员将意识到的，每个实施例按需要可以包括更大数目的控制计划(或者只包括一个控制计划)。尽管名称“第一控制计划CP1”和“第二控制计划CP2”被用于若干个所述实施例，但是这一约定仅被用于简化下面的讨论。如图中清楚表示的，虽然重复使用了相同的描述符和标号，但是各个控制计划的实际组成彼此不同。
第一控制计划CP1可以耦合到第一输入元1010，并且可以包括一个或多个数据元，例如1020和1025。或者，可以使用不同数目的输入元和/或数据元。数据元1020可以包括“隔离”数据，并且可以包括晶片上包括隔离结构、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。数据元1025可以包括“嵌套”数据，并且可以包括晶片上包括嵌套结构/特征、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。或者，可以包括其他的数据元(未示出)，例如“参考”、“混合”或“标称”数据元。
第一输入元1010可以包括来自集成度量模块(IMM)的光学数字轮廓仪(ODP)数据，集成度量模块例如是来自Tokyo Electron Ltd.的iODP模块。或者，第一输入元1010可以包括SEM数据和/或TEM数据。
第一控制计划CP1还可以包括数据转换元，例如1030和1035。数据转换元1030可以耦合到数据元1020，并且可以用于转换数据元1020中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1030可以用于将“隔离”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“隔离”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。数据转换元1035可以耦合到数据元1025，并且可以用于转换数据元1025中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1035可以用于将“嵌套”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“嵌套”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。一个度量模块可以用于提供“参考”数据。
第二输入元1015可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第二输入元1015可以包括历史数据。在一个实施例中，第二输入元1015可以包括诸如“偏置目标”之类的过程参数的期望值。
另外，第一控制计划CP1可以包括一个或多个计算元，例如1040和1045。计算元1040可以耦合到第二输入元1015、数据转换元1030、1035中的一个或两者，以及一个或多个其他控制计划。在一个实施例中，计算元1040可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“偏置修饰”。
计算元1045可以耦合到计算元1040，并且可以提供一个或多个输出1050。在一个实施例中，计算元1045可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1050可以包括一个或多个过程步骤的“步骤时间”数据。或者，输出1050可以包括其他过程数据和/或工具数据。
第三输入元1060可以耦合到第二控制计划CP2，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第三输入元1060可以包括历史数据。在一个实施例中，第三输入元1060可以包括诸如“最终CD目标”之类的过程结果的期望值。
第二控制计划CP2可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第一控制计划CP1，并且可以包括一个或多个数据元，例如1055。或者，可以使用不同数目的控制计划和/或数据元。数据元1055可以包括计算出的数据，例如“偏置修饰”数据和/或“步骤时间”数据。或者，数据元1055可以包括其他前馈和/或反馈数据项。
另外，第二控制计划CP2可以包括一个或多个计算元，例如1065和1070。计算元1065可以耦合到第三输入元1060、数据元1055以及一个或多个其他计算元，例如1070。在一个实施例中，计算元1065可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“BARC修饰”。
计算元1070可以耦合到计算元1065，并且可以提供一个或多个输出1075。在一个实施例中，计算元1070可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1075可以包括一种或多种过程气体的流数据或过程气体的一个或多个流速。例如，可以提供O2和CF4的流速。或者，输出1075可以包括其他过程数据和/或工具数据。
序列1000还可以包括控制策略元1080。一个或多个系统控制器(未示出)可以包含用于控制系统操作的多个APC方案(控制策略)，并且控制策略可以与用于处理工具的系统方案相关联。
在一个实施例中，可以使用“隔离/嵌套”控制策略。“隔离/嵌套”控制策略可以包括一个或多个“隔离/嵌套”控制计划，例如控制计划CP1和CP2。其下的物理模块具有针对对物理模块的每次访问定义的至少一个控制计划。第一和第二控制计划CP1、CP2包含模型、限度、目标、方案，并且可以覆盖模块内的多个过程步骤。在一个实施例中，“隔离/嵌套”控制策略和/或计划可以被建立并映射到物理模块。控制策略和/或计划可以在接收和/或创建过程任务(Process Job，PJ)时建立。
当过程序列中的“隔离/嵌套”控制计划被执行时，系统控制器可以执行“隔离/嵌套”控制策略。“隔离/嵌套”控制策略可以包括一个或多个“隔离/嵌套”控制计划。控制策略的选择和发起可以是基于环境的。当执行“隔离/嵌套”控制策略时，可以在物理模块中处理晶片。或者，当控制器确定与晶片的处理环境相匹配的“隔离/嵌套”控制策略不存在时，控制器可以创建并执行新的“隔离/嵌套”控制策略。
环境匹配可以利用与包含环境项的所有方案相匹配的SQL(Sequel)陈述来实现。或者，不需要SQL陈述，也不要求陈述是以SQL格式撰写的。如本领域技术人员将意识到的，可以采用除SQL之外的其他格式，而不脱离本发明的范围。
另外，处理系统控制器可以执行“隔离/嵌套”数据采集(DC)策略，“隔离/嵌套”数据采集(DC)策略可以包括至少一个“隔离/嵌套”数据采集(DC)计划。“隔离/嵌套”DC策略的选择和发起也可以是基于环境的。当执行“隔离/嵌套”DC策略时，对于正在处理的晶片可以采集隔离和嵌套结构的数据。
“隔离/嵌套”DC计划确定采集哪些数据，如何采集数据，以及将数据存储在何处。控制器可以自动生成物理模块的数据采集计划。一般来说，对于特定模块一次可以激活一个数据采集计划，并且控制器可以选择并使用与晶片环境相匹配的数据采集计划。数据可以包括跟踪数据、过程日志信息、方案数据、维护计数器数据、OES数据、VIP数据、或模拟数据，或者其中两者或更多者的组合。测量设备和/或传感器可以由DC计划启动和停止。DC计划还可以提供用于修饰数据、裁减数据以及处理尖峰数据(spike data)和离群点的信息。
此外，系统控制器可以在晶片被处理时执行“隔离/嵌套”分析策略。“隔离/嵌套”分析策略可以包括“隔离/嵌套”分析计划、或“隔离/嵌套”判断计划或其组合。当执行“隔离/嵌套”分析策略时，可以分析晶片数据、过程数据和/或模块数据，并且可以识别故障状况。
例如，在已经采集了数据之后，数据可被发送到故障检测程序用于运行规则评估。故障限度可以基于历史数据自动计算，基于客户的经验或过程知识手工输入，或者从主机计算机获得。可以将数据与警告和控制限度相比较，并且当违反运行规则时，可以生成报警，指示过程已经超过了统计限度。当生成报警时，控制器可以执行通知或干预。通知可以经由电子邮件，或者通过电子邮件激活的寻呼器发送。另外，控制器可以通过或者在当前批次结束时暂停过程，或者在当前晶片结束时暂停过程来执行干预。控制器可以识别导致生成报警的处理模块。
图11示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图。在图示实施例中，示出了测量后计算序列1100，但是这并不是本发明所必需的。或者，序列可以是不同序列。
在图示实施例中，序列1100包括两个控制计划，第一控制计划CP1和第二控制计划CP2，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同数目的控制计划。例如，可以为隔离和嵌套状况使用单独的控制计划，并且也可以使用其他控制计划。
第一控制计划CP1可以耦合到第一输入元1110，并且可以包括一个或多个数据元，例如1120和1125。或者，可以使用不同数目的输入元和/或数据元。数据元1120可以包括“隔离”数据，并且可以包括晶片上包括隔离结构/特征、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。数据元1125可以包括“嵌套”数据，并且可以包括晶片上包括嵌套结构/特征、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。或者，可以包括其他的数据元(未示出)，例如“参考”、“混合”或“标称”数据元。
第一输入元1110可以包括来自集成度量模块(IMM)的ODP数据，集成度量模块例如是来自Tokyo Electron Ltd.的iODP模块。或者，第一输入元1110可以包括SEM数据和/或TEM数据。
第一控制计划CP1还可以包括数据转换元，例如1130和1135。数据转换元1130可以耦合到数据元1120，并且可以用于转换数据元1120中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1130可以用于将“隔离”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“隔离”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。数据转换元1135可以耦合到数据元1125，并且可以用于转换数据元1125中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1135可以用于将“嵌套”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“嵌套”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。或者，可以使用“参考”数据。另外，数据转换元1130和数据转换元1135可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第二控制计划CP2。
第二输入元1115可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第二输入元1115可以包括历史数据。在一个实施例中，第二输入元1115可以包括诸如“偏置目标”之类的过程参数的期望值。
另外，第一控制计划CP1可以包括一个或多个计算元，例如1140。计算元1140可以耦合到第二输入元1115、数据转换元1130、1135，并且提供一个或多个输出1150。在一个实施例中，计算元1140可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“偏置误差”。或者，输出1150可以包括其他过程数据和/或工具数据。
第三输入元1160可以耦合到第二控制计划CP2，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第三输入元1160可以包括历史数据。在一个实施例中，第三输入元1160可以包括诸如“最终CD目标”之类的过程结果的期望值。
第二控制计划CP2可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第一控制计划CP1，并且可以包括一个或多个数据元，例如1165。或者，可以使用不同数目的控制计划和/或计算元。计算元1165可以耦合到第三输入元1160、另一个控制计划以及一个或多个输出元，例如1170。在一个实施例中，计算元1165可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“BARC修饰误差”，并且输出元可以包括“修饰误差”。或者，输出1175可以包括其他过程数据和/或工具数据。
图12示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图。在图示实施例中，示出了级联式前馈和反馈wafer-to-wafer计算序列1200，但是这并不是本发明所必需的。或者，序列1200可以是基于批次或基于批量的。
在图示实施例中，序列1200包括两个控制计划，第一控制计划CP1和第二控制计划CP2，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同数目的控制计划。例如，可以为隔离和嵌套状况使用单独的控制计划，并且也可以使用其他控制计划。
第一控制计划CP1可以耦合到第一输入元1210，并且可以包括一个或多个数据元，例如1220和1225。或者，可以使用不同数目的输入元和/或数据元。数据元1220可以包括“隔离”数据，并且可以包括晶片上包括隔离结构/特征、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。数据元1225可以包括“嵌套”数据，并且可以包括晶片上包括嵌套结构/特征、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。或者，可以包括其他的数据元(未示出)，例如“参考”、“混合”或“标称”数据元。
第一输入元1210可以包括来自集成度量模块(IMM)的ODP数据，集成度量模块例如是来自Tokyo Electron Ltd.的iODP模块。或者，第一输入元1210可以包括SEM数据和/或TEM数据。
第一控制计划CP1还可以包括数据转换元，例如1230和1235。数据转换元1230可以耦合到数据元1220，并且可以用于转换数据元1220中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1230可以用于将“隔离”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“隔离”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。数据转换元1235可以耦合到数据元1225，并且可以用于转换数据元1225中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1235可以用于将“嵌套”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“嵌套”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。一个度量模块可以用于提供“参考”数据。
第二输入元1215可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第二输入元1215可以包括历史数据。在一个实施例中，第二输入元1215可以包括诸如“偏置目标”之类的过程参数的期望值。
第三输入元1212可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的反馈数据和/或前馈数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第三输入元1212可以包括历史数据。在一个实施例中，第三输入元1212可以包括诸如“偏置误差”之类的过程参数的实际值和期望值之间的差(误差值)。
另外，第一控制计划CP1可以包括一个或多个计算元，例如1240和1245。计算元1240可以耦合到第二输入元1215、第三输入元1212、数据转换元1230、1235以及一个或多个其他控制计划。在一个实施例中，计算元1240可以使用前馈数据和反馈数据来计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，前馈数据可以包括“偏置目标”数据，反馈数据可以包括“偏置误差”数据，并且过程参数可以包括诸如“偏置修饰”值之类的刻蚀量。
计算元1245可以耦合到计算元1240，并且可以提供一个或多个输出1250。在一个实施例中，计算元1245可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1250可以包括一个或多个过程步骤的“步骤时间”数据。或者，输出1250可以包括其他过程数据和/或工具数据。
第四输入元1260和第五输入元1262可以耦合到第二控制计划CP2，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Limited的TELIUS工具。或者，第四和/或第五输入元1260、1262可以包括历史数据。在一个实施例中，第四输入元1260可以包括前馈数据，例如过程结果的期望值，第五输入元1262可以包括反馈数据，例如过程结果的误差数据。例如，误差数据可以包括“BARC误差”。
第二控制计划CP2可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第一控制计划CP1，并且可以包括一个或多个数据元，例如1255。或者，可以使用不同数目的控制计划和/或数据元。数据元1255可以包括计算出的数据，例如“偏置修饰”数据和/或“步骤时间”数据。或者，数据元1255可以包括其他前馈和/或反馈数据项。
另外，第二控制计划CP2可以包括一个或多个计算元，例如1265和1270。计算元1265可以耦合到第三输入元1260、数据元1255以及一个或多个其他计算元，例如1270。在一个实施例中，计算元1265可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“BARC修饰”。
计算元1270可以耦合到计算元1265，并且可以提供一个或多个输出1275。在一个实施例中，计算元1270可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1275可以包括一种或多种过程气体的流数据或过程气体的一个或多个流速。例如，可以提供O2和CF4的流速。或者，输出1275可以包括其他过程数据和/或工具数据。
序列1200还可以包括控制策略元1280。一个或多个系统控制器(未示出)可以包含用于控制系统操作的多个APC方案(控制策略)，并且控制策略可以与用于处理工具的系统方案相关联。
在一个实施例中，BARC控制策略可以用于建立一个或多个BARC方案以控制一个或多个BARC刻蚀过程。BARC控制策略可以包括一个或多个“隔离/嵌套”控制计划，例如第一控制计划CP1和第二控制计划CP2。处理模块和/或测量模块可以具有针对对模块的每次访问定义的至少一个控制计划。控制计划可以包含模型、限度、目标、方案，并且可以覆盖过程序列内的多个过程步骤。在一个实施例中，“隔离/嵌套”控制策略和/或计划可以被建立并映射到模块。控制策略和/或计划可以在接收和/或创建过程任务(PJ)时建立。
图13示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图。在图示实施例中，示出了“测量后计算以及过程模型更新”序列1300，但是这并不是本发明所必需的。或者，序列1300可以是不同序列。
在图示实施例中，序列1300包括两个控制计划，第一控制计划CP1和第二控制计划CP2，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同数目的控制计划。例如，可以为隔离和嵌套状况使用单独的控制计划，并且也可以使用其他控制计划。
第一控制计划CP1可以耦合到第一输入元1310，并且可以包括一个或多个数据元，例如1320和1325。或者，可以使用不同数目的输入元和/或数据元。数据元1320可以包括“隔离”数据，并且可以包括晶片上包括隔离结构/特征、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。数据元1325可以包括“嵌套”数据，并且可以包括晶片上包括嵌套结构/特征、沟、或通孔或其组合的至少一个区域的度量数据。或者，可以包括其他的数据元(未示出)，例如“参考”、“混合”或“标称”数据元。
第一输入元1310可以包括来自集成度量模块(IMM)的ODP数据，集成度量模块例如是来自Tokyo Electron Ltd.的iODP模块。或者，第一输入元1310可以包括SEM数据和/或TEM数据。
第一控制计划CP1还可以包括数据转换元，例如1330和1335。数据转换元1330可以耦合到数据元1320和第二控制计划CP2，并且数据转换元1330可以用于转换从数据元1320接收的一个或多个数据项。例如，数据转换元1330可以用于将“隔离”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“隔离”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。数据转换元1335可以耦合到数据元1325和第二控制计划CP2，并且数据转换元1335可以用于转换数据元1325中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1335可以用于将“嵌套”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“嵌套”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。或者，可以使用“参考”数据。另外，数据转换元1330、数据转换元1335可以耦合到一个或多个其他控制计划。
第二输入元1315可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Limited的TELIUS工具。或者，第二输入元1315可以包括历史数据。在一个实施例中，第二输入元1315可以包括诸如“偏置目标”之类的过程参数的期望值。
另外，第一控制计划CP1可以包括一个或多个计算元，例如1340和1345。计算元1340可以耦合到第二输入元1315、数据转换元1330、1335以及计算元1345。在一个实施例中，计算元1340可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“偏置误差”。
计算元1345可以耦合到计算元1340，并且可以提供一个或多个输出1350。在一个实施例中，计算元1345可以用于更新一个或多个过程模型，并且输出1350可以包括“隔离”模型数据、“嵌套”模型数据、或“隔离/嵌套”模型数据或其组合。或者，输出1350可以包括更新后的模型数据。
第三输入元1360可以耦合到第二控制计划CP2，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第三输入元1360可以包括历史数据。在一个实施例中，第三输入元1360可以包括诸如“最终CD目标”之类的过程结果的期望值。
第二控制计划CP2可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第一控制计划CP1，并且可以包括一个或多个计算元，例如1365和1370。或者，可以使用不同数目的控制计划和/或计算元。计算元1365可以耦合到第三输入元1360、另一个控制计划以及一个或多个计算元，例如1370。在一个实施例中，计算元1365可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“BARC修饰误差”，并且输出元可以包括“修饰误差”。或者，输出可以包括其他过程数据和/或工具数据。
计算元1370可以耦合到计算元1365，并且可以提供一个或多个输出1380。在一个实施例中，计算元1370可以用于更新一个或多个过程模型，并且输出1380可以包括“刻蚀”模型数据、或“修饰”模型数据或其组合。或者，输出1380可以包括更新后的模型数据。
图14示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法简化序列图。在图示实施例中，示出了“级联式前馈wafer-to-wafer计算以及反馈模型调节”序列1400，但是这并不是本发明所要求的。或者，该序列可以是基于批次或基于批量的。
在图示实施例中，序列1400包括两个控制计划，第一控制计划CP1和第二控制计划CP2，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同数目的控制计划。例如，可以为隔离和嵌套状况使用单独的控制计划，并且也可以使用其他控制计划。
第一输入元1410可以包括来自集成度量模块(IMM)的ODP数据，集成度量模块例如是来自Tokyo Electron Ltd.的iODP模块。或者，第一输入元1410可以包括SEM数据和/或TEM数据。
第一控制计划CP1还可以包括数据转换元，例如1430和1435。数据转换元1430可以耦合到数据元1420和第二控制计划CP2，并且数据转换元1430可以用于转换从数据元1420接收的一个或多个数据项。例如，数据转换元1430可以用于将“隔离”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“隔离”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。数据转换元1435可以耦合到数据元1425和第二控制计划CP2，并且数据转换元1435可以用于转换数据元1425中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1435可以用于将“嵌套”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“嵌套”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。或者，可以使用“参考”数据。另外，数据转换元1430和数据转换元1435可以耦合到一个或多个其他控制计划。
第二输入元1415可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第二输入元1415可以包括历史数据。在一个实施例中，第二输入元1415可以包括诸如“偏置目标”之类的过程参数的期望值。
第三输入元1412可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的前馈数据和/或反馈数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第三输入元1412可以包括历史数据。在一个实施例中，第三输入元1412可以包括过程模型数据，例如“隔离/嵌套”模型数据。
另外，第一控制计划CP1可以包括一个或多个计算元，例如1440和1445。计算元1440可以耦合到第二输入元1415、第三输入元1412、数据转换元1430、1435以及一个或多个其他控制计划。在一个实施例中，计算元1440可以使用前馈数据和反馈数据来计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，过程模型可以用于优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，前馈数据可以包括“偏置目标”数据，反馈数据可以包括“隔离嵌套”模型数据，而过程参数可以包括刻蚀量，例如“偏置修饰”值。
计算元1445可以耦合到计算元1440，并且可以提供一个或多个输出1450。在一个实施例中，计算元1445可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1450可以包括一个或多个过程步骤的“步骤时间”数据。或者，输出1450可以包括其他过程数据和/或工具数据。
第四输入元1460和第五输入元1462可以耦合到第二控制计划CP2，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第四和/或第五输入元1460、1462可以包括历史数据。在一个实施例中，第四输入元1460可以包括前馈数据，例如过程结果的期望值，第五输入元1462可以包括反馈数据，例如模型数据和/或模型更新数据。例如，模型数据可以包括“修饰”模型数据。
第二控制计划CP2可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第一控制计划CP1，并且可以包括一个或多个数据元，例如1455。或者，可以使用不同数目的控制计划和/或数据元。数据元1455可以包括计算出的数据，例如“偏置修饰”数据和/或“步骤时间”数据。或者，数据元1455可以包括其他前馈和/或反馈数据项。
另外，第二控制计划CP2可以包括一个或多个计算元，例如1465和1470。计算元1465可以耦合到诸如1460和1462之类的一个或多个输入元、数据元1455以及一个或多个其他计算元，例如1470。在一个实施例中，计算元1465可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“BARC修饰”。
计算元1470可以耦合到计算元1465，并且可以提供一个或多个输出1475。在一个实施例中，计算元1470可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1475可以包括一种或多种过程气体的流数据或过程气体的一个或多个流速。例如，可以提供O2和CF4的流速。或者，输出1475可以包括其他过程数据和/或工具数据。
序列1400还可以包括控制策略元1480。一个或多个系统控制器(未示出)可以包含用于控制系统操作的多个APC方案(控制策略)，并且控制策略可以与用于处理工具的系统方案相关联。
在一个实施例中，BARC控制策略可以用于建立一个或多个BARC方案以控制一个或多个BARC刻蚀过程。BARC控制策略可以包括一个或多个“隔离/嵌套”控制计划，例如第一控制计划CP1和第二控制计划CP2。处理模块和/或测量模块可以具有针对对模块的每次访问定义的至少一个控制计划。控制计划可以包含模型、限度、目标、方案，并且可以覆盖过程序列内的多个过程步骤。在一个实施例中，“隔离/嵌套”控制策略和/或计划可以被建立并映射到模块。控制策略和/或计划可以在接收和/或创建过程任务(PJ)时建立。
图15示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图。在图示实施例中，示出了具有不同的用于修饰控制的结构的另一个级联式前馈wafer-to-wafer计算序列1500，但是这并不是本发明所必需的。或者，该序列可以是基于批次或基于批量的。
在图示实施例中，序列1500包括两个控制计划，第一控制计划CP1和第二控制计划CP2，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同数目的控制计划。例如，可以为隔离和嵌套状况使用单独的控制计划，并且也可以使用其他控制计划。
第一输入元1510可以包括来自集成度量模块(IMM)的ODP数据，集成度量模块例如是来自Tokyo Electron Ltd.的iODP模块。或者，第一输入元1510可以包括SEM数据和/或TEM数据。
第一控制计划CP1还可以包括数据转换元，例如1530和1535。数据转换元1530可以耦合到数据元1520，并且数据转换元1530可以用于转换从数据元1520接收的一个或多个数据项。例如，数据转换元1530可以用于将“隔离”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“隔离”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。数据转换元1535可以耦合到数据元1525，并且数据转换元1535可以用于转换数据元1525中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1535可以用于将“嵌套”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“嵌套”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。或者，可以使用“参考”数据。另外，数据转换元1530和数据转换元1535可以耦合到一个或多个其他控制计划。
第二输入元1515可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第二输入元1515可以包括历史数据。在一个实施例中，第二输入元1515可以包括诸如“偏置目标”之类的过程参数的期望值。
第三输入元1512可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的反馈数据和/或前馈数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第三输入元1512可以包括历史数据。在一个实施例中，第三输入元1512可以包括过程模型数据，例如“隔离/嵌套”模型数据。
另外，第一控制计划CP1可以包括一个或多个计算元，例如1540和1545。计算元1540可以耦合到第二输入元1515、第三输入元1512、数据转换元1530、1535以及一个或多个其他控制计划。在一个实施例中，计算元1540可以使用前馈数据和反馈数据来计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，过程模型可以用于优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，前馈数据可以包括“偏置目标”数据，反馈数据可以包括“隔离/嵌套”模型数据，而过程参数可以包括刻蚀量，例如“偏置修饰”值和/或“步骤时间”值。
计算元1545可以耦合到计算元1540，并且可以提供一个或多个输出1550。在一个实施例中，计算元1545可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1550可以包括一个或多个过程步骤的“步骤时间”数据。或者，输出1550可以包括其他过程数据和/或工具数据。
第四输入元1560和第五输入元1562可以耦合到第二控制计划CP2，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第四和/或第五输入元1560、1562可以包括历史数据。在一个实施例中，第四输入元1560可以包括前馈数据，例如过程结果(即，最终CD目标)的期望值，第五输入元1562可以包括反馈数据，例如模型数据和/或模型更新数据。例如，模型数据可以包括“修饰”模型数据。
第二控制计划CP2可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第一控制计划CP1，并且可以包括一个或多个数据元，例如1555。或者，可以使用不同数目的控制计划和/或数据元。数据元1555可以包括计算出的数据，例如“偏置修饰”数据和/或“步骤时间”数据。或者，数据元1555可以包括其他前馈和/或反馈数据项。
另外，第二控制计划CP2可以包括一个或多个计算元，例如1565和1570。计算元1565可以耦合到第四输入元1560、第五输入元1562、数据元1555以及一个或多个其他计算元，例如1570。在一个实施例中，计算元1565可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“BARC修饰”。
计算元1570可以耦合到计算元1565，并且可以提供一个或多个输出1575。在一个实施例中，计算元1570可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1575可以包括一种或多种过程气体的流数据或过程气体的一个或多个流速。例如，可以提供O2和CF4的流速。或者，输出1575可以包括其他过程数据和/或工具数据。
第二控制计划CP2还可以包括数据转换元，例如1595。数据转换元1595可以耦合到控制元1592，并且数据元1595可以用于转换从控制元1592接收的一个或多个数据项。例如，数据转换元1595可以用于将来自一个测量系统的度量数据校准到诸如CD-SEM数据之类的参考系统数据。另外，控制元1592可以耦合到可以包括度量数据的输入元1590。
序列1500还可以包括控制策略元1580。一个或多个系统控制器(未示出)可以包含用于控制系统操作的多个APC方案(控制策略)，并且控制策略可以与用于处理工具的系统方案相关联。
在一个实施例中，BARC控制策略可以用于建立一个或多个BARC方案以控制一个或多个BARC刻蚀过程。BARC控制策略可以包括一个或多个“隔离/嵌套”控制计划，例如第一控制计划CP1和第二控制计划CP2。处理模块和/或测量模块可以具有针对对模块的每次访问定义的至少一个控制计划。控制计划可以包含模型、限度、目标、方案，并且可以覆盖过程序列内的多个过程步骤。在一个实施例中，“隔离/嵌套”控制策略和/或计划可以被建立并映射到模块。控制策略和/或计划可以在接收和/或创建过程任务(PJ)时建立。
图16示出了根据本发明另一个实施例的用于操作处理系统的方法的简化序列图。在图示实施例中，示出了包括虚拟测量的另一个级联式前馈wafer-to-wafer计算序列1600，但是这并不是本发明所必需的。或者，该序列可以是基于批次或基于批量的。
在图示实施例中，序列1600包括两个控制计划，第一控制计划CP1和第二控制计划CP2，但是这并不是本发明所必需的。或者，可以使用不同数目的控制计划。例如，可以为隔离和嵌套状况使用单独的控制计划，并且也可以使用其他控制计划。
第一输入元1610可以包括来自集成度量模块(IMM)的ODP数据，集成度量模块例如是来自Tokyo Electron Ltd.的iODP模块。或者，第一输入元1610可以包括SEM数据和/或TEM数据。
第一控制计划CP1还可以包括数据转换元，例如1630和1635。数据转换元1630可以耦合到数据元1620和第二控制计划CP2，并且数据转换元1630可以用于转换从数据元1620接收的一个或多个数据项。例如，数据转换元1630可以用于将“隔离”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“隔离”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。转换元1635可以耦合到数据元1625和第二控制计划CP2，并且数据转换元1635可以用于转换数据元1625中的一个或多个数据项。例如，数据转换元1635可以用于将“嵌套”数据校准到“CD-SEM”数据。可以建立将“嵌套”结构的度量数据从一个度量模块(IMM)关联到另一个度量模块(SEM)的方程和/或表。或者，可以使用“参考”数据。另外，数据转换元1630和数据转换元1635可以耦合到一个或多个其他控制计划。
第二输入元1615可以耦合到CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo ElectronLtd.的TELIUS工具。或者，第二输入元1615可以包括历史数据。在一个实施例中，第二输入元1615可以包括诸如“偏置目标”之类的过程参数的期望值。
第三输入元1612可以耦合到第一控制计划CP1，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的反馈数据和/或前馈数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第三输入元1612可以包括历史数据。在一个实施例中，第三输入元1612可以包括过程模型数据，例如“隔离/嵌套”模型数据。
另外，第一控制计划CP1可以包括一个或多个计算元，例如1640和1645。计算元1640可以耦合到第二输入元1615、第三输入元1612、数据转换元1630、1635以及一个或多个其他控制计划。在一个实施例中，计算元1640可以使用前馈数据和反馈数据来计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，过程模型可以用于优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，前馈数据可以包括“偏置目标”数据，反馈数据可以包括“隔离/嵌套”模型数据，而过程参数可以包括刻蚀量，例如“偏置修饰”值。
计算元1645可以耦合到计算元1640，并且可以提供一个或多个输出1650。在一个实施例中，计算元1645可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1650可以包括一个或多个过程步骤的“步骤时间”数据。或者，输出1650可以包括其他过程数据和/或工具数据。
第四输入元1660和第五输入元1662可以耦合到第二控制计划CP2，并且可以包括用于处理工具中的过程模块的输入数据和/或输出数据，处理工具例如是来自Tokyo Electron Ltd.的TELIUS工具。或者，第四和/或第五输入元1660、1662可以包括历史数据。在一个实施例中，第四输入元1660可以包括前馈数据，例如过程结果的期望值，第五输入元1662可以包括反馈数据，例如模型数据和/或模型更新数据。例如，模型数据可以包括“修饰”模型数据。
第二控制计划CP2可以耦合到一个或多个其他控制计划，例如第一控制计划CP1，并且可以包括一个或多个数据元，例如1655。或者，可以使用不同数目的控制计划和/或数据元。数据元1655可以包括计算出的数据，例如“偏置修饰”数据和/或“步骤时间”数据。或者，数据元1655可以包括其他前馈和/或反馈数据项。
另外，第二控制计划CP2可以包括一个或多个计算元，例如1665和1670。计算元1665可以耦合到诸如1660和1662之类的一个或多个输入元、数据元1655以及一个或多个其他计算元，例如1670。在一个实施例中，计算元1665可以用于计算一个或多个处理参数。例如，在刻蚀过程中，可以控制一个或多个过程参数来优化隔离和/或嵌套结构的刻蚀过程。在一种情况下，过程参数可以是“BARC修饰”。
计算元1670可以耦合到计算元1665，并且可以提供一个或多个输出1675。在一个实施例中，计算元1670可以用于计算一个或多个方案参数，并且输出1675可以包括一种或多种过程气体的流数据或过程气体的一个或多个流速。例如，可以提供O2和CF4的流速。或者，输出1675可以包括其他过程数据和/或工具数据。
此外，第二控制计划CP2可以包括额外的计算元1690，计算元1690可以耦合到数据转换元1630、数据转换元1635和计算元1665。计算元1690可以用于计算虚拟测量结果。
序列1600还可以包括控制策略元1680。一个或多个系统控制器(未示出)可以包含用于控制系统操作的多个APC方案(控制策略)，并且控制策略可以与用于处理工具的系统方案相关联。
在一个实施例中，BARC控制策略可以用于建立一个或多个BARC方案以控制一个或多个BARC刻蚀过程。BARC控制策略可以包括一个或多个“隔离/嵌套”控制计划，例如第一控制计划CP1和第二控制计划CP2。处理模块和/或测量模块可以具有针对对模块的每次访问定义的至少一个控制计划。控制计划可以包含模型、限度、目标、方案，并且可以覆盖过程序列内的多个过程步骤。在一个实施例中，“隔离/嵌套”控制策略和/或计划可以被建立并映射到模块。控制策略和/或计划可以在接收和/或创建过程任务(PJ)时建立。
处理系统可以包括控制器，控制器可以作为单输入单输出(SISO)设备、单输入多输出(SIMO)设备、多输入单输出(MISO)设备和多输入多输出(MIMO)设备工作。另外，输入和输出可以是在控制器内和/或一个或多个控制器之间。例如，当使用诸如CD和侧壁角之类的多个输入时，输入和输出可以在两个模块(即，一个用于CD控制，一个用于侧壁角控制)之间前馈和反馈。另外，还可以使用掩模开口控制器。在包括多个模块的多过程情况下，信息可以从一个控制器前馈或反馈到另一个控制器。
前述的前馈和反馈序列可以利用多个输入和/或多个输出执行。控制计划、方案、模型、数据元、数据转换元、计算元和/或控制策略元可以包括多个输入和/或多个输出。
在一个实施例中，处理系统和主机系统协同工作来确定用来处理晶片的正确的过程序列。例如，在诸如硬掩模或软掩模修饰过程之类的修饰过程中，某些晶片可能需要单次通过刻蚀模块，而其他晶片可能需要多次通过刻蚀模块。在这种情况下，主机系统可以允许处理系统确定经过刻蚀模块的趟数，并且可以建立控制计划和/或策略来管理不同晶片的过程序列中不同数目的过程对象。
系统控制器可以利用从主机系统接收的一个或多个期望结果来创建用于晶片的可以包括一个或多个控制计划的控制策略。在一个实施例中，可以创建“隔离/嵌套”控制策略，其可以包括“隔离”和“嵌套”控制计划。或者，可以创建“隔离/嵌套”系统方案。“隔离/嵌套”控制策略的选择和发起可以是基于环境的。当执行“隔离/嵌套”控制策略时，可以在一个或多个模块中处理晶片。
另外，系统控制器可以执行“隔离/嵌套”数据采集(DC)策略，“隔离/嵌套”数据采集(DC)策略可以包括至少一个数据采集(DC)计划。“隔离/嵌套”DC策略的选择和发起也可以是基于环境的。当执行“隔离/嵌套”DC策略时，对于正在处理的晶片可以采集“隔离”和/或“嵌套”数据。
此外，当晶片被处理时，系统控制器可以执行“隔离/嵌套”分析策略。“隔离/嵌套”分析策略可以包括“隔离/嵌套”分析计划、或“隔离/嵌套”判断计划或其组合。当执行“隔离/嵌套”分析策略时，可以分析晶片数据、过程数据和/或模块数据，并且可以识别故障状况。或者，可以计算反馈数据并将其用于更新过程方案和/或过程模型。
在一个实施例中，处理系统控制器可以确定过程序列中每个元的控制策略(方案)。或者，控制策略(方案)可以由主机系统确定、发送和/或验证。
图17图示了根据本发明实施例的隔离/嵌套控制策略屏幕1700的示例性示图。隔离/嵌套控制策略屏幕1700可以包括多个配置项。利用隔离/嵌套控制策略屏幕1700，用户可以执行隔离/嵌套控制策略配置，查看现有的隔离/嵌套控制策略，创建新的隔离/嵌套控制策略，复制现有的隔离/嵌套控制策略，编辑现有的隔离/嵌套控制策略，删除现有的隔离/嵌套控制策略，以及测试隔离/嵌套控制策略。例如，下拉式列表可以用于选择动作进程。
图18图示了根据本发明实施例的嵌套控制计划编辑器屏幕1800的示例性示图。
图19图示了根据本发明实施例的隔离控制计划编辑器屏幕1900的示例性示图。或者，可以使用其他计划。
为了创建嵌套和/或隔离控制计划，用户可以选择计划名项目并选择新的控制计划或现有的计划或模型。例如，在隔离/嵌套控制策略屏幕上，可以出现下拉式菜单，并且可以选择添加计划(Add Plan)选择(未示出)。
嵌套和/或隔离控制计划编辑器屏幕1800、1900可以包括多个字段。计划名(Plan Name)字段可以用于输入/编辑嵌套和/或隔离控制计划名。模块(Module)字段可以用于输入/编辑模块名。例如，如果计划与策略相关联，则模块字段可被自动填充。如果计划是不相关联的，则模块字段可以用于选择过程模块或测量模块。方案(Recipe)字段可以用于输入/编辑方案。例如，如果计划与策略相关联，则方案字段可被自动填充。如果计划是不相关联的，则该字段可以用于选择用于过程模块的过程方案或用于测量模块的测量方案。
描述(Description)字段可以用于输入/编辑计划的描述。最新(Updated)字段显示计划被改变的最后时间。
数据源(Data Source)表可以用于输入/编辑数据源。例如，可以打开嵌套和/或隔离计划数据源屏幕。数据源表可以包括源类型、数据源描述和数据源参数/值。例如，选定的源类型确定在数据源屏幕上显示的选项；“Telius ODP”型可以用于定义作为处理工具的一部分的集成度量模块数据源；“期望输出(Desired Output)”型允许用户输入控制器的固定单位；“反馈偏移(Feedback Offest)”型允许用户定义持久反馈变量；“控制计划值(Control Plan Value)”允许用户创建参考不同控制计划的结果的变量(创建嵌套计划)；“集成度量地点过滤(IntegratedMetrology Site Filtering)”型在每个数据源被选择时创建具有每个选项的描述的表；“环境项(ContextItem)”型允许用户创建参考环境项的变量，例如Slot_Id、Wafer_id或晶片号。
可以从符号(Symbol)下拉式列表中选择符号，并且可以从数据源类型(Data Source Type)下拉式菜单中选择源类型。例如，数据源信息字段可以依赖于所选的数据源而不同。
示出了三个输入数据源(d1、d2、o1)，但是这不是必需的。可以使用不同数目的输入数据源，并且每个输入数据源可以具有不同的符号值。一个数据源可以是控制计划值，例如期望过程结果或经校准的日期项。另外，数据源可以是ODP工具，并且其可以是处理工具的一部分，例如Telius。另外，另一个数据源可以是SEM，并且参数/值可以是实际测得数据，例如CD-SEM数据。
通常，过程控制可以包括在晶片到达过程模块之前利用对晶片测得的度量信息来更新过程模块方案。控制器可以使用处理前数据来确定需要对各种物理模块进行多少次访问。期望过程结果可以是模型方程中的“y”值。任务是确定何时期望过程结果“y”是正确值。
在嵌套和/或隔离控制计划屏幕上的目标计算字段中，可以输入目标计算。例如，目标计算可以被设为等于数据源项。或者，可以输入将一组数据与另一组数据相关的方程。另外，目标计算可以包括额外的补偿项。例如，额外的补偿因子可以用于校正在另一步(例如光刻胶步骤)中引入的误差。新的目标值可以是在运行时或者在运行时之前计算的变量，并且方程可以用于计算目标值。
另外，可以使用新的下限值和上限值，并且这些值可以在下限字段和上限字段中输入。例如，新的下限值和上限值可以是在运行时或者在运行时之前计算的常数或变量，并且方程可以用于计算新的下限值和上限值。
模型选择(Model Selection)字段可以用于编辑/输入静态模型和/或公式模型(formula model)。例如，在模型类型选择项下，表中的选择项可以用于输入和/或编辑模型类型。可以从表项中激活下拉式列表，并且可以从下拉式列表中进行选择。下拉式列表中的一个选项允许创建新的模型；其他选项可以用于显示并选择要使用或修改的现有模型。每个模型类型可以具有与其相关联的模块名、目标值、下限、上限和方案输出。当创建新的模型时，可以使用新的模型类型并输将其入在模型类型字段中，并且可以使用新的模型名并将其输入在模型名字段中。
预测结果计算(Predicted Result Calculation)字段可以用于输入新的预测结果值或选择现有的预测结果值。预测结果值可以是期望结果的方程。例如，当输入名称、目标计算和模型选择信息时，可以保存控制计划。
#字段包括模型列表中的模型编号。模型类型允许选择静态或公式模型。模型名字段列出了可用模型的名称。例如，为了创建新的模型，可以从下拉式列表中选择“新静态方案(New Static Recipe)”选项或“新公式方案(New Formula Recipe)”选项。可以创建包括一个或多个静态方案的静态控制计划。例如，可以示出十个或更多个静态模型。这些静态模型被示为具有相同的目标值(t1)，但是这并不是必需的。可以使用不同数目的静态和/或公式模型，并且每个模型可以具有不同的目标值。当使用每个静态方案时，可以计算新的目标值。静态方案模型可以具有由下限值和上限值限定的不同工作范围。另外，静态方案模型可以具有不同的静态方案输出，并且可以对每个静态方案可以确定不同的静态方案输出。
嵌套和/或隔离控制计划可以包括静态模型方案、或公式模型方案或其组合。控制器可以自动生成模块的控制计划。过程方案可以包括一个或多个过程，每个过程包括一个或多个处理步骤。过程方案可以在单个室或多个室中执行。过程方案可以利用标称方案、静态方案或公式模型中的至少一个来配置。
静态方案可以是用于实现特定过程结果的单一一组方案调节。一组静态方案可以用于设置基于表的控制器，或者静态方案可以与公式模型一起使用来处理应当使用相同方案的期望输出的范围。当使用利用静态方案的反馈时，对于使用的每个静态方案，可以在控制计划中规定单个预测过程结果。
图20图示了根据本发明实施例的公式模型编辑器屏幕2000的示例性示图。公式模型可以包括模型前调节、模型方程、一系列模型后调节和方案参数分配映射。模型前调节可以允许将期望过程结果(通常是t1)重新表达为用在模型方程中的正确单位(导致y值)，并且模型方程可以是计算作为一个操作变量(x)的函数的预测过程结果的表达式。当执行模型时，在给定重新表达后的期望过程结果(y)的情况下，将会解出x。一旦确定了x，就可以计算模型后调节，并且它们的值将会被指定给在方案参数映射中规定的适当的方案参数。
另外，可以提供一个或多个过程模型。过程模型可以用于定义过程空间。过程模型代表期望结果(输出)和实现这些结果所需的接收变量之间的验证关系。过程模型可以包括方程，方程可包括基于公式的模型。基于公式的模型可以包括这样的方程，这些方程包含基于某些估计的实验数据的方案变量与期望结果的分段关联。过程模型可以是线性的或非线性的。过程模型可以用于验证新的过程方案并更新现有的过程方案。
如本领域技术人员将意识到的，这里描述的各种组件可以经由有线或无线连接或经由因特网彼此相连。因此，这些连接都不应当被视为是任何一种特定种类或类型的。
尽管上面只详细描述了本发明的某些实施例，但是本领域技术人员将容易地意识到，可以在实施例中进行许多修改，而实质上不脱离本发明的新颖教导和优点。因此，所有这些修改都应当包括在本发明的范围内。
权利要求
1.一种操作半导体处理系统的方法，包括接收包括晶片的参考度量数据在内的输入数据，所述晶片的参考度量数据包括所述晶片上至少一个隔离结构的参考度量数据和所述晶片上至少一个嵌套结构的参考度量数据；利用所述晶片的参考度量数据创建包括用于控制第一刻蚀过程的第一控制计划的隔离/嵌套控制策略；以及利用所述晶片上至少一个嵌套结构的参考度量数据创建用于控制第二刻蚀过程的第二控制计划。
2.如权利要求1所述的方法，还包括利用隔离结构的测得数据和嵌套结构的测得数据之间的差计算测得偏置修饰；确定偏置修饰目标；计算偏置修饰调节；确定实现期望的偏置修饰调节的方案设置；计算剩余的BARC修饰；以及确定实现期望的BARC修饰的方案设置。
3.如权利要求1所述的方法，还包括利用光学数字轮廓仪(ODP)获得晶片上多个隔离结构的测量数据；利用临界尺寸扫描电子显微镜(CD SEM)获得所述晶片上多个隔离结构的隔离参考数据；以及建立将所述隔离测量数据与所述隔离参考数据关联起来的第一方程，所述第一方程具有第一斜率值和第一截距值。
4.如权利要求3所述的方法，还包括利用ODP获得晶片上多个嵌套结构的嵌套测量数据；利用CDSEM获得所述晶片上多个嵌套结构的嵌套参考数据；以及建立将所述嵌套测量数据与所述嵌套参考数据关联起来的第二方程，所述第二方程具有第二斜率值和第二截距值。
5.如权利要求4所述的方法，还包括获得隔离结构的第一测得值；计算所述隔离结构的第一相关值，其中所述第一相关值等于所述第一斜率值乘以所述第一测得值再加上所述第一截距值；获得嵌套结构的第二测得值；计算所述嵌套结构的第二相关值，其中所述第二相关值等于所述第二斜率值乘以所述第二测得值再加上所述第二截距值；以及通过计算所述第一相关值和所述第二相关值之间的差来确定所述测得偏置修饰。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一测得值是通过测量所述晶片上的第一光栅图案而获得的，所述第一光栅图案与所述隔离结构相关联。
7.如权利要求5所述的方法，其中所述第二测得值是通过测量所述晶片上的第二光栅图案而获得的，所述第二光栅图案与所述嵌套结构相关联。
8.如权利要求4所述的方法，还包括获得隔离结构的第一测得值；计算所述隔离结构的第一相关值，其中所述第一相关值等于所述第一斜率值乘以所述第一测得值再加上所述第一截距值；获得嵌套结构的第二测得值；计算所述嵌套结构的第二相关值，其中所述第二相关值等于所述第二斜率值乘以所述第二测得值再加上所述第二截距值；以及利用所述第一相关值和所述第二相关值之间的一个值来确定所述测得偏置修饰。
9.如权利要求4所述的方法，还包括获得隔离结构的第一测得值；计算所述隔离结构的第一相关值，其中所述第一相关值等于所述第一斜率值乘以所述第一测得值再加上所述第一截距值；获得嵌套结构的第二测得值；计算所述嵌套结构的第二相关值，其中所述第二相关值等于所述第二斜率值乘以所述第二测得值再加上所述第二截距值；以及通过缩放所述第一相关值和所述第二相关值之间的差来确定所述测得偏置修饰。
10.如权利要求2所述的方法，还包括利用历史数据确定偏置修饰目标；以及通过计算所述测得偏置修饰和所述偏置修饰目标值之间的差来计算所述偏置修饰调节。
11.如权利要求10所述的方法，还包括创建实现所述偏置修饰调节的过程方案，其中所述过程方案包括至少一个控制参数；以及执行所述过程方案以刻蚀约等于所述偏置修饰调节的量，其中所述至少一个控制参数包括处理时间。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述至少一个控制参数包括处理序列中的步骤时间。
13.如权利要求1所述的方法，还包括获得晶片上多个控制结构的测量数据，其中所述测量数据是利用光学数字轮廓仪(ODP)获得的；获得所述晶片上多个中间控制结构的参考数据，其中所述测量数据是利用临界尺寸扫描电子显微镜(CD SEM)获得的；以及建立将所述测量数据与所述参考数据关联起来的第一方程，所述第一方程具有第一斜率值和第一截距值。
14.如权利要求1所述的方法，还包括获得控制结构的中间测得值；计算所述控制结构的第一相关值，其中所述第一相关值等于所述第一斜率值乘以所述中间测得值再加上所述第一截距值；以及通过计算所述控制结构的第一相关值和临界尺寸(CD)目标之间的差来确定修饰量。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述中间测得值是通过测量所述晶片上的第一光栅图案而获得的，其中所述第一光栅图案与控制结构相关联。
16.如权利要求15所述的方法，还包括确定偏置修饰调节的值；以及确定剩余修饰量，其中所述剩余修饰量约等于所述第一相关值减去所述偏置修饰调节量再减去最终目标值。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述偏置修饰调节量是利用刻蚀速率乘以步骤时间的平均值确定的。
18.如权利要求16所述的方法，还包括创建实现所述剩余修饰量的过程方案，其中所述过程方案包括至少一个控制参数；以及执行所述过程方案以刻蚀约等于所述剩余修饰量的量，其中所述至少一个控制参数包括过程气体流速。
19.如权利要求16所述的方法，还包括创建实现所述剩余修饰量的过程方案，其中所述过程方案包括至少一个控制参数；以及执行所述过程方案以刻蚀约等于所述剩余修饰量的量，其中所述至少一个控制参数包括过程气体流速比。
20.一种操作半导体处理工具的方法，包括创建多个隔离/嵌套控制策略；接收包括至少一个隔离结构的晶片；确定用于处理所述晶片的隔离/嵌套控制策略；以及执行所确定的隔离/嵌套控制策略。
21.如权利要求20所述的方法，还包括获得参考数据；获得测得数据，所述测得数据包括隔离数据、嵌套数据、隔离/嵌套数据、或正常数据或其两者或更多者的组合；通过将所述测得数据与所述参考数据相关来创建相关数据，所述相关数据包括相关隔离数据、相关嵌套数据、相关隔离/嵌套数据、或相关正常数据或其两者或更多者的组合；获得目标值，其中所述目标值包括偏置目标值；计算修饰量，其中所述修饰量是偏置修饰量；计算第一组过程参数以实现所计算的修饰量；以及利用所述第一组过程参数创建第一过程方案。
22.如权利要求21所述的方法，还包括获得最终目标值，其中所述最终目标值包括最终CD目标值；计算剩余修饰量，其中所述剩余修饰量是BARC修饰量；计算第二组过程参数以实现所述剩余修饰量；以及创建第二过程方案。
23.如权利要求21所述的方法，其中计算所述第一组过程参数的步骤包括计算第一射频(RF)功率；计算第一过程气体流速；以及计算第一步骤时间。
24.如权利要求22所述的方法，其中计算所述第二组过程参数的步骤包括计算第二RF功率；计算过程气体流速；以及计算第二步骤时间。
25.如权利要求20所述的方法，还包括获得参考数据；获得测得隔离数据；获得测得嵌套数据；获得包括修饰误差值在内的反馈数据，其中所述修饰误差值包括偏置修饰误差值；通过将所述测得隔离数据与所述参考数据相关来创建相关隔离数据；通过将所述测得嵌套数据与所述参考数据相关来创建相关嵌套数据；获得目标值，其中所述目标值包括偏置目标值；计算修饰量，其中所述修饰量是偏置修饰量；计算第一组方案设置以实现所计算的修饰量；以及创建过程方案。
26.如权利要求21所述的方法，还包括获得最终目标值，其中所述最终目标值包括最终CD目标值；计算包括修饰误差值在内的反馈数据，其中所述修饰误差值包括BARC修饰误差值；计算剩余修饰量，其中所述剩余修饰量是BARC修饰量；计算第二组过程参数以实现所述剩余修饰量；以及创建第二过程方案。
27.如权利要求21所述的方法，还包括计算包括修饰误差值在内的反馈数据，其中所述修饰误差值包括偏置修饰误差值；以及将所述反馈数据提供给所述第一过程方案。
28.如权利要求22所述的方法，还包括计算包括修饰误差值在内的反馈数据，其中所述修饰误差值包括BARC修饰误差值；以及将所述反馈数据提供给所述第二过程方案。
29.如权利要求20所述的方法，还包括获得参考数据；获得测得隔离数据；获得测得嵌套数据；通过将所述测得隔离数据与所述参考数据相关来创建相关隔离数据；通过将所述测得嵌套数据与所述参考数据相关来创建相关嵌套数据；获得包括目标值在内的第一期望过程结果，其中所述目标值包括偏置目标值；计算第一过程误差，其中所述第一过程误差是偏置修饰误差量；以及创建包括隔离/嵌套模型在内的过程模型。
30.如权利要求21所述的方法，还包括获得最终目标值，其中所述最终目标值包括最终CD目标值；计算第二过程误差，其中所述第二过程误差是BARC修饰误差量；以及基于所述第二过程误差创建包括修饰模型在内的第二过程模型。
31.如权利要求20所述的方法，还包括获得参考数据；获得测得隔离数据；获得测得嵌套数据；通过将所述测得隔离数据与所述参考数据相关来创建相关隔离数据；通过将所述测得嵌套数据与所述参考数据相关来创建相关嵌套数据；获得包括目标值在内的第一期望过程结果，其中所述目标值包括偏置目标值；创建包括隔离/嵌套模型在内的第一过程模型；计算包括修饰量在内的第一预期过程结果，其中所述修饰量是偏置修饰量；计算第一组方案设置以实现所计算的修饰量；以及创建过程方案。
32.如权利要求31所述的方法，还包括获得包括第二目标值在内的第二期望过程结果，其中所述第二目标值包括最终CD目标值；获得包括修饰模型在内的第二过程模型；计算包括第二修饰量在内的第二预期过程结果，其中所述第二修饰量是BARC修饰量；计算第二组过程参数以实现所述剩余修饰量；以及创建过程方案。
33.如权利要求31所述的方法，还包括获得测得控制数据；通过将所述测得控制数据与所述参考数据相关来创建相关控制数据；获得所述修饰量；获得包括第二目标值在内的第二期望过程结果，其中所述第二目标值包括最终CD目标值；获得包括修饰模型在内的第二过程模型；计算包括第二修饰量在内的第二预期过程结果，其中所述第二修饰量是BARC修饰量；计算第二组过程参数以实现所述剩余修饰量；以及创建过程方案。
34.如权利要求31所述的方法，还包括计算虚拟测量数据；获得包括第二目标值在内的第二期望过程结果，其中所述第二目标值包括最终CD目标值；获得包括修饰模型在内的第二过程模型；以及计算包括第二修饰量在内的第二预期过程结果，其中所述第二修饰量是BARC修饰量。
35.如权利要求20所述的方法，其中所述隔离结构包括通孔、沟、或叠层或其两者或更多者的组合。
36.如权利要求20所述的方法，还包括获得过程模型状态数据；获得测得数据，所述测得数据包括隔离数据、嵌套数据、隔离/嵌套数据、或正常数据或其两者或更多者的组合；通过将所述测得数据与所述过程模型状态数据相关来创建相关数据，所述相关数据包括相关隔离数据、相关嵌套数据、相关隔离/嵌套数据、或相关正常数据或其两者或更多者的组合；获得目标值，其中所述目标值包括偏置目标值；计算修饰量，其中所述修饰量是偏置修饰量；计算第一组过程参数以实现所计算的修饰量；以及利用所述第一组过程参数创建第一过程方案。
37.如权利要求36所述的方法，还包括获得最终目标值，其中所述最终目标值包括最终CD目标值；计算剩余修饰量，其中所述剩余修饰量是BARC修饰量；计算第二组过程参数以实现所述剩余修饰量；以及创建第二过程方案。
38.一种操作半导体处理系统的方法，包括获得参考数据；获得测得数据，所述测得数据包括隔离数据、嵌套数据、隔离/嵌套数据、或正常数据或其两者或更多者的组合；通过将所述测得数据与所述参考数据相关来创建相关数据，所述相关数据包括相关隔离数据、相关嵌套数据、相关隔离/嵌套数据、或相关正常数据或其两者或更多者的组合；获得包括第一目标值在内的第一期望过程结果，其中所述第一目标值包括偏置目标值；计算包括修饰量在内的第一预期过程结果，其中所述修饰量是偏置修饰量；获得包括第二目标值在内的第二期望过程结果，其中所述第二目标值包括BARC修饰目标值；计算包括第二修饰量在内的第二预期过程结果，其中所述第二修饰量包括BARC修饰量；计算第一组方案设置以实现所计算的修饰量；以及创建过程方案。
全文摘要
该方法包括一种用于刻蚀处理的方法，其允许对隔离和嵌套结构/特征之间的偏置进行调节，对其中隔离结构/特征需要小于嵌套结构/特征并且嵌套结构/特征相对于隔离结构/特征需要被减小的过程进行校正，同时允许对修饰进行临界控制。
文档编号H01L21/66GK101023522SQ200580031573
公开日2007年8月22日 申请日期2005年6月30日 优先权日2004年9月20日
发明者山下朝夫, 梅里特·拉尼·芬克, 丹尼尔·帕格 申请人:东京毅力科创株式会社