专利名称：低干扰变压器的利记博彩app
专利说明 本实用新型涉及变压器结构技术领域，具体地说是一种可以减小绕组之间通过分布电容产生电磁干扰的低干扰变压器。在变压器中，两个绕组相邻导线之间不同的电压变化率将会通过分布电容产生电流。如果两个绕组分别连接的外围电路之间有电气连接(两部分电路是非隔离的)，干扰电流将会通过电气连接形成回路，而不会对外部造成干扰；如果两个绕组的外围电路没有电气连接(两部分电路是隔离的)，干扰电流将会通过这两部分电路的空间耦合产生电磁干扰。这种电磁干扰通过电路的输入、输出导线就会造成传导干扰，通过空间电磁场传播则会造成辐射干扰。在开关电源里，由于开关器件的快速开通和关断，开关电源变压器各个绕组上的电压也会随之快速变化，这种快速变化的电压会在互相隔离的初、次级绕组间产生电磁干扰。如果干扰信号较强将会影响电网中其他电器的正常工作。
目前，最常用也是最简单有效的解决方法是在初、次级电路的静态节点之间增加一个Y电容来改善或者消除这种干扰，以使产品能够满足电磁兼容性(EMC)的要求。但使用Y电容会造成初、次级之间产生漏电流，因此在某些对漏电流限制比较严格的应用场合，Y电容的使用会受到限制。除了使用Y电容以外，在电源输入、输出端增加由电容、电感组成的滤波器也可以降低开关电源的电磁干扰。滤波器在降低干扰的同时不会增加漏电流，但是成本比较高，体积和重量也比较大。
也有通过改变变压器的结构降低初、次级之间的电磁干扰，以使Y电容和滤波器的使用降到最低限度的技术。例如在初、次级之间增加一个绕组来降低初、次级之间的电磁干扰。但上述方法中的绕组绕制方式比较复杂。本实用新型的目的就是要解决上述的不足而提供的一种可以减小绕组之间通过分布电容产生电磁干扰的低干扰变压器。
为实现上述目的设计一种低干扰变压器，包括导磁体、屏蔽层和绕组，其特征在于绕组之间设有一个或多个屏蔽层，屏蔽层的适当位置采用导体与绕组抽头相连接。所说的每个屏蔽层可以是一圈或者重叠多圈；屏蔽层相连的绕组抽头可以在该绕组两个端点之间或者该绕组附加线圈的一端；所说的绕组的附加线圈绕向与该绕组相同或者相反；屏蔽层材料采用薄金属带或者薄坡膜合金带或者两者复合体制成。
上述的屏蔽层的覆盖范围等于或者超出绕组所占的面积。
本实用新型可以用在反激式或者正激式开关电源中。
本实用新型中屏蔽层的屏蔽作用消除了两个相邻绕组之间的影响，同时屏蔽层和变压器中某一个绕组的抽头相连，这样就可以消除屏蔽层本身对相邻绕组的影响。屏蔽层本身对相邻绕组影响的消除，具体的说，当屏蔽层和变压器中某一个绕组的抽头相连以后，屏蔽层的电压与其中一个相邻绕组的静态点电压就有确定的关系，这个确定的关系可以是正的，也可以是负的。对于另外一个相邻绕组来说，抽头位置的选择，使得屏蔽层的电压和绕组上某一点的电压是相等的，这样屏蔽层对这个绕组的影响也被消除了。通过这种方法，就可以达到减小或者消除绕组之间干扰的目的。
本实用新型与现有技术相比，结构新颖，通过在两个绕组之间增加一个屏蔽层，并在屏蔽层的适当位置与一个绕组的适当位置采用导体连接后，该屏蔽层就可以消除绕组间的干扰，可以使开关电源在满足同样电磁干扰标准情况下减少Y电容和滤波器的使用，同时变压器结构并不会因此变得过于复杂，此外，本实用新型制造简单，成本低，实用性强，值得推广和应用。
图1为典型的反激式开关电源原理图。
图2为图1电路中变压器的典型结构图。
图3为反激式电源简化的电路结构图。
图4为正激式电源简化的电路结构图。
图5为本实用新型的变压器结构示意图。
图6为图5的简化电路结构图。
图7为本实用新型的第二实施例结构示意图。
图8为图7的简化电路结构图。
图9为反激式电源简化的电路结构图。
图10为正激式电源简化的电路结构图。
图11为本实用新型的第三实施例结构示意图。
图12为图11的简化电路结构图。
图13为本实用新型的第四实施例结构示意图。
图14为本实用新型的第五实施例结构示意图。
图15为具有辅助绕组的反激式电源简化的电路结构图。
图16为本实用新型的第六实施例结构示意图。
图17为本实用新型的第七实施例结构示意图。
图18为图16和图17的简化电路结构图。参见图1，典型的反激式开关电源；初、次级绕组的静态点是两个绕组的同名端；1为X电容，2为共模电感，3为X电容，4为Y电容，5为静态点。
参见图2，21为绕组1，22为绝缘层，23为绕组2，24为分布电容，25为静态点；绕组1和绕组2的相邻层之间存在分布电容24，绕组间不同的电压变化将在分布电容两端产生电流，图1中的Y电容给电流提供回流的路径。
参见图3，31为静态点；初、次级绕组的静态点是两个绕组的同名端。
参见图4，41为静态点；初、次级绕组的静态点是两个绕组的同名端。
参见图5，为本实用新型用于图3和图4电路中的一个变压器实例。51为静态点，52为绕组2，53为绝缘层，54为屏蔽层，55为绕组1，56为导体连接点；绕组1与绕组2之间有一个屏蔽层54，屏蔽层54和不相连绕组2之间设有绝缘层53，屏蔽层54连接到绕组1两个端点之间的某一点上(即导体连接点56)。
参见图7，为本实用新型用于图3和图4电路中的另一个变压器实例。71为静态点，72为绕组2，73为绝缘层，74为屏蔽层，75为绕组1，76为导体连接点，77为附加线圈；绕组1的一个端点与附加线圈77相连，相连点是同名端，绕组1与绕组2之间有一个屏蔽层74，屏蔽层74和不相连绕组2之间设有绝缘层73，屏蔽层74连接到绕组1的附加线圈77的另外一个端点上。
参见图9，91为静态点；初、次级绕组的静态点不是两个绕组的同名端。
参见图10，101为静态点；初、次级绕组的静态点不是两个绕组的同名端。
参见图11是本实用新型用于图9和图10电路中的一个变压器实例。111为附加线圈，112为导体连接点，113为绕组1，114为屏蔽层，115为绝缘层，116为绕组2，117为静态点；绕组1的一个端点与附加线圈111相连，相连点不是同名端，绕组1与绕组2之间有一个屏蔽层114和绝缘层115，屏蔽层114连接到绕组1的附加线圈111的另外一个端点上。
参见图13，131为屏蔽层，132为绕组1，134为绝缘层，135为绕组2，136为静态点；其屏蔽层131一端与绕组1相连，屏蔽层131连续绕制多圈。
参见图14，141为绕组1，142为绝缘层，143为屏蔽层，144为绕组2，145为导体连接点，146为静态点；绕组2位于绕组1的外面，屏蔽层与绕组2相连。
参见图15，该电路有一个初级侧的辅助绕组。
参见图16，为本实用新型用于图15电路中的一个变压器实例。161为绕组1，162为静态点，163为绝缘层，164为屏蔽层，165为绝缘层，166为绕组2，167为导体连接点，168为辅助绕组；辅助绕组168与绕组2之间有一个屏蔽层164和绝缘层165，屏蔽层164连接到辅助绕组168两个端点之间的某一点上。
参见图17，为本实用新型用于图15电路中的另一个变压器实例。171为导体，172为静态点，173为导体连接点，174为辅助绕组，175为绝缘层，176为绕组1，177为屏蔽层，178为绕组2；辅助绕组174与绕组1之间设有绝缘层175，绕组1与绕组2之间设有屏蔽层177和绝缘层175，屏蔽层177连接到辅助绕组174两个端点之间的某一点上；这种制造技术对本专业人员来说还是较清楚的。
权利要求1.一种低干扰变压器，包括导磁体、屏蔽层和绕组，其特征在于绕组之间设有一个或多个屏蔽层，屏蔽层采用导体与绕组抽头相连接。
2.如权利要求1所说的低干扰变压器，其特征在于每个屏蔽层可以是一圈或者重叠多圈。
3.如权利要求1所说的低干扰变压器，其特征在于屏蔽层相连的绕组抽头可以在该绕组两个端点之间或者该绕组附加线圈的一端。
4.如权利要求1或3所说的低干扰变压器，其特征在于绕组的附加线圈绕向与该绕组相同或者相反。
5.如权利要求1所说的低干扰变压器，其特征在于屏蔽层材料采用薄金属带。
6.如权利要求1所说的低干扰变压器，其特征在于屏蔽层的覆盖范围等于或者超出绕组所占的面积。
专利摘要本实用新型涉及变压器结构技术领域，具体地说是一种可以减小绕组之间通过分布电容产生电磁干扰的低干扰变压器，包括导磁体、屏蔽层和绕组，其特征在于绕组之间设有一个或多个屏蔽层，屏蔽层的适当位置采用导体与绕组抽头相连接；本实用新型与现有技术相比，结构新颖，通过在两个绕组之间增加一个屏蔽层，并在屏蔽层的适当位置与一个绕组的适当位置采用导体连接后，该屏蔽层就可以消除绕组间的干扰，可以使开关电源在满足同样电磁干扰标准情况下减少Y电容和滤波器的使用，同时变压器结构并不会因此变得过于复杂，此外，本实用新型制造简单，成本低，实用性强，值得推广和应用。
文档编号H01F27/38GK2927282SQ20052004717
公开日2007年7月25日 申请日期2005年12月2日 优先权日2005年12月2日
发明者吴孟齐 申请人:吴孟齐