专利名称：光刻装置,辐射系统和滤波系统的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种光刻装置，一种辐射系统和一种滤波系统。
背景技术：
光刻装置是一种将期望图案施加到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，在集成电路(IC)的制造中可以利用光刻装置。这种情况下，可以采用图形设备，也指掩模或刻线，以产生将要形成在IC的特定层上的电路图案。这种图案可以转移到衬底(例如硅晶片)的目标部分(例如包括一个或几个冲模的部分)上。图案的转移典型地是在设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上成像。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻装置包括所谓的分节器(stepper)，以及所谓的扫描器，在分节器中通过将整个图案同时暴露在目标部分上而将每个目标部分照亮，在扫描器中通过在给定方向(“扫描”方向)上扫描透过放射光束的图案同时以平行或反向平行于这个方向同步扫描衬底而将每个目标部分照亮。也可以通过将图案印刻在衬底上而将图案从图形设备转移到衬底上。
光刻装置中，能够在衬底上成像的部件的大小受投影射线波长的限制。为了形成具有高密度器件的集成电路，以及因此使运行速度更高，希望成像较小的部件。在大多数的电流光刻投影装置采用由汞灯或受激准分子激光器产生的紫外光时，建议采用较短波长的放射线，其范围是5到20nm，尤其是13nm左右。
这种射线是规定的远紫外光(EUV)或软X射线并且可能的辐射源包括，例如等离子源产生的激光，放电离子源，或来自电子存储环的同步放射。这些类型的放射线需要装置中的光束路径形成真空以避免光束散射和吸附。由于没有公知的材料适于制造用于EUV辐射的折射光学元件，所以EUV光刻装置必须利用放射(发光)和投影系统中的反射镜。即使用于EUV辐射的多层反射镜具有极低的反射率并且极容易受污染，也减小它们的反射率以及装置的输出量。这可能还会影响将要维持的真空等级的规格并且可能极需要碳氢化合物部分的压力保持得很低。
典型的放电等离子源中，等离子由放电灯形成。于是可以对等离子进行压缩使得它变为高度电离并且达到一个很高的温度，从而引发EUV辐射的放射。虽然也可以采用其它的像氪或锡或水这样的气体，但是用于产生EUV辐射的材料典型的是氙或锂蒸气。然而，这些气体在EUV的范围内可以具有相当高的辐射吸附并且/或者会损坏投射光束更下游的光学器件，而且在光刻装置的其它部件中它们存在的应该最少。例如，美国专利No.5,023,897和美国专利No.5,504,795公开了一种放电等离子源，二者在此均用作参考。
由等离子源产生的激光中，例如，(群)氙气流可以从喷嘴喷射出，该喷嘴例如由墨水喷射状的喷嘴产生，形成微滴或细线。在喷嘴的某些地方，气流被适当波长的激光脉冲照射而产生等离子，该等离子将连续发出EUV辐射。也可以从喷嘴喷射其它材料，像水滴，冰粒子，锂或锡等，并且用于产生EUV。在可选的激光产生等离子源中，对扩散性(extended)固体(或液体)材料进行照射来产生用于EUV辐射的等离子。例如，美国专利No.5,459,771，美国专利No.4,872,189和美国专利No.5,577,092公开了激光产生的等离子源，其在此用作参考。
在产生EUV辐射期间释放粒子。这些粒子，下文指残余(debris)粒子，包括离子，原子，分子和小微滴。由于这些粒子可能破坏光刻装置，尤其是其中照明和投影系统的性能和/或寿命，所以这些粒子应该从EUV辐射中被过滤出来。
国际专利申请公开No.WO 99/42904在此用作参考，其公开了一种适用于这样的路径的滤波器，其中射线沿着该路径穿射出光源。因此该滤波器可以放置在辐射源和例如照明系统之间。滤波器包括多个用于隔离像原子和微粒子这样的残余粒子的金属薄片或金属板。同样，这种微粒子群可以被这些金属薄片或金属板俘获。这些金属薄片或金属板这样定位使得射线仍然能够穿透滤波器。金属板可以是扁平或圆锥形的并且可以围绕辐射源径向设置。辐射源，滤波器和投影系统可以放置在缓冲气体中，例如氪，其压力是大约0，5托。那么杂质粒子就具有缓冲气体的温度，例如室温，从而足以在滤波器的端部之前降低粒子速率。这增加了粒子被金属板俘获的可能性。当施加这种缓冲气体时，这种公知杂质俘获装置中的压力大约等于其环境压力。
国际专利申请公开No.WO 03/034153在此用作参考，其公开了一种杂质俘获装置，其包括第一组金属薄片和第二组金属薄片，使得离开辐射源的射线首先通过第一组金属薄片然后再通过第二组金属薄片。第一和第二组金属板或薄片分别限定了第一组通道和第二组通道。两组通道被二者之间的空间隔开，气体供应器将冲洗气体提供到该空间。可以设置排气系统以除掉来自杂质俘获装置的气体。气体的压强和两组通道之间的空间可以大得足以使残余粒子有效降低速度，进一步提高残余粒子被第二组金属薄片俘获的可能性。当在第一或第二组通道中的气体离开两组通道之间的空间时第一和第二组通道为气体设置阻力。因此，存在气体或多或少受两组通道之间的空间限定。
即使这样定位金属板或金属薄片使得从辐射源逸出的射线能够轻易通过杂质俘获装置，金属薄片或金属板也能够吸收一些EUV辐射以及相应的一些热量。此外，这些金属薄片因碰撞的残余粒子而受热。这可能导致金属薄片具有极高的热量并且支撑金属薄片的支撑结构也具有很高的热量。这可能导致金属薄片和支撑结构的热膨胀。由于在光刻装置中杂质俘获装置的光透射非常重要，所以因金属薄片的热膨胀引起的金属薄片的变形应该最小化。
欧洲专利申请公开No.EP 1 434 098致力于通过设置杂质隔板，即金属薄片俘获装置或杂质俘获装置来解决这个问题，其包括内环圈和外环圈，其中每个金属薄片或金属板都是可滑动的定位在内环圈和外环圈至少之一的凹槽中的至少一个外部端上。通过滑动定位金属薄片或金属板的一个外端部，使得金属薄片或金属板能够径向延伸而不用机械拉伸，因此不会出现金属薄片或金属板的热感应变形。杂质俘获装置可以包括为冷却与金属板或金属薄片热连接的一个环圈而设置的冷却系统。
欧洲专利申请公开No.EP 1 434 098所提出的杂质俘获装置的金属薄片仍然会变得很热。在金属薄片高温时，因例如解吸附作用和/或蒸发作用导致残余粒子会从金属薄片中释放出来。尤其当金属薄片上沉积有Sn残余时会出现这种情况。
发明内容
希望提供一种具有滤波系统的光刻装置，具有滤波系统的辐射系统和/或滤波系统本身，其中在同等操作环境下使用的滤波系统可能达到的最大温度低于现有技术中公知的滤波器可能达到的最大温度。
根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，其包括构造成形成射线的投射光束的辐射系统，和构造成将射线的投射光束投影到衬底上的投影系统。辐射系统包括放射射线的辐射源；滤波系统，其用于将残余粒子过滤在由辐射源放射的射线的预定截面之外，其中滤波系统包括用于俘获残余粒子的至少第一组金属薄片和第二组金属薄片；以及构造成将辐射源放射的射线形成调节辐射光束的照明系统。滤波系统还包括至少第一散热器和第二散热器，其中第一组金属薄片的每个金属薄片热连接到第一散热器而第二组金属薄片的每个金属薄片热连接到第二散热器，从而，在使用中，热量通过第一组金属薄片的每个金属薄片基本向第一散热器传递，并且热量通过第二组金属薄片的每个金属薄片基本向第二散热器传递，其中第一组金属薄片基本延伸在预定截面的第一部分中，第二组金属薄片基本延伸在预定截面的第二部分中，该第一部分与第二部分基本不重叠。
根据本发明的一个方面，提供一种构造成形成辐射光束的辐射系统，其包括放射射线的辐射源；滤波系统，其设置成将残余粒子过滤在由辐射源放射的射线的预定截面之外，其中滤波系统包括用于俘获残余粒子的至少第一组金属薄片和第二组金属薄片；以及构造成将辐射源放射的射线形成调节辐射光束的照明系统。滤波系统还包括至少第一散热器和第二散热器，其中第一组金属薄片的每个金属薄片热连接到第一散热器而第二组金属薄片的每个金属薄片热连接到第二散热器，从而，在使用中，热量通过第一组金属薄片的每个金属薄片基本向第一散热器传递，并且热量通过第二组金属薄片的每个金属薄片基本向第二散热器传递，其中第一组金属薄片基本延伸在预定截面的第一部分中，第二组金属薄片基本延伸在预定截面的第二部分中，该第一部分与第二部分基本不重叠。
根据本发明的一个方面，提供一种用于将残余粒子过滤在辐射光束之外的滤波系统，该辐射光束用于光刻，尤其是EUV光刻。该滤波系统设置成将残余粒子过滤在由辐射源放射的射线的预定截面之外，并且包括用于俘获残余粒子的至少第一组金属薄片和第二组金属薄片，以及第一散热器和第二散热器。第一组金属薄片的每个金属薄片连接到第一散热器，第二组金属薄片的每个金属薄片连接到第二散热器，从而，在使用中，热量通过第一组金属薄片的每个金属薄片基本向第一散热器传递，并且热量通过第二组金属薄片的每个金属薄片基本向第二散热器传递。第一组金属薄片基本延伸在预定截面的第一部分中，第二组金属薄片基本延伸在预定截面的第二部分中，该第一部分与第二部分基本不重叠。
根据本发明的上述各方面，辐射源放射的射线的预定截面被分成至少两个不重叠的部分，这些部分的每个部分包括不同组的金属薄片，这些组金属薄片的每组的金属薄片都不是必须延伸使得全部预定截面被一组金属薄片覆盖。从而允许使用相对短的金属薄片。使用较短的金属薄片意味着每个金属薄片都只有相对少的热量需要传递到与金属薄片热连接的散热器上。同样，这意味着每个金属薄片，即每个金属薄片为较短金属薄片时，在使用中将达到最大温度，该最大温度与较长金属薄片所达到的温度相比要低，即该较长金属薄片为“跨越”整个预定截面的一组金属薄片。
现在将参考附图，仅以实例的方式对本发明的实施例进行描述，附图中相应的附图标记表示相应的部件，其中图1示意性示出根据本发明实施例的光刻装置；图2示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；图3示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；图4示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；图5示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；图6示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；图7示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；
图8示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；图9示意性示出根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统，和滤波系统的一部分；具体实施方式
图1示意性示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括-照明系统(照明器)IL，构成为调节辐射光束B(例如UV辐射，EUV辐射或X射线)；-支撑结构(例如掩模台)MT，构成为支撑图形装置(例如掩模)MA并且连接到构成为根据某些参数精确定位图形装置的第一定位器PM；-衬底台(例如晶片台)WT，构成为容纳衬底(例如用抗蚀剂涂覆的晶片)W并且连接到构成为根据某些参数精确定位衬底的第二定位器PW；-投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，构成为通过图形装置MA将指定给辐射光束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个冲模)上。
照明系统可以包括各种类型的光学元件，如折射，反射，磁，电磁，静电，或其它类型的光学元件，或它们的任意组合，以引导，修整，或控制射线。
支撑结构支撑图形装置，即承受图形装置的重量。它以根据图形装置的定位，光刻装置的设计，和例如，像图形装置是否处于真空环圈境中这样的其它条件的方式固定图形装置。支撑结构可以采用机械，真空，静电或其它固定技术将图形装置固定。支撑结构可以是例如根据需要固定或移动的框或台。支撑结构可以确保图形装置处在例如相对于投影系统所希望的位置。文中使用的任何术语“刻线”或“掩模”可以认为与更通用的术语“图形装置”同义。
文中使用的术语“图形装置”应该广义解释为指能够用于将辐射光束在其截面上赋予图案以在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该注意的是，例如如果图案包括移相部件或所谓的附加部件，赋予辐射光束的图案可以不严格与衬底的目标部分中的期望图案重合。通常，赋予辐射光束的图案将与像集成电路这样的形成在目标部分的装置的特定功能层重合。
图形装置可以是透射或反射的。图形装置的实例包括掩模，可编程镜像阵列，和可编程LCD面板。掩模是光刻技术中公知的，并且包括像二进制，交替相移，和衰减相移这样的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程镜像阵列的实例采用小镜子的矩阵排列，其中每个小镜子都能够独自倾斜从而以不同的方向反射入射的辐射光束。倾斜的镜子在由镜子阵列反射的辐射光束中赋予图案。
文中所用的术语“投影系统”应该广义解释为包含任何类型的投影系统，包括折射，反射，反折射，磁，电磁和静电光学系统，或者它们的任意组合，以适于暴露所使用的射线，或者像利用浸液或利用真空这样的其它因素。文中所用的术语“投影透镜”可以认为是更通用的术语“投影系统”的同义词。
如本文所示，装置是反射型的(例如采用反射掩模)。可替换的，装置可以是透射型的(例如采用透射掩模)。
光刻装置可以是具有两个(双级)或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这样的“多级”装置中，可以并行使用附加台，或者在一个或多个台上进行准备步骤同时使用一个或多个其它台进行暴露。
光刻装置也可以是这样的一类，其中衬底的至少一部分可以被具有较高折射指数的液体例如水覆盖，以充满投影系统和衬底之间的空间。也可以在光刻装置的其它空间中，例如掩模和投影系统之间施加浸液。浸液技术用于增加投影系统的数值孔径是本领域公知的。文中所用的术语“浸液”并不表示像衬底这样的结构必须浸没在液体中，而只表示在暴露期间液体位于投影系统和衬底之间。
参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。在沿着射线穿透辐射源SO射向照明器IL的路径中，设置滤波系统FS。滤波系统FS基本传送射线并将残余粒子过滤在射线之外。例如当辐射源是受激准分子激光器时，辐射源和光刻装置可以是独立的实体。这种情况下，不认为辐射源是光刻装置的构成部分，借助包括有例如合适的引导镜和/或光束扩散器的光束传递系统，辐射光束从辐射源SO射向照明器IL。其它情况下，例如当辐射源是汞灯时，辐射源可以是光刻装置的必须构成部分。需要的话，辐射源SO和照明器IL与光束传递系统一起可以称作辐射系统。
照明器IL可以包括用于调节辐射光束的角强度分布的调节器。通常，至少在照明器的小平面中强度分布的外径和/或内径范围(通常分别称作σ-outer和σ-inner)可以调节。此外，照明器IL可以包括各种其它元件，如积分器和调相器。照明器可以用于调节辐射光束使得在其截面上具有期望的均匀度和强度分布。
辐射光束B入射在固定在支撑结构(例如掩模台MT)上的图形装置(例如掩模MA)上，并且由图形装置形成图案。由于横穿掩模MA，所以辐射光束B穿过投影系统PS，其将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。借助第二定位器PW和定位传感器IF2(例如干涉测量设备，线性译码器或电容传感器)，衬底台WT能够精确移动，例如，从而在辐射光束B的路径中定位不同的目标部分C。同样，第一定位器PM和另一定位传感器IF1能够用于相对辐射光束B的路径精确定位掩模MA，例如，在掩模室的机械恢复之后，或者扫描期间。通常，掩模台MT的移动可以借助长冲程模件(粗定位)和短冲程模件(细定位)来实现，掩模台MT是第一定位器PM的构成部件。同样，衬底台WT的移动可以利用长冲程模件和短冲程模件来实现，衬底台WT是第二定位器PW的构成部件。在分节器(与扫描器相对)的情况下，掩模台MT可以只连接到短冲程模件，或者可以是固定的。掩模MA和衬底W可以利用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2进行校准。虽然所述的衬底对准标记占用了专用目标部分的空间，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(这些作为划线对准标记都是公知的)。同样，在掩模MA上设置了一个以上的冲模的情况下，掩模对准标记可以位于这些冲模之间。
所述的装置可以用于至少一个下面的模式中1.分节(step)模式中，掩模台MT和衬底台WT保持基本固定，而同时将赋予到辐射光束的整个图案投射到目标部分C上(即纯静态暴露)。接着将衬底台WT沿X和/或Y方向移动使得能够暴露不同的目标部分C。在分节模式中，暴露区域的最大尺寸限制了纯静态暴露中形成图像的目标部分C的尺寸。
2.扫描模式中，掩模台MT和衬底台WT被同步扫描，同时将赋予到辐射光束的图案投射到目标部分C上(即纯动态暴露)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以取决于投影系统PS的(缩小)放大和图像翻转特性。扫描模式中，暴露区域的最大尺寸限制了纯动态暴露中目标部分的宽度(非扫描方向)，而扫描动作的长度决定目标部分的高度(扫描方向)。
3.其它模式中，掩模台MT固定可编程图形设备而保持基本固定，衬底台WT移动或扫描同时将赋予到辐射光束的图案投射到目标部分C上。这种模式中，通常采用脉冲辐射源并且在衬底台WT每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图形设备。这种操作模式容易应用于无掩模光刻技术，这种光刻技术采用像上述的可编程镜像阵列之类的可编程图形设备。
也可以采用上述模式的组合和/或变形或者采用完全不同的模式。
图2示意性示出了滤波系统FS，其设置成在使用中将残余粒子过滤在由辐射源(未示出)放射的射线的预定截面之外。示出的是从预定位置看的图2的滤波系统FS，使用中该预定位置与辐射源产生射线的位置重合。为了稍后变得清楚，金属薄片F1，F2用直线表示。本实施例中，预定截面是S1所指的部分和S2所指的部分之间延伸的滤波系统FS部分。本实施例中，预定截面因此是基本环圈形截面。滤波系统FS包括用于俘获残余粒子的第一组金属薄片F1和第二组金属薄片F2。第一组的每个金属薄片F1热连接到支柱S1，这种情况下，是第一环圈FR。第二组的每个金属薄片F2热连接到支柱S2，这种情况下，是第二环圈SR。第一环圈FR和第二环圈SR空间上分开并且具有相同的轴RA。第一组的每个金属薄片F1向第二环圈SR延伸，第二组的每个金属薄片F2向第一环圈FR延伸。换句话说，支柱S1可以是环圈形的，支柱S2也可以是环圈形的。第一组金属薄片F1的每个金属薄片F1例如是焊接到支柱S1。第二组金属薄片F2的每个金属薄片F2例如是焊接到支柱S2。金属薄片F1、F2可以由主要包括钼的材料制成。支柱也可以由主要包括钼的材料制成。
滤波系统FS还包括第一散热器HS1和第二散热器HS2。第一组的每个金属薄片F1热连接到第一散热器HS1，第二组的每个金属薄片F2热连接到第二散热器HS2。这种散热器的可能构造将在下面进一步描述。使用中，热量通过第一组的每个金属薄片F1基本向第一散热器HS1传递。热量通过第二组的每个金属薄片F2基本向第二散热器HS2传递。第一组金属薄片F1基本在预定截面的第一部分中延伸，第二组金属薄片F2基本在预定截面的第二部分中延伸。第一部分包括第一组所有的金属薄片F1，第二部分包括第二组所有的金属薄片F2。第一部分和第二部分基本不重叠。
在图2中可以看出，与每个金属薄片都从支柱S1向支柱S2延伸的情况相比。金属薄片F1、F2可以短许多。与金属薄片被连接到每个支柱S1或S2，以及金属薄片延伸超出其可以或可以不连接的支柱S1和支柱S2之间的整个距离的情况下传递到散热器的热量相比，向各个散热器传递的每个金属薄片F1、F2的热量要少许多。
由于金属薄片F1、F2的结构强度和/或金属薄片F1、F2的间距相等，所以可以用基本热绝缘且较硬的导线连接金属薄片F1、F2的自由端。为清楚起见这些导线在任何图中都未示出。
如图2-5所示，也可以是第一组和第二组的金属薄片F1、F2分别远离各散热器HS1、HS2的连接，这些散热器与滤波系统FS的任何其他部分不连接。这将导致滤波系统FS良好的透光性，以及对于传递远离各金属薄片的热量的每个金属薄片使用单一路径。第一部分和第二部分的相对尺寸，以及第一金属薄片F1和第二金属薄片F2的相对尺寸可以这样选择，使得在使用中滤波系统FS的每个位置都保持低于当使用中暴露在辐射光束中时的预定最大温度。同样，各散热器HS1、HS2的冷却能力可以这样选择，使得在使用中滤波系统FS的每个位置都保持低于当暴露在辐射光束中时的预定最大温度。通常，滤波系统FS因此可以这样设置，使得滤波系统FS的每个位置都保持低于预定最大温度。下面将进一步对散热器HS1、HS2的可能构造进行详细描述。
如图2所示，第一组的一个金属薄片F1和第二组的一个金属薄片F2在基本相同的虚拟平面中延伸。第一组的金属薄片F1和第二组的金属薄片F2之间的虚拟平面中的距离这样选择，使得在使用中第一组的金属薄片F1和第二组的金属薄片F2达到它们各自的最大温度时维持第一组的金属薄片F1和第二组的金属薄片F2之间的间隙。这表示，当每个金属薄片达到它们的最大热膨胀时，一个虚拟平面中的金属薄片仍然不进行热连接。每个金属薄片F1、F2与通过预定位置延伸的虚拟平面位于同一位置，该预定位置与在使用中产生射线的辐射源(未示出)位于同一位置。因此，在图2-图5中金属薄片F1、F2用直线表示。使用中，射线将因此沿着金属薄片F1、F2穿射。
由于根据本发明的实施例中滤波系统FS的金属薄片F1、F2保持低于暴露于例如EUV辐射中时的预定最大温度，所以可以这样设计滤波系统，使得预定温度低于这个温度，在这个温度下，例如由锡残余粒子形成的锡微滴在金属薄片加热时将被蒸发到远离金属薄片F1、F2。
图3示出了根据本发明的滤波系统的实施例，其中第一组的金属薄片F1在第二组的两个金属薄片F2之间相对较小的部分中延伸，反之亦然。这样的好处是，因第一组的金属薄片F1和第二组的金属薄片F2之间出现间隙而引起的光透射中的突然峰值，这在图2所示的实施例中将会出现，而在图3的实施例中将不会出现。此外，如果滤波系统FS沿旋转轴RA旋转，那么在预定截面中将不会出现斜剖面，残余粒子可以通过该预定截面沿着射线穿透到其中的方向移动而不被金属薄片F1、F2拦截。可以采用少于所施加的第一金属薄片F1的多个第二金属薄片F2以在所有的金属薄片F1、F2之间得到相同的距离。
图4示出了根据本发明的滤波系统的实施例，其中在第一金属薄片F1和第二金属薄片F2之间可保持有间隙，二者都在相同的虚拟平面中延伸。然而，由于金属薄片F1的长度和金属薄片F2的长度在切线方向上交替，所以滤波系统绕旋转轴RA旋转时第一金属薄片F1和第二金属薄片F2之间的每个间隙都被第一金属薄片F1或第二金属薄片F2所“覆盖”。
图5示出了根据本发明的滤波系统的实施例，其中第一组金属薄片F1和第二组金属薄片F2都分别在预定截面的第一部分和第二部分上或多或少随意的分布。这样的好处是，在滤波系统FS的光透射中可能会有或多或少的不均一性散布在整个预定截面上。换句话说，光透射中可能还会出现一些峰值，但是相对高度可能很低。如前面所述，至少滤波系统FS的一部分是可移动的，这使得在使用中第一组的每个金属薄片F1和/或第二组的金属薄片F2可以通过拦截沿着射线穿射的路径的它们的行程中的残余粒子而有效俘获残余粒子。
图6和7都示出了根据本发明的滤波系统的实施例的一部分。图6和7都看作是图2-5的侧视图。第一支柱S1，此时为第一环圈FR，示出为圆锥形。在第二支柱S2，此时为第二环圈SR，其形状是圆柱形。当然，第二环圈SR也可以是圆锥形。图6和7示出了沿着线I-I的截面，其在图2-5的每个中都有示出。同样示出了旋转轴RA可以沿虚拟线VL延伸，并且辐射源SO可以这样定位使其与线VL重合。在图6所示的实施例中，预定截面可以包括从第一环圈FR延伸到第二环圈SR并且被连接到如图7所示的至少第一环圈FR或第二环圈SR的金属薄片F。然而，如图7所示，预定截面还可以包括图2-5所示的一种形式的两组金属薄片F1、F2。其也可应用于支柱S1和支柱S2之间延伸的至少一个金属薄片上，这个金属薄片与平坦虚拟平面重合，其通过预定位置延伸，该预定位置即在使用中与辐射源SO重合的位置。
在图6和7的实施例中，它还固定在金属薄片和预定位置之间，该预定位置在使用中与辐射源SO重合，拉紧导线TW在前述的平坦虚拟平面中延伸。这表示，如果不存在拉紧导线TW将撞击金属薄片的从辐射源SO投射的射线，那么现在撞击并且加热拉紧导线TW而不是这个金属薄片。这样，金属薄片将受拉紧导线TW的保护，将不吸收(EUV)辐射，并且从而不会因吸收(EUV)辐射而被加热。这大大降低了金属薄片在工作环境中将达到的温度。
拉紧导线TW可以连接到金属薄片F。例如，它可以通过在金属薄片的前面部分和剩余部分之间设置一排孔而使得金属薄片的前面部分有效用作拉紧导线如图6所示，拉紧导线TW可以通过像弹簧这样的弹性部件RE而被紧固。拉紧导线TW可以与金属薄片F热绝缘。如果导线不是金属薄片的整体构成部分则拉紧导线TW可以由包括钽和/或钨的材料制成。
图6所示的实施例中，拉紧导线TW整个沿着第一环圈FR的直径延伸。如图7所示，可以采用两个拉紧导线TW。每个拉紧导线TW可以从第一支柱S1上的一个位置延伸到第二支柱S2上的最近位置。
图8和9详细示出了散热器HS1和散热器HS2可以怎样构造。每个散热器HS1和HS2分别包括支柱S1和支柱S2，并且分别包括冷却系统CS1和CS2。部件S1和部件S2都属于一种环圈形支柱。
图8可以看作是示出了这种环圈形支柱的示意性截面。对称轴SA示意性由直线L表示。金属薄片F1和金属薄片F2可以都连接到支柱的轴上，这种情况下，这个轴可以与直线L重合。然而，也可以是金属薄片F1和金属薄片F2彼此不相连，如后面所示。实施例中，包括支柱部件S1和S2的支柱是环圈形的，对称轴SA可以与虚拟直线重合，该虚拟直线通过与产生射线的辐射源重合的预定位置延伸。
也可以是金属薄片F1和金属薄片F2相连，即一起形成一个金属薄片。在这样的实施例中支柱S1和支柱S2可以是由金属薄片隔开的分离支柱。例如，支柱S1可以表示外环圈的截面，而支柱S2表示内环圈的截面。这种情况下，直线L不表示对称轴。
也可以是直线L表示对称平面，并且滤波系统包括多个彼此平行的金属薄片。
滤波系统包括冷却系统CS。该冷却系统CS可以包括部件CS1和CS2。
在各支柱是环圈形的情况下，各冷却系统CS也可以是环圈形的。因此在某些实施例中直线L也可以表示冷却系统CS的对称轴。对于图8所示的滤波系统的部分的进一步描述，只参考了上部，即直线L以上的部分。对上部的描述也适用于下部。
冷却系统CS1具有设置成被冷却的表面A1。冷却系统CS1和支柱S1相对彼此定位，使得在冷却系统CS1的表面A1和支柱S1之间形成有间隙G。冷却系统CS1还设置成将气体注入到间隙G中。气体和其流动方向由虚箭头表示。气体进入间隙G的入口位置EP和气体从间隙G中排出的出口位置XP之间的路径P在图8的实施例中形成为曲折路径P。由于路径P是曲折路径，所以注入到间隙中的气体当从入口位置EP流向出口位置XP时要经受很大的阻力。这样的弯曲路径为从间隙G到它周围的气体泄漏提供了阻力。该路径也可以是直的路径。与所示的实施例相比，气体在向出口位置XP移动时经受的阻力很小。支柱S1可以具有凹槽R1用于在气体排出间隙G之前容纳气体。凹槽中的压强可以是大约1000Pa，而周围的压强可以是大约10Pa。凹槽R1因此可以提供缓冲作用，其中注入的气体使得支柱S1冷却。
间隙G可以这样，使得表面A1和支柱S1之间的最小距离在从约20微米变化到约200微米的范围。间隙也可以这样，使得表面A1和支柱S1之间的最小距离在从约40微米变化到约100微米的范围。
冷却系统CS1的表面A1设置成用液体冷却。为此，冷却系统CS1可以包括在表面A1的子表面种延伸的通道。使用中，水，其为较冷却的水，可以进入通道入口CEA并且穿过通道C，在通道出口CX处离开通道。这种情况下，表面A1的子表面将被水冷却直到大约和从通道入口CEA进入通道C的水一样冷。冷却系统CS1也可以设置成在气体注入到间隙G之前冷却气体。代替在由通道入口CEA表示的位置处具有水的入口，更好的是在由CEG表示的位置处将水引入通道，这样水首先沿着注入通道IC流动，使用中气体通过该注入通道IC被注入到间隙G中。这使得在气体进入注入通道IC之前就被冷却的情况下，冷却注入通道IC中的气体或者进一步使注入通道中的气体保持冷却。当然，也可以是注入通道IC和表面A1都由单独的冷却机构冷却。
不利用水，可以利用任何其它合适的冷却介质。虽然未示出，但清楚的是通道C的入口和出口分别与供给装置和排气装置连接，使得用于冷却冷却系统的水和/或任何其它冷却介质都不会进入冷却系统和/或滤波系统的周围。通过注入通道IC注入到间隙G中的气体可以是氩气，或具有良好冷却特性并且较为惰性的任何其它气体。
当滤波系统暴露在EUV辐射中并且将残余粒子过滤在路径之外，其中EUV辐射沿着该路径透向收集系统，并且滤波系统在真空环境下以大约3,000rpm旋转时，金属薄片和它们的支柱很可能因吸收了EUV辐射，以及与金属薄片上残余粒子碰撞而吸收大约1kW的能量。不希望受任何理论的限制，需要说明的是，当氩气气体被注入间隙G中使得凹槽R1中的压强达到1000Pa时可能丢失大约1.3kW的热量，冷却系统CS1的支柱和冷却表面之间的温差是大约200K，表面A1包括大约1.26*10-2m2的面积。这种连接中的热传递系数取大约0.7W/m2*K*Pa并且效率假定为大约0.85。支柱S1和间隙中表面A1之间的最短距离假定在大约40和大约100微米之间。这种情况下周围的压强可以是大约10mbar。这种估算中，制造支柱的材料假定为不锈钢，其厚度为大约2cm且直径为大约200mm。
图9示出了根据本发明实施例的光刻装置，辐射系统和滤波系统的另一部分。这种情况下，支柱S1和S2包括绕对称轴SA和冷却系统CS可旋转的环圈形支柱部分，使用中，其可以相对于示意性示出的部分S1和S2的支柱保持固定。金属薄片F1、F2相对于对称轴SA径向延伸。可以有一个注入通道IC，分成通向凹槽R1的部分和通向凹槽R2的部分。另外的构成部分与图8所示的相同。图9所示的冷却系统CS与图8所示冷却系统工作方式相同。支柱S1、S2可以因向外环圈(未示出)传递力的驱动机构而旋转，这种实施例中外环圈与金属薄片F1、F2相连接。然而，支柱S1、S2也可以例如通过热绝缘连接而有效连接到冷却系统CS，并且冷却系统CS驱动支柱S1、S2的旋转。在后一实施例中，金属薄片F1、F2连接到例如外环圈不是必要的。
虽然在本文中专门提到可以利用光刻装置制造IC，但是应该理解，文中所述的光刻装置可以有其它的应用，如制造集成光学系统，用于磁畴存储器的引导和检测图案，平板显示器，液晶显示器(LCD)，薄膜式磁头等。本领域技术人员将明白，这种可替换的应用在上下文中，文中使用的任何术语“晶片”或“冲模”都可以分别认为是更常用术语“衬底”或“目标部分”的同义词。文中所指的衬底可以是在暴露之前或之后，在例如磁道(track)(典型地对衬底施加抗蚀剂层并且形成暴露的抗蚀剂的工具)，测量工具和/或校验工具中进行处理。应用时，文中所公开的内容可以应用于这种和其它衬底处理工具。此外，例如为生产多层IC，可以不止一次对衬底进行处理，所以文中所用的术语衬底也可以指已经包含多个处理层的衬底。
虽然上文专门提到在光学光刻技术中利用本发明的实施例，但是应该明白，本发明可以有其它应用，例如拓片(imprint)光刻，以及本文所给出的不限于光学光刻的应用中。在拓片光刻中，图形装置中的地形限定了形成在衬底上的图案。图形装置的地形可以压印到提供给衬底的抗蚀剂层，通过进行电磁辐射，加热，压印或它们的组合而将抗蚀剂固化在衬底上。抗蚀剂固化之后将图形装置的抗蚀剂除去而留下其中的图案。
文中所用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，355，248，193，157或126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)。
文中给出的术语“透镜”可以指各种类型的光学元件中的任意之一或其组合，包括折射，反射，磁，电磁和静电光学元件。
虽然上文对本发明的特定实施例进行了描述，但是应该明白，本发明可以有除所述之外的应用。例如，本发明可以采用计算机程序或者具有其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器，磁盘或光盘)，该计算机程序包括描述上述方法的一个或多个序列的机器可读指令。
上述内容旨在说明，而非限制。因此，应该明白，本领域技术人员可以对所述的本发明进行修改而不脱离下面列出的权利要求的范围。
权利要求
1.一种光刻装置，包括-构造成形成射线的投射光束的辐射系统，其包括(a)放射射线的辐射源；(b)滤波系统，设置成将残余粒子过滤在由辐射源放射的射线的预定截面之外，其中滤波系统包括用于俘获残余粒子的至少第一组金属薄片和第二组金属薄片；和(c)照明系统，设置成将由辐射源放射的射线形成为调节辐射光束；以及-构造成将射线的投射光束投射到衬底上的投影系统；其中滤波系统还包括至少第一散热器和第二散热器；其中第一组金属薄片的每个金属薄片热连接到第一散热器，第二组金属薄片的每个金属薄片热连接到第二散热器，从而，在使用中，热量通过第一组金属薄片的每个金属薄片基本向第一散热器传递，热量通过第二组金属薄片的每个金属薄片基本向第二散热器传递；并且其中第一组金属薄片基本延伸在预定截面的第一部分中，第二组金属薄片基本延伸在预定截面的第二部分中，该第一部分和第二部分基本不重叠。
2.根据权利要求1的光刻装置，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和/或第二组金属薄片的至少一个金属薄片远离各个散热器的连接，相对于滤波系统的任何其它部分是不连接的。
3.根据权利要求1的光刻装置，其中滤波系统这样设置，使得当暴露在辐射光束中时基本所有的滤波系统都保持低于预定的最大温度。
4.根据权利要求1的光刻装置，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和第二组金属薄片的至少一个金属薄片在基本相同的虚拟平面上延伸。
5.根据权利要求4的光刻装置，其中第一组金属薄片的金属薄片和第二组金属薄片的每个金属薄片之间的虚拟平面中的距离这样选择，使得当第一组的金属薄片和第二组的每个金属薄片达到它们各自的最大温度时，第一组的金属薄片和第二组的每个金属薄片之间保持有间隙。
6.根据权利要求4的光刻装置，其中虚拟平面延伸通过预定位置，该预定位置与辐射源发射射线的位置重合。
7.根据权利要求1的光刻装置，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片在第二组金属薄片的两个金属薄片之间相对小的部分中延伸。
8.根据权利要求1的光刻装置，其中至少滤波系统的一部分是可移动的，使得第一组金属薄片的每个金属薄片和/或第二组金属薄片的每个金属薄片在使用中可以通过在沿射线穿射的路径中拦截残余粒子而有效俘获残余粒子。
9.根据权利要求1的光刻装置，其中第一组金属薄片的每个金属薄片连接到第一环圈，第二组金属薄片的每个金属薄片连接到第二环圈，第一环圈和第二环圈空间上隔开并且具有共同的轴。
10.根据权利要求9的光刻装置，其中第一组金属薄片的每个金属薄片向第二环圈延伸，而第二组金属薄片的每个金属薄片向第一环圈延伸。
11.根据权利要求1的光刻装置，其中第一和第二散热器至少之一设置成有效冷却。
12.根据权利要求11的光刻装置，其中每个第一和第二散热器都是与任何其它散热器单独冷却的。
13.根据权利要求11的光刻装置，其中第一和第二散热器至少之一包括用于与第一或第二组金属薄片的每个金属薄片连接的至少一个支柱，以及具有设置成被冷却的表面的冷却系统，该冷却系统和至少一个支柱相对于彼此定位，使得在冷却系统的表面和支柱之间形成有间隙，冷却系统还设置成将气体注入到间隙中。
14.根据权利要求13的光刻装置，其中气体进入间隙的入口位置和气体排出间隙的出口位置之间的路径形成为弯曲路径。
15.根据权利要求13的光刻装置，其中间隙使得冷却系统的表面和至少一个支柱之间的最小距离是在约20微米变化到约200微米的范围内变化。
16.根据权利要求15的光刻装置，其中间隙使得冷却系统的表面和至少一个支柱之间的最小距离是在约40微米到约100微米的范围内变化。
17.根据权利要求13的光刻装置，其中支柱是环形的。
18.根据权利要求17的光刻装置，其中支柱是可旋转的。
19.根据权利要求13的光刻装置，其中冷却系统的表面设置成相对于支柱固定。
20.根据权利要求13的光刻装置，其中冷却系统的表面设置成用液体冷却。
21.根据权利要求20的光刻装置，其中液体是水。
22.根据权利要求13的光刻装置，其中气体是氩气。
23.根据权利要求13的光刻装置，其中支柱具有用于在气体流过间隙之前容纳气体的凹槽。
24.根据权利要求13的光刻装置，其中冷却系统设置成在将气体注入到间隙之前冷却气体。
25.根据权利要求1的光刻装置，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和/或第二组金属薄片的至少一个金属薄片与平坦虚拟平面基本重合，该虚拟平面延伸通过预定位置，该预定位置与辐射源放射射线的位置基本重合，其中在该至少一个金属薄片和预定位置之间，拉紧导线在该平坦虚拟平面中延伸。
26.根据权利要求25的光刻装置，其中拉紧导线连接到该至少一个金属薄片。
27.根据权利要求25的光刻装置，其中拉紧导线通过至少一个弹簧部件紧固。
28.根据权利要求25的光刻装置，其中拉紧导线与该至少一个金属薄片热绝缘。
29.根据权利要求25的光刻装置，其中拉紧导线由这样的材料制成，该材料包括由钽和钨构成的组中的至少一种金属。
30.一种构造成形成辐射光束的辐射系统，包括(a)放射射线的辐射源；(b)滤波系统，设置成将残余粒子过滤在由辐射源放射的射线的预定截面之外，其中滤波系统包括用于俘获残余粒子的至少第一组金属薄片和第二组金属薄片；和(c)照明系统，构造成将由辐射源放射的射线形成为调节辐射光束；其中滤波系统还包括至少第一散热器和第二散热器；其中第一组金属薄片的每个金属薄片热连接到第一散热器，第二组金属薄片的每个金属薄片热连接到第二散热器，从而，在使用中，热量通过第一组金属薄片的每个金属薄片基本向第一散热器传递，热量通过第二组金属薄片的每个金属薄片基本向第二散热器传递；并且其中第一组金属薄片基本延伸在预定截面的第一部分中，第二组金属薄片基本延伸在预定截面的第二部分中，该第一部分和第二部分基本不重叠。
31.根据权利要求30的辐射系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和/或第二组金属薄片的至少一个金属薄片远离各个散热器的连接，相对于滤波系统的任何其它部分是不连接的。
32.根据权利要求30的辐射系统，其中滤波系统这样设置，使得当暴露在辐射光束中时基本所有的滤波系统都保持低于预定的最大温度。
33.根据权利要求30的辐射系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和第二组金属薄片的至少一个金属薄片在基本相同的虚拟平面上延伸。
34.根据权利要求33的辐射系统，其中第一组金属薄片的金属薄片和第二组金属薄片的每个金属薄片之间的虚拟平面中的距离这样选择，使得当第一组的金属薄片和第二组的每个金属薄片达到它们各自的最大温度时，第一组的金属薄片和第二组的每个金属薄片之间保持有间隙。
35.根据权利要求33的辐射系统，其中虚拟平面延伸通过预定位置，该预定位置与辐射源发射射线的位置重合。
36.根据权利要求30的辐射系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片在第二组金属薄片的两个金属薄片之间相对小的部分中延伸。
37.根据权利要求30的辐射系统，其中至少滤波系统的一部分是可移动的，使得第一组金属薄片的每个金属薄片和/或第二组金属薄片的每个金属薄片在使用中可以通过在沿射线穿射的路径中拦截残余粒子而有效俘获残余粒子。
38.根据权利要求30的辐射系统，其中第一组金属薄片的每个金属薄片连接到第一环圈，第二组金属薄片的每个金属薄片连接到第二环圈，第一环圈和第二环圈空间上隔开并且具有共同的轴。
39.根据权利要求38的辐射系统，其中第一组金属薄片的每个金属薄片向第二环圈延伸，而第二组金属薄片的每个金属薄片向第一环圈延伸。
40.根据权利要求30的辐射系统，其中第一和第二散热器至少之一设置成有效冷却。
41.根据权利要求40的辐射系统，其中每个第一和第二散热器都是与任何其它散热器单独冷却的。
42.根据权利要求40的辐射系统，其中第一和第二散热器至少之一包括用于与第一或第二组金属薄片的每个金属薄片连接的至少一个支柱，以及具有设置成被冷却的表面的冷却系统，该冷却系统和至少一个支柱相对于彼此定位，使得在冷却系统的表面和支柱之间形成有间隙，冷却系统还设置成将气体注入到间隙中。
43.根据权利要求42的辐射系统，其中气体进入间隙的入口位置和气体排出间隙的出口位置之间的路径形成为弯曲路径。
44.根据权利要求42的辐射系统，其中间隙使得冷却系统的表面和至少一个支柱之间的最小距离是在约20微米变化到约200微米的范围内变化。
45.根据权利要求44的辐射系统，其中间隙使得冷却系统的表面和至少一个支柱之间的最小距离是在约40微米到约100微米的范围内变化。
46.根据权利要求42的辐射系统，其中支柱是环形的。
47.根据权利要求46的辐射系统，其中支柱是可旋转的。
48.根据权利要求42的辐射系统，其中冷却系统的表面设置成相对于支柱固定。
49.根据权利要求42的辐射系统，其中冷却系统的表面设置成用液体冷却。
50.根据权利要求49的辐射系统，其中液体是水。
51.根据权利要求42的辐射系统，其中气体是氩气。
52.根据权利要求42的辐射系统，其中支柱具有用于在气体流过间隙之前容纳气体的凹槽。
53.根据权利要求42的辐射系统，其中冷却系统设置成在将气体注入到间隙之前冷却气体。
54.根据权利要求30的辐射系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和/或第二组金属薄片的至少一个金属薄片与平坦虚拟平面基本重合，该虚拟平面延伸通过预定位置，该预定位置与辐射源放射射线的位置基本重合，其中在该至少一个金属薄片和预定位置之间，拉紧导线在该平坦虚拟平面中延伸。
55.根据权利要求54的辐射系统，其中拉紧导线连接到该至少一个金属薄片。
56.根据权利要求54的辐射系统，其中拉紧导线通过至少一个弹簧部件紧固。
57.根据权利要求54的辐射系统，其中拉紧导线与该至少一个金属薄片热绝缘。
58.根据权利要求54的辐射系统，其中拉紧导线由这样的材料制成，该材料包括由钽和钨构成的组中的至少一种金属。
59.一种滤波系统，用于将残余粒子过滤在由辐射源放射的射线的预定截面之外，并且可用于光刻，尤其是EUV光刻，该滤波系统包括-用于将残余粒子俘获的至少第一组金属薄片和第二组金属薄片，和-至少第一散热器和第二散热器；其中第一组金属薄片的每个金属薄片热连接到第一散热器，第二组金属薄片的每个金属薄片热连接到第二散热器，从而，在使用中，热量通过第一组金属薄片的每个金属薄片基本向第一散热器传递，热量通过第二组金属薄片的每个金属薄片基本向第二散热器传递；并且其中第一组金属薄片基本延伸在预定截面的第一部分中，第二组金属薄片基本延伸在预定截面的第二部分中，该第一部分和第二部分基本不重叠。
60.根据权利要求59的滤波系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和/或第二组金属薄片的至少一个金属薄片远离各个散热器的连接，相对于滤波系统的任何其它部分是不连接的。
61.根据权利要求59的滤波系统，其中滤波系统这样设置，使得当暴露在辐射光束中时基本所有的滤波系统都保持低于预定的最大温度。
62.根据权利要求59的滤波系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和第二组金属薄片的至少一个金属薄片在基本相同的虚拟平面上延伸。
63.根据权利要求62的滤波系统，其中第一组金属薄片的金属薄片和第二组金属薄片的每个金属薄片之间的虚拟平面中的距离这样选择，使得当第一组的金属薄片和第二组的每个金属薄片达到它们各自的最大温度时，第一组的金属薄片和第二组的每个金属薄片之间保持有间隙。
64.根据权利要求62的滤波系统，其中虚拟平面延伸通过预定位置，该预定位置与辐射源发射射线的位置重合。
65.根据权利要求59的滤波系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片在第二组金属薄片的两个金属薄片之间相对小的部分中延伸。
66.根据权利要求59的滤波系统，其中至少滤波系统的一部分是可移动的，使得第一组金属薄片的每个金属薄片和/或第二组金属薄片的每个金属薄片在使用中可以通过在沿射线穿射的路径中拦截残余粒子而有效俘获残余粒子。
67.根据权利要求59的滤波系统，其中第一组金属薄片的每个金属薄片连接到第一环圈，第二组金属薄片的每个金属薄片连接到第二环圈，第一环圈和第二环圈空间上隔开并且具有共同的轴。
68.根据权利要求67的滤波系统，其中第一组金属薄片的每个金属薄片向第二环圈延伸，而第二组金属薄片的每个金属薄片向第一环圈延伸。
69.根据权利要求59的滤波系统，其中第一和第二散热器至少之一设置成被有效冷却。
70.根据权利要求69的滤波系统，其中每个第一和第二散热器都是与任何其它散热器单独冷却的。
71.根据权利要求69的滤波系统，其中第一和第二散热器至少之一包括用于与第一或第二组金属薄片的每个金属薄片连接的至少一个支柱，以及具有设置成被冷却的表面的冷却系统，该冷却系统和至少一个支柱相对于彼此定位，使得在冷却系统的表面和支柱之间形成有间隙，冷却系统还将气体注入到间隙中。
72.根据权利要求71的滤波系统，其中气体进入间隙的入口位置和气体排出间隙的出口位置之间的路径形成为弯曲路径。
73.根据权利要求71的滤波系统，其中间隙使得冷却系统的表面和至少一个支柱之间的最小距离是在约20微米变化到约200微米的范围内变化。
74.根据权利要求73的滤波系统，其中间隙使得冷却系统的表面和至少一个支柱之间的最小距离是在约40微米到约100微米的范围内变化。
75.根据权利要求71的滤波系统，其中支柱是环形的。
76.根据权利要求75的滤波系统，其中支柱是可旋转的。
77.根据权利要求71的滤波系统，其中冷却系统的表面设置成相对于支柱固定。
78.根据权利要求71的滤波系统，其中冷却系统的表面设置成用液体冷却。
79.根据权利要求78的滤波系统，其中液体是水。
80.根据权利要求71的滤波系统，其中气体是氩气。
81.根据权利要求71的滤波系统，其中支柱具有用于在气体流过间隙之前容纳气体的凹槽。
82.根据权利要求71的滤波系统，其中冷却系统设置成在将气体注入到间隙之前冷却气体。
83.根据权利要求59的滤波系统，其中第一组金属薄片的至少一个金属薄片和/或第二组金属薄片的至少一个金属薄片与平坦虚拟平面基本重合，该虚拟平面延伸通过预定位置，该预定位置与辐射源放射射线的位置基本重合，其中在该至少一个金属薄片和预定位置之间，拉紧导线在该平坦虚拟平面中延伸。
84.根据权利要求83的滤波系统，其中拉紧导线连接到该至少一个金属薄片。
85.根据权利要求83的滤波系统，其中拉紧导线通过至少一个弹簧部件紧固。
86.根据权利要求83的滤波系统，其中拉紧导线与该至少一个金属薄片热绝缘。
87.根据权利要求83的滤波系统，其中拉紧导线由这样的材料制成，该材料包括由钽和钨构成的组中的至少一种金属。
全文摘要
一种光刻装置，包括构造成形成射线的投射光束的辐射系统；滤波系统，设置成在使用中将残余粒子过滤在由辐射源放射的射线的预定截面之外，其中滤波系统包括用于俘获残余粒子的至少第一组金属薄片和第二组金属薄片；以及构造成将射线的透射光束投射到衬底上的投影系统。滤波系统还包括至少第一散热器和第二散热器；其中第一组金属薄片的每个金属薄片热连接到第一散热器，第二组金属薄片的每个金属薄片热连接到第二散热器，从而，在使用中，热量通过第一组金属薄片的每个金属薄片基本向第一散热器传递，热量通过第二组金属薄片的每个金属薄片基本向第二散热器传递；并且其中第一组金属薄片基本延伸在预定截面的第一部分中，第二组金属薄片基本延伸在预定截面的第二部分中，该第一部分和第二部分基本不重叠。
文档编号H01L21/027GK1808278SQ20051012155
公开日2006年7月26日 申请日期2005年12月27日 优先权日2004年12月28日
发明者A·C·瓦辛克 申请人:Asml荷兰有限公司