专利名称：Tft阵列半曝光光刻工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种TFT阵列半曝光光刻工艺背景技术为了在透明绝缘衬底(如玻璃)上形成薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)阵列，TFT阵列生产工艺中，需要使用一定数量的光掩膜板(Photo Mask)在衬底上反复进行成膜、曝光、刻蚀等光刻工艺，以形成TFT阵列的引线、电极、端子、各绝缘膜层等。自1993年TFT-LCD的大规模生产制造开始以来，为了降低生产成本，提高产品的良品率，各制造商不断通过改变TFT的结构设计，努力减少阵列工艺中的光刻工艺次数。TFT结构经过沟道(Channel)保护型、沟道刻蚀型，最终演变为目前普遍采用的接触孔(Contact Hole)统合型，光刻次数也由6～8次减少到5次。目前已很难通过TFT结构的改变来减少光刻工艺的次数，只能对现有光刻工艺本身进行改善。
在TFT阵列工艺生产时，需要反复进行多次光刻，才能完成薄膜晶体管阵列的制作。栅电极、源电极和漏电级、沟道半导体、源漏电极与透明电极连接用接触孔、透明电极等图形的形成在薄膜晶体管阵列生产中是必不可少的。普通的薄膜晶体管阵列生产中，为了形成上述图形，需要采用5张以上的光掩膜板，进行5次以上的光刻工艺来实现，生产成本高、工序数目多。
通常在薄膜晶体管阵列生产中，需要两次光刻才能形成源漏电级和沟道半导体的图形。即先在半导体成膜后的衬底上，通过一次光刻，形成所需的半导体图形，之后进行源漏电极的金属成膜，再通过第二次光刻，形成源漏电极图形。
发明内容
本发明的目的是对现有的工艺进行改进以简化工艺、减少光刻掩模版使用数量。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。
经过对金属膜层的第一次湿刻、对半导体的干刻后，再对上一步残留的光刻胶进行刻蚀，去除沟道部分的残留光刻胶，然后对金属膜层进行第二次湿刻。
本发明的积极进步效果在于可以应用于TFT-LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次光刻工艺即形成上述图形，比传统工艺减少一次或多次光刻，可以减少光刻掩模版的成本和减少工序数目，对于节约成本和减短工艺时间、增加生产量有很大作用。
图1a-1d为本发明一实施例的过程示意图。
具体实施例方式
下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
如图1a-1d所示，一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。
经过对金属膜层的第一次湿刻、对半导体的干刻后，再对上一步残留的光刻胶进行刻蚀，去除沟道部分的残留光刻胶，然后对金属膜层进行第二次湿刻。
对于一块已经有栅极图案并且已经形成半导体膜层和金属膜层的玻璃基板，经过光刻胶涂布前的洗净工序、光刻胶涂布(2.2μm)、并且经过120℃的预烘焙，进入到曝光装置(可采用Canon产MPA-7800)。
曝光时采用85mJ的曝光量，使用一块在薄膜晶体管沟道位置处设有低于曝光设备临界分辨率大小图形的光刻掩膜版(如HOYA制)进行曝光，之后经过显影、后烘焙完成光刻工艺。再经过对金属膜层的第一次湿刻、对半导体的干刻后，半导体图形形成，之后对光刻胶进行刻蚀，去除沟道部分的残留光刻胶，并对金属膜层进行第二次湿刻，从而形成源漏电极图形。
权利要求
1.一种TFT阵列半曝光光刻工艺，其特征在于，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列半曝光光刻工艺，其特征在于，经过对金属膜层的第一次湿刻、对半导体的干刻后，再对上一步残留的光刻胶进行刻蚀，去除沟道部分的残留光刻胶，然后对金属膜层进行第二次湿刻。
全文摘要
本发明公开了一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。本发明可以应用于TFT－LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次光刻工艺即形成上述图形，比传统工艺减少一次或多次光刻，可以减少光刻掩模版的成本和减少工序数目，对于节约成本和减短工艺时间、增加生产量有很大作用。
文档编号H01L21/027GK1996147SQ20051011225
公开日2007年7月11日 申请日期2005年12月28日 优先权日2005年12月28日
发明者谢晓明, 谭智敏 申请人:上海广电Nec液晶显示器有限公司