专利名称：用于制作隔离壁的曝光方法
技术领域：
本发明是与使用光阻以制作隔离壁的方法有关，尤其是一种使用正型光阻经曝光后制作形成隔离壁的曝光方法。
背景技术：
请参阅图1所示，是有机发光显示装置的基板1与隔离壁2示意图，该基板1为表面具有导电膜的基材所构成，该隔离壁2形成于该基板1上，以及，再以金属材料(如铝)经蒸镀方式制作形成金属阴极时，该隔离壁2可分隔出金属阴极，且由于隔离壁2剖面是呈上宽下窄且两侧各具斜度的倒梯形状，因此，可避免含有金属材料的蒸气附着于隔离壁2的两侧斜面上，据以防止邻接的金属阴极彼此接触而造成短路。
目前现有用以制作隔离壁的方法，是先于基板1表面涂布一负型的化学增益放大型光阻，接着，依序经软烤(soft baking)、曝光(exposure)、曝后烤(Post Exposure Bake，PEB)、显影(development)及硬烤(hard baking)等处理后，以便于基板1上形成所需的隔离壁2；请配合图2所示，在上述制程的曝光步骤中，UV光3是以垂直光罩4表面的方式进行照射，且UV光3穿过光罩4的可透光区域后照射于该由负型的化学增益放大型光阻所形成的光阻膜5，使得受照射区域的光阻5a产生链结(cross linking)，且该光阻5a的抗显影能力自表面朝基板1方向呈递减，当光阻膜5经过后续的显影处理后，未受照射区域的光阻5b即被溶解，而受照射区域的光阻5a因具有抗显影能力且未被完全溶解得以被保留下来，该被保留下来的光阻5a的剖面即呈倒梯形状，亦即构成如图1的做为分隔金属阴极使用的隔离壁2。
诚然上述制程可制得倒梯形状的隔离壁，但是，以负型的化学增益放大型光阻材料做为隔离壁使用，因材料成本昂贵，将导致整体发光元件成本相对提高；且，在显影过程中，经过曝光的负型的化学增益放大型光阻会吸收部份的显影液，造成光阻内的分子体积增加，即产生“膨润”(swelling)效应，导致显影后的光阻图案形貌发生扭曲，直接影响隔离壁的成形斜度，更衍生良率降低的问题。
有鉴于此，本案发明人乃经详思细索，并经反复试验及研究，终而有本发明的产生。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种用于制作隔离壁的曝光方法，具有降低光阻成本支出及提升制作隔离壁良率的功效。
缘以达成上述的目的，本发明所提供的一种用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，包含下列步骤涂布一正型光阻于一基板表面；于该正型光阻上方设置一光罩，该光罩具有一可透光区与一不可透光区；使一第一射线以与该光罩表面夹一θ1角度的方式照射该光罩，该第一射线经过该可透光区并照射于该正型光阻；使一第二射线以与该光罩表面夹一θ2角度的方式照射该光罩，该第二射线经过该可透光区并照射于该正型光阻。
其中该第一射线是自该光罩表面的垂直方向的一侧照射该光罩，该第二射线是自该光罩表面的垂直方向的另一侧照射该光罩。
其中该θ1角度与该θ2角度相同。
其中该正型光阻材料是自AZP4210、AZ1500、ZWD6216以及DL-1000所构成的族群中所选出。
其中该第一射线是为紫外线。
其中该第二射线是为紫外线。
其中该基板是自玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板以及具导电膜的基板所构成的族群中所选出。
其中该θ1角度为小于九十度的锐角。
其中该θ2角度为小于九十度的锐角。
本发明一种用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，包含下列步骤提供一基板，该基板表面涂布有一正型光阻；提供一光罩，该光罩位于该正型光阻上方；提供一曝光源，该曝光源的射线以与该光罩表面夹一预定角度的方式照射该光罩并对该正型光阻进行第一次曝光；
旋转该基板预定角度；该曝光源再次照射该光罩并对该正型光阻进行第二次曝光。
其中该基板在完成第一次曝光后，被旋转一百八十度，继续进行第二次曝光。
其中该正型光阻材料是自AZP4210、AZ1500、ZWD6216以及DL-1000所构成的族群中所选出。
其中该基板是自玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板以及具导电膜的基板所构成的族群中所选出。
其中该曝光源的射线与该光罩表面所夹设的角度为小于九十度的锐角。
其中该曝光源为紫外线。
其包括如权利要求1或10的隔离壁。
以下，列举本发明的较佳实施例，并配合下列附图详细说明于后，其中图1是一般基板上形成有隔离壁的示意图。
图2是已知用以制作隔离壁的曝光示意图。
图3是本发明于基板上方设置光罩的示意图。
图4是本发明一较佳实施例于进行第一次曝光的示意图。
图5是本发明完成第一次曝光的示意图。
图6是本发明上述较佳实施例于进行第二次曝光的示意图。
图7是本发明完成第二次曝光的示意图。
图8是本发明经显影处理后的示意图。
图9是依本发明制得的隔离壁的应用示意图。
图10是本发明另一较佳实施例于进行第一次曝光的示意图。
图11是本发明上述另一较佳实施例于进行第二次曝光的示意图。
图12是本发明上述另一较佳实施例于显影后的示意图。
具体实施例方式
本发明用于制作隔离壁(separator)的曝光方法，包含下列步骤请参阅图3所示，先将一液态状的正型光阻(positive photoresist)均匀地涂布于一基板10表面，前述涂布方法如众所周知的旋转涂布或滚轮涂布等方法，完成涂布后的正型光阻是以薄膜型态于基板10表面形成一光阻膜20，接着，对表面具有光阻膜20的基板10施以软烤以增加光阻膜20对基板10的附着力；前述基板10是选自如玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板或具导电性金属膜的基材之一，又该具导电膜的基材可列举如ITO基板、IZO基板等；该正型光阻材料是选自易于购得且材料成本低廉的一般正型光阻，例如AZP4210(商品名，Clariant制)、AZ1500(商品名，Clariant制)、ZWD6216(商品名，Zeon制)或DL-1000(PSPI)(商品名，Toray制)之一。
接着，于该光阻膜20上方设置一光罩30，该光罩30具有一可透光区32与一不可透光区34。
请再参阅图4、图5所示，完成光罩30设置之后，先使一第一射线L1以与该光罩30表面夹一θ1角度的方式照射该光罩30，于本实施例中，该第一射线L1为紫外线，该紫外线自光罩30上方且自垂直光罩30表面的延伸方向X的一侧照射该光罩30，该θ1角度为小于九十度的锐角，该紫外线经过可透光区32后照射于该光阻膜20，使得被照射的光阻20a解离成可溶于显影液的结构，而未被照射的光阻20b结构仍维持不溶于显影液的链结状，于此定义此程序为第一次曝光。
续请参阅图6、图7所示，在完成第一次曝光之后，续使一第二射线L2以与该光罩30表面夹一θ2角度的方式照射该光罩30，于本实施例中，该第二射线L2亦为紫外线，该紫外线自光罩30上方且自垂直光罩30表面的延伸方向X的另一侧照射该光罩30，该θ2角度为小于九十度的锐角，且该θ2角度与该θ1角度相同，该紫外线经过可透光区32后照射于该光阻膜20，并对在第一次曝光当中未被照射的光阻20b产生局部照射，此局部被照射的光阻20c同样因过光而被解离成可溶于显影液的结构，于此定义此程序为第二次曝光。
以上即为本发明用于制作隔离壁的曝光方法，当完成上述的第一次曝光与第二次曝光作业后，续以显影液清洗该光阻膜20，由显影液对经过紫外线照射的光阻20a及光阻20c产生溶解，得以保留未被照射的光阻20b，该被保留下来的光阻20b图案的剖面即呈上宽下窄且两侧各具斜度的倒梯形状(如图8所示)，亦即构成本发明欲制作的隔离壁40；另外说明的是，本发明于第一次曝光与第二次曝光作业时，紫外线与光罩30表面所夹的θ1角度与θ2角度，可依实际需求而被选择以不同的角度制作，非仅局限于相同角度而已。
复请参阅图9所示，是经过本发明的曝光方法而于基板10表面形成有倒梯形状隔离壁40的应用例，该隔离壁40为有机发光元件构成之一，其可做为分隔出有机膜50与金属阴极60使用。
在上述实施例中，用以达成制作倒梯形状隔离壁的曝光方法，是将该基板10以固定且不转动的方式设置，而将产生第一射线L1与第二射线L2的曝光源分别设置于该延伸方向X的两侧，再由第一射线L1与第二射线L2各自对光罩30进行照射，据以达成本发明的曝光效果。
另外，值得一提的是，本发明用以制作倒梯形隔离壁的曝光方法，亦可将产生紫外线的曝光源以单一个定点设置，配合基板可被转动的方式制作，如后所述请参阅图10所示，该基板70表面涂布有正型光阻以形成一光阻膜72，该光罩74位于光阻膜72上方，该曝光源76被设置在光罩74上方且位于垂直光罩74表面的延伸方向Y之一侧，该曝光源76所产生的紫外线L3以与光罩74表面夹一预定角度θ3的方式照射该光罩74，并对该光阻膜72进行第一次曝光，前述θ3角度为小于九十度的锐角；在完成第一次曝光之后，控制该基板70于一平面旋转一百八十度，如图11所示，接着继续利用该曝光源76所产生的紫外线13再次照射该光罩74并对该光阻膜72进行第二次曝光，尔后经过显影制程，即可获得于基板70上形成倒梯形的隔离壁78(参照图12)。
综上所述，本发明使用一般的正型光阻材料做为制作隔离壁使用，不仅可降低成本支出，更因正型光阻过显影液时，其分子体积膨胀量小，故可大幅降低隔离壁的变形以提升制作良率。
以上所述的，仅为本发明的较佳可行实施例而已，故凡是应用本发明说明书及申请专利范围所为的等效方法变化，理应包含在本发明的专利范围内。
权利要求
1.一种用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，包含下列步骤涂布一正型光阻于一基板表面；于该正型光阻上方设置一光罩，该光罩具有一可透光区与一不可透光区；使一第一射线以与该光罩表面夹一θ1角度的方式照射该光罩，该第一射线经过该可透光区并照射于该正型光阻；使一第二射线以与该光罩表面夹一θ2角度的方式照射该光罩，该第二射线经过该可透光区并照射于该正型光阻。
2.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该第一射线是自该光罩表面的垂直方向的一侧照射该光罩，该第二射线是自该光罩表面的垂直方向的另一侧照射该光罩。
3.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该θ1角度与该θ2角度相同。
4.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该正型光阻材料是自AZP 4210、AZ 1500、ZWD 6216以及DL-1000所构成的族群中所选出。
5.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该第一射线是为紫外线。
6.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该第二射线是为紫外线。
7.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该基板是自玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板以及具导电膜的基板所构成的族群中所选出。
8.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该θ1角度为小于九十度的锐角。
9.如权利要求1所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该θ2角度为小于九十度的锐角。
10.一种用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，包含下列步骤提供一基板，该基板表面涂布有一正型光阻；提供一光罩，该光罩位于该正型光阻上方；提供一曝光源，该曝光源的射线以与该光罩表面夹一预定角度的方式照射该光罩并对该正型光阻进行第一次曝光；旋转该基板预定角度；该曝光源再次照射该光罩并对该正型光阻进行第二次曝光。
11.如权利要求10所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该基板在完成第一次曝光后，被旋转一百八十度，继续进行第二次曝光。
12.如权利要求10所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该正型光阻材料是自AZP 4210、AZ 1500、ZWD 6216以及DL-1000所构成的族群中所选出。
13.如权利要求10所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该基板是自玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板以及具导电膜的基板所构成的族群中所选出。
14.如权利要求10所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该曝光源的射线与该光罩表面所夹设的角度为小于九十度的锐角。
15.如权利要求10所述的用于制作隔离壁的曝光方法，其特征在于，其中该曝光源为紫外线。
16.一种有机发光元件，其特征在于，其包括如权利要求1或10的隔离壁。
全文摘要
一种用于制作隔离壁的曝光方法，是于一基板表面涂布正型光阻以形成一光阻膜，再于光阻膜上方设置一光罩，接着，以紫外线做为曝光射线，且紫外线分别以与光罩表面夹一预定角度的方式，先后进行第一次曝光与第二次暴光，以便于以后的显影处理后，可于基板上形成倒梯形的隔离壁。
文档编号H01L21/02GK1821880SQ20051000808
公开日2006年8月23日 申请日期2005年2月16日 优先权日2005年2月16日
发明者郭建忠 申请人:胜华科技股份有限公司