专利名称：使用小面积荫罩板制造大面积底板的系统和方法
技术领域：
本发明涉及一种制造用于大规模平板显示器的底板的方法，更具体地，涉及一种使用一个或更多小面积荫罩板(shadow mask)形成大面积底板的系统和方法。
背景技术：
有源矩阵底板广泛地用在平板显示器中，用于将信号发送到显示器的像素以便产生可视图像。目前，此种有源矩阵底板通过光刻制造工艺形成，这是由于市场上对于越来越高分辨率的显示器的需求而驱动的，而其他制造工艺并不能满足这种需求。光刻是一种使用诸如紫外(UV)线之类的辐射对在基板表面上沉积的抗蚀剂层进行曝光的图案限定技术。产生有源矩阵底板的典型光刻处理步骤包括涂敷光致抗蚀剂、前烘、浸泡、烘烤、对准/曝光、显影、漂洗、烘烤、沉积、剥离光致抗蚀剂、擦洗/漂洗和干燥。可见，用于产生有源矩阵底板的光刻制造工艺包括许多沉积和刻蚀步骤以便限定底板的适当图案。
因为用光刻制造工艺形成有源矩阵底板所需的步骤的数目，用于底板批量生产的足够容量的制造车间(foundry)是非常昂贵的。利用光刻制造工艺制造有源矩阵底板所需设备的典型部分列表包括玻璃处理设备、湿法/干法剥离设备、玻璃清洗设备、湿法清洗设备、等离子体化学气相沉积(CVD)设备、激光设备、结晶设备、溅射设备、离子注入设备、抗蚀剂涂布设备、抗蚀剂剥离设备、显影设备、颗粒检查设备、曝光系统、阵列网格(filet)/修理设备、干法刻蚀系统、防静电放电设备、湿法刻蚀系统和无尘箱。而且，因为光刻制造工艺的本质，前述设备必须在1级或10级超净间使用。此外，因为所需设备的数量和每一个设备的尺寸，超净间必须具有相对较大的面积，这可能是相当昂贵的。
多年以来已经在微电子制造中使用气相沉积荫罩板工艺。气相沉积荫罩板工艺比光刻工艺便宜且容易得多。然而迄今为止，本领域普通技术人员还不支持将气相沉积荫罩板工艺用于制造大面积底板。在美国专利申请公开No.2003/0193285、美国专利申请公开No.2002/0011785、美国专利No.6,592,933、美国专利No.6,384,529和美国专利No.4,919,749中公开了气相沉积荫罩板工艺和相关工艺。
因此，所需但是在现有技术中没有公开的是用于经由气相沉积荫罩板工艺而不是采用更昂贵的光刻工艺来制造大面积底板的方法和设备。另外，当阅读和理解以下详细描述时，本发明的实现对于本领域的普通技术人员将变得明白。
发明内容
本发明是一种气相沉积荫罩板系统，包括多个串联的真空室，每一个真空室在其中均具有材料沉积源和荫罩板；以及用于沿具有通过真空室延伸的纵轴的路径来对衬底进行平移的装置。将第一真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的一侧，以及将第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的另一侧。
所述系统可操作用于以如下方式通过第二真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板在基板上相邻的第一区域上沉积的一部分材料相重叠。
将基板的第一和第二区域设置为沿与路径纵轴横断的方向彼此相邻。在第一和第二区域之间与路径纵轴平行的方向的边界附近发生重叠。按需要，基板的第一和第二区域不重叠。
可以将第三真空室中的荫罩板的中心与第一真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴相同的一侧。所述系统可操作用于以如下方式通过第三真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第一区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的至少一部分材料重叠，并且与在基板的第二区域上沉积的一部分材料重叠。
另外或可选地，所述系统可操作用于以如下方式通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第三区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板与在基板上相邻的第一区域上沉积的一部分材料相重叠。
基板的第一和第三区域沿与路径纵轴平行的方向彼此相邻。在基板的第三区域上沉积的材料与在基板的第一区域上沉积的材料沿与路径纵轴横断的方向相重叠。按需要，基板的第一、第二和第三区域不重叠。
本发明还是一种气相沉积荫罩板系统，包括多个串联的真空室，每一个真空室均具有位于其中的材料沉积源和荫罩板；以及用于沿其纵轴延伸通过真空室的路径来对基板进行平移的装置。将第一和第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的一侧。
所述系统可操作用于以如下方式通过第二真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板与在基板上相邻的第一区域上沉积的一部分材料相重叠。
基板的第一和第二区域沿与路径纵轴横断的方向彼此相邻。在第一和第二区域之间与路径纵轴横断的方向的边界附近发生重叠。按需要，基板的第一和第二区域不重叠。
本发明还是一种荫罩板气相沉积方法。所述方法包括(a)将基板的第一区域置于第一真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；(b)通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积在基板的第一区域上；(c)沿其纵轴延伸通过真空室的路径将基板的第一区域推进到第二真空室；(d)将基板上相邻的第二区域置于第二真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；以及(e)按照以下方式通过第二真空室中的沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的一部分材料相重叠，其中，将第一和第二真空室中的荫罩板的中央侧向地偏移到路径纵轴的相对两侧。
在第一和第二区域之间沿与路径纵轴平行的方向的边界附近发生重叠。按需要，基板的第一和第二区域不重叠。
所述方法还可以包括(f)沿路径将基板的第一区域推进到第三真空室；(g)将基板的第一区域置于第三真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；以及(h)以如下方式通过第三真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第一区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板在基板的第一区域上沉积的至少一部分材料相重叠，并且与在基板的第二区域上沉积的一部分材料相重叠，其中，将第一和第三真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的相同一侧。
所述方法还可以包括沿路径将基板的第一区域推进到第二真空室，以及将基板的第三区域置于第一真空室中的材料沉积源和荫罩板之间，其中基板的第三区域与基板的第一区域相邻。以如下方式通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第三区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的至少一部分材料相重叠。
按需要，基板的第一、第二和第三区域不重叠。在第三区域上沉积的材料与在第一区域上沉积的材料在第一和第三区域之间沿与路径纵轴横断的方向的边界附近相重叠。
最后，本发明是一种荫罩板气相沉积方法。所述方法包括(a)将基板的第一区域置于第一真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；(b)通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第一区域上；(c)沿其纵轴延伸通过真空室的路径将基板的第一区域推进到第二真空室；(d)将基板上相邻的第二区域置于第二真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；以及(e)以如下方式通过第二真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的一部分材料相重叠，其中将第一和第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的一侧。
在沿第一和第二区域之间与路径纵轴横断的方向的边界附近发生重叠。按需要，基板的第一和第二区域不重叠。
图1示出了根据本发明由公共基板上的基板段的m×n阵列形成的可扩展底板；图2示出了根据本发明的典型制造进程的时序图；图3A和图3B分别示出了根据本发明用于形成大面积底板的典型生产系统的侧视图和顶视图；图3C示出了安装有可选缓冲器(accumulator)设备的本发明的生产系统；图4A示出了图2中细节A的放大视图；图4B是沿图4A中的IVB-IVB线得到的剖面图；以及图5是分别通过多个连续段的多个沉积事件形成底板的每一层的方法的流程图。
具体实施例方式
参考图1，例如，公共基板上由基板段110的m×n阵列组成的可扩展底板100根据大面积显示器所需的尺寸来确定大小。例如，可扩展底板100可以是由基板段110aa-110mn形成的阵列。每一个基板段110通过其自己的沉积事件在公共基板上形成，如下文中进一步详细描述的。
参考图2，示出了通过在连续设置的沉积真空室214a和214b内部的荫罩板沉积工艺逐步形成包括基板段212a、212b、212c、212d、212e和212f的3×2阵列的底板210的典型制造工艺200。沉积真空室214a和214b分别包括荫罩板216a和216b。底板210和基板段212与图1中的底板100和基板段110相对应。
用多个连续基板段212上的多次沉积事件来形成一层底板210。更具体地，在时间1时，通过使用荫罩板216a，在沉积真空室214a内部的基板段212a上发生沉积事件。然后推进基板，并且在时间2时，通过使用荫罩板216a，在沉积真空室214a内部的基板段212b上发生随后的沉积事件。然后推进基板，并且在时间3时，通过使用荫罩板216a，在沉积真空室214a内部的基板段212c上发生随后的沉积事件。
在沿基板段212a、212b和212c的行完成沉积事件时，将基板推进到沉积真空室214b，其中将荫罩板216b相对于荫罩板216a偏移位置，以便形成基板段212的下一行。在时间4时，通过使用荫罩板216b，在沉积真空室214b内部的基板段212d上发生沉积事件。然后推进基板，并且在时间5时，通过使用荫罩板216b，在沉积真空室214b内部的基板段212e上发生随后的沉积事件。然后推进基板，并且在时间6时，通过使用荫罩板216b，在沉积真空室214b内部的基板段212f上发生随后的沉积事件。这样，通过使用荫罩板21 6a和216b，通过时间1、2、3、4、5和6时的连续沉积事件形成了作为基板段212的3×2阵列组合的一层底板210。荫罩板216a和216b的孔径布局和设计使得它们在它们所需的边界处实现相邻基板段212之间的电连接。
沉积真空室214a和214b之间的间距“s”可以是任意合适或所需的距离，所述间距能够在使沉积真空室214a和214b无干扰地操作的同时，使底板210从沉积真空室214a传递到沉积真空室214b。为此，间距“s”可以是0。然而，这不应该解释为限制本发明。为了实用的目的，间距“s”适当地大，以允许当使用沉积真空室214的一般结构时使底板210具有较宽范围的尺度。
使用多个沉积真空室和荫罩板的组合，可以按照与底板210和基板段212相似的方式，由基板段110的任意m×n阵列来形成可扩展底板100。
参考图3A和图3B，示出了代表用于生产诸如在其上沉积有OLED的有源矩阵底板之类的电子设备的系统的典型生产系统300。在所示示例中，将生产系统300配置用于形成由基板段110的n×2阵列形成的可扩展底板100。然而，因为可以将生产系统300配置用于形成由基板段110的m×n阵列形成的可扩展底板100，这不应该解释为限制本发明。在标题为“Active Matrix Backplane For Controlling Controlled Elements andMethod Of Manufacture Thereof”的美国专利申请公开No.2003/0228715中公开了一种合适的生产系统300的示例，将其合并在此作为参考。
生产系统300包括多个串联的沉积真空室214a-214n。生产系统300包括用于沿路径302(其纵轴304延伸通过真空室214a-241n)对基板312进行平移的装置。每一个沉积真空室214均包括至少一个沉积源318、热沉320和荫罩板216。更具体地，沉积真空室214a-214n中分别装有荫罩板216a-216n。在生产系统300的所示实施例中，将沉积真空室214a中的荫罩板216a的中心218a侧向偏移到纵轴304的一侧，而将沉积真空室214b中的荫罩板216b的中心218b侧向偏移到纵轴304的另一侧。取决于生产系统300需要执行沉积事件的数量，生产系统300也可以使沉积真空室214n-1的荫罩板216n-1的中心218n-1与荫罩板216a的中心218a侧向偏移到纵轴304的相同一侧。
在生产系统300的所示实施例中，分别将荫罩板216a-216n的中心218a-218n示出为交替地偏移到纵轴304的不同一侧。例如，将荫罩板216a的中心218a偏移到纵轴304的第一侧，将荫罩板216b的中心218b偏移到纵轴304的第二侧，将荫罩板216n-1的中心218n-1偏移到纵轴304的第一侧，等等。然而，因为任意对相邻沉积真空室214可以使它们各自的荫罩板216设置在纵轴304的相同一侧，这不应该解释为限制本发明。因此，不应该将图3B中的纵轴304的相对两侧上的荫罩板216的中心218的交替位置解释为限制本发明。
例如，每一个荫罩板216由具有例如150-200微米厚度的镍、铬、钢、铜、Kovar、或Invar形成。在美国，Kovar是目前由特拉华州威尔明顿CRS Holdings，Inc.持有的注册商标，注册号No.337,962，Invar是目前由法国Imphy S.A.公司持有的注册商标，注册号No.63,970。
每一个沉积源318均装载有通过相应的荫罩板216沉积到柔性基板312上的所需材料。每一个热沉320是提供平坦的基准表面的较大质量的顶部平板，其与基板312的非沉积一侧相接触，并且作为基板312在平移通过生产系统300时的排热装置。生产系统300可以包括诸如公知的退火级、测试级、一个或更多清洗级、切割和装配级等之类的附加级(未示出)。如果需要，可以针对本领域普通技术人员针对特定应用所需的一种或更多材料的沉积，修改沉积真空室214的数目、目的和排列。
每一个荫罩板216包括孔径图案，例如，狭缝和孔洞。在每一个荫罩板216中形成的孔径的图案与相应的沉积真空室214中当基板312推进通过时将从沉积源318沉积到基板312上的材料的所需图案相对应。按需配置每一个荫罩板216，使得利用它沉积的材料与使用另一个沉积事件(例如，在先的沉积事件)沉积的材料相重叠，从而提供允许形成大面积底板的“缝合”效果。
利用沉积真空室214将材料沉积到基板312上，以便在基板312上形成一个或更多电子元件。例如，每一个电子元件可以是薄膜晶体管(TFT)、二极管、存储元件或电容器。可以通过基板312上材料的连续沉积单独地形成多层电路，即通过每一个沉积真空室214的连续操作，而无需执行刻蚀图案。
每一个沉积真空室214与用于在其中建立合适真空的真空源(未示出)相连。更具体地，真空源在一个或更多沉积真空室214中建立合适的真空，以便装填位于沉积源308中的所需材料，所需材料将以本领域公知的方式(例如，溅射或气相沉积)，通过荫罩板216内的孔径，沉积到基板312上。
在以下描述中，将基板312描述为连续的柔性薄板，将所述基板312最初置于将基板312分配到第一沉积真空室214中的分配滚轮314上。然而，可以将生产系统300配置用于连续地处理多个单独的基板312。将分配滚轮314置于预载真空室中，所述预载真空室与用于在其中建立合适真空的真空源(未示出)相连。每一个沉积真空室214包括当基板312推进通过沉积真空室214时避免基板312的下垂的支架或导轨。
在生产系统300的操作中，当将基板312步进地推进通过相应的沉积真空室214时，在存在合适的真空情况下，通过相应的荫罩板216将每一个沉积源318的材料沉积到基板312上，从而在基板312上形成多个累进图案。更具体地，基板312具有多个部分，将每一个部分在将发生沉积事件的每一个沉积真空室214中放置预定间隔。在该预定间隔期间，将材料从沉积源318沉积到位于相应的沉积真空室214中的那部分基板312上。在该预定间隔之后，步进地推进基板312，于是将基板312的多个部分推进到串联用于可应用的另外处理的下一沉积真空室214中。该步进推进继续，直到基板321的每一部分已经通过全部沉积真空室214为止。其后，将在一系列中的最后沉积真空室214中的基板312的每一部分接收到取出滚轮(take up reel)316上，所述取出滚轮316位于储存真空室中。可选地，在沉积真空室214中存在的基板312的每一部分通过切割器(未示出)与基板312的其余部分分离。
参考图3C，生产系统300可以包括串联安装在一对或更多对相邻沉积真空室214之间的可选缓冲器322。缓冲器322理想地包括用于传输基板312的一系列不可调和/或可调滚轮。因此，沉积真空室214之间的间距“s”不依赖于底板图案尺度，因此，生产系统300内部的沉积真空室214的普通结构适合于任意底板设计的生产。
参考图4A，图2中的细节A的放大图示出了分别在两个相邻基板段(例如，基板段212a和212b)的边界处的典型导体410a和410b。图4B示出了沿图4A中的IVB-IVB线得到的剖面图。图4B示出了基板段212a的导体410a与基板段212b的导体410b的重叠或“缝合”，这实现导体410a和410b之间的导电性。在一个示例中，基板段212a的导体410a与基板段212b的导体410b的重叠412位于10至15um的范围中。可以通过如图2的示例所示的相同荫罩板沉积导体410a和410b。可选地，可以通过一个荫罩板沉积导体410a，而通过如图3B中的位于纵轴304的相同一侧上的另一个荫罩板沉积导体410b。
除了在沿与纵轴304平行的方向彼此相邻的基板段上沉积的材料的“缝合”之外，生产系统300可以对在沿与纵轴304横断的(理想地为垂直的)方向彼此相邻的基板段上沉积的材料进行“缝合”。因此，可以在与纵轴304的方向平行或横断的(理想地为垂直的)方向发生材料的重叠或“缝合”。
参考图5并且继续参考图1至图4B，示出了所述方法的流程图500，其中通过多个连续段的多个沉积事件形成底板的每一层，每一段均是重复的图案，并且在段的边界处发生导体的缝合以形成连续的导电路径。
开始，所述方法从开始步骤508前进到步骤510，其中串联地安装多个沉积真空室214以形成诸如生产系统300之类的生产系统。
所述方法前进到步骤512，其中确定了将要通过生产系统300形成的特定结构的设计规范，例如电路布局。
在步骤514中，形成针对在步骤512中限定的结构的每一层的、诸如荫罩板216之类的荫罩板。如步骤510中所限定的，根据针对所述结构的每一层的预定图案排列每一个荫罩板内的多个孔径。
在步骤516中，在如位于沉积真空室214中的基板312的段212这样的段上执行沉积事件。
在步骤518中，基板312推进到下一个连续的沉积真空室214中以进行处理。然后，所述方法前进到所述方法终止的结束步骤520。
所述方法可以针对由任意数目的基板段形成的连续或离散基板312重复任意次数，在相邻基板段的边界处对所述基板段的导体进行“缝合”以形成无缝底板结构。
可以将生产系统300配置用于能够使一个基板段在一个沉积真空室214中经历沉积事件，而同时使另一个基板段在另一个沉积真空室214中经历沉积事件。每一个相邻基板段110边界处的缝合使能够进行可扩展到任意尺度的无缝底板的形成。
可见，生产系统300和流程图500提供了一种系统和方法，用于通过执行m×n沉积事件以便形成底板，利用相同的制造工艺以及还应用于小尺寸或中尺寸显示器的小面积荫罩板，来形成大面积显示底板。
生产系统300和流程图500的方法不局限于形成大面积矩阵平板显示器底板，而且还可应用于可以分割成用于任意目的的重复图案的任意可扩展电路布局。
已经参考优选实施例描述了本发明。当其他人阅读和理解前述详细描述时将明了各种修改和变更。本发明意欲解释为包括只要在所附权利要求及其等价物范围之内的全部此种修改和变更。
权利要求
1.一种气相沉积荫罩板系统，包括多个串联的真空室，每一个真空室均具有位于其中的材料沉积源和荫罩板；以及用于沿其纵轴延伸通过真空室的路径来对基板进行平移的装置，其中，将第一真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的一侧，并且将第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的另一侧。
2.如权利要求1所述的系统，其中，所述系统可操作用于以如下方式通过第二真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板在基板上相邻的第一区域上沉积的一部分材料相重叠。
3.如权利要求2所述的系统，其中，基板的第一和第二区域沿与路径纵轴横断的方向彼此相邻。
4.如权利要求2所述的系统，其中，在第一和第二区域之间沿与路径纵轴平行的方向的边界附近发生重叠。
5.如权利要求2所述的系统，其中，基板的第一和第二区域不重叠。
6.如权利要求2所述的系统，其中，将第三真空室中的荫罩板的中心与第一真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴相同的一侧；以及所述系统可操作用于以如下方式通过第三真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第一区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的至少一部分材料重叠，并且与在基板的第二区域上沉积的一部分材料重叠。
7.如权利要求2所述的系统，其中，所述系统可操作用于以如下方式通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第三区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板在基板上相邻的第一区域上沉积的一部分材料相重叠。
8.如权利要求7所述的系统，其中，基板的第一和第三区域沿与路径纵轴平行的方向彼此相邻。
9.如权利要求7所述的系统，其中，在基板的第三区域上沉积的材料与在基板的第一区域上沉积的材料沿与路径纵轴横断的方向相重叠。
10.如权利要求7所述的系统，其中，基板的第一、第二和第三区域不重叠。
11.一种气相沉积荫罩板系统，包括多个串联的真空室，每一个真空室均具有位于其中的材料沉积源和荫罩板；以及用于沿其纵轴延伸通过真空室的路径对基板进行平移的装置，其中将第一和第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的一侧。
12.如权利要求11所述的系统，所述系统可操作用于以如下方式通过第二真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板在基板上相邻的第一区域上沉积的一部分材料相重叠。
13.如权利要求12所述的系统，其中，基板的第一和第二区域沿与路径纵轴平行的方向彼此相邻。
14.如权利要求12所述的系统，其中，在第一和第二区域之间沿与路径纵轴横断的方向的边界附近发生重叠。
15.如权利要求12所述的系统，其中，基板的第一和第二区域不重叠。
16.一种荫罩板气相沉积方法，包括(a)将基板的第一区域置于第一真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；(b)通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积在基板的第一区域上；(c)沿其纵轴延伸通过真空室的路径将基板的第一区域推进到第二真空室；(d)将基板上相邻的第二区域置于第二真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；以及(e)以如下方式通过第二真空室中的沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的一部分材料相重叠，其中，将第一和第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的相对两侧。
17.如权利要求16所述的方法，其中，在第一和第二区域之间沿与路径纵轴平行的方向的边界附近发生重叠。
18.如权利要求16所述的方法，其中，基板的第一和第二区域不重叠。
19.如权利要求16所述的方法，还包括(f)沿路径将基板的第一区域推进到第三真空室；(g)将基板的第一区域置于第三真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；以及(h)以如下方式通过第三真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第一区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板在基板的第一区域上沉积的至少一部分材料相重叠，并且与在基板的第二区域上沉积的一部分材料相重叠，其中，将第一和第三真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的相同一侧。
20.如权利要求16所述的方法，还包括沿路径将基板的第一区域推进到第二真空室；将基板的第三区域置于第一真空室中的材料沉积源和荫罩板之间，其中基板的第三区域与基板的第一区域相邻；以及以如下方式通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第三区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的至少一部分材料相重叠。
21.如权利要求20所述的方法，其中，基板的第一、第二和第三区域不重叠。
22.如权利要求20所述的方法，其中，在第三区域上沉积的材料与在第一区域上沉积的材料在第一和第三区域之间沿与路径纵轴横断的方向的边界附近相重叠。
23.一种荫罩板气相沉积方法，包括(a)将基板的第一区域置于第一真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；(b)通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第一区域上；(c)沿其纵轴延伸通过真空室的路径将基板的第一区域推进到第二真空室；(d)将基板上相邻的第二区域置于第二真空室中的材料沉积源和荫罩板之间；以及(e)以如下方式通过第二真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与在基板的第一区域上沉积的一部分材料相重叠，其中将第一和第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的一侧。
24.如权利要求23所述的方法，其中，在第一和第二区域之间沿与路径纵轴横断的方向的边界附近发生重叠。
25.如权利要求23所述的方法，其中，基板的第一和第二区域不重叠。
全文摘要
公开了一种气相沉积荫罩板系统，包括多个串联的真空室，每一个真空室均具有位于其中的材料沉积源和荫罩板。沿其纵轴延伸通过真空室的路径对基板进行平移。将第一和第二真空室中的荫罩板的中心侧向地偏移到路径纵轴的相对两侧。所述系统可操作用于以如下方式通过第二真空室中的材料沉积源和荫罩板将材料沉积到基板的第二区域上，所述方式即与通过第一真空室中的材料沉积源和荫罩板在基板上相邻的第一区域上沉积的一部分材料相重叠。
文档编号H01L27/32GK101027424SQ200480044054
公开日2007年8月29日 申请日期2004年8月26日 优先权日2004年8月25日
发明者托马斯·彼得·布罗迪, 保罗·R·马姆伯格 申请人:阿德文泰克全球有限公司