专利名称：汽化炉的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属于半导体离子注入工艺，特别涉及一种汽化炉。
背景技术：
在所有的半导体组件中，离子注入(Ion Implant)是晶体管结构中一项相当重要的技术。在离子注入过程中，园片会受到被称为掺质的带电离子束撞击，当掺杂加速到获足够的能量后，即可注入薄膜达到预定的深度，进而改变材料的性质，提供特定的电器特性。离子注入工艺可对注入区域内的掺质浓度加以精密控制，基本上掺质溶度(剂量)由离子束电流(离子束内的总离子数)与扫瞄率(园片通过离子束的次数)来控制，而掺质注入的深度则由离子束能量的大小来决定。
然而，离子束内的离子来源一般利用固态离子源在汽化炉内汽化而得，但通常汽化炉的炉体结构如图1与图2所示，随着固态离子源10在汽化炉的炉体12内汽化使得在炉体12内固态离子源10总量逐渐减少，此种现象将导致离子注入机所获得的总汽化离子数量降低，此时为维持掺杂离子溶度的一定的情况下，需要手动提高汽化炉的温度以加速固态离子源升华速度，或重新调整离子束电流的设定，如此将导致离子注入机效率降低。
因此，本实用新型提供一种汽化炉，来解决通常因炉体内的固态离子源总量减少，所导致离子注入机的总气化离子源数量减少的影响，而造成的损失。
发明内容
本实用新型的主要目的在于提供一种汽化炉，利用将炉体的开口尺寸小于炉底的底部尺寸，而使结构改良呈现上窄下宽的结构设计，来有效的达到防止通常的固态离子源在汽化炉内汽化时固态离子源总量越来越少，导致离子注入机所获得总离子量降低，而造成离子注入机需要常常手动提高汽化炉的温度，所花费的等待时间，导致效率降低。
当发生如上述的固态离子源总量逐渐减少的现象时，本实用新型的次要目的，在于提供一种汽化炉，它利用将炉体的开口尺寸小于炉底的底部尺寸，而使结构改良呈现上窄下宽的结构设计，来有效的提供固态离子源在加热时不断挥发的情况下，固态离子源的固/气界面表面随炉体的结构设计而逐渐增加，使离子注入机所获得的气化离子总数维持不变，从而有效解决通常离子注入机需要重新调整离子束电流的缺点。
为达以上的目的，本实用新型提供一种汽化炉，其构造包括有一炉体；以及一位于炉体外围的加热系统；所述炉体的开口尺寸小于炉体底部，而呈现为上窄下宽的结构设计。
本实用新型的有益效果是防止通常的固态离子源在汽化炉内汽化时固态离子源总量越来越少，导致离子注入机所获得总离子量降低，而造成离子注入机需要常常手动提高汽化炉的温度，所花费的等待时间，造成效率降低。
图1与图2为通常所用汽化炉实施例示意图。
图3为本实用新型示意图。
图4与图5为本实用新型的汽化炉实施例的示意图。
标号说明10固态离子源12炉体14炉体16加热系统18固态离子源具体实施方式
以下结合附图及实施例进一步说明本实用新型的结构特征及所达成的有益效果。
请参阅图3所示，本实用新型汽化炉，它包含一具有开口尺寸小于炉体底部尺寸，而呈现上窄下宽型态的炉体14，其炉体14可以为一圆锥状结构设计或角锥状的结构设计，与一位于炉体外周围的电阻式加热系统16。
为便于说明本实用新型，在附图说明部分分别举一对固态离子源加热时间较短暂的图4与一对固态离子源加热时间较长的图5来进行说明。
请参阅图4与图5所示，当本实用新型利用置于炉体14外的加热系统16对置于炉体14内的固态离子源18进行加热，随着温度不断升高，给予固态离子源18足够热能跳脱固态能量障碍(Energy barrier)与液态能量障碍，而直接升华至气态，在这样的情况下，使得炉体14内所存有的固态离子源18逐渐减少，将产生图4的固态离子源18的升华量(定义所述所述作用力为F1)远大于图5时的固态离子源18升华量(定义所述所述作用力为F2)，即F1≥F2，且此时因固态离子源18的减少，固态离子源18的固/气界面将随着炉体14形状为上窄下宽的设计，呈现如图4所示的固/气界面的表面积(定义表面积为A1)将远小于图5的固/气界面的表面积(定义表面积为A2)，即A1≤A2。
因此在加热时间较短的情况下，如图4所示，离子注入机所获得的总离子数量为F1×A1，而于加热时间较长的图5时，离子注入机所获得的总离子数量将为F2×A2，此时F1×A1F2×A2，因为本发明的炉体的开口尺寸小于炉体底部的尺寸，而有效的使A2远大于A1，因此弥补了F2远小于F1的情况。
本发明以开口尺寸小于底部尺寸的汽化炉体结构，有效地弥补了通常技术使用一上下等宽度的炉体所产生因固态离子源获得足够热能后逐渐升华，而导致离子注入机所获得的总离子数将随着固态离子源减少，逐渐递减的情况，进而有效的避免了通常技术需重新调整电子束与为求获得一致的升华离子总量，而需调高汽化炉温度的等待升温的时间所导致生产效率降低的情况。
以上所述，仅为本实用新型的优先实施方式，不能仅以此实施例来限定本实用新型实施的范围。凡依本实用新型申请范围所述的形状、构造、特征及精神所为的同等变化或修饰，仍落在本实用新型的专利范围内。
权利要求1.一种汽化炉，包括一炉体，以及一位于炉体外周缘的加热系统，其特征在于所述炉体的开口尺寸较炉体的底部尺寸小。
2.根据权利要求1所述的汽化炉，其特征在于所述炉体的结构为圆锥状。
3.根据权利要求1所述的汽化炉，其特征在于所述炉体的结构为角锥状。
4.根据权利要求1所述的汽化炉，其特征在于所述加热系统为电阻式加热系统。
专利摘要本实用新型提供一种汽化炉，其包含一开口尺寸较底部尺寸小而呈现上窄下宽的炉体，另搭配一位于炉体外周围的加热系统，当对固态离子源来进行加热汽化时，随着加温过程固态离子源数量不断的减少，其固/气界面的表面积将随着炉体的底部具较大的尺寸，而有效的弥补固态离子数量减少，所导致离子注入机获得的离子总量降低的现象。
文档编号H01L21/425GK2687841SQ20042002154
公开日2005年3月23日 申请日期2004年4月1日 优先权日2004年4月1日
发明者黄振聪, 江瑞星 申请人:上海宏力半导体制造有限公司