专利名称：电极层、包括该电极层的发光器件、以及形成电极层的方法
技术领域：
本发明涉及一种预定材料层、一种形成该预定材料层的方法、以及包括该预定材料层的发光器件，更具体地说，涉及一种电极层、一种形成该电极层的方法、以及一种包括该电极层的发光器件。
背景技术：
更为可取的是发光器件，如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)，需要低的驱动电压以及在低驱动电压下呈现出高的发光效率。
为了降低驱动电压，一种其中将一层材料层以改进了的方式布置于电极层和有源层之间的发光器件已得到了广泛地应用。在这种结构的发光器件中，范围从电极层到有源层的电流流入路径(current inflow path)的宽度受到了限制，从而光在有限区域内发射。
要想进一步降低发光器件的驱动电压，最重要的是不仅要降低电极层的阻抗而且要降低形成于电极层和有源层之间的材料层的阻抗。
具体地说，由于电极层是一层用于光发射的电流首先通过并且与化合物半导体层(例如，p型GaN化合物半导体层)欧姆接触的材料层，因此降低电极层的阻抗以便降低发光器件的驱动电压是十分重要的。
图1是含有一层传统电极层的发光器件的横截面视图。
参见图1，发光器件包括顺序叠置的一层n-GaN层6、一层有源层8、以及一层p-GaN层10，并且在p-GaN层10上形成一层p型电极。该p型电极包括顺序形成的一层第一电极层12和一层第二电极层14。第一电极层12由Ni形成，第二电极层14由Au形成。
在这种传统的发光器件中，由于p型电极形成为与第一和第二电极层12和14有热力学关系(thermodynamic relationship)，因此该p型电极可以仅由几种预定的材料形成。
并且，当p型电极由一层Ni层和一层Au层形成时，p型电极可具有高的阻抗和低的透射率。于是，这种p型电极的使用受到了限制。
发明内容
本发明提供一种具有低阻抗和高透射率的电极层。
本发明还提供一种包括该电极层的发光器件。
本发明进一步提供一种形成该电极层的方法。
根据本发明的一个方面，此处提供一种包括顺序叠置的一层第一电极层和一层第二电极层的电极层。该第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。
该附加元素可以包括选自Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。
添加到氧化铟中的附加元素的添加比率可以在0.001至49原子百分率范围之内。
第一电极层的厚度可以在0.1至500nm范围之内。
第二电极层可以是一层金属层或一层透光导电氧化物(TCO)层。金属层可以由Au、Pd、Pt或Ru形成。TCO层可以由氧化铟锡(ITO)、掺杂锌的氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺杂氟的氧化锡(FTO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、In4Sn3O12或者氧化锌镁(Zn1-xMgxO，0≤x≤1)形成。
第二电极层的厚度可以在0.1至500nm范围之内。
根据本发明的另一个方面，此处提供一种发光器件，其至少包括布置于一n型电极层与一p型电极层之间的一层n型化合物半导体层、一层有源层、一层p型化合物半导体层。该p型电极层包括顺序叠置的一层第一电极层和一层第二电极层，并且第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。
根据本发明的又一个方面，此处提供一种形成电极层的方法。该方法包括在一个衬底上形成一层第一电极层；在第一电极层上形成一层第二电极层；以及使已形成第二电极层的所得结构退火。此处，第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。
所得结构可以在包含选自N、Ar、He、O、H和空气中的至少一种的气氛中、在约200至700℃温度下进行10秒钟到两个小时的退火。
第一电极层和第二电极层可以利用一个电子束及热力蒸发器来形成。
根据本发明的电极层具有低阻抗和高透射率。
因此，当该电极层用于发光器件时，该发光器件仅需要低的驱动电压，并具有高的透射率，由此大大提高了发光效率。
通过参照附图对其示范性实施例的详细描述，本发明的上述特征和优点将变得更加明显。其中图1是包含一层传统电极层的发光器件的横截面视图；图2是根据本发明的电极层的横截面视图；图3A是显示出根据本发明第一实施例的电极层(MIO/Au)的电流-电压(C-V)特性的测量结果的图；图3B是显示出包含图3A的电极层的InGaN蓝光发光二极管(LED)的驱动电压测量结果的图；图4A是显示出根据本发明第二实施例的电极层(CIO/ZITO)的C-V特性的测量结果的图；图4B是显示出包含图4A的电极层的InGaN蓝光LED的驱动电压测量结果的图；图5A是显示出根据本发明第三实施例的电极层(CIO/ITO)的C-V特性测量结果的图；图5B是显示出包含图5A的电极层的InGaN蓝光LED的驱动电压测量结果的图；图6是显示出根据本发明第四实施例的电极层(MIO/ITO)的C-V特性测量结果的图；图7是显示出根据本发明第五实施例的电极层(CIO/Au)的C-V特性测量结果的图；图8和9是表示包含根据本发明的电极层的发光器件的横截面视图；以及图10表示根据本发明形成电极层的方法。
具体实施例方式
现在将参照附图更全面地描述本发明，在附图中显示出本发明的示范性实施例。
首先，描述根据一个实施例的电极层。
图2是根据本发明的电极层的横截面视图。
参见图2，p型电极层22布置于p型化合物半导体层20上。p型电极层22包括顺序叠置的第一电极层22a和第二电极层22b。第一电极层22a由添加了附加元素的氧化铟(如In2O3)形成。
附加元素可以通过调节氧化铟的特性，如能带隙、电子亲合性和功函数，来改善第一电极层22a的欧姆特性。
附加元素可以是增加p型化合物半导体层20的有效载流子浓度、并容易与除氮以外的组成p型化合物半导体层20的元素起反应的金属材料。
例如，当p型化合物半导体层20由基于GaN的化合物形成时，附加元素可以是在N之前与Ga反应的元素。
于是，p型化合物半导体层20的Ga与第一电极层22a起反应，因而在p型化合物半导体层20的表面生成了Ga空位。由于Ga空位起p型掺杂剂的作用，因此p型化合物半导体层20表面中的p型载流子的有效浓度增加。
第一电极层22a可以由与Ga2O3层起反应的材料形成以便生成透光导电氧化物，该材料是在第一电极层22a形成期间保留在p型化合物半导体层20上的固有氧化层(native oxide layer)。Ga2O3层起到在p型化合物半导体层20与第一电极层22a之间的界面处的载流子流动的势垒(barrier)的作用。在这种情况下，在第一电极层22a与p型化合物半导体层20之间的界面上可以发生隧道导电现象，于是改善了第一电极层22a的欧姆特性。
用于第一电极层22a的附加元素可以是Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。
优选地，添加到氧化铟中的附加元素的添加比率在0.001至49原子百分率范围之内。
当第一电极层22a由氧化铟形成时，第一电极层22a的厚度在0.1至500nm范围之内。第二电极层22b是一层金属层或一层透光导电氧化物(TCO)层。此处，金属层可以由Au、Pd、Pt或Ru形成。TCO层可以由氧化铟锡(ITO)、掺杂锌的氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺杂氟的氧化锡(FTO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、In4Sn3O12或者氧化锌镁(Zn1-xMgxO，0≤x≤1)形成。该氧化层可以是，例如，Zn2In2O5层、GaInO3层、ZnSnO3层、掺杂氟的SnO2层、掺杂Al的ZnO层、掺杂Ga的ZnO层、MgO层或ZnO层。第二电极层22b的厚度在0.1至500nm范围之内。
图3A是显示出根据本发明第一实施例的电极层(MIO/Au)的电流-电压(C-V)特性测量结果的图。
在本实施例中，电极层包括一层由掺杂镁的氧化铟(MIO)形成的第一电极层22a以及一层布置于第一电极层22a之上的由Au形成的第二电极层22b。第一电极层22a和第二电极层22b分别形成为厚度约100nm和5nm。
为了测量本发明的电极层的阻抗和电压特性，发明人在一层p型GaN层上形成了厚度为100nm的第一电极层22a，并接着在第一电极层22a上形成了厚度为5nm的第二电极层22b。
更为具体地说，用通过向氧化铟添加作为列举的附加元素之一的Mg而得到的MIO在p型GaN层20上形成第一电极层22a，该p型GaN层包括作为主要元素的载流子浓度为4-5×1017cm-3的GaN。第二电极层22b用Au在第一电极层22a上沉积。此后，发明人测量了已形成第一和第二电极层22a和22b的所得结构的电特性。在退火过程之前(即，在沉积时)和在该电极层分别在430℃和530℃下、在空气环境中进行每次1分钟的退火之后测量电极层(MIO/Au)的电特性。图3A显示出该电极层(MIO/Au)的电特性的测量结果。参见图3A，随着退火温度的升高，电压-电流(V-C)曲线的斜率增大了，也就是说，阻抗降低了。在430℃下进行了退火过程以后，V-C曲线的斜率最高。
从图3A可以看出，在进行退火过程之前，呈现出非线性C-V特性，即整流特性，而在进行了退火过程以后，展现出包含欧姆接触上的信息的线性C-V特性。并且，可以看出非接触阻抗在10-3至10-5Ωcm2的低范围内。
同时，为了控制决定与p型化合物半导体层20接触的第一电极层22a的电特性的能带隙、电子亲合性、功函数而掺杂有或混合有预定元素的氧化铟应当具有杰出的光学透射率和导电性。在退火过程期间，由该氧化铟形成的第一电极层22a与作为布置于p型化合物半导体层20上的氧化层的Ga2O3起反应，于是生成了TCO层，即GaInO3层。结果，在p型化合物半导体层20的表面上形成了Ga空位，由此提高了p型化合物半导体层20表面周围的空穴的有效浓度。由于GaInO3层具有大的功函数，因此当接触p型化合物半导体层20时，GaInO3层可以降低肖特基势垒的高度和宽度，由此提高了欧姆接触特性和光学透射率。
图3B是显示出包含图3A的电极层的InGaN蓝光发光二极管(LED)驱动电压的测量结果的图。
电极层(MIO/Au)在430℃温度下在空气环境中退火1分钟。参见图3B，包含作为p型电极层的电极层(MIO/Au)的蓝光LED具有改进了的驱动电压特性。
图4A是显示出根据本发明第二实施例的电极层(CIO/ZITO)的C-V特性的测量结果的图。
在本实施例中，电极层(CIO/ZITO)包括一层由掺杂铜的氧化铟(CIO)形成的第一电极层以及一层布置于第一电极层之上的由ZITO形成的第二电极层。第一电极层和第二电极层分别形成为厚度约10nm和200nm。并且，电极层(CIO/ZITO)在约530℃温度下在空气环境中退火1分钟。
从图4A可以看出，电极层(CIO/ZITO)具有非线性C-V特性和低的10-3至10-5Ωcm2非接触阻抗。此处，在测量电极层的C-V特性时，相邻电极间的距离为4μm。
图4B是显示出包含图4A的电极层的InGaN蓝光LED驱动电压的测量结果的图。
参见图4B，包括作为p型电极层的电极层(CIO/ZITO)的蓝光LED具有改进了的驱动电压特性。
图5A是显示出根据本发明第三实施例的电极层(CIO/ITO)的C-V特性的测量结果的图。
在本实施例中，电极层(CIO/ITO)包括一层由CIO形成的第一电极层以及一层布置于第一电极层之上的由ITO形成的第二电极层。第一电极层和第二电极层分别形成为厚度约10nm和200nm。并且，电极层(CIO/ITO)在约530℃温度下在空气环境中退火1分钟。
从图5A可以看出，电极层(CIO/ITO)具有非线性C-V特性和低的10-3至10-5Ωcm2的非接触阻抗。此处，在测量电极层的C-V特性时，相邻电极间的距离为4μm。
图5B是显示出包含根据本发明第三实施例而形成的电极层(CIO/ITO)的InGaN蓝光LED的驱动电压的测量结果的图。
在这种情况下，第一电极层和第二电极层分别形成为厚度约2.5nm和400nm。包含电极层(CIO/ITO)的蓝光LED的驱动电压在该电极层分别在630℃和700℃温度下在空气环境中进行每次1分钟的退火时测得，并且与包含传统电极层(Ni/Au)的InGaN蓝光LED的驱动电压进行比较。
参见图5B，包括作为p型电极层的电极层(CIO/ITO)的蓝光LED具有改进了的驱动电压特性。
图6是显示出根据本发明第四实施例的电极层(MIO/ITO)的C-V特性的测量结果的图。
在本实施例中，电极层(MIO/ITO)包括一层由MIO形成的第一电极层以及一层布置于第一电极层之上的由ITO形成的第二电极层。第一电极层和第二电极层分别形成为厚度约10nm和400nm。电极层(MIO/ITO)的电特性在其分别在500℃、550℃、600℃、和700℃温度下在空气环境中进行每次1分钟的退火时测得。
从图6可以看出，电极层(MIO/ITO)具有线性C-V特性和低的10-3至10-5Ωcm2的非接触阻抗。此处，在测量电极层的C-V特性时，相邻电极间的距离为4μm。
图7是显示出根据本发明第五实施例形成的电极层(CIO/Au)的C-V特性的测量结果的图。
在本实施例中，电极层(CIO/Au)包括一层由CIO形成的第一电极层以及一层布置于第一电极层之上的由Au形成的第二电极层。第一电极层和第二电极层分别形成为厚度约5nm和100nm。在退火过程之前(即，在沉积时)和在该电极层分别在400℃和450℃下、在空气环境中进行每次1分钟的退火之后测量电极层(CIO/Au)的电特性。
从图7可以看出，电极层(CIO/Au)具有线性C-V特性和低的10-3至10-5Ωcm2的非接触阻抗。此处，在测量电极层的C-V特性时，相邻电极间的距离为4μm。
在下文中将描述作为包含前述电极层的发光器件例子的LED和激光二极管(LD)。
图8和9是表示包含根据本发明电极层的发光器件的横截面视图。例如，图8是包含作为p型电极的图2的电极层的LED的横截面视图，图9是包含作为p型电极的图2的电极层的LD的横截面视图。
参见图8，该LED包括一层布置于衬底100上的n-GaN层102。n-GaN层102被分成第一区域R1和第二区域R2。在第一区域R1和第二区域R2之间有一个阶梯差异(step difference)。第二区域R2形成为比第一区域R1小的厚度。一层有源层104、一层p-GaN层106、以及一层p型电极108顺序形成于n-GaN层102的第一区域R1上。n型电极120形成于n-GaN层102的第二区域R2上。
同时，参见图9，该LD包括布置于衬底100上的一层n-GaN层102。类似图5所示的LED，n-GaN层102被分成第一区域R1和第二区域R2，并且一层n型电极220形成于第二区域R2上。在n-GaN层102的第一区域R1的顶部顺序形成一层n包覆层204、一层具有比n包覆层204高的折射率的n型波导层206、一层具有比n型波导层206高的折射率的有源层208、以及一层具有比有源层208低的折射率的p型波导层210。并且，具有比p型波导层210低的折射率的p包覆层212形成于p型波导层210之上。p包覆层212的上部中央部向上突出并形成一个脊。一层p-GaN214作为接触层形成于p包覆层212的突出部分上。p包覆层212的暴露表面用一层保护层216覆盖，该保护层还将p-GaN层214的两个外部都覆盖住。一层p型电极218形成于保护层216上，以便接触p-GaN层214的暴露表面。
现在将参照图10描述制造图2的电极层的方法。
图10表示形成根据本发明的电极层的方法。
参见图10，第一电极层310形成于一层p型化合物半导体层300(例如，p型GaN层)上。第一电极层310通过向氧化铟(例如，In2O3)中加入附加元素而形成。该附加元素可以是Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。添加到氧化铟中的附加元素的添加比率在0.001至49原子百分率范围之内。第一电极层310可形成为0.1至500nm的厚度。
此后，在第一电极层310上形成厚度为0.1至500nm的第二电极层320。第二电极层320是一层金属层或一层TCO层。金属层可以由Au、Pd、Pt或Ru形成。TCO层可以由ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12或者Zn1-xMgxO(0≤x≤1)形成。该氧化层可以是，例如，Zn2In2O5层、GaInO3层、ZnSnO3层、掺杂F的SnO2层、掺杂Al的ZnO层、掺杂Ga的ZnO层、MgO层或ZnO层。
第一和第二电极层310和320可以利用一个电子束(e-束)及热力蒸发器或者一个二元型热力蒸发器(dual-type thermal evaporator)来形成。并且第一和第二电极层310和320可以通过物理气相沉积(PVD)、化学气相淀积(CVD)或等离子激光沉积(PLD)而形成。
第一和第二电极层310和320可以在从大气压力到10-12托的反应器压力下、在从约20到1500℃的温度下沉积。
在形成第二电极层320以后，所得的结构在含有N、Ar、He、O、H和空气中的至少一种的气体气氛中进行退火。退火过程在约200到700℃温度下进行10秒到两个小时。
在退火过程期间，组成第一和第二电极层310和320的元素可以彼此混合，从而可在p型化合物半导体衬底300上形成单电极层330。或者，第一和第二电极层310和320可单独地形成于p型化合物半导体衬底300上。
下文中将描述由发明人进行的与根据本发明的p型电极层有关的实验例。由发明人采用的形成电极层的方法不限于后面的示范性过程。
首先，将其中p型基于GaN的化合物半导体层300形成于一个衬底上这种结构的表面在超声波清洗槽中、在60℃温度下、用三氯乙烯(TCE)、丙酮、甲醇和蒸馏水分别清洗，每次5分钟。接着，所得结构在100℃温度下硬烘烤10分钟，以便从该样品上除去残留的湿气。
此后，光致抗蚀剂层以4500RPM(转/分)旋涂于p型化合物半导体层300上。所得结构在85℃温度下软烘烤15分钟。为了形成掩模图案，将样品与掩模对齐，并在22.8mW的紫外线(UV)中暴露15秒钟，并且在含有以1∶4比例混合的显影液与蒸馏水的混合物的溶液中浸渍25秒钟。
此后，显好影的样品在缓冲氧化蚀刻剂(buffered oxide etchant)(BOE)溶液中浸渍5分钟以便从样品上除去沾污层。接着用电子束蒸发器在所得结构上形成第一电极层310。
第一电极层310通过在安装梯级上安装一个反应物体而得以沉积，该反应物体通过将以9∶1的比例混合的氧化铟和MgO的混合物烧结而形成。
在第一电极层310沉积完以后，第二电极层320利用Au而得以沉积，并且利用丙酮进行浮脱工艺(lift-off process)，并且将样品送入快速加热退火(RTA)炉中，并在约430到530℃温度下退火1分钟。结果，形成了电极层330。
前述形成电极层的方法可以应用到如图8和9所示的发光器件的制造上。
从前述实施例和实验可以看出，本发明的电极层具有比传统电极层低的阻抗和高的透射率。
并且，与其中由于高阻抗和低透射率而将第一电极层(Ni层)的厚度限制在10nm以下的传统电极层不同，本发明的第一电极层可以形成为约0.1至500nm的更大的厚度。于是，即使第一电极层有100nm厚，本发明的电极层也可表现出低的接触阻抗和高的透射率。
因此，当本发明的电极层用于发光器件时，该发光器件仅需低的驱动电压，并具有高的透射率，由此大大地提高了发光效率。
尽管已经参照其示范性实施例对本发明做了具体地展示和描述，本领域普通技术人员应当明白可以在形状和细节上对其作出各种改变，而不会背离由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。例如，本发明的电极层不仅可以应用到图8和9所示的发光器件上，而且可应用到其它发光器件以及需要低阻抗电极的其它器件上。
权利要求
1.一种电极层，包括顺序叠置的一第一电极层和一第二电极层，其中所述第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。
2.如权利要求1所述的电极层，其中所述附加元素包括选自Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。
3.如权利要求2所述的电极层，其中添加到氧化铟中的附加元素的添加比率在0.001至49原子百分率范围之内。
4.如权利要求1所述的电极层，其中所述第一电极层的厚度在0.1至500nm范围之内。
5.如权利要求1所述的电极层，其中所述第二电极层是一金属层。
6.如权利要求1所述的电极层，其中所述第二电极层是一透光导电氧化物层。
7.如权利要求5所述的电极层，其中所述金属层由选自Au、Pd、Pt和Ru中的一种形成。
8.如权利要求6所述的电极层，其中所述氧化层由选自ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12和Zn1-xMgxO(0≤x≤1)中的一种形成。
9.一种发光器件，至少包括布置于n型电极层与p型电极层之间的一n型化合物半导体层、一有源层和一p型化合物半导体层，其中所述p型电极层包括顺序叠置的一第一电极层和一第二电极层，并且所述第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。
10.如权利要求9所述的器件，其中所述附加元素包括选自Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。
11.如权利要求10所述的器件，其中添加到氧化铟中的附加元素的添加比率在0.001至49原子百分率范围之内。
12.如权利要求9所述的器件，其中所述第一电极层的厚度在0.1至500nm范围之内。
13.如权利要求9所述的器件，其中所述第二电极层是一金属层。
14.如权利要求9所述的器件，其中所述第二电极层是一透光导电氧化物层。
15.如权利要求13所述的器件，其中所述金属层由选自Au、Pd、Pt和Ru中的一种形成。
16.如权利要求14所述的器件，其中所述氧化层由选自ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12和Zn1-xMgxO(0≤x≤1)中的一种形成。
17.一种形成电极层的方法，该方法包括在一衬底上形成一第一电极层；在所述第一电极层上形成一第二电极层；以及使已形成所述第二电极层的所得结构退火，其中所述第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述附加元素包括选自Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。
19.如权利要求18所述的方法，其中添加到氧化铟中的附加元素的添加比率在0.001至49原子百分率范围之内。
20.如权利要求17所述的方法，其中所述第一电极层形成为厚度为0.1至500nm。
21.如权利要求17所述的方法，其中所述第二电极层由金属形成。
22.如权利要求17所述的方法，其中所述第二电极层由一种透光导电氧化物形成。
23.如权利要求21所述的方法，其中所述金属层由选自Au、Pd、Pt和Ru中的一种形成。
24.如权利要求22所述的方法，其中所述氧化层由选自ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12和Zn1-xMgxO(0≤x≤1)中的一种形成。
25.如权利要求17所述的方法，其中所述所得结构的退火是在含有选自N、Ar、He、O、H和空气中的至少一种的气氛中进行的。
26.如权利要求17所述的方法，其中所述所得结构的退火是在约200至700℃温度下进行10秒钟到两个小时。
27.如权利要求17所述的方法，其中所述第一电极层的形成和所述第二电极层的形成是利用一个电子束及热力蒸发器来进行的。
全文摘要
本发明提供一种具有低阻抗和高透射率的电极层、一种包括该电极层的发光器件、以及一种形成该电极层的方法。该电极层包括顺序叠置的一层第一电极层和一层第二电极层，并且第一电极层由添加了一种附加元素的氧化铟形成。并且，该附加元素包括选自Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La中的至少一种。
文档编号H01L29/20GK1652362SQ20041009467
公开日2005年8月10日 申请日期2004年11月12日 优先权日2004年2月4日
发明者郭准燮, 南玉铉, 成泰连, 宋俊午 申请人:三星电机株式会社, 光州科学技术院